JPH0369034A - 情報記憶媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光学的に大容量のデータを記憶する情報記憶
媒体およびその製造方法に関し、特に高分子液晶を用い
た追記型情報記憶媒体に関するものである。

［従来の技術］ 現在、光記憶方式は大容量かつランダムアクセスに優れ
たものとして実用化されている。その方式も多岐にわた
り、再生専用としてディジタルオーディオディスク（Ｃ
Ｄ）やレーザービデオディスク（ＬＤ）が実用化されて
いる。光記録が可能なものとしては追記型光ディスクＢ
ｏ）、光カード（ＯＣ）が知られており、金属薄膜の相
変化を用いるものや、有機染料のピット形式を用いるも
のがある。

さらに、書き換え型光ディスクの研究が進められており
、光磁気効果を用いたもの、相変化を用いたものの実用
化が図られている。その中にあって高分子液晶も情報記
憶媒体として提案されている（特開昭５９−１０９３０
号公報、特開昭５９−３５９８９号公報、特開昭６２−
１５４３４０号公報）。その中では、記録方式としてコ
レステリック性高分子液晶のらせんピッチ長を変えるか
、あるいは無配向状態のピット形成によって光反射率を
多値的に変化せしめる方式も提案されている（特開昭６
２−１０７４４８号公報、特開昭６２−１２９３７号公
報）。

また、簡便な方式として配向処理されていない高分子液
晶へレーザーを照射し、加熱して等吉相にした後、ガラ
ス転移点以下に急冷することにより等吉相を固定記録す
る方法も提案されている。

（特開昭６３−１９１６７３号公報） このような高分子液晶を記録層とする情報記憶媒体は蒸
着等が不要であり、高感度で安定な記録を行なうことが
可能である。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、前記高分子液晶を記録層として有する情
報記憶媒体において、配向を用いない方式は簡便で安価
に情報記憶媒体を製造することが可能であるが、高分子
液晶のドメインウオールによるＳ／Ｎの低下が大きいた
めに再生装置か複雑となる欠点があった。

また、高分子液晶を記録層として有する情報記憶媒体に
配向膜を設け、配向膜によって配向させる場合には、配
向膜の形成が複雑で、かつ製造コストが上昇し、また配
向処理に時間が掛るために生産性が低下する欠点があっ
た。

一方、電場・磁場により配向処理を行なう方法もあるが
、この方法は強力な電場・磁場が必要で、かつ配向処理
に時間が掛るために生産性が低い欠点があった。

本発明は、この様な従来技術の欠点を改善するためにな
されたものであり、良好な一軸木平配向処理が施され、
高分子液晶のドメインウオールによるＳ／Ｎの低下のな
い、高感度で安定な光記録を行なうことができる情報記
憶媒体を提供することを目的とする。

また、本発明は、その情報記憶媒体を安価に効率良く製
造する方法を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 即ち、本発明は、基板上に高分子液晶からなる記録層を
有する情報記憶媒体において、前記記録層に隣接して熱
圧着性ラミネート層を有することを特徴とする情報記憶
媒体である。

また１本発明は、基板上に形威された高分子液晶からな
る記録層の上に、フィルムを前記記録層のガラス転移点
以上の温度で熱圧着してラミネートすることを特徴とす
る情報記憶媒体の製造方法である。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の情報記憶媒体の一例を示す部分断面図
である。同図において、本発明の情報記憶媒体は、表面
にトラッキングのためのグループを形威した基板ｌ上に
反射層３を設け、その上に高分子液晶からなる記録層２
を形威し、該記録層に隣接して熱圧着性のラミネート層
４を設けてなるものである。

本発明において、記録層には高分子液晶が用いられ、そ
の相変化・配向変化によって記録が行なわれる。

本発明において用いられる高分子液晶の例としては、下
記に示すものが挙げられる。

（下記式（１）　〜（１３）中、１５〉ｎ≧１である。

）（１） （２） （３） （４） （５） （６） （７） （８） （９） （１０） （１４） （１５） （１６） （１１） （１２） （１３） （下記式（１４）〜（１７）中、 Ｐ　： ５へ１ｏｏｏ。

