JPH0369034A - Information storage medium and its manufacturing method - Google Patents
Information storage medium and its manufacturing methodInfo
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- JPH0369034A JPH0369034A JP1203938A JP20393889A JPH0369034A JP H0369034 A JPH0369034 A JP H0369034A JP 1203938 A JP1203938 A JP 1203938A JP 20393889 A JP20393889 A JP 20393889A JP H0369034 A JPH0369034 A JP H0369034A
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、光学的に大容量のデータを記憶する情報記憶
媒体およびその製造方法に関し、特に高分子液晶を用い
た追記型情報記憶媒体に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to an information storage medium that optically stores large amounts of data and a method for manufacturing the same, and particularly relates to a write-once information storage medium using polymeric liquid crystal. It is something.
[従来の技術]
現在、光記憶方式は大容量かつランダムアクセスに優れ
たものとして実用化されている。その方式も多岐にわた
り、再生専用としてディジタルオーディオディスク(C
D)やレーザービデオディスク(LD)が実用化されて
いる。光記録が可能なものとしては追記型光ディスクB
o)、光カード(OC)が知られており、金属薄膜の相
変化を用いるものや、有機染料のピット形式を用いるも
のがある。[Prior Art] Optical storage systems are currently in practical use as they have a large capacity and are excellent in random access. There are many different ways to do this, and for playback only, digital audio discs (C
D) and laser video discs (LD) have been put into practical use. Write-once optical disc B is one that allows optical recording.
o) Optical cards (OC) are known, and some use a phase change of a metal thin film and others use an organic dye in the form of pits.
さらに、書き換え型光ディスクの研究が進められており
、光磁気効果を用いたもの、相変化を用いたものの実用
化が図られている。その中にあって高分子液晶も情報記
憶媒体として提案されている(特開昭59−10930
号公報、特開昭59−35989号公報、特開昭62−
154340号公報)。その中では、記録方式としてコ
レステリック性高分子液晶のらせんピッチ長を変えるか
、あるいは無配向状態のピット形成によって光反射率を
多値的に変化せしめる方式も提案されている(特開昭6
2−107448号公報、特開昭62−12937号公
報)。Furthermore, research on rewritable optical disks is progressing, and efforts are being made to put those using the magneto-optical effect and those using phase change into practical use. Among these, polymer liquid crystals have also been proposed as information storage media (Japanese Patent Application Laid-Open No. 10930-1983)
No. 1, JP-A-59-35989, JP-A-62-
154340). Among them, a recording method has been proposed in which the helical pitch length of the cholesteric polymer liquid crystal is changed or the light reflectance is multivalued by forming pits in an unoriented state (Japanese Patent Application Laid-Open No. 1983-1993).
2-107448, JP-A-62-12937).
また、簡便な方式として配向処理されていない高分子液
晶へレーザーを照射し、加熱して等吉相にした後、ガラ
ス転移点以下に急冷することにより等吉相を固定記録す
る方法も提案されている。In addition, as a simple method, a method has been proposed in which a polymer liquid crystal that has not been aligned is irradiated with a laser, heated to form an isokitic phase, and then rapidly cooled to below the glass transition point, thereby recording the isokichi phase in a fixed manner. .
(特開昭63−191673号公報)
このような高分子液晶を記録層とする情報記憶媒体は蒸
着等が不要であり、高感度で安定な記録を行なうことが
可能である。(Japanese Unexamined Patent Publication No. 191673/1983) An information storage medium having such a polymeric liquid crystal as a recording layer does not require vapor deposition or the like, and can perform stable recording with high sensitivity.
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、前記高分子液晶を記録層として有する情
報記憶媒体において、配向を用いない方式は簡便で安価
に情報記憶媒体を製造することが可能であるが、高分子
液晶のドメインウオールによるS/Nの低下が大きいた
めに再生装置か複雑となる欠点があった。[Problems to be Solved by the Invention] However, in an information storage medium having the polymer liquid crystal as a recording layer, it is possible to easily and inexpensively manufacture an information storage medium using a method that does not use orientation; Since the S/N ratio is greatly reduced due to the domain wall of the liquid crystal, there is a drawback that the reproduction device becomes complicated.
また、高分子液晶を記録層として有する情報記憶媒体に
配向膜を設け、配向膜によって配向させる場合には、配
向膜の形成が複雑で、かつ製造コストが上昇し、また配
向処理に時間が掛るために生産性が低下する欠点があっ
た。In addition, when an alignment film is provided on an information storage medium having a polymer liquid crystal as a recording layer and the alignment film is used for alignment, the formation of the alignment film is complicated, the manufacturing cost increases, and the alignment process takes time. Therefore, there was a drawback that productivity decreased.
一方、電場・磁場により配向処理を行なう方法もあるが
、この方法は強力な電場・磁場が必要で、かつ配向処理
に時間が掛るために生産性が低い欠点があった。On the other hand, there is a method of performing orientation processing using an electric field or magnetic field, but this method requires a strong electric field or magnetic field and has the disadvantage of low productivity because the orientation processing takes time.
本発明は、この様な従来技術の欠点を改善するためにな
されたものであり、良好な一軸木平配向処理が施され、
高分子液晶のドメインウオールによるS/Nの低下のな
い、高感度で安定な光記録を行なうことができる情報記
憶媒体を提供することを目的とする。The present invention has been made to improve the drawbacks of the prior art, and has been made to provide excellent uniaxial tree alignment treatment,
It is an object of the present invention to provide an information storage medium capable of performing highly sensitive and stable optical recording without deterioration of S/N due to domain walls of polymeric liquid crystals.
また、本発明は、その情報記憶媒体を安価に効率良く製
造する方法を提供することを目的とする。Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing the information storage medium at low cost and efficiently.
[課題を解決するための手段]
即ち、本発明は、基板上に高分子液晶からなる記録層を
有する情報記憶媒体において、前記記録層に隣接して熱
圧着性ラミネート層を有することを特徴とする情報記憶
媒体である。[Means for Solving the Problems] That is, the present invention provides an information storage medium having a recording layer made of a polymeric liquid crystal on a substrate, which is characterized by having a thermocompression adhesive laminate layer adjacent to the recording layer. It is an information storage medium.
また1本発明は、基板上に形威された高分子液晶からな
る記録層の上に、フィルムを前記記録層のガラス転移点
以上の温度で熱圧着してラミネートすることを特徴とす
る情報記憶媒体の製造方法である。Further, the present invention provides an information storage characterized in that a film is thermocompression bonded and laminated on a recording layer made of polymeric liquid crystal formed on a substrate at a temperature equal to or higher than the glass transition point of the recording layer. This is a method for producing a medium.
