JPH0369130A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH0369130A JPH0369130A JP1205928A JP20592889A JPH0369130A JP H0369130 A JPH0369130 A JP H0369130A JP 1205928 A JP1205928 A JP 1205928A JP 20592889 A JP20592889 A JP 20592889A JP H0369130 A JPH0369130 A JP H0369130A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- leads
- lead
- resin
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/726—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特にリード構造
に関する。
に関する。
従来、この種の樹脂封止型半導体装置は、集積回路が形
成された半導体チップの入出力端子である電極パッドに
金のはんだバンプを形成し、このはんだバンプに薄い金
属板で形成されたリードフレームのリードを接続し、こ
のリードフレームに接続された半導体チップを樹脂封止
して、その外郭体を形成していた。
成された半導体チップの入出力端子である電極パッドに
金のはんだバンプを形成し、このはんだバンプに薄い金
属板で形成されたリードフレームのリードを接続し、こ
のリードフレームに接続された半導体チップを樹脂封止
して、その外郭体を形成していた。
また、この樹脂封止型半導体装置に使用されるリードフ
レームは、薄い金属板、例えば、０．０Ｑ７ｍｍの銅板
から製作されていた。さらに、樹脂外郭体より突出する
リードフレームのリードを外力より保護するために、こ
の外郭体の内部周囲にキャリアリングと称する樹脂枠が
設けられていた。
レームは、薄い金属板、例えば、０．０Ｑ７ｍｍの銅板
から製作されていた。さらに、樹脂外郭体より突出する
リードフレームのリードを外力より保護するために、こ
の外郭体の内部周囲にキャリアリングと称する樹脂枠が
設けられていた。
しかしながら、上述した従来の樹脂封止型半導体装置で
は、リードフレームの板厚が薄いので、例えば、プリン
ト回路基板に実装するときにり−ドが曲るという欠点が
ある。また、実装後にも、機械的外力により、リードが
折れたり、樹脂外郭体より脱落したりするという欠点も
ある。さらに、キャリアリングのような樹脂枠を必要と
し、このため、樹脂封止金型の構造が複雑になるばかり
か、このためにコストが上昇するといった欠点もある。
は、リードフレームの板厚が薄いので、例えば、プリン
ト回路基板に実装するときにり−ドが曲るという欠点が
ある。また、実装後にも、機械的外力により、リードが
折れたり、樹脂外郭体より脱落したりするという欠点も
ある。さらに、キャリアリングのような樹脂枠を必要と
し、このため、樹脂封止金型の構造が複雑になるばかり
か、このためにコストが上昇するといった欠点もある。
このうえ、半導体チップの電極パッドに形成されるバン
プの材質が金であるという非常に高価の金属を使用して
いる欠点もある。
プの材質が金であるという非常に高価の金属を使用して
いる欠点もある。
本発明の目的は、かかる欠点を解決した樹脂封止型半導
体装置を提供することである。
体装置を提供することである。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、入出力端子である電
極パッド上に形成されたはんだバンプを有する半導体チ
ップと、このはんだバンプに接続される薄い板厚の内部
リードとこの内部リードの板厚より厚い板厚であるとと
もに前記はんだバンプより低い融点のはんだで被覆され
た外部リードとをもち、かつ、前記内部リードと前記外
部リードとの間に突起あるいは穴を有するリードフレー
ムを備え構成される。
極パッド上に形成されたはんだバンプを有する半導体チ
ップと、このはんだバンプに接続される薄い板厚の内部
リードとこの内部リードの板厚より厚い板厚であるとと
もに前記はんだバンプより低い融点のはんだで被覆され
た外部リードとをもち、かつ、前記内部リードと前記外
部リードとの間に突起あるいは穴を有するリードフレー
ムを備え構成される。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示す樹脂封止型
半導体装置の縦断面図及び横断面図である。本発明の樹
脂封止型半導体装置においては、同図に示すように、そ
のリードフレーム３の外部リード３ａの厚さを内部リー
ド３ｂより厚さより厚くし、この外部リード３ａと内部
