JPH0371176A - 電子写真装置 - Google Patents
電子写真装置Info
- Publication number
- JPH0371176A JPH0371176A JP20732189A JP20732189A JPH0371176A JP H0371176 A JPH0371176 A JP H0371176A JP 20732189 A JP20732189 A JP 20732189A JP 20732189 A JP20732189 A JP 20732189A JP H0371176 A JPH0371176 A JP H0371176A
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- Japan
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- light
- peak wavelength
- wavelength
- destaticizer
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Discharging, Photosensitive Material Shape In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電子写真用セレン感光体に好適な除電機構
を備えた反転現像方式の電子写真装置に関する。
を備えた反転現像方式の電子写真装置に関する。
セレン系材料からなる感光層を備えた電子写真用セレン
感光体は、近年、高光感度、良好な繰り返し特性など優
れた電子写真特性を得るために、感光層を電荷輸送層、
電荷発生層１表面保護層などに機能分離した各層を積層
したものとする機能分離積層型感光体が主流となってき
ている。
感光体は、近年、高光感度、良好な繰り返し特性など優
れた電子写真特性を得るために、感光層を電荷輸送層、
電荷発生層１表面保護層などに機能分離した各層を積層
したものとする機能分離積層型感光体が主流となってき
ている。
このような積層型のセレン感光体を用いて反転現像方式
で電子写真画像を形成するに際して、画像形成プロセス
の除電プロセスとしては、従来、転写プロセスとクリー
ニングプロセスとの間で波長が６００ｎｍ〜６８０ｎｍ
の範囲にある単一赤色光を用いて除電する方法、もしく
は、クリーニングプロセスと帯電プロセスとの間で波長
が４５０ｎｍ〜５ＱＱｎｍの範囲にある単一の青色光ま
たは緑色光を用いて除電する方法、あるいは、この青色
光または緑色光に赤色光を重畳した光を用いて除電する
方法が採られている。また、冷陰極管などを用い複数の
波長成分を重畳した光を用いて除電する方法も行われて
いる。
で電子写真画像を形成するに際して、画像形成プロセス
の除電プロセスとしては、従来、転写プロセスとクリー
ニングプロセスとの間で波長が６００ｎｍ〜６８０ｎｍ
の範囲にある単一赤色光を用いて除電する方法、もしく
は、クリーニングプロセスと帯電プロセスとの間で波長
が４５０ｎｍ〜５ＱＱｎｍの範囲にある単一の青色光ま
たは緑色光を用いて除電する方法、あるいは、この青色
光または緑色光に赤色光を重畳した光を用いて除電する
方法が採られている。また、冷陰極管などを用い複数の
波長成分を重畳した光を用いて除電する方法も行われて
いる。
反転現像方式の電子写真画像形成プロセスにおいて、転
写プロセスとクリーニングプロセスとの間で単一赤色光
で除電した場合、メモリ電位は確実に除電される半面、
その光量が多すぎると感光体の疲労特性が悪化する。疲
労特性を悪化させることなくメモリ電位を効果的に低減
できる適切な光量設定が難しいという問題があった。
写プロセスとクリーニングプロセスとの間で単一赤色光
で除電した場合、メモリ電位は確実に除電される半面、
その光量が多すぎると感光体の疲労特性が悪化する。疲
労特性を悪化させることなくメモリ電位を効果的に低減
できる適切な光量設定が難しいという問題があった。
また、クリーニングプロセスと帯電プロセスとの間で単
一青色光または緑色光を用いて除電した場合、メモリ電
位が明確に残る傾向があり、光量を多くしてもメモリ電
位が残存して画像障害が発生することがあった。このと
き、赤色光を重畳させるとメモリ電位を低減させること
はできるが、疲労特性の悪化を招きやすくなるという問
題が生じる。
一青色光または緑色光を用いて除電した場合、メモリ電
位が明確に残る傾向があり、光量を多くしてもメモリ電
位が残存して画像障害が発生することがあった。このと
き、赤色光を重畳させるとメモリ電位を低減させること