以下、本発明の詳細な説明する。The present invention will be explained in detail below.
第1図は本発明の情報記憶媒体の一例を示す部分断面図
である。同図において、本発明の情報記憶媒体は、表面
にトラッキングのためのグループを形威した基板l上に
反射層3を設け、その上に高分子液晶からなる記録層2
を形威し、該記録層に隣接して熱圧着性のラミネート層
4を設けてなるものである。FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing an example of the information storage medium of the present invention. In the figure, the information storage medium of the present invention is provided with a reflective layer 3 on a substrate 1 on which groups for tracking are formed on the surface, and a recording layer 2 made of polymer liquid crystal on top of the substrate 1.
A thermocompression adhesive laminate layer 4 is provided adjacent to the recording layer.
本発明において、記録層には高分子液晶が用いられ、そ
の相変化・配向変化によって記録が行なわれる。In the present invention, polymer liquid crystal is used for the recording layer, and recording is performed by its phase change and orientation change.
本発明において用いられる高分子液晶の例としては、下
記に示すものが挙げられる。Examples of polymeric liquid crystals used in the present invention include those shown below.
(下記式(1) 〜(13)中、15〉n≧1である。(In the following formulas (1) to (13), 15>n≧1.
)(1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (14) (15) (16) (11) (12) (13) (下記式(14)〜(17)中、 P : 5へ1ooo。)(1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (14) (15) (16) (11) (12) (13) (In the following formulas (14) to (17), P: 1ooo to 5.
p++ p2= 5〜1ooo。p++ p2= 5-1ooo.
q=1〜12゜ Q+= 1〜12゜ Q2= である。q=1~12° Q+= 1~12° Q2= It is.
) l〜12 (17) (下記式(18)〜(46)中。) l~12 (17) (In the following formulas (18) to (46).
*は不斉炭素中心を 示し、 n=5〜1000である。* indicates asymmetric carbon center show, n=5 to 1000.
)
(日、=2〜10)
(s、=2〜10)
(25)
(鵬2=2〜15)
(26)
(鵬2=2〜!5)
(−、=2〜+5)
(21)
(m、=2〜15)
(23)
(24)
■
−+ (:)1.−C→−
Ir′
(29)
(x+y=l、 q=l 〜to、 Pa=1〜15)
(30)
(31)
(32)
l3
(x+y=1.動=2〜15)
(>(+y=l、m2=2〜Is)
(37)
(m、= 1〜5)
(33)
(s、=2〜15゜
x+y= 1)
R,=
CH3
−C)I2CH2C)I−+ CH2→−R,=+C1
□→−
(x+ y= 1 、11.= 2〜15)(38)
(39)
(x+y=1)
(41)
(42)
(43)
(44)
(49)
(50)
(51)
(52)
(■5=0〜5)
(以下、
鵬、は1〜18とする)
(45)
(46)
(47)
(48)
(53)
(54)
(55)
r
(56)
(59)
CI。) (day,=2~10) (s,=2~10) (25) (Peng2=2~15) (26) (Peng2=2~!5) (-,=2~+5) (21 ) (m, = 2~15) (23) (24) ■ -+ (:)1. -C→-Ir' (29) (x+y=l, q=l ~to, Pa=1~15)
(30) (31) (32) l3 (x+y=1.dynamic=2~15) (>(+y=l, m2=2~Is) (37) (m,=1~5) (33) (s ,=2~15゜x+y=1) R,= CH3 -C)I2CH2C)I-+ CH2→-R,=+C1
□→- (x+ y= 1, 11.= 2~15) (38) (39) (x+y=1) (41) (42) (43) (44) (49) (50) (51) (52 ) (■5=0~5) (Hereinafter, Peng will be 1~18) (45) (46) (47) (48) (53) (54) (55) r (56) (59) CI .
(60) (57) (58) (f。(60) (57) (58) (f.
=5〜18)
前記高分子液晶は低分子液晶化合物と組み合わせて組成
物として用いることが可能である。組成物としては、ネ
マチック相、スメクチック相、カイラルネマチック相、
カイラルスメクチック相。=5-18) The polymer liquid crystal can be used as a composition in combination with a low-molecular liquid crystal compound. The composition includes nematic phase, smectic phase, chiral nematic phase,
Chiral smectic phase.
ディスコティック相等を有するものがあるか、好ましく
はネマチック相、カイラルネマチック相を有するものが
用いられる。Those having a discotic phase or the like are used, or preferably those having a nematic phase or a chiral nematic phase are used.
さらに、レーザー光等にて書き込み、消去を行う場合に
は、レーザー光吸収層を設けるか、もしくは高分子液晶
層へレーザー光吸収化合物を添加することによって感度
を向上させることができる。高分子液晶層へ添加するレ
ーザー光吸収化合物の例としては、下記に示すようなも
のが挙げられる。Furthermore, when writing and erasing are performed using laser light or the like, sensitivity can be improved by providing a laser light absorbing layer or adding a laser light absorbing compound to the polymeric liquid crystal layer. Examples of the laser light absorbing compound added to the polymer liquid crystal layer include those shown below.
(I22
=5〜ta)
Direct Red 28
Direct Violet 12
Direct Blue 1
Direct Blue Is
Direct Blue 98
Direct Blue 151
0■
Direct Red 81
Direct Yellow 44
Direct Yellow 12
Direct Orange :19
Disperse
Red
0
U■
Disperse
lue
14
C204″′
AsF 6e
cI!o、e
また、半導体レーザーの波長に適合したレーザー光吸収
化合物としては、下記に示すようなものが挙げられる。(I22 =5~ta) Direct Red 28 Direct Violet 12 Direct Blue 1 Direct Blue Is Direct Blue 98 Direct Blue 151 0■ Direct Red 81 Di rect Yellow 44 Direct Yellow 12 Direct Orange :19 Disperse Red 0 U■ Disperse blue 14 C204″ ' AsF 6e cI!o,e Further, examples of laser light absorbing compounds suitable for the wavelength of the semiconductor laser include those shown below.
具体的には、フタロシアニン類、ナフタロシアニン類、
テトラベンゾポルフィリン類やその他置換、非置換ポル
フィリン類が用いられる。Specifically, phthalocyanines, naphthalocyanines,
Tetrabenzoporphyrins and other substituted and unsubstituted porphyrins are used.
