JPH05159237A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH05159237A JPH05159237A JP31906591A JP31906591A JPH05159237A JP H05159237 A JPH05159237 A JP H05159237A JP 31906591 A JP31906591 A JP 31906591A JP 31906591 A JP31906591 A JP 31906591A JP H05159237 A JPH05159237 A JP H05159237A
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- film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】薄膜磁気ヘッドにおいて、パッシベーション層
の平坦化研磨工程や高温加熱によるガラスフリットの溶
着工程を無くして、廉価に簡略に保護板を接着する。 【構成】 基板に結晶化ガラスを用いるとともに保護板
に感光性結晶化ガラスを用い、保護板をフォトリソグラ
フィ工程によって磁気ヘッドパターンに嵌合する凹凸パ
ターンを形成しておく。
の平坦化研磨工程や高温加熱によるガラスフリットの溶
着工程を無くして、廉価に簡略に保護板を接着する。 【構成】 基板に結晶化ガラスを用いるとともに保護板
に感光性結晶化ガラスを用い、保護板をフォトリソグラ
フィ工程によって磁気ヘッドパターンに嵌合する凹凸パ
ターンを形成しておく。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、廉価で製造工程が簡
略な薄膜磁気ヘッドとその製造方法に関する。
略な薄膜磁気ヘッドとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年オーディオ機器のディジタル化，Ｈ
ＤＤ（ハードディスク駆動装置）の急速な普及に伴い、
薄膜磁気ヘッドの需要が拡大，製品化の動きが活発化し
ている。特に、オーディオ機器ではＤＡＴ，ＤＣＣ用ヘ
ッドとして安価で精密なマルチトラック薄膜磁気ヘッド
を提供することが市場から要請されている。従来一般的
な薄膜磁気ヘッドは、図３，図４に示すようにＭｎ−Ｚ
ｎまたはＮｉ−Ｚｎフェライトからなる基板１６の上に
磁性薄膜，絶縁膜，電極材料を積層し、集積回路プロセ
ス技術を用いてマルチトラック化された磁気ヘッドパタ
ーン２０を有するものである。この基板上には回路を保
護するための保護板１７が接着される。
ＤＤ（ハードディスク駆動装置）の急速な普及に伴い、
薄膜磁気ヘッドの需要が拡大，製品化の動きが活発化し
ている。特に、オーディオ機器ではＤＡＴ，ＤＣＣ用ヘ
ッドとして安価で精密なマルチトラック薄膜磁気ヘッド
を提供することが市場から要請されている。従来一般的
な薄膜磁気ヘッドは、図３，図４に示すようにＭｎ−Ｚ
ｎまたはＮｉ−Ｚｎフェライトからなる基板１６の上に
磁性薄膜，絶縁膜，電極材料を積層し、集積回路プロセ
ス技術を用いてマルチトラック化された磁気ヘッドパタ
ーン２０を有するものである。この基板上には回路を保
護するための保護板１７が接着される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜磁気ヘッド
では、保護板１７として基板１６と同材質のＭｎ−Ｚｎ
またはＮｉ−Ｚｎフェライトを用いていたためコストが
高い欠点があった。しかも、この材料はビッカース高度
Ｈｖが６００以上の極めて加工の難しいものであるため
に機械加工が難しく、且つ、エッチング等の化学的加工
方法を採ることができない。そのうえ、基板上に形成さ
れた磁気ヘッドパターンは凹凸を有しているために、ヘ
ッド基板（磁気ヘッドパターン２０）に保護板１７を貼
り合わせる場合には、以下，の方式が採られてい
た。
では、保護板１７として基板１６と同材質のＭｎ−Ｚｎ
またはＮｉ−Ｚｎフェライトを用いていたためコストが
高い欠点があった。しかも、この材料はビッカース高度
Ｈｖが６００以上の極めて加工の難しいものであるため
に機械加工が難しく、且つ、エッチング等の化学的加工
方法を採ることができない。そのうえ、基板上に形成さ
れた磁気ヘッドパターンは凹凸を有しているために、ヘ
ッド基板（磁気ヘッドパターン２０）に保護板１７を貼
り合わせる場合には、以下，の方式が採られてい
た。
【０００４】（図３（ＹＭＲヘッド）参照）磁気ヘッ