ｐ＋＋　ｐ２＝ ５〜１ｏｏｏ。

ｑ＝１〜１２゜ Ｑ＋＝ １〜１２゜ Ｑ２＝ である。

） ｌ〜１２ （１７） （下記式（１８）〜（４６）中。

＊は不斉炭素中心を 示し、 ｎ＝５〜１０００である。

） （日、＝２〜１０） （ｓ、＝２〜１０） （２５） （鵬２＝２〜１５） （２６） （鵬２＝２〜！５） （−、＝２〜＋５） （２１） （ｍ、＝２〜１５） （２３） （２４） ■ −＋　（：）１．−Ｃ→− Ｉｒ′ （２９） （ｘ＋ｙ＝ｌ、　ｑ＝ｌ　〜ｔｏ、　Ｐａ＝１〜１５）
（３０） （３１） （３２） ｌ３ （ｘ＋ｙ＝１．動＝２〜１５） （＞（＋ｙ＝ｌ、ｍ２＝２〜Ｉｓ） （３７） （ｍ、＝　１〜５） （３３） （ｓ、＝２〜１５゜ ｘ＋ｙ＝　１） Ｒ，＝ ＣＨ３ −Ｃ）Ｉ２ＣＨ２Ｃ）Ｉ−＋　ＣＨ２→−Ｒ，＝＋Ｃ１
□→− （ｘ＋　ｙ＝　１　、１１．＝　２〜１５）（３８） （３９） （ｘ＋ｙ＝１） （４１） （４２） （４３） （４４） （４９） （５０） （５１） （５２） （■５＝０〜５） （以下、 鵬、は１〜１８とする） （４５） （４６） （４７） （４８） （５３） （５４） （５５） ｒ （５６） （５９） ＣＩ。

（６０） （５７） （５８） （ｆ。

＝５〜１８） 前記高分子液晶は低分子液晶化合物と組み合わせて組成
物として用いることが可能である。組成物としては、ネ
マチック相、スメクチック相、カイラルネマチック相、
カイラルスメクチック相。

ディスコティック相等を有するものがあるか、好ましく
はネマチック相、カイラルネマチック相を有するものが
用いられる。

さらに、レーザー光等にて書き込み、消去を行う場合に
は、レーザー光吸収層を設けるか、もしくは高分子液晶
層へレーザー光吸収化合物を添加することによって感度
を向上させることができる。高分子液晶層へ添加するレ
ーザー光吸収化合物の例としては、下記に示すようなも
のが挙げられる。

（Ｉ２２ ＝５〜ｔａ） Ｄｉｒｅｃｔ　Ｒｅｄ　２８ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｖｉｏｌｅｔ　１２ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｌｕｅ　　１ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｌｕｅ　Ｉｓ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｌｕｅ　９８ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｌｕｅ　１５１ ０■ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｒｅｄ　８１ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｙｅｌｌｏｗ　４４ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｙｅｌｌｏｗ　１２ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｏｒａｎｇｅ　：１９ Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｒｅｄ ０ Ｕ■ Ｄｉｓｐｅｒｓｅ ｌｕｅ １４ Ｃ２０４″′ ＡｓＦ　６ｅ ｃＩ！ｏ、ｅ また、半導体レーザーの波長に適合したレーザー光吸収
化合物としては、下記に示すようなものが挙げられる。

具体的には、フタロシアニン類、ナフタロシアニン類、
テトラベンゾポルフィリン類やその他置換、非置換ポル
フィリン類が用いられる。

特に有効なものとして、下記一般式（Ｉ）て表わされる
フタロシアニン、ナフタロシアニン等がある。

（一般式（Ｉ）中符号 で示される。

［但し、ＲＩ〜Ｒ２゜は水素原子、炭素原子数４〜２０
の直鎖もしくは分岐したアルキル基、アルコキシ基、ア
ルケニル基もしくは下記から選択される置換基を示す。

−Ｓ！ＱＩＱ２Ｑ３ −　ｓｑ。

−ｃｏｑ。

Ｃ００Ｑｓ ＮＱｔＱａ （Ｑ、〜Ｑ６は水素原子、炭素原子数１〜２０の直鎖も
しくは分岐したアルキル基又はアルケニル基を示す、）
Ｉ ＭはＧｅ、　Ｓｎ、遷移金属、　ＡＲ，Ｃａ、　Ｉｎ、
アルカリ土類金属、ランタニド金属、アフチニド金属お
よびその酸化物、ハロゲン化合物もしくはアルコキシ化
合物を示す、） 光記録を行う場合に近赤外から赤色可視に波長を有する
半導体レーザーを用いることは記録再生装置の小型化、
高性能化に重要であるが、その波長域で用いることが可
能な可溶性有機大環状色素としてはナフタロシアニン類
が特に優れている。