特に有効なものとして、下記一般式(I)て表わされる
フタロシアニン、ナフタロシアニン等がある。Particularly effective examples include phthalocyanine and naphthalocyanine represented by the following general formula (I).
(一般式(I)中符号 で示される。(General formula (I) middle code It is indicated by.
[但し、RI〜R2゜は水素原子、炭素原子数4〜20
の直鎖もしくは分岐したアルキル基、アルコキシ基、ア
ルケニル基もしくは下記から選択される置換基を示す。[However, RI~R2゜ is a hydrogen atom, number of carbon atoms is 4~20
represents a straight-chain or branched alkyl group, alkoxy group, alkenyl group, or a substituent selected from the following.
−S!QIQ2Q3 − sq。-S! QIQ2Q3 - sq.
−coq。-coq.
C00Qs
NQtQa
(Q、〜Q6は水素原子、炭素原子数1〜20の直鎖も
しくは分岐したアルキル基又はアルケニル基を示す、)
I
MはGe、 Sn、遷移金属、 AR,Ca、 In、
アルカリ土類金属、ランタニド金属、アフチニド金属お
よびその酸化物、ハロゲン化合物もしくはアルコキシ化
合物を示す、)
光記録を行う場合に近赤外から赤色可視に波長を有する
半導体レーザーを用いることは記録再生装置の小型化、
高性能化に重要であるが、その波長域で用いることが可
能な可溶性有機大環状色素としてはナフタロシアニン類
が特に優れている。C00Qs NQtQa (Q, ~Q6 represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group or alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms)
IM is Ge, Sn, transition metal, AR, Ca, In,
Alkaline earth metals, lanthanide metals, aftinide metals, and their oxides, halogen compounds, or alkoxy compounds) When performing optical recording, it is important to use a semiconductor laser with a wavelength from near infrared to red visible for recording and reproducing equipment. Miniaturization,
Naphthalocyanines are particularly excellent as soluble organic macrocyclic dyes that can be used in this wavelength range, which is important for improving performance.
特に、一般式(■)で示されるものは、溶解性に優れて
いるため本発明の記憶媒体に適している。In particular, those represented by the general formula (■) have excellent solubility and are therefore suitable for the storage medium of the present invention.
(X@n)b
[一般式(n)中
M : Ge、 Sn、遷移金属、 Aj)、 Ca、
In、アルカリ土類金属、ランタニド金属又はアフチ
ニド金属
X:ハロゲン基、アルキル基、カルボキシル基、アルコ
キシ基、エーテル基又はアルケニル基等を。(X@n)b [M in general formula (n): Ge, Sn, transition metal, Aj), Ca,
In, alkaline earth metal, lanthanide metal or aftinide metal X: halogen group, alkyl group, carboxyl group, alkoxy group, ether group, alkenyl group, etc.
Xm1SXh:ハロゲン基、アルキル基、スルファセイ
ル基、エーテル基又はアルケニル基等を、
a〜d:0〜4を示す。Xm1SXh: halogen group, alkyl group, sulfaceyl group, ether group, alkenyl group, etc. a-d: 0-4.
(但しa+b+c+d≧1)、]
これらの化合物は、特開昭61−90291号公報に開
示された方法等によって容易に合成できる。(However, a+b+c+d≧1),] These compounds can be easily synthesized by the method disclosed in JP-A-61-90291.
さらに、他の半導体レーザー光の吸収剤として使用可能
な化合物としては、アくニウム塩化合物又はジイモニウ
ム塩化合物が挙げられる。Furthermore, other compounds that can be used as absorbers for semiconductor laser light include achnium salt compounds and diimonium salt compounds.
本発明で使用されるアミニウム塩化合物およびジイモニ
ウム塩化合物は、それぞれ下記の一般式[ml、[ff
lおよび[V]で表わされる。The aminium salt compound and diimonium salt compound used in the present invention have the following general formulas [ml, [ff
It is represented by l and [V].
一般式[ml
一般式[ff1
一般式[V]
上記の一般式[ml、 [171および[V]において
、R1−R3゜は同種または異種の水素原子、またはア
ルキル基(例えば、メチル基、エチル基。General formula [ml General formula [ff1 General formula [V] In the above general formulas [ml, [171 and [V]], R1-R3° are the same or different hydrogen atoms, or alkyl groups (e.g., methyl group, ethyl group). Base.
n−プロピル基、 1so−プロピル基、n−ブチル基
、5ec−ブチル基、1so−ブチル基、t−ブチル基
、n−アミル基、t−アミル基、n−ヘキシル基、n−
オクチル基、七−オクチル基および、C9〜Cttのア
ルキル基など)を示し、さらに他のアルキル基、例えば
置換アルキル基(例えば。n-propyl group, 1so-propyl group, n-butyl group, 5ec-butyl group, 1so-butyl group, t-butyl group, n-amyl group, t-amyl group, n-hexyl group, n-
octyl, 7-octyl, and C9-Ctt alkyl groups), as well as other alkyl groups, such as substituted alkyl groups (e.g.
2−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシプロピル基、
4−ヒドロキシブチル基、2−アセトキシエチル基、カ
ルボキシメチル基、2−カルボキシエチル基、3−カル
ボキシプロピル基、2−スルホエチル基、3−スルホプ
ロピル基、4−スルホブチル基、3−スルフェートプロ
ピル基、4−スルフェートブチル基、N−(メチルスル
ホニル)−カルバくルメチル基、3−(アセチルスルフ
ァミル)プロピル基、4−(アセチルスルファミル)ブ
チル基など)、環式アルキル基(例えば、′シクロヘキ
シル基など)、アルケニル基(ビニル基、アリル基、プ
ロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基
、ヘプテニル基、オクテニル基、ドデシニル基、プレニ
ル基など)、アラルキル基(例えば、ベンジル基、フェ
ネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル
基など〉、置換アラルキル基(例えば、カルボキシベン
ジル基、スルホベンジル基、ヒドロキシベンジル基など
)を包含する。2-hydroxyethyl group, 3-hydroxypropyl group,
4-hydroxybutyl group, 2-acetoxyethyl group, carboxymethyl group, 2-carboxyethyl group, 3-carboxypropyl group, 2-sulfoethyl group, 3-sulfopropyl group, 4-sulfobutyl group, 3-sulfatepropyl group , 4-sulfatebutyl group, N-(methylsulfonyl)-carbalmethyl group, 3-(acetylsulfamyl)propyl group, 4-(acetylsulfamyl)butyl group, etc.), cyclic alkyl group (e.g. , 'cyclohexyl group, etc.), alkenyl group (vinyl group, allyl group, propenyl group, butenyl group, pentenyl group, hexenyl group, heptenyl group, octenyl group, dodecynyl group, prenyl group, etc.), aralkyl group (for example, benzyl group, phenethyl group, α-naphthylmethyl group, β-naphthylmethyl group, etc.), substituted aralkyl groups (for example, carboxybenzyl group, sulfobenzyl group, hydroxybenzyl group, etc.).