ドパターン２０上に保護膜（パッシベーション膜）１８
を約１５μｍの厚さで形成したのち、これを約５〜１０
μｍ研磨して平坦化したのち保護板１７をエポキシ樹脂
２８を用いて接着する。
ドパターン２０上に保護膜（パッシベーション膜）１８
を約１５μｍの厚さで形成したのち、これを約５〜１０
μｍ研磨して平坦化したのち保護板１７をエポキシ樹脂
２８を用いて接着する。
【０００５】（図４（ＩＨヘッド）参照）磁気ヘッド
パターン２０上に薄くＣｒ膜を形成したのち、回路パタ
ーンの凹凸を埋めるため目詰めを兼ねた接着用のガラス
フリット１４を用いて保護板１７を溶着する。
パターン２０上に薄くＣｒ膜を形成したのち、回路パタ
ーンの凹凸を埋めるため目詰めを兼ねた接着用のガラス
フリット１４を用いて保護板１７を溶着する。
【０００６】しかしながら、上記，の方法は下のよ
うな問題点があり、プロセスが複雑であるか、または、
製造上の温度条件の制限を受ける等の規制があるため
に、安価なマルチトラック型ヘッドを効率良く生産する
ことが困難であった。
うな問題点があり、プロセスが複雑であるか、または、
製造上の温度条件の制限を受ける等の規制があるため
に、安価なマルチトラック型ヘッドを効率良く生産する
ことが困難であった。
【０００７】の方法で行った場合、 (1) ヘッド基板上の磁気回路を覆う平坦なパッシベーシ
ョン層を形成するため、ＳｉＯ2 等を１５μｍ以上の厚
さに積層したのち５〜１０μｍ以上研磨して平坦化する
ために生産性が悪い。
ョン層を形成するため、ＳｉＯ2 等を１５μｍ以上の厚
さに積層したのち５〜１０μｍ以上研磨して平坦化する
ために生産性が悪い。
【０００８】(2) 錫定盤およびダイヤモンドスラリーの
寿命が短く研磨コストが高い。
寿命が短く研磨コストが高い。
【０００９】の方法で行った場合、 (1) ガラス溶着温度を５５０℃以上にする必要があり、
Ｎｉ−Ｆｅ（パーマロイ）膜の磁気特性を確保すること
ができなくなるため、ＹＭＲヘッドに用いることが困難
である。
Ｎｉ−Ｆｅ（パーマロイ）膜の磁気特性を確保すること
ができなくなるため、ＹＭＲヘッドに用いることが困難
である。
【００１０】(2) フェライト基板，保護板の熱衝撃が大
きくなるため基板が破損し易い。
きくなるため基板が破損し易い。
【００１１】一方、回路パターン（パッシベーション
層）に凹凸があるまま樹脂で目詰めして保護板を接着す
る方法は、樹脂の硬度が不足するため、磁気テープの摺
動によって偏磨耗するため実用には適さない。
層）に凹凸があるまま樹脂で目詰めして保護板を接着す
る方法は、樹脂の硬度が不足するため、磁気テープの摺
動によって偏磨耗するため実用には適さない。
【００１２】この発明は上記問題点に鑑み、平坦化研磨
を行わず、しかも、樹脂を用いて２００℃で保護板を接
着できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目
的とする。
を行わず、しかも、樹脂を用いて２００℃で保護板を接
着できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目
的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この出願の請求項１の発
明は、結晶化ガラス基板上に形成された薄膜磁気ヘッド
パターンと、この薄膜磁気ヘッドパターンの凹凸と逆の
凹凸パターンに加工され嵌合接着された結晶化ガラスか
らなる保護板を有することを特徴とする。
明は、結晶化ガラス基板上に形成された薄膜磁気ヘッド
パターンと、この薄膜磁気ヘッドパターンの凹凸と逆の
凹凸パターンに加工され嵌合接着された結晶化ガラスか
らなる保護板を有することを特徴とする。
【００１４】この出願の請求項２の発明は、基板上に薄
膜磁気ヘッドパターンを形成するとともに、感光性結晶
化ガラスからなる保護板を前記薄膜磁気ヘッドパターン
と逆の凹凸パターンにエッチング加工したのち、薄膜磁
気ヘッドパターンが形成された基板上に前記保護板を樹
脂層を介して嵌合接着することを特徴とする。
膜磁気ヘッドパターンを形成するとともに、感光性結晶
化ガラスからなる保護板を前記薄膜磁気ヘッドパターン
と逆の凹凸パターンにエッチング加工したのち、薄膜磁
気ヘッドパターンが形成された基板上に前記保護板を樹
脂層を介して嵌合接着することを特徴とする。
【００１５】
【作用】この発明の薄膜磁気ヘッドは、基板および保護
板に結晶化ガラスを用いているため、従来のフェライト