特に、一般式（■）で示されるものは、溶解性に優れて
いるため本発明の記憶媒体に適している。

（Ｘ＠ｎ）ｂ ［一般式（ｎ）中 Ｍ　：　Ｇｅ、　Ｓｎ、遷移金属、　Ａｊ）、　Ｃａ、
　Ｉｎ、アルカリ土類金属、ランタニド金属又はアフチ
ニド金属 Ｘ：ハロゲン基、アルキル基、カルボキシル基、アルコ
キシ基、エーテル基又はアルケニル基等を。

Ｘｍ１ＳＸｈ：ハロゲン基、アルキル基、スルファセイ
ル基、エーテル基又はアルケニル基等を、 ａ〜ｄ：０〜４を示す。

（但しａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≧１）、］ これらの化合物は、特開昭６１−９０２９１号公報に開
示された方法等によって容易に合成できる。

さらに、他の半導体レーザー光の吸収剤として使用可能
な化合物としては、アくニウム塩化合物又はジイモニウ
ム塩化合物が挙げられる。

本発明で使用されるアミニウム塩化合物およびジイモニ
ウム塩化合物は、それぞれ下記の一般式［ｍｌ、［ｆｆ
ｌおよび［Ｖ］で表わされる。

一般式［ｍｌ 一般式［ｆｆ１ 一般式［Ｖ］ 上記の一般式［ｍｌ、　［１７１および［Ｖ］において
、Ｒ１−Ｒ３゜は同種または異種の水素原子、またはア
ルキル基（例えば、メチル基、エチル基。

ｎ−プロピル基、　１ｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基
、５ｅｃ−ブチル基、１ｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基
、ｎ−アミル基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−
オクチル基、七−オクチル基および、Ｃ９〜Ｃｔｔのア
ルキル基など）を示し、さらに他のアルキル基、例えば
置換アルキル基（例えば。

２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、
４−ヒドロキシブチル基、２−アセトキシエチル基、カ
ルボキシメチル基、２−カルボキシエチル基、３−カル
ボキシプロピル基、２−スルホエチル基、３−スルホプ
ロピル基、４−スルホブチル基、３−スルフェートプロ
ピル基、４−スルフェートブチル基、Ｎ−（メチルスル
ホニル）−カルバくルメチル基、３−（アセチルスルフ
ァミル）プロピル基、４−（アセチルスルファミル）ブ
チル基など）、環式アルキル基（例えば、′シクロヘキ
シル基など）、アルケニル基（ビニル基、アリル基、プ
ロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基
、ヘプテニル基、オクテニル基、ドデシニル基、プレニ
ル基など）、アラルキル基（例えば、ベンジル基、フェ
ネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル
基など〉、置換アラルキル基（例えば、カルボキシベン
ジル基、スルホベンジル基、ヒドロキシベンジル基など
）を包含する。

Ｙは、＋または−（）−（）ｉを示し、この芳香煎環上
にアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基を置換しても
よい。

Ａｅは陰イオン、例えばバークロレート、フルオロボレ
ート、アイオダイド、クロライド、ブロマイド、サルフ
ェート、パーアイオダイド、ｐ−トルエンスルフォネー
ト これらのアミニウム塩化合物およびジイモニウム塩化合
物は、特公昭４３−２５３：１５号公報などに開示され
る合成法に準じて合成することかできる。

さらに、半導体レーザーの吸収剤として、次のような金
属キレート化合物が挙げられる。

本発明て使用される金属キレート化合物の例を挙げると
下記の一般式［１］〜［７］て表わされる。

一般式［１］ （式中．Ｌｓは水素原子、ヒドロキシル基，アルキル基
、アリール基でもう一方のＬｓと結合しても良いｅ　Ｒ
ＩＢはアルキル基、ハロゲン原子，水素原子、ニトロ基
又はベンゾ縮合系基を表わし、中心金属ＭはＣｕ，　Ｎ
ｉ，　Ｇｏ又はＰｄを表わす．）一般式［２］ （式Φ、ｆｌ＋ｙは水素原子、水酸基、アルキル基、ア
リール基でもう一方のＲ１？と結合しても良い。