はできるが、疲労特性の悪化を招きやすくなるという問
題が生じる。
さらに、冷陰極管などを用い複数の波長成分を重畳した
光を用いる場合には、各波長成分比が温度によって異な
ってくるなどの問題があり、波長成分の制御が難しいと
いう問題があった。
光を用いる場合には、各波長成分比が温度によって異な
ってくるなどの問題があり、波長成分の制御が難しいと
いう問題があった。
この発明が解決しようとする課題は、上述の問題点を解
消して、機能分離積層型の電子写真用セレン感光体の疲
労特性を悪化させることなく、メモリ電位を効果的に除
去することができる除電プロセスの機構を備えた反転現
像方式の電子写真装置を提供することにある。
消して、機能分離積層型の電子写真用セレン感光体の疲
労特性を悪化させることなく、メモリ電位を効果的に除
去することができる除電プロセスの機構を備えた反転現
像方式の電子写真装置を提供することにある。
上記の課題は、この発明によれば、内部に装着される電
子写真用感光体に対して帯電、露光、現像、転写１分離
、クリーニングおよび除電の電子写真画像形成プロセス
が繰り返される機構の反転現像方式の電子写真装置にお
いて、分離機構とクリーニング機構との間に６００ｎｍ
ＪＪ上７００ｎｍ以下の範囲内にピーク波長を有する
先による第１除電を行う機構を備え、さらにクリーニン
グ機構と帯電機構との間に５０Ｏｎ＋＋＋以ｊ：６００
ｎ ｍ未満の範囲内にピーク波長を有する光による第
２除電を行う機構を備えた電子写真装置とすることによ
って解決される。
子写真用感光体に対して帯電、露光、現像、転写１分離
、クリーニングおよび除電の電子写真画像形成プロセス
が繰り返される機構の反転現像方式の電子写真装置にお
いて、分離機構とクリーニング機構との間に６００ｎｍ
ＪＪ上７００ｎｍ以下の範囲内にピーク波長を有する
先による第１除電を行う機構を備え、さらにクリーニン
グ機構と帯電機構との間に５０Ｏｎ＋＋＋以ｊ：６００
ｎ ｍ未満の範囲内にピーク波長を有する光による第
２除電を行う機構を備えた電子写真装置とすることによ
って解決される。
機能分離積層型電子写真用セレン感光体は波長６５０ｎ
ｍ〜８００ｎｍの長波長光照射による電荷発生層からの
キャリア発生のほかに、短波長光を照射した場合表面保
護層でもキャリア発生が起こる。特に、電荷発生層に高
テルル濃度のセレン・テルル合金を用い、表面保護層に
純セレンに近い組成の材料を用いた場合、表面保護層の
膜厚にも依存するが、５５０ｎｍ〜６００ｎｍを境とし
て短波長側の光に対しては表面保護層が、長波長側の光
に対しては電荷発生層がキャリア発生に寄与する特徴を
もち、除電光の波長を選択することにより、除電時のキ
ャリア発生個所を選択することができる。しかし、この
ような層構成の特徴として、電荷発生層と表面保護層と
の界面では、構造および組成の変化に基づくエネルギー
的に深い欠陥が多い。
ｍ〜８００ｎｍの長波長光照射による電荷発生層からの
キャリア発生のほかに、短波長光を照射した場合表面保
護層でもキャリア発生が起こる。特に、電荷発生層に高
テルル濃度のセレン・テルル合金を用い、表面保護層に
純セレンに近い組成の材料を用いた場合、表面保護層の
膜厚にも依存するが、５５０ｎｍ〜６００ｎｍを境とし
て短波長側の光に対しては表面保護層が、長波長側の光
に対しては電荷発生層がキャリア発生に寄与する特徴を
もち、除電光の波長を選択することにより、除電時のキ
ャリア発生個所を選択することができる。しかし、この
ような層構成の特徴として、電荷発生層と表面保護層と
の界面では、構造および組成の変化に基づくエネルギー
的に深い欠陥が多い。
このようなセレン感光体を用い、露光プロセスで電荷発
生層にキャリアを発生させると、正孔は電界により基板
へ向かって移動するが、電子は電荷発生層と表面保護層
との界面でトラップされる。
生層にキャリアを発生させると、正孔は電界により基板
へ向かって移動するが、電子は電荷発生層と表面保護層
との界面でトラップされる。
この状態で赤色光のみで除電を行うと、電荷発生層全面
でキャリア対が発生し、電荷発生層と表面保護層との界
面全面に一様に電子がトラップされ負の空間電荷層を形
成するためメモリ電位は起きにくくなるが帯電低下の要
因となる。
でキャリア対が発生し、電荷発生層と表面保護層との界
面全面に一様に電子がトラップされ負の空間電荷層を形
成するためメモリ電位は起きにくくなるが帯電低下の要
因となる。
そこで６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲内にピーク