以上の耐磨耗性を有するうえ、コストを安くすることが
できる。また、保護板の接合面を薄膜磁気ヘッドパター
ンの凹凸と嵌合する凹凸パターンに形成したことによ
り、樹脂の接着層の厚さを薄くでき、偏磨耗のおそれが
ない。
板に結晶化ガラスを用いているため、従来のフェライト
以上の耐磨耗性を有するうえ、コストを安くすることが
できる。また、保護板の接合面を薄膜磁気ヘッドパター
ンの凹凸と嵌合する凹凸パターンに形成したことによ
り、樹脂の接着層の厚さを薄くでき、偏磨耗のおそれが
ない。
【００１６】また、この発明の製造方法では保護板に感
光性結晶化ガラスを用い、薄膜磁気ヘッド基板上の凹凸
パターンと嵌合するようにフォトエッチング加工するよ
うにしたことにより、パッシベーション膜の平坦化研磨
をなしで樹脂による接着を可能にした。なお、この発明
は基板の材質を問わず同様なものにも用いることができ
る。ただし、偏磨耗を防止するためには基板と保護板と
は同一の材質であることが望ましい。
光性結晶化ガラスを用い、薄膜磁気ヘッド基板上の凹凸
パターンと嵌合するようにフォトエッチング加工するよ
うにしたことにより、パッシベーション膜の平坦化研磨
をなしで樹脂による接着を可能にした。なお、この発明
は基板の材質を問わず同様なものにも用いることができ
る。ただし、偏磨耗を防止するためには基板と保護板と
は同一の材質であることが望ましい。
【００１７】
（実施例１）この発明の実施例を図１に基づき説明す
る。図１はこの発明に基づく磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッド（ＹＭＲヘッド）である。このＹＭＲヘッドの製造
方法は、まず、下部ヨークとなる磁性膜２（たとえばパ
ーマロイ，センダスト膜）をこの磁性膜と近い線膨張係
数を有する結晶化ガラス基板１上に形成する。次に、ギ
ャップ層となる無機絶縁膜３をウエハ前面にＲＦスパッ
タ法により形成する。つぎに、ＭＲ素子の下地層となる
絶縁膜（たとえばＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，ポリイミド樹脂，
ノボラック樹脂）を成膜したのち、パーマロイ膜よりな
るＭＲ素子５を成膜しパターン形成する。つぎに、シグ
ナルリードとなるＡｌ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｓｉを３０００Å
〜５０００Å成膜しシグナルリードのパターン形成をフ
ォトリソグラフィ法により行ったのち、再び、ＭＲ素子
の上部絶縁層となる絶縁膜（例えばＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，
ポリイミド樹脂，ノボラック樹脂）を成膜したのち、リ
アクティブイオンエッチング法により上部絶縁膜と下部
絶縁膜をテーパーエッチングする。次に上部コア６（た
とえばパーマロイ，センダスト膜等）を成膜したのち、
イオンリミング法により上部コアのパターニングを行
う。つぎに、全面に絶縁膜７（例えば、ＳｉＯ2 ，Ｓｉ
Ｏ，ポリイミド樹脂，ノボラック樹脂）を成膜してウエ
ハプロセスが完了する。
る。図１はこの発明に基づく磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッド（ＹＭＲヘッド）である。このＹＭＲヘッドの製造
方法は、まず、下部ヨークとなる磁性膜２（たとえばパ
ーマロイ，センダスト膜）をこの磁性膜と近い線膨張係
数を有する結晶化ガラス基板１上に形成する。次に、ギ
ャップ層となる無機絶縁膜３をウエハ前面にＲＦスパッ
タ法により形成する。つぎに、ＭＲ素子の下地層となる
絶縁膜（たとえばＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，ポリイミド樹脂，
ノボラック樹脂）を成膜したのち、パーマロイ膜よりな
るＭＲ素子５を成膜しパターン形成する。つぎに、シグ
ナルリードとなるＡｌ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｓｉを３０００Å
〜５０００Å成膜しシグナルリードのパターン形成をフ
ォトリソグラフィ法により行ったのち、再び、ＭＲ素子
の上部絶縁層となる絶縁膜（例えばＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，
ポリイミド樹脂，ノボラック樹脂）を成膜したのち、リ
アクティブイオンエッチング法により上部絶縁膜と下部