Ｒｌａは水素原子、ハロゲン原子，アルキル基、ニトロ
基又はベンゾ縮合系基な表わし、ＭはＣｕ。

Ｎｉ，　Ｇｏ又はＰｄを表わす．） 一般式［３］ 水素原子，ハロゲン原子、アルキル基又はベンゾ縮合系
基を表わし、ＭはＣｕ．　Ｎｉ，又はＰｄを表わす．） 一般式［５］ （式中、ＲＩ９はアルキル基、アリール基ｔＬＯは水素
原子、ハロゲン原子，アルキル基、アリール基、ニトロ
基又はベンゾ縮合系基を表わし，ＭはＣｕ，旧又はＰｄ
を表わす．〉 一般式［４］ （式中，Ｒ２，は水素原子、ハロゲン原子又はアルキル
基を表わし、ＭはＣｕ又はＮｉを表わす．）一般式［６
〕 ２１ （式中，Ｒ２４は水素原子，又はアルキル基を表わし、
ＭはＣｕ，　Ｎｉ，　Ｃｏ又はＭｎを表わす．）（式中
、Ｒ２＋はアルキル基，アリール基、Ｒ２２は一般式［
７］ 一般式［８］ （式中、Ｒ２Ｓ＋　Ｌ６は、置換ないし非置換のアルキ
ル基、アシル基又はアリール基またはＲ□、Ｒ２６で芳
香族環を形成しても良い０ＭはＣｕ、　Ｎｉ、　Ｇｏ又
はＰｄを表わす、この場合１Ｍは電荷を持ち、カウンタ
ーイオンを持っても良い、） 上記金属キレート化合物は近赤外域に吸収をもち、安定
な光吸収色素として有用であり、かつ高分子液晶に対し
て相溶性もしくは分散性がよい。

さらに、他の半導体レーザー光の吸収剤として使用可能
な化合物としては１次のようなものが挙げられる。

（式中、ｎｅｔはイオウ原子、置換ないし非置換のアミ
ノ基、酸素原子又はチオケトン基、Ｒ２５１は水素原子
、アルキル基、ハロゲン原子又はアく）基を表わし、Ｍ
はＺｎ、　Ｃｕ又はＮｉを表わす、）一般式［９］ （式中、Ｒ２９はアルキル基、アリール基又はスチリル
基を表わし１ＭはＣｕ、　Ｎｉ、又はＣＯを表わす、） 一般式［ｌＯ］ 一般式［１２］ （式中、Ｒ３０は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基
、アシル基、又はアリール基を表わし１ＭはＮｉ又はＺ
ｒを表わす、） 一般式［１１］ （式中、Ｒ３□、Ｒ３３はアルキル基又はアリール基、
ＭはＮｉを表わす、） 一般式［１３］ （式中、Ｒ３１はアルキル基又はアリール基、ＭはＣｕ
、　Ｎｉ又はＣｏを表わす。） ０、７０ ゝＨ （式中、Ｆｈ４＋　Ｆ１２５はアルキル基、アミノ基、
アリール基又はフラン基、又はＲ３４とＲ３ｓで脂環式
化合物を形成しても良い。ＭはＮｉを表わす。）一般式
［１４］ （式中、　Ｒ３６＋　Ｒ：Ｉ９は水素原子、アルキル基
、ハロゲン原子又はニトロ基、Ｘは酸素原子又は硫黄原
子、Ｍは旧、Ｙ＠は４級アンモニウムカチオンを表わす
、） 一般式［１６］ （式中、Ｒ）Ｇｏ　Ｒ３７は水素原子、ハロゲン原子又
はアルキル基でＸは酸素原子又は硫黄原子、ＭはＮｉを
表わす、） 一般式［１５］ （式中、　Ｒ４０はアミノ基、ＭはＣｕ、　Ｎｉ、　Ｇ
ｏ又はＰｄを表わす、） 一般式［１７］ ・（式中、Ｒ４１は水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アシル基、ニトロ基又はアルコキシル基、ＭはＺｎ
、　Ｃｕ、　Ｎｉ又はＧｏを表わす、）本発明に用いら
れる上記金属錯体類は、バリー・ビー・グレイ等がジャ
ナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティ
　８８巻　４３〜５０頁および４８７０〜４８７５頁、
もしくはシュランツアおよびマイベーク等によるジャナ
ル・オブ・ジ・アメリカン・ケくカル・ソサイエティ　
８７巻　１４８３〜１４８９頁により記載されている方
法に準じて合成される。

