JPH0369151A - Ｍｏｓ型半導体集積回路装置 - Google Patents
Ｍｏｓ型半導体集積回路装置Info
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- JPH0369151A JPH0369151A JP20619689A JP20619689A JPH0369151A JP H0369151 A JPH0369151 A JP H0369151A JP 20619689 A JP20619689 A JP 20619689A JP 20619689 A JP20619689 A JP 20619689A JP H0369151 A JPH0369151 A JP H0369151A
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 17
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に電荷蓄積領
域を有するＭＯＳ型半導体集積回路装置に関する。
域を有するＭＯＳ型半導体集積回路装置に関する。
第４図は従来のＭＯＳ型半導体集積回路装置の一例を示
す半導体チップの平面図である。従来、その種のＭＯＳ
型半導体集積回路装置は、例えば、第４図に示すように
、−導電型半導体基板上に接地電位領域４とＭＯＳ）ラ
ンジスタで構成される論理素子領域３とが並べて複数個
形成され、一つの半導体回路素子形成領域２を構成して
いた。また、この半導体回路素子形成領域２の周辺には
、入出力端子であるポンディングパッド５が形成されて
おり、さらに、半導体基板上の第１の酸化膜と、その上
に形成された多結晶シリコン膜と、その多結晶シリコン
膜上の第２の酸化膜とでなる電荷蓄積領域１ａが、半導
体素子形成領域の中に分散して形成されていた。
す半導体チップの平面図である。従来、その種のＭＯＳ
型半導体集積回路装置は、例えば、第４図に示すように
、−導電型半導体基板上に接地電位領域４とＭＯＳ）ラ
ンジスタで構成される論理素子領域３とが並べて複数個
形成され、一つの半導体回路素子形成領域２を構成して
いた。また、この半導体回路素子形成領域２の周辺には
、入出力端子であるポンディングパッド５が形成されて
おり、さらに、半導体基板上の第１の酸化膜と、その上
に形成された多結晶シリコン膜と、その多結晶シリコン
膜上の第２の酸化膜とでなる電荷蓄積領域１ａが、半導
体素子形成領域の中に分散して形成されていた。
上述した従来のＭＯＳ型半導体集積回路装置は、電荷蓄
積領域を半導体回路素子形成領域内のみでしか形成しな
いため、ＭＯＳ型半導体集積回路装置の面積を小さくで
きないという欠点がある。
積領域を半導体回路素子形成領域内のみでしか形成しな
いため、ＭＯＳ型半導体集積回路装置の面積を小さくで
きないという欠点がある。
本発明の目的は、かかる欠点を解消するＭＯＳ型半導体
集積回路装置を提供することにある。
集積回路装置を提供することにある。
本発明のＭＯＳ型半導体集積回路装置は、半導体基板上
に形成されたＭＯＳトランジスタでなる論理回路素子を
有する半導体回路素子形成領域と、この半導体回路素子
形成領域の周囲を囲むように形成された二層の酸化膜に
挟まれた多結晶シリコン膜とでなる電荷蓄積領域とを有
している。
に形成されたＭＯＳトランジスタでなる論理回路素子を
有する半導体回路素子形成領域と、この半導体回路素子
形成領域の周囲を囲むように形成された二層の酸化膜に
挟まれた多結晶シリコン膜とでなる電荷蓄積領域とを有
している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明のＭＯＳ型半導体集積回路装置の一実施
例を示す半導体チップの平面図、第２図は第１図の半導
体チップのＡ部を拡大して示した部分拡大平面図、第３
図は第２図のＢＢ断面図である。このＭＯＳ型半導体集
積回路装置は、第１図に示すように、半導体回路素子形
成領域２の外周を囲むように、電荷蓄積領域１が連続し
て形成されることである。それ以外は従来例と同じであ
る。すなわち、この電荷蓄積領域１は第２図及び第３図
に示すように、半導体基板６と半導体基板６上に設けた
第１の酸化膜１１と、第１の酸化膜１１上に設けた多結
晶シリコン膜７と、多結晶シリコン膜７上に設けた第２
の酸化膜１２からなるＭＯＳ構造に形成されている。ま
た、前述したように、第４図の従来の電荷蓄積領域１ａ
を、半導体回路素子形成領域２の周囲に形成することに
より、半導体回路素子形成領域２はＭＯＳ型半導体集積
回路装置を動作させるための逆導電型の論理素子領域３
のみとなり、前述の半導体回路素子形成領域２内に形成