リード３ｂの境目に幅を拡げるように突起６と穴５を設
けたことである。
半導体装置の縦断面図及び横断面図である。本発明の樹
脂封止型半導体装置においては、同図に示すように、そ
のリードフレーム３の外部リード３ａの厚さを内部リー
ド３ｂより厚さより厚くし、この外部リード３ａと内部
リード３ｂの境目に幅を拡げるように突起６と穴５を設
けたことである。
このリードフレーム３の外部リードの板厚をより厚くす
ることによって、外部リード３ａの剛性を高くし、また
、突起６及び穴６を設けることによって樹脂封止後に外
部リードが脱落しないようにしたことである。
ることによって、外部リード３ａの剛性を高くし、また
、突起６及び穴６を設けることによって樹脂封止後に外
部リードが脱落しないようにしたことである。
また、はんだバンプにおいては、安価で、接続の信頼性
が高い９０％Ｓ ｎ −１０％ｐｂの材料で製作したこ
とである。さらに、リードフレーム３の６０％Ｓ ｎ
−４０％ｐｂのはんだで被覆されている。ここで、前述
のリードフレーム３の外部リード３ａの厚さを、例えば
、０．１５ｍｍとし、内部リード３ｂの厚さを、例えば
、０．０３５ｍｍとしたことである。
が高い９０％Ｓ ｎ −１０％ｐｂの材料で製作したこ
とである。さらに、リードフレーム３の６０％Ｓ ｎ
−４０％ｐｂのはんだで被覆されている。ここで、前述
のリードフレーム３の外部リード３ａの厚さを、例えば
、０．１５ｍｍとし、内部リード３ｂの厚さを、例えば
、０．０３５ｍｍとしたことである。
このリードフレームの製作に関しては、例えば、０．１
５ｍｍ板厚の銅箔をプレス型により打抜くと同時に内部
リードの部分を圧延する。次に、薄く圧延された内部リ
ード部をエツチング加工法で成形し、所要の内部リード
の形状を得る。このようにして得られたリードフレーム
に電解めっき法により６０％５ｎ−４０％ｐｂのはんだ
を被覆する。
５ｍｍ板厚の銅箔をプレス型により打抜くと同時に内部
リードの部分を圧延する。次に、薄く圧延された内部リ
ード部をエツチング加工法で成形し、所要の内部リード
の形状を得る。このようにして得られたリードフレーム
に電解めっき法により６０％５ｎ−４０％ｐｂのはんだ
を被覆する。
このようにして得られたリードフレームを使用して組立
られた半導体装置をプリント回路基板に実装するときは
、半導体装置をプリント回路基板に搭載し、１９０℃程
度に低温で加熱し、はんだをリフローして接続できるの
で、はんだバンプは再溶融することなく、安定した接続
を維持する。
られた半導体装置をプリント回路基板に実装するときは
、半導体装置をプリント回路基板に搭載し、１９０℃程
度に低温で加熱し、はんだをリフローして接続できるの
で、はんだバンプは再溶融することなく、安定した接続
を維持する。
第３図及び第４図は本発明の他の実施例を示す樹脂封止
型半導体装置の縦断面図及び横断面図である。本発明の
他の実施例での樹脂封止型半導体装置においては、同図
に示すように、リードフレームを厚さの異なる二枚の金
属板より、内部り−ド３ｄど外部リード３Ｃとを製作し
たことである。
型半導体装置の縦断面図及び横断面図である。本発明の
他の実施例での樹脂封止型半導体装置においては、同図
に示すように、リードフレームを厚さの異なる二枚の金
属板より、内部り−ド３ｄど外部リード３Ｃとを製作し
たことである。
また、外部リード３Ｃの一端は折り曲げられ、脱落防止
機構を具備している。ここで、外部リード３ｃは、板厚
が０．１５ｍｍで、その表面を６０％Ｓ ｎ −４０％
ｐｂのはんだで被覆する。また、内部リード３ｄは、板
厚は、０．０３５ｍｍで、その表面は９０％Ｓ ｎ −
１０％ｐｂのはんだで被覆されている。その他は、前述
の実施例と同じである。
機構を具備している。ここで、外部リード３ｃは、板厚
が０．１５ｍｍで、その表面を６０％Ｓ ｎ −４０％
ｐｂのはんだで被覆する。また、内部リード３ｄは、板
厚は、０．０３５ｍｍで、その表面は９０％Ｓ ｎ −
１０％ｐｂのはんだで被覆されている。その他は、前述
の実施例と同じである。
この実施例では、内部リードと外部リードとをそれぞれ
板厚の異なる銅箔をプレス加工して製作出来るので、前
述の実施例のように銅箔の一部を均一の板厚に圧延する
工程が不要になり、この実施例は、前述の実施例より製
造上有利である。
板厚の異なる銅箔をプレス加工して製作出来るので、前
述の実施例のように銅箔の一部を均一の板厚に圧延する
工程が不要になり、この実施例は、前述の実施例より製
造上有利である。
以上説明したように本発明は、はんだバンプを成形する
はんだとプリント回路基板に実装する外部リードのはん
だとを融点の異なるはんだを用い、外部リードの板厚を
内部リードの板厚より厚くし、外部リードと内部リード
との境目に突起あるいは穴を設けることによって、外部
リードが曲がったり、脱落したりすることがない安価な