前記半導体レーザー用化合物は近赤外域に吸収をもち、
安定な光吸収色素として有用であり、かつ高分子液晶に
対して相溶性もしくは分散性がよい。又中には二色性を
有するものもあり、これら二色性を有する化合物を高分
子液晶中に混合すれば、熱的に安定なホスト−ゲスト型
のメモリー及び表示媒体を得ることもできる。

また、高分子液晶中には上記の化合物が二種類以上含有
されていてもよい。

また、上記化合物と他の近赤外吸収色素や２色性色素を
組み合せてもよい。好適に組み合せられる近赤外吸収色
素の代表的な例としては、シアニン、メロシアニン、フ
タロシアニン、テトラヒドロコリン、ジオキサジン、ア
ントラキノン、トリフェノジチアジン、キサンチン、ト
リフェニルメタン、ピリリウム、クロコニウム、アズレ
ンおよびトリフェニルアミン等の色素が挙げられる。

なお、高分子液晶に対する上記化合物の添加量は重量％
で、０．１％〜２０％程度、好ましくは、０．５〜ｌＯ
％がよい。本発明で用いる高分子液晶は高分子サーモト
ロピック液晶であり、中間相であるネマチックやスメク
チックやカイラルスメクチックやコレステリックの相を
利用する。

また、本発明における高分子液晶からなる記録層は、前
記低分子液晶２色素、顔料以外にも紫外線吸収剤、＃化
防止剤等を添加して用いることが可能である。これ等の
化合物を含有する高分子液晶からなる記録層は、トラッ
キングのためのグループを形成した基板上に成膜される
。

次に、基板上に設けたトラッキングのための溝形状の一
例を第４図（ａ）〜（ｄ）に示す。又、実験の結果から
、第５図に例示する溝の大きさ、すなわち溝の深さａ、
溝の輻す、溝のランド部幅Ｃは、溝の深さａはＯ，ＯＳ
、１〜０．２１＆ｍ、溝の幅すは０．５　ＢＮ２．０　
Ｈ，溝のランド部の輻Ｃは０．５〜２．０−謹、特に溝
の深さａは０．１←■〜０．２　ｇ鳳、溝の幅すは０．
５　ｇｍ〜１．ＯＩＬｔａ、溝のランド部の幅Ｃは１．
０　ｐ、ｍ〜２．０　ｇｍが好ましいことが確認できた
。ただし、上記条件の３つとも全てを満たさずとも。

上記条件の中で溝の深さを少なくとも上記範囲内に設定
しておけばよい。

上記の溝は基板を形成する場合に同時に形成してもよい
し、平滑な基板に紫外線硬化樹脂等を塗布しスタンパ−
を密着して光等を照射して樹脂を硬化することにより形
成してもよい。

本発明において、基板材料としては、ガラス。

金属、セラミック、プラスチック等が用いられる。好ま
しくはプラスチックが用いられ、具体例としてはポリエ
ステル、ポリ塩化ビニル、　ＰＭＭＡ。

ＰＣ，ポリオレフィン等が挙げられる。

前記、溝を有する基板には、ＡＩ！、　Ａｕ、　Ａｇ等
の金属もしくは誘電体多層膜によって反射層が形成され
る。反射層の膜厚は１００入〜ｌｏｇ■が好ましく、１
００人未満では十分な反射率が得られず、１−鳳を越え
ると熱容量および熱伝導率が増加して感度が低下する。

上記の反射層は蒸着等によって形成することができる。

基板上に記録層を形成するには、前記色素等を含有する
高分子液晶組成物を溶媒に溶解し、前記反射層を有する
基板上へ、スピナー塗布法、ディピイング法、バーコー
ド法、ロールコート法等によって塗布する。また、場合
によってはラミネートフィルムへ塗布することも可能で
ある。

本発明における高分子液晶からなる記録層の厚みは１０
００λ〜５０μｓ諺が好ましい、　１０００人未満ては
再生のコントラストが悪い、ために好ましくなく、５０
μ寵以上では記録エネルギーが増大し、また記録ピット
径も増大するので好ましくない、より好ましい厚みは１
５００Å〜５μ園で用いられる。

記録層に用いられる高分子液晶のガラス転移温度は室温
以上であるが、より好ましくは５０℃以上であり、記録
された内容を良好に保持することが可能である。

次に、本発明の情報記憶媒体の製造方法は、基板上に形
成された高分子液晶からなる記録層の上に、フィルムを
前記記録層のガラス転移点以上の温度で熱圧着してラミ
ネートすることにより行なう、具体的には、基板もしく
はうくネートフィルム上に前述の高分子液晶からなる記
録層を形成したものをラミネートフィルムもしくは基板
と熱および圧力を印加して密着させるものである。