Yは、+または−()−()iを示し、この芳香煎環上
にアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基を置換しても
よい。Y represents + or -()-()i, and this aromatic ring may be substituted with an alkyl group, a halogen group, or an alkoxy group.
Aeは陰イオン、例えばバークロレート、フルオロボレ
ート、アイオダイド、クロライド、ブロマイド、サルフ
ェート、パーアイオダイド、p−トルエンスルフォネー
ト
これらのアミニウム塩化合物およびジイモニウム塩化合
物は、特公昭43−253:15号公報などに開示され
る合成法に準じて合成することかできる。Ae is an anion, such as verchlorate, fluoroborate, iodide, chloride, bromide, sulfate, periodide, p-toluenesulfonate. These aminium salt compounds and diimonium salt compounds are described in Japanese Patent Publication No. 153-253-15. It can be synthesized according to the synthesis method disclosed in et al.
さらに、半導体レーザーの吸収剤として、次のような金
属キレート化合物が挙げられる。Furthermore, the following metal chelate compounds can be mentioned as absorbers for semiconductor lasers.
本発明て使用される金属キレート化合物の例を挙げると
下記の一般式[1]〜[7]て表わされる。Examples of the metal chelate compounds used in the present invention are represented by the following general formulas [1] to [7].
一般式[1]
(式中.Lsは水素原子、ヒドロキシル基,アルキル基
、アリール基でもう一方のLsと結合しても良いe R
IBはアルキル基、ハロゲン原子,水素原子、ニトロ基
又はベンゾ縮合系基を表わし、中心金属MはCu, N
i, Go又はPdを表わす.)一般式[2]
(式Φ、fl+yは水素原子、水酸基、アルキル基、ア
リール基でもう一方のR1?と結合しても良い。General formula [1] (In the formula, Ls is a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, or an aryl group, and may be bonded to the other Ls e R
IB represents an alkyl group, a halogen atom, a hydrogen atom, a nitro group, or a benzo-fused group, and the central metal M is Cu, N
Represents i, Go or Pd. ) General formula [2] (Formula Φ, fl+y may be bonded to the other R1? with a hydrogen atom, hydroxyl group, alkyl group, or aryl group.
Rlaは水素原子、ハロゲン原子,アルキル基、ニトロ
基又はベンゾ縮合系基な表わし、MはCu。Rla represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a nitro group, or a benzo-fused group, and M is Cu.
Ni, Go又はPdを表わす.)
一般式[3]
水素原子,ハロゲン原子、アルキル基又はベンゾ縮合系
基を表わし、MはCu. Ni,又はPdを表わす.)
一般式[5]
(式中、RI9はアルキル基、アリール基tLOは水素
原子、ハロゲン原子,アルキル基、アリール基、ニトロ
基又はベンゾ縮合系基を表わし,MはCu,旧又はPd
を表わす.〉
一般式[4]
(式中,R2,は水素原子、ハロゲン原子又はアルキル
基を表わし、MはCu又はNiを表わす.)一般式[6
〕
21
(式中,R24は水素原子,又はアルキル基を表わし、
MはCu, Ni, Co又はMnを表わす.)(式中
、R2+はアルキル基,アリール基、R22は一般式[
7]
一般式[8]
(式中、R2S+ L6は、置換ないし非置換のアルキ
ル基、アシル基又はアリール基またはR□、R26で芳
香族環を形成しても良い0MはCu、 Ni、 Go又
はPdを表わす、この場合1Mは電荷を持ち、カウンタ
ーイオンを持っても良い、)
上記金属キレート化合物は近赤外域に吸収をもち、安定
な光吸収色素として有用であり、かつ高分子液晶に対し
て相溶性もしくは分散性がよい。Represents Ni, Go or Pd. ) General formula [3] represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, or a benzo-fused group, and M is Cu. Represents Ni or Pd. ) General formula [5] (In the formula, RI9 is an alkyl group, the aryl group tLO is a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, a nitro group, or a benzo-fused group, and M is Cu, old or Pd
represents. > General formula [4] (In the formula, R2 represents a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group, and M represents Cu or Ni.) General formula [6
] 21 (wherein R24 represents a hydrogen atom or an alkyl group,
M represents Cu, Ni, Co or Mn. ) (wherein, R2+ is an alkyl group or an aryl group, and R22 is a general formula [
7] General formula [8] (In the formula, R2S+ L6 is a substituted or unsubstituted alkyl group, acyl group or aryl group, or R□, R26 may form an aromatic ring. 0M is Cu, Ni, Go (In this case, 1M has a charge and may have a counter ion.) The metal chelate compound has absorption in the near-infrared region, is useful as a stable light-absorbing dye, and is useful for polymer liquid crystals. It has good compatibility or dispersibility.
さらに、他の半導体レーザー光の吸収剤として使用可能
な化合物としては1次のようなものが挙げられる。Furthermore, other compounds that can be used as absorbers for semiconductor laser light include the following compounds.