絶縁膜をテーパーエッチングする。次に上部コア６（た
とえばパーマロイ，センダスト膜等）を成膜したのち、
イオンリミング法により上部コアのパターニングを行
う。つぎに、全面に絶縁膜７（例えば、ＳｉＯ2 ，Ｓｉ
Ｏ，ポリイミド樹脂，ノボラック樹脂）を成膜してウエ
ハプロセスが完了する。
【００１８】なお、磁気ヘッドパターンを形成したのち
保護板を被せるが、この位置合わせを容易にするため、
上部コアまたはシグナルリード形成時に複数個の合わせ
マークを形成する。
保護板を被せるが、この位置合わせを容易にするため、
上部コアまたはシグナルリード形成時に複数個の合わせ
マークを形成する。
【００１９】一方、保護板９は感光性結晶化ガラス（例
えば「ＨＯＹＡ ＰＥＧ３（商標）」）を用い、基板１
側の回路パターンの凹凸形状と逆の凹凸パターンとなる
ようにフォトリソグラフィ法でパターン形成し、ＨＦの
薄い溶液でスプレーエッチングする。これにより、磁気
ヘッドパターンと保護板９とは均一の隙間で嵌合するこ
とになる。このように加工した保護板９と薄膜磁気ヘッ
ドパターンとが一致するように合わせてエポキシ系樹脂
８により接着する。
えば「ＨＯＹＡ ＰＥＧ３（商標）」）を用い、基板１
側の回路パターンの凹凸形状と逆の凹凸パターンとなる
ようにフォトリソグラフィ法でパターン形成し、ＨＦの
薄い溶液でスプレーエッチングする。これにより、磁気
ヘッドパターンと保護板９とは均一の隙間で嵌合するこ
とになる。このように加工した保護板９と薄膜磁気ヘッ
ドパターンとが一致するように合わせてエポキシ系樹脂
８により接着する。
【００２０】樹脂による熱硬化を行ったのち、所定の素
子カットライン１０をダイシングにより切断し、カット
ラインを円筒研磨，テープ研磨行ってテープ摺動面から
のギャップデプスの加工を行うことにより、薄膜磁気ヘ
ッドパターンが完成する。
子カットライン１０をダイシングにより切断し、カット
ラインを円筒研磨，テープ研磨行ってテープ摺動面から
のギャップデプスの加工を行うことにより、薄膜磁気ヘ
ッドパターンが完成する。
【００２１】（実施例２）この発明の他の実施例を図２
に基づいて説明する。図２はこの発明に基づく誘導型薄
膜磁気ヘッド（ＩＨヘッド）の断面図である。図１に示
したＹＭＲヘッドの製造方法と同様であるが、ＭＲ素子
に代えてＮｂ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｔｉの４層構造からなる磁
気誘導型コイルをパターン１３を形成した点と、上部コ
ア６と下部コア２とのバックギャップにおいてイオンリ
ミング法によりギャップ層３（Ａｌ2 Ｏ3 またはＳｉＯ
2 ）に穴開け加工を行って上下コアを接続した点が異な
る。
に基づいて説明する。図２はこの発明に基づく誘導型薄
膜磁気ヘッド（ＩＨヘッド）の断面図である。図１に示
したＹＭＲヘッドの製造方法と同様であるが、ＭＲ素子
に代えてＮｂ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｔｉの４層構造からなる磁
気誘導型コイルをパターン１３を形成した点と、上部コ
ア６と下部コア２とのバックギャップにおいてイオンリ
ミング法によりギャップ層３（Ａｌ2 Ｏ3 またはＳｉＯ
2 ）に穴開け加工を行って上下コアを接続した点が異な
る。
【００２２】以上の相違点以外は実施例１と同様の製作
工程で、磁気ヘッドパターンに一致する凹凸パターンを
有する保護板９を接着することにより、図２に示した誘
導型薄膜磁気ヘッド（ＩＨヘッド）チップが完成する。
工程で、磁気ヘッドパターンに一致する凹凸パターンを
有する保護板９を接着することにより、図２に示した誘
導型薄膜磁気ヘッド（ＩＨヘッド）チップが完成する。
【００２３】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、基板お
よび保護板に結晶化ガラスを用いたことにより、従来の
フェライト基板，保護板を用いた場合よりも廉価に薄膜
磁気ヘッドを製造することができる。
よび保護板に結晶化ガラスを用いたことにより、従来の
フェライト基板，保護板を用いた場合よりも廉価に薄膜
磁気ヘッドを製造することができる。
【００２４】また、保護板に感光性結晶化ガラスを用い
てフォトリソグラフィによって磁気ヘッドの回路パター
ンと嵌合するように凹凸パターンを形成したことによ
り、パッシベーション層の平坦化研磨工程が不要になる
とともに硬度の低い樹脂を用いて２００℃以下の低温で
接着できるようになる。下部コア，上部コアの磁性材料