加熱は１．基板全体を行なっても、加圧部分のみを行な
ってもよく、記録層のガラス転移点以上の温度に加熱さ
れる。より好ましくは、記録層の等労相転移点以下であ
り、基板、高分子液晶、うくネートフィルムが劣化しな
い温度が選択される。

具体的には５０〜３００°Ｃで、より好ましくは６０〜
２００°Ｃでラミネートする。高分子液晶からなる記録
層は、ネマチック相、カイラルネマチック相。

スメクチック相、カイラルスメクチック相、ディスコテ
ィック相等でラミネートされるが、より好ましくはネマ
チック相、カイラルネマチック相でうくネートされるの
が望ましい。

熱圧着において印加される圧力はうよネートフィルムの
弾性によって異なるが、例えば加圧ローラな用いた場合
の線圧として０．１〜１００１００Ｏ／ｃ＋ｓ、好まし
くばｌ〜１００にｇｆ／ｃｍが用いられる。

前記、熱および圧力の印加によって高分子液晶からなる
記録層は配向を行なう、圧力を一方向へ移動しつつ印加
することにより、一軸木平配向を得ることが出来る。移
動する速度は熱および圧力によって異なるが、ｌ　ｃｍ
／ｍ１ｒｒ−１ｏｓｅｓ／ｓｅｃが用いられる。

本発明において用いられるラミネートフィルムはガラス
転移温度が２００℃以下のものが好ましい、また、厚み
は０．０１〜２ｍｍが好ましい、このうくネートフィル
ムは、複屈折の少ない透明な材料が用いられ、具体的に
は、ＰＭＭＡ、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が
用いられる。

本発明の情報記憶媒体の製造方法において、ラミネート
される媒体としてカード状・テープ状媒体を用いる場合
には、第２図に示すように一方向へ加圧・加熱しつつラ
ミネートすることにより良好な配向の情報記憶媒体が得
られる。

また、ディスク状媒体を用いる場合は、第３図に示すよ
うに媒体を回転させつつ、加圧・加熱しつつラミネート
することにより同心円状に高分子液晶が良好に配向した
情報記憶媒体が得られる。

［作用Ｊ 本発明の情報記憶媒体は、基板上に高分子液晶からなる
記録層を有する情報記憶媒体において、前記記録層に隣
接して熱圧着性ラミネート層を設けることにより、高分
子液晶のドメインウオールによるＳ／Ｎの低下を防止し
、高感度で安定な光記録を行なうことができる。

また１本発明は、基板上に形成された高分子液晶からな
る記録層の上に、ラミネート層を形成するラミネートフ
ィルムを前記記録層のガラス転移点以上の温度で熱およ
び圧力の一方向への印加により熱圧着してラミネートす
るために、記録層に良好な一軸木平配向処理が施された
情報記憶媒体を短時間で効率良く得ることができる。

［実施例］ 以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。

実施例１ インジェクション法により深さロ６２ル層、巾５ｇｍの
グループを形成した厚さ１．Ｏｉ＋ｍ　、　８５ｘ　５
５ｍ■のカード状のＰＭＭＡ基板へＡｆを電子ビームに
より２０００人の厚みに蒸着して反射層を形成した。

次に、下記の構造式（Ｉ）で表わされる高分子液晶（Ｉ
）をシクロヘキサンに濃度１５ｗｔ％となるように溶解
した溶液に、下記の構造式（ｎ）で表わされるＩＲ吸収
色素を濃度１．２　ｗｔ％となるように溶解した。

（Ｉ） （ｃｐｃｅよるｐｓｔ換算　　Ｍｗ　＝　１５０００　
）７５℃　　　　　　　１１４℃ ｇ−）Ｎ　　　−）Ｉｓｏ。

（ＣＪｓ）Ｊ−□　　　　　ＸトＮ（ＣＪｓ）ｔこの溶
液をスピナー塗布し、乾燥後厚さ１川厘の記録層を形成
した。

次に、　１００°Ｃに基板を保持し、１２０″Ｃに保持
した圧着ローラーへ、厚さ０．６ｔａｍのＰＣ基板から
なるラミネートフィルムとはりあわせて通過させカード
状情報記憶媒体を得た。