(式中、netはイオウ原子、置換ないし非置換のアミ
ノ基、酸素原子又はチオケトン基、R251は水素原子
、アルキル基、ハロゲン原子又はアく)基を表わし、M
はZn、 Cu又はNiを表わす、)一般式[9]
(式中、R29はアルキル基、アリール基又はスチリル
基を表わし1MはCu、 Ni、又はCOを表わす、)
一般式[lO]
一般式[12]
(式中、R30は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基
、アシル基、又はアリール基を表わし1MはNi又はZ
rを表わす、)
一般式[11]
(式中、R3□、R33はアルキル基又はアリール基、
MはNiを表わす、)
一般式[13]
(式中、R31はアルキル基又はアリール基、MはCu
、 Ni又はCoを表わす。)
0、70
ゝH
(式中、Fh4+ F125はアルキル基、アミノ基、
アリール基又はフラン基、又はR34とR3sで脂環式
化合物を形成しても良い。MはNiを表わす。)一般式
[14]
(式中、 R36+ R:I9は水素原子、アルキル基
、ハロゲン原子又はニトロ基、Xは酸素原子又は硫黄原
子、Mは旧、Y@は4級アンモニウムカチオンを表わす
、)
一般式[16]
(式中、R)Go R37は水素原子、ハロゲン原子又
はアルキル基でXは酸素原子又は硫黄原子、MはNiを
表わす、)
一般式[15]
(式中、 R40はアミノ基、MはCu、 Ni、 G
o又はPdを表わす、)
一般式[17]
・(式中、R41は水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アシル基、ニトロ基又はアルコキシル基、MはZn
、 Cu、 Ni又はGoを表わす、)本発明に用いら
れる上記金属錯体類は、バリー・ビー・グレイ等がジャ
ナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティ
88巻 43〜50頁および4870〜4875頁、
もしくはシュランツアおよびマイベーク等によるジャナ
ル・オブ・ジ・アメリカン・ケくカル・ソサイエティ
87巻 1483〜1489頁により記載されている方
法に準じて合成される。(In the formula, net represents a sulfur atom, a substituted or unsubstituted amino group, an oxygen atom or a thioketone group, R251 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom or an atom) group,
represents Zn, Cu or Ni) General formula [9] (In the formula, R29 represents an alkyl group, aryl group or styryl group, and 1M represents Cu, Ni or CO) General formula [lO] General formula [12] (In the formula, R30 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an acyl group, or an aryl group, and 1M represents Ni or Z.
General formula [11] (wherein R3□ and R33 are an alkyl group or an aryl group,
M represents Ni) General formula [13] (In the formula, R31 is an alkyl group or an aryl group, M is Cu
, represents Ni or Co. ) 0,70ゝH (In the formula, Fh4+ F125 is an alkyl group, an amino group,
An aryl group or a furan group, or R34 and R3s may form an alicyclic compound. M represents Ni. ) General formula [14] (In the formula, R36+ R:I9 is a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, or a nitro group, X is an oxygen atom or a sulfur atom, M is a former, and Y@ represents a quaternary ammonium cation.) General formula [16] (In the formula, R)Go R37 is a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group, X is an oxygen atom or a sulfur atom, and M is Ni.) General formula [15] (In the formula, R40 is an amino group, M is Cu, Ni, G
o or Pd) General formula [17] ・(In the formula, R41 is a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an acyl group, a nitro group, or an alkoxyl group, and M is a Zn
, Cu, Ni or Go) used in the present invention are described by Barry B. Gray et al. in Journal of the American Chemical Society, Vol. 88, pp. 43-50 and 4870-4875. ,
or the Journal of the American Society by Schranzer and Maibeek et al.
It is synthesized according to the method described in Vol. 87, pp. 1483-1489.
前記半導体レーザー用化合物は近赤外域に吸収をもち、
安定な光吸収色素として有用であり、かつ高分子液晶に
対して相溶性もしくは分散性がよい。又中には二色性を
有するものもあり、これら二色性を有する化合物を高分
子液晶中に混合すれば、熱的に安定なホスト−ゲスト型
のメモリー及び表示媒体を得ることもできる。The semiconductor laser compound has absorption in the near-infrared region,
It is useful as a stable light-absorbing dye and has good compatibility or dispersibility with polymeric liquid crystals. Some of them also have dichroism, and if these dichroism compounds are mixed into polymeric liquid crystals, thermally stable host-guest type memories and display media can be obtained.
また、高分子液晶中には上記の化合物が二種類以上含有
されていてもよい。Furthermore, the polymer liquid crystal may contain two or more types of the above-mentioned compounds.
また、上記化合物と他の近赤外吸収色素や2色性色素を
組み合せてもよい。好適に組み合せられる近赤外吸収色
素の代表的な例としては、シアニン、メロシアニン、フ
タロシアニン、テトラヒドロコリン、ジオキサジン、ア
ントラキノン、トリフェノジチアジン、キサンチン、ト
リフェニルメタン、ピリリウム、クロコニウム、アズレ
ンおよびトリフェニルアミン等の色素が挙げられる。Further, the above compound may be combined with other near-infrared absorbing dyes or dichroic dyes. Representative examples of near-infrared absorbing dyes that can be suitably combined include cyanine, merocyanine, phthalocyanine, tetrahydrocholine, dioxazine, anthraquinone, triphenodithiazine, xanthine, triphenylmethane, pyrylium, croconium, azulene, and triphenylamine. Examples include dyes such as.
なお、高分子液晶に対する上記化合物の添加量は重量%
で、0.1%〜20%程度、好ましくは、0.5〜lO
%がよい。本発明で用いる高分子液晶は高分子サーモト
ロピック液晶であり、中間相であるネマチックやスメク
チックやカイラルスメクチックやコレステリックの相を
利用する。Note that the amount of the above compound added to the polymer liquid crystal is expressed in weight%.
and about 0.1% to 20%, preferably 0.5 to 1O
% is good. The polymer liquid crystal used in the present invention is a polymer thermotropic liquid crystal, and uses a nematic, smectic, chiral smectic, or cholesteric phase as an intermediate phase.
また、本発明における高分子液晶からなる記録層は、前
記低分子液晶2色素、顔料以外にも紫外線吸収剤、#化
防止剤等を添加して用いることが可能である。これ等の
化合物を含有する高分子液晶からなる記録層は、トラッ
キングのためのグループを形成した基板上に成膜される
。Furthermore, in addition to the above-mentioned low-molecular-weight liquid crystal two dyes and pigments, ultraviolet absorbers, anti-oxidation agents, and the like can be added to the recording layer made of high-molecular liquid crystal in the present invention. A recording layer made of polymeric liquid crystal containing these compounds is formed on a substrate on which groups for tracking are formed.
次に、基板上に設けたトラッキングのための溝形状の一
例を第4図(a)〜(d)に示す。又、実験の結果から
、第5図に例示する溝の大きさ、すなわち溝の深さa、
溝の輻す、溝のランド部幅Cは、溝の深さaはO,OS
、1〜0.21&m、溝の幅すは0.5 BN2.0
H,溝のランド部の輻Cは0.5〜2.0−謹、特に溝
の深さaは0.1←■〜0.2 g鳳、溝の幅すは0.
5 gm〜1.OILta、溝のランド部の幅Cは1.