や絶縁膜材料として２００℃未満の耐熱性しか有さない
材料の使用が可能になり上述した工程短縮の効果と合わ
せてコストダウンに寄与することができる。
てフォトリソグラフィによって磁気ヘッドの回路パター
ンと嵌合するように凹凸パターンを形成したことによ
り、パッシベーション層の平坦化研磨工程が不要になる
とともに硬度の低い樹脂を用いて２００℃以下の低温で
接着できるようになる。下部コア，上部コアの磁性材料
や絶縁膜材料として２００℃未満の耐熱性しか有さない
材料の使用が可能になり上述した工程短縮の効果と合わ
せてコストダウンに寄与することができる。
【図１】この発明の実施例であるＹＭＲヘッドの要部断
面図
面図
【図２】この発明の他の実施例であるＩＨヘッドの要部
断面図
断面図
【図３】従来のＹＭＲヘッドの要部断面図
【図４】従来のＩＨヘッドの要部断面図
１−結晶化ガラス基板 ２−下部コア ３−ギャップ層 ４，５，７−絶縁膜 ８−樹脂接着層 ９−結晶化ガラス保護板 10−素子分離ライン 11−磁気抵抗層 12−バイアスリード 13−コイル層
Claims (2)
- 【請求項１】 結晶化ガラス基板上に形成された薄膜磁
気ヘッドパターンと、このパターンの凹凸と逆の凹凸パ
ターンに加工され嵌合接着された結晶化ガラスからなる
保護板を有してなる薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 基板上に薄膜磁気ヘッドパターンを形成
するとともに、 感光性結晶化ガラスからなる保護板を、前記薄膜磁気ヘ
ッドパターンと逆の凹凸パターンにエッチング加工した
のち、 薄膜磁気ヘッドパターンが形成された基板上に、前記保
護板を、樹脂層を介して嵌合接着することを特徴とする
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31906591A JPH05159237A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31906591A JPH05159237A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05159237A true JPH05159237A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18106110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31906591A Pending JPH05159237A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05159237A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996018749A3 (en) * | 1994-12-12 | 1996-08-22 | Dow Chemical Co | Hard disk drive components and methods of making same |
| US7607214B2 (en) * | 2005-02-22 | 2009-10-27 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method of manufacturing a silicon slider by an alkaline etch |
-
1991
- 1991-12-03 JP JP31906591A patent/JPH05159237A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996018749A3 (en) * | 1994-12-12 | 1996-08-22 | Dow Chemical Co | Hard disk drive components and methods of making same |
| US7607214B2 (en) * | 2005-02-22 | 2009-10-27 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method of manufacturing a silicon slider by an alkaline etch |
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