得られたカード状情報記憶媒体は波長８３０ｎ■で反射
率３５％であった。波長８：ｌＯｎｍの半導体レーザー
で記録を行ない２反射偏光顕微鏡で観測したところ、良
好な一軸配向を示しており、ドメインウオールはなく、
コントラストは１：２０であった。

次に、　８３０ｎｍ　、　４０ｍＷノ半導体レーザーに
テ１００ＫＨｚ　テ記録（板面上１０ｍＷ）を行ナイ、
０．５ｍＷテ再生したところ、ＣＡＭで４８ｄＢと良好
な記録・再生を行うことができた。

実施例２ インジェクション法によってグループを形成した直径１
３０厘層、厚さ１．２■のディスク状ポリカーボネート
基板にＡｉ）を２０００人の厚みに蒸着し、その上に下
記の構造式（ｍ）で表わされる高分子液晶に下記の構造
式（Ｉｌｉｒ）で表わされるＩＲ吸収色素を１、Ｏｗｔ
％加え、シクロヘキサンに溶解したものをスピナー塗布
し、乾燥後厚み１１Ｌｍの高分子液晶からなる記録層を
形成した。

（■） （ＧＰＣ！；１ｍよルｐｓｔ換算　　Ｍｙ　＝１０００
０　）５０℃　　　　　　１２０°Ｃ ｇ−）Ｎ　　　−一→　Ｉｓｏ、 次に、厚み０．６ｇｍのＰＭＭＡフィルムを前記基板に
はりあわせ、ｉ３図に示す様に、１３０’Ｃの加熱ロー
ラーに保持して回転させつつ加圧したところ、同心円状
にドメインウオールのない一輌均一配向した情報記憶媒
体が得られた。

この情報記憶媒体にラミネートフィルム側から８３０ｒ
ｖ＋の半導体レーザーを用いて、ビーム径２μｍ、ディ
スク回転数５００ｒｐｍ、　５００ＫＨｚ　、　２０ｍ
Ｗ”ｔ’記録し、１−で再生したところ、再生における
Ｃ／Ｎは４８ｄＢと良好であった。このときの再生波形
のスペクトル解析の分解能帯域幅は３０ＫＨｚである。

［発明の効果］ 以上説明したように１本発明によれば、基板上に高分子
液晶からなる記録層を有する情報記憶媒体において、前
記記録層にＰＩｉ接して熱圧着性ラミネート層を設ける
ことにより、高分子液晶のドメインウオールによるＳ／
Ｈの低下のない、一軸配向した高感度で安定な光記録を
行なうことができる情報記憶媒体を得ることができる。

また、基板上に形成された高分子液晶からなる記録層の
上に、ラミネート層を形成するラミネートフィルムを前
記記録層のガラス転移点以上の温度で熱および圧力の一
方向への印加により熱圧着してラミネートすることによ
り、記録層に良好な一軸木平配向処理が施された情報記
憶媒体を安価に効率良く得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の情報記憶媒体の一例を示す部分断面図
、第２図はカード状・テープ状情報記憶媒体のラミネー
ト法を示す説明図、第３図はディスク状情報記憶媒体の
ラミネート法を示す説明図、第４図（ａ）〜Ｃｄ）は基
板の溝形状の断面模式図および第５図は基板の溝形状の
大きさを示す説明図である。 ｌ・・・基板　　　　　　２・・・記録層３・・・反射
層　　　　　４・・・うくネート層４ａ・・・うくネー
トフィルム ５・・・熱・圧力印加ロール ６・・・溝 第１図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に高分子液晶からなる記録層を有する情報
   記憶媒体において、前記記録層に隣接して熱圧着性ラミ
   ネート層を有することを特徴とする情報記憶媒体。
2. （２）前記ラミネート層のガラス転移点が２００℃以下
   である請求項１記載の情報記憶媒体。
3. （３）前記高分子液晶が水平一軸配向している請求項１
   記載の情報記憶媒体。
4. （４）前記高分子液晶がネマチック相を有している請求
   項１記載の情報記憶媒体。
5. （５）基板上に形成された高分子液晶からなる記録層の
   上に、フィルムを前記記録層のガラス転移点以上の温度
   で熱圧着してラミネートすることを特徴とする情報記憶
   媒体の製造方法。
6. （６）圧力を一方向へ移動しつつ印加して熱圧着する請
   求項５記載の情報記憶媒体の製造方法。