0 p、m〜2.0 gmが好ましいことが確認できた
。ただし、上記条件の3つとも全てを満たさずとも。Next, examples of groove shapes for tracking provided on the substrate are shown in FIGS. 4(a) to 4(d). Moreover, from the experimental results, the size of the groove illustrated in FIG. 5, that is, the depth of the groove a,
The land part width C of the groove where the groove converges, the depth a of the groove is O, OS
, 1~0.21&m, groove width 0.5 BN2.0
H, the radius C of the land part of the groove is 0.5 to 2.0, especially the depth a of the groove is 0.1←■ to 0.2g, the width of the groove is 0.
5 gm~1. OILta, the width C of the land portion of the groove is 1.
It was confirmed that 0 p, m to 2.0 gm is preferable. However, even if all three of the above conditions are not met.
上記条件の中で溝の深さを少なくとも上記範囲内に設定
しておけばよい。Under the above conditions, the depth of the groove may be set at least within the above range.
上記の溝は基板を形成する場合に同時に形成してもよい
し、平滑な基板に紫外線硬化樹脂等を塗布しスタンパ−
を密着して光等を照射して樹脂を硬化することにより形
成してもよい。The above grooves may be formed at the same time as forming the substrate, or a smooth substrate may be coated with ultraviolet curing resin or the like and then stamped.
The resin may be formed by closely contacting the resin and irradiating it with light or the like to harden the resin.
本発明において、基板材料としては、ガラス。In the present invention, the substrate material is glass.
金属、セラミック、プラスチック等が用いられる。好ま
しくはプラスチックが用いられ、具体例としてはポリエ
ステル、ポリ塩化ビニル、 PMMA。Metal, ceramic, plastic, etc. are used. Plastics are preferably used, specific examples being polyester, polyvinyl chloride, and PMMA.
PC,ポリオレフィン等が挙げられる。Examples include PC and polyolefin.
前記、溝を有する基板には、AI!、 Au、 Ag等
の金属もしくは誘電体多層膜によって反射層が形成され
る。反射層の膜厚は100入〜log■が好ましく、1
00人未満では十分な反射率が得られず、1−鳳を越え
ると熱容量および熱伝導率が増加して感度が低下する。The substrate having the grooves has AI! The reflective layer is formed of a metal such as , Au, or Ag or a dielectric multilayer film. The thickness of the reflective layer is preferably 100 to log■, and 1
If it is less than 0.00, a sufficient reflectance cannot be obtained, and if it exceeds 1.0, the heat capacity and thermal conductivity will increase and the sensitivity will decrease.
上記の反射層は蒸着等によって形成することができる。The above reflective layer can be formed by vapor deposition or the like.
基板上に記録層を形成するには、前記色素等を含有する
高分子液晶組成物を溶媒に溶解し、前記反射層を有する
基板上へ、スピナー塗布法、ディピイング法、バーコー
ド法、ロールコート法等によって塗布する。また、場合
によってはラミネートフィルムへ塗布することも可能で
ある。To form the recording layer on the substrate, the polymeric liquid crystal composition containing the dye etc. is dissolved in a solvent and applied onto the substrate having the reflective layer using a spinner coating method, a dipping method, a barcoding method, or a roll coating method. Apply by law etc. In some cases, it is also possible to apply it to a laminate film.
本発明における高分子液晶からなる記録層の厚みは10
00λ〜50μs諺が好ましい、 1000人未満ては
再生のコントラストが悪い、ために好ましくなく、50
μ寵以上では記録エネルギーが増大し、また記録ピット
径も増大するので好ましくない、より好ましい厚みは1
500Å〜5μ園で用いられる。The thickness of the recording layer made of polymer liquid crystal in the present invention is 10
00λ~50μs is preferable; less than 1000 people is not preferable due to poor reproduction contrast;
If the thickness exceeds μ, the recording energy increases and the recording pit diameter also increases, which is undesirable. A more preferable thickness is 1.
Used in 500 Å to 5 μ gardens.
記録層に用いられる高分子液晶のガラス転移温度は室温
以上であるが、より好ましくは50℃以上であり、記録
された内容を良好に保持することが可能である。The glass transition temperature of the polymeric liquid crystal used in the recording layer is at least room temperature, more preferably at least 50° C., so that recorded content can be maintained well.
次に、本発明の情報記憶媒体の製造方法は、基板上に形
成された高分子液晶からなる記録層の上に、フィルムを
前記記録層のガラス転移点以上の温度で熱圧着してラミ
ネートすることにより行なう、具体的には、基板もしく
はうくネートフィルム上に前述の高分子液晶からなる記
録層を形成したものをラミネートフィルムもしくは基板
と熱および圧力を印加して密着させるものである。Next, the method for manufacturing an information storage medium of the present invention includes laminating a film onto a recording layer made of polymeric liquid crystal formed on a substrate by thermocompression bonding at a temperature equal to or higher than the glass transition point of the recording layer. Specifically, a recording layer made of the above-mentioned polymeric liquid crystal is formed on a substrate or a laminate film, and the laminate film or substrate is brought into close contact with the laminate film or substrate by applying heat and pressure.
加熱は1.基板全体を行なっても、加圧部分のみを行な
ってもよく、記録層のガラス転移点以上の温度に加熱さ
れる。より好ましくは、記録層の等労相転移点以下であ
り、基板、高分子液晶、うくネートフィルムが劣化しな
い温度が選択される。Heating is 1. The entire substrate or only the pressed portion may be heated to a temperature equal to or higher than the glass transition point of the recording layer. More preferably, a temperature is selected that is below the isotonic phase transition point of the recording layer and does not cause deterioration of the substrate, polymeric liquid crystal, and substrate film.
具体的には50〜300°Cで、より好ましくは60〜
200°Cでラミネートする。高分子液晶からなる記録
層は、ネマチック相、カイラルネマチック相。Specifically, 50 to 300°C, more preferably 60 to 300°C.
Laminate at 200°C. The recording layer made of polymer liquid crystal has a nematic phase and a chiral nematic phase.
スメクチック相、カイラルスメクチック相、ディスコテ
ィック相等でラミネートされるが、より好ましくはネマ
チック相、カイラルネマチック相でうくネートされるの
が望ましい。It is laminated with a smectic phase, a chiral smectic phase, a discotic phase, etc., and more preferably a nematic phase or a chiral nematic phase.
熱圧着において印加される圧力はうよネートフィルムの
弾性によって異なるが、例えば加圧ローラな用いた場合
の線圧として0.1〜100100O/c+s、好まし
くばl〜100にgf/cmが用いられる。The pressure applied in thermocompression bonding differs depending on the elasticity of the filler film, but for example, when a pressure roller is used, the linear pressure is 0.1 to 100100 O/c+s, preferably 1 to 100 gf/cm. .