樹脂封止型半導体装置が得られるという効果がある。
はんだとプリント回路基板に実装する外部リードのはん
だとを融点の異なるはんだを用い、外部リードの板厚を
内部リードの板厚より厚くし、外部リードと内部リード
との境目に突起あるいは穴を設けることによって、外部
リードが曲がったり、脱落したりすることがない安価な
樹脂封止型半導体装置が得られるという効果がある。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示す樹脂封止型
半導体装置の縦断面図及び横断面図、第３図及び第４図
は本発明の他の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の縦
断面図及び横断面図である。 １・・・半導体チップ、２・・・はんだバンプ、３・・
・リードフレーム、３ａ、３ ｃ −外部リード、３ｂ
、３Ｃ・・・内部リード、４・・・樹脂外郭体、５・・
・穴、６・・・突起。
半導体装置の縦断面図及び横断面図、第３図及び第４図
は本発明の他の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の縦
断面図及び横断面図である。 １・・・半導体チップ、２・・・はんだバンプ、３・・
・リードフレーム、３ａ、３ ｃ −外部リード、３ｂ
、３Ｃ・・・内部リード、４・・・樹脂外郭体、５・・
・穴、６・・・突起。
Claims (1)
- 入出力端子である電極パッド上に形成されたはんだバン
プを有する半導体チップと、このはんだバンプに接続さ
れる薄い板厚の内部リードとこの内部リードの板厚より
厚い板厚であるとともに前記はんだバンプより低い融点
のはんだで被覆された外部リードとをもち、かつ、前記
内部リードと前記外部リードとの間に突起あるいは穴を
有するリードフレームを備えることを特徴とする樹脂封
止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1205928A JP2765083B2 (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1205928A JP2765083B2 (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0369130A true JPH0369130A (ja) | 1991-03-25 |
| JP2765083B2 JP2765083B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=16515061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1205928A Expired - Lifetime JP2765083B2 (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2765083B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629149U (ja) * | 1991-10-15 | 1994-04-15 | 新電元工業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
| US5939776A (en) * | 1996-05-17 | 1999-08-17 | Lg Semicon Co., Ltd. | Lead frame structure having non-removable dam bars for semiconductor package |
-
1989
- 1989-08-08 JP JP1205928A patent/JP2765083B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629149U (ja) * | 1991-10-15 | 1994-04-15 | 新電元工業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
| US5939776A (en) * | 1996-05-17 | 1999-08-17 | Lg Semicon Co., Ltd. | Lead frame structure having non-removable dam bars for semiconductor package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2765083B2 (ja) | 1998-06-11 |
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