される電荷蓄積領域１として用いていた面積を削除し、
半導体回路素子領域の面積の縮小化することが出来、ま
た、ＭＯＳ型半導体集積回路装置の全体の面積を縮小化
を図ることができる。また、半導体回路素子形成領域内
に電荷蓄積領域が存在しないため、接地電位領域の電位
の浮上りや、接地電位領域の電位低下による論理回路素
子への悪影響がなくなるという利点もある。
例を示す半導体チップの平面図、第２図は第１図の半導
体チップのＡ部を拡大して示した部分拡大平面図、第３
図は第２図のＢＢ断面図である。このＭＯＳ型半導体集
積回路装置は、第１図に示すように、半導体回路素子形
成領域２の外周を囲むように、電荷蓄積領域１が連続し
て形成されることである。それ以外は従来例と同じであ
る。すなわち、この電荷蓄積領域１は第２図及び第３図
に示すように、半導体基板６と半導体基板６上に設けた
第１の酸化膜１１と、第１の酸化膜１１上に設けた多結
晶シリコン膜７と、多結晶シリコン膜７上に設けた第２
の酸化膜１２からなるＭＯＳ構造に形成されている。ま
た、前述したように、第４図の従来の電荷蓄積領域１ａ
を、半導体回路素子形成領域２の周囲に形成することに
より、半導体回路素子形成領域２はＭＯＳ型半導体集積
回路装置を動作させるための逆導電型の論理素子領域３
のみとなり、前述の半導体回路素子形成領域２内に形成
される電荷蓄積領域１として用いていた面積を削除し、
半導体回路素子領域の面積の縮小化することが出来、ま
た、ＭＯＳ型半導体集積回路装置の全体の面積を縮小化
を図ることができる。また、半導体回路素子形成領域内
に電荷蓄積領域が存在しないため、接地電位領域の電位
の浮上りや、接地電位領域の電位低下による論理回路素
子への悪影響がなくなるという利点もある。
以上説明したように本発明は、半導体回路素子形成領域
内に形成していた電荷蓄積領域を、半導体回路素子形成
領域外に形成することで、半導体集積回路素子内で電荷
蓄積部として用いていた面積を削除することができ、半
導体回路素子形成領域の面積の縮小化を図れるとともに
外形を小型化を図ることができる半導体集積回路装置が
得られるという効果がある。
内に形成していた電荷蓄積領域を、半導体回路素子形成
領域外に形成することで、半導体集積回路素子内で電荷
蓄積部として用いていた面積を削除することができ、半
導体回路素子形成領域の面積の縮小化を図れるとともに
外形を小型化を図ることができる半導体集積回路装置が
得られるという効果がある。
膜、１１・・・第１の酸化膜、１２・・・第２の酸化膜
。
。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成されたＭＯＳトランジスタでなる論
理回路素子を有する半導体回路素子形成領域と、この半
導体回路素子形成領域の周囲を囲むように形成された二
層の酸化膜に挟まれた多結晶シリコン膜とでなる電荷蓄
積領域とを有することを特徴とするＭＯＳ型半導体集積
回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20619689A JPH0369151A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | Ｍｏｓ型半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20619689A JPH0369151A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | Ｍｏｓ型半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0369151A true JPH0369151A (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=16519387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20619689A Pending JPH0369151A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | Ｍｏｓ型半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0369151A (ja) |
-
1989
- 1989-08-08 JP JP20619689A patent/JPH0369151A/ja active Pending
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