前記、熱および圧力の印加によって高分子液晶からなる
記録層は配向を行なう、圧力を一方向へ移動しつつ印加
することにより、一軸木平配向を得ることが出来る。移
動する速度は熱および圧力によって異なるが、l cm
/m1rr−1oses/secが用いられる。The recording layer made of polymeric liquid crystal is oriented by the application of heat and pressure, and by applying pressure while moving in one direction, uniaxial tree-plane alignment can be obtained. The speed of movement depends on heat and pressure, but l cm
/m1rr-1oses/sec is used.
本発明において用いられるラミネートフィルムはガラス
転移温度が200℃以下のものが好ましい、また、厚み
は0.01〜2mmが好ましい、このうくネートフィル
ムは、複屈折の少ない透明な材料が用いられ、具体的に
は、PMMA、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が
用いられる。The laminate film used in the present invention preferably has a glass transition temperature of 200°C or lower, and preferably has a thickness of 0.01 to 2 mm. This laminate film is made of a transparent material with low birefringence, and Specifically, PMMA, polycarbonate, polyolefin, etc. are used.
本発明の情報記憶媒体の製造方法において、ラミネート
される媒体としてカード状・テープ状媒体を用いる場合
には、第2図に示すように一方向へ加圧・加熱しつつラ
ミネートすることにより良好な配向の情報記憶媒体が得
られる。In the method for manufacturing an information storage medium of the present invention, when a card-like or tape-like medium is used as the medium to be laminated, it is possible to laminate it while applying pressure and heating in one direction as shown in FIG. An oriented information storage medium is obtained.
また、ディスク状媒体を用いる場合は、第3図に示すよ
うに媒体を回転させつつ、加圧・加熱しつつラミネート
することにより同心円状に高分子液晶が良好に配向した
情報記憶媒体が得られる。In addition, when using a disk-shaped medium, an information storage medium in which polymeric liquid crystals are well oriented in concentric circles can be obtained by laminating the medium while rotating it and applying pressure and heat as shown in Figure 3. .
[作用J
本発明の情報記憶媒体は、基板上に高分子液晶からなる
記録層を有する情報記憶媒体において、前記記録層に隣
接して熱圧着性ラミネート層を設けることにより、高分
子液晶のドメインウオールによるS/Nの低下を防止し
、高感度で安定な光記録を行なうことができる。[Function J] The information storage medium of the present invention has a recording layer made of a polymeric liquid crystal on a substrate, and by providing a thermocompression adhesive laminate layer adjacent to the recording layer, domains of the polymeric liquid crystal can be formed. It is possible to prevent a decrease in S/N due to the wall and perform stable optical recording with high sensitivity.
また1本発明は、基板上に形成された高分子液晶からな
る記録層の上に、ラミネート層を形成するラミネートフ
ィルムを前記記録層のガラス転移点以上の温度で熱およ
び圧力の一方向への印加により熱圧着してラミネートす
るために、記録層に良好な一軸木平配向処理が施された
情報記憶媒体を短時間で効率良く得ることができる。In addition, one aspect of the present invention is to apply heat and pressure in one direction to a laminate film forming a laminate layer on a recording layer made of polymeric liquid crystal formed on a substrate at a temperature equal to or higher than the glass transition point of the recording layer. Since the film is laminated by thermocompression bonding by application of heat, an information storage medium whose recording layer is subjected to a good uniaxial planar orientation treatment can be obtained efficiently in a short time.
[実施例] 以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。[Example] Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples.
実施例1
インジェクション法により深さロ62ル層、巾5gmの
グループを形成した厚さ1.Oi+m 、 85x 5
5m■のカード状のPMMA基板へAfを電子ビームに
より2000人の厚みに蒸着して反射層を形成した。Example 1 Groups with a depth of 62 mm and a width of 5 gm were formed using the injection method. Oi+m, 85x 5
A reflective layer was formed on a 5 m square card-shaped PMMA substrate by vapor depositing Af to a thickness of 2000 mm using an electron beam.
次に、下記の構造式(I)で表わされる高分子液晶(I
)をシクロヘキサンに濃度15wt%となるように溶解
した溶液に、下記の構造式(n)で表わされるIR吸収
色素を濃度1.2 wt%となるように溶解した。Next, a polymeric liquid crystal (I
) was dissolved in cyclohexane to a concentration of 15 wt%, and an IR absorbing dye represented by the following structural formula (n) was dissolved at a concentration of 1.2 wt%.
(I)
(cpceよるpst換算 Mw = 15000
)75℃ 114℃
g−)N −)Iso。(I) (PST conversion by CPCE Mw = 15000
)75°C 114°C g-)N-)Iso.
(CJs)J−□ XトN(CJs)tこの溶
液をスピナー塗布し、乾燥後厚さ1川厘の記録層を形成
した。(CJs) J-□
次に、 100°Cに基板を保持し、120″Cに保持
した圧着ローラーへ、厚さ0.6tamのPC基板から
なるラミネートフィルムとはりあわせて通過させカード
状情報記憶媒体を得た。Next, the substrate was held at 100°C and passed through a pressure roller held at 120''C together with a laminate film made of a PC board having a thickness of 0.6 tam to obtain a card-shaped information storage medium.
得られたカード状情報記憶媒体は波長830n■で反射
率35%であった。波長8:lOnmの半導体レーザー
で記録を行ない2反射偏光顕微鏡で観測したところ、良
好な一軸配向を示しており、ドメインウオールはなく、
コントラストは1:20であった。The obtained card-shaped information storage medium had a reflectance of 35% at a wavelength of 830 nm. Recording was performed using a semiconductor laser with a wavelength of 8:1 Onm, and observation using a two-reflection polarizing microscope showed good uniaxial alignment, with no domain wall.
The contrast was 1:20.
次に、 830nm 、 40mWノ半導体レーザーに
テ100KHz テ記録(板面上10mW)を行ナイ、
0.5mWテ再生したところ、CAMで48dBと良好
な記録・再生を行うことができた。Next, a 100 KHz recording (10 mW on the plate surface) was performed using an 830 nm, 40 mW semiconductor laser.
When reproduced at 0.5 mW, good recording and reproduction was possible at 48 dB with CAM.
実施例2
インジェクション法によってグループを形成した直径1
30厘層、厚さ1.2■のディスク状ポリカーボネート
基板にAi)を2000人の厚みに蒸着し、その上に下
記の構造式(m)で表わされる高分子液晶に下記の構造
式(Ilir)で表わされるIR吸収色素を1、Owt
%加え、シクロヘキサンに溶解したものをスピナー塗布
し、乾燥後厚み11Lmの高分子液晶からなる記録層を
形成した。Example 2 Diameter 1 of groups formed by injection method
Ai) was deposited to a thickness of 2,000 layers on a disk-shaped polycarbonate substrate with a thickness of 1.2 cm and 30 layers, and on top of that, a polymer liquid crystal represented by the following structural formula (m) was coated with the following structural formula (Ilir). ) is 1, Owt.
% and dissolved in cyclohexane was coated using a spinner, and after drying, a recording layer made of polymeric liquid crystal having a thickness of 11 Lm was formed.
(■)
(GPC!;1mよルpst換算 My =1000
0 )50℃ 120°C
g−)N −一→ Iso、
次に、厚み0.6gmのPMMAフィルムを前記基板に
はりあわせ、i3図に示す様に、130’Cの加熱ロー
ラーに保持して回転させつつ加圧したところ、同心円状
にドメインウオールのない一輌均一配向した情報記憶媒
体が得られた。(■) (GPC!; 1m PST conversion My = 1000
0) 50°C 120°C g-) N -1 → Iso Next, a PMMA film with a thickness of 0.6 gm was laminated on the substrate, and as shown in Figure i3, it was held on a heated roller at 130'C. When pressurized while rotating, a uniformly oriented information storage medium without domain walls was obtained in concentric circles.
この情報記憶媒体にラミネートフィルム側から830r
v+の半導体レーザーを用いて、ビーム径2μm、ディ
スク回転数500rpm、 500KHz 、 20m
W”t’記録し、1−で再生したところ、再生における
C/Nは48dBと良好であった。このときの再生波形
のスペクトル解析の分解能帯域幅は30KHzである。830r from the laminated film side to this information storage medium.
Using a v+ semiconductor laser, beam diameter 2 μm, disk rotation speed 500 rpm, 500 KHz, 20 m
When W"t' was recorded and reproduced at 1-, the C/N during reproduction was as good as 48 dB. The resolution bandwidth of spectrum analysis of the reproduced waveform at this time was 30 KHz.
[発明の効果]
以上説明したように1本発明によれば、基板上に高分子
液晶からなる記録層を有する情報記憶媒体において、前
記記録層にPIi接して熱圧着性ラミネート層を設ける
ことにより、高分子液晶のドメインウオールによるS/
Hの低下のない、一軸配向した高感度で安定な光記録を
行なうことができる情報記憶媒体を得ることができる。[Effects of the Invention] As explained above, according to one aspect of the present invention, in an information storage medium having a recording layer made of a polymer liquid crystal on a substrate, by providing a thermocompression adhesive laminate layer in contact with PIi to the recording layer, , S/ by polymer liquid crystal domain wall
It is possible to obtain a uniaxially oriented information storage medium capable of performing highly sensitive and stable optical recording without a decrease in H.
また、基板上に形成された高分子液晶からなる記録層の
上に、ラミネート層を形成するラミネートフィルムを前
記記録層のガラス転移点以上の温度で熱および圧力の一
方向への印加により熱圧着してラミネートすることによ
り、記録層に良好な一軸木平配向処理が施された情報記
憶媒体を安価に効率良く得ることができる。In addition, a laminate film forming a laminate layer is thermocompression bonded onto a recording layer made of polymeric liquid crystal formed on a substrate by applying heat and pressure in one direction at a temperature higher than the glass transition point of the recording layer. By laminating them, an information storage medium whose recording layer has been subjected to a good uniaxial tree-plane orientation process can be obtained efficiently and at low cost.
第1図は本発明の情報記憶媒体の一例を示す部分断面図
、第2図はカード状・テープ状情報記憶媒体のラミネー
ト法を示す説明図、第3図はディスク状情報記憶媒体の
ラミネート法を示す説明図、第4図(a)〜Cd)は基
板の溝形状の断面模式図および第5図は基板の溝形状の
大きさを示す説明図である。
l・・・基板 2・・・記録層3・・・反射
層 4・・・うくネート層4a・・・うくネー
トフィルム
5・・・熱・圧力印加ロール
6・・・溝
第1図FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing an example of the information storage medium of the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram showing a lamination method for card-shaped and tape-shaped information storage media, and FIG. 3 is a lamination method for disk-shaped information storage media. 4(a) to Cd) are schematic cross-sectional views of the groove shape of the substrate, and FIG. 5 is an explanatory view showing the size of the groove shape of the substrate. l... Substrate 2... Recording layer 3... Reflective layer 4... Protect layer 4a... Protect film 5... Heat/pressure application roll 6... Groove Fig. 1
Claims (6)
記憶媒体において、前記記録層に隣接して熱圧着性ラミ
ネート層を有することを特徴とする情報記憶媒体。(1) An information storage medium having a recording layer made of polymeric liquid crystal on a substrate, characterized in that the information storage medium has a thermocompression adhesive laminate layer adjacent to the recording layer.
である請求項1記載の情報記憶媒体。(2) The information storage medium according to claim 1, wherein the laminate layer has a glass transition point of 200°C or lower.
記載の情報記憶媒体。(3) Claim 1, wherein the polymer liquid crystal is horizontally uniaxially aligned.
Information storage medium as described.
項1記載の情報記憶媒体。(4) The information storage medium according to claim 1, wherein the polymer liquid crystal has a nematic phase.
上に、フィルムを前記記録層のガラス転移点以上の温度
で熱圧着してラミネートすることを特徴とする情報記憶
媒体の製造方法。(5) A method for manufacturing an information storage medium, which comprises laminating a film on a recording layer made of polymeric liquid crystal formed on a substrate by thermocompression bonding at a temperature equal to or higher than the glass transition point of the recording layer. .
求項5記載の情報記憶媒体の製造方法。(6) The method for manufacturing an information storage medium according to claim 5, wherein the thermocompression bonding is carried out by applying pressure while moving in one direction.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1203938A JPH0369034A (en) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | Information storage medium and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1203938A JPH0369034A (en) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | Information storage medium and its manufacturing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0369034A true JPH0369034A (en) | 1991-03-25 |
Family
ID=16482169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1203938A Pending JPH0369034A (en) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | Information storage medium and its manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0369034A (en) |
-
1989
- 1989-08-08 JP JP1203938A patent/JPH0369034A/en active Pending
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