波長を有する赤色光の光量をメモリ電位を除去するに必
要な最小限の光量として第１除電を行い、電荷発生層と
表面保護層との界面でのキャリア発生効率の高い５００
ｎｍ以上６００ｎｍ未満の範囲内にピーク波長を有する
光で第２除電を行って界面に過剰のキャリア対を発生さ
せ、赤色光による電子のトラップの離脱を早め同時に除
電を行うことで、疲労特性を改善しながらメモリ電位を
除去することが可能となる。
波長を有する赤色光の光量をメモリ電位を除去するに必
要な最小限の光量として第１除電を行い、電荷発生層と
表面保護層との界面でのキャリア発生効率の高い５００
ｎｍ以上６００ｎｍ未満の範囲内にピーク波長を有する
光で第２除電を行って界面に過剰のキャリア対を発生さ
せ、赤色光による電子のトラップの離脱を早め同時に除
電を行うことで、疲労特性を改善しながらメモリ電位を
除去することが可能となる。
また、第１除電と第２除電との間にタイムラグをおくこ
とにより、主に第１除電では未露光部の残留電位を除去
し、第２除電はトラップされているキャリアの掃き出し
、感光体バルク中の空間電荷の除去に効果をもつことに
なる。
とにより、主に第１除電では未露光部の残留電位を除去
し、第２除電はトラップされているキャリアの掃き出し
、感光体バルク中の空間電荷の除去に効果をもつことに
なる。
第１図は、この発明に係わる電子写真装置の一実施例と
しての印字装置の要部概念図で、円筒形の積層型セレン
感光体１の外周に沿って、帯電器２、露光源３．現像器
４．転写器５９分離器６゜第１除電器７．クリーニング
器８．第２除電器９が配設されている。分離器６とクリ
ーニング器８との間に配置された第１除電器７は６００
ｎｍ ＪＪ上７００ｎｍ以下の範囲内にピーク波長を有
する光を除電光とし、クリーニング器８と帯電器２との
間に配置された第２除電器９は５００ｎｌｌ１以上６０
０ｎｍ未満の範囲内にピーク波長を有する光を除電光と
する。また、露光源３は６００ｎｍ以上の波長領域にピ
ーク波長を有する光源２例えば半導体レーザダイオード
が用いられる。
しての印字装置の要部概念図で、円筒形の積層型セレン
感光体１の外周に沿って、帯電器２、露光源３．現像器
４．転写器５９分離器６゜第１除電器７．クリーニング
器８．第２除電器９が配設されている。分離器６とクリ
ーニング器８との間に配置された第１除電器７は６００
ｎｍ ＪＪ上７００ｎｍ以下の範囲内にピーク波長を有
する光を除電光とし、クリーニング器８と帯電器２との
間に配置された第２除電器９は５００ｎｌｌ１以上６０
０ｎｍ未満の範囲内にピーク波長を有する光を除電光と
する。また、露光源３は６００ｎｍ以上の波長領域にピ
ーク波長を有する光源２例えば半導体レーザダイオード
が用いられる。
実施例１
アルミニウム合金からなる円筒状基体の外表面に、純セ
レンからなる膜厚５０μｍの電荷輸送層。
レンからなる膜厚５０μｍの電荷輸送層。
テルルを３５重量％含むセレン・テルル合金からなる膜
厚０，５μｍ〜１．０μｍの電荷発生層、ひ素を４原子
％〜５原子％含むセレン・ひ素合金からなる膜厚２μｍ
〜３μｍの表面保護層を真空蒸着法で順次形成して作製
した感光体を、第１図に示した印字装置に装着し、メモ
リ電位および疲労特性（帯電低下量）の評価を行い、ま
た、印字を行ってメモリ画像の評価の行った。このとき
、第１除電光源として６５０ｎｍの赤色ＬＥＤを用い、
第２除電光源として５７０ｎｍの黄色ＬＥＤを用い、第
１除電光の光量を前記感光体の半減衰露光量Ｅ１／２の
５倍および１０倍とし、そのおのおのに対して第２除電
光の光量を同じくＥ１／２の１０倍、２０倍、４０倍と
変化させて評価を行った。
厚０，５μｍ〜１．０μｍの電荷発生層、ひ素を４原子
％〜５原子％含むセレン・ひ素合金からなる膜厚２μｍ
〜３μｍの表面保護層を真空蒸着法で順次形成して作製
した感光体を、第１図に示した印字装置に装着し、メモ
リ電位および疲労特性（帯電低下量）の評価を行い、ま
た、印字を行ってメモリ画像の評価の行った。このとき
、第１除電光源として６５０ｎｍの赤色ＬＥＤを用い、
第２除電光源として５７０ｎｍの黄色ＬＥＤを用い、第
１除電光の光量を前記感光体の半減衰露光量Ｅ１／２の
５倍および１０倍とし、そのおのおのに対して第２除電
光の光量を同じくＥ１／２の１０倍、２０倍、４０倍と
変化させて評価を行った。
その結果、上記の第１および第２の除電光量のすべての
組み合わせにおいて、メモリ電位およびメモリ画像は認
められず良好であった。疲労特性に関しては、第１除電
光の光量をＥ１７゜の５倍とした場合に帯電低下量が少
なく良好であった。
組み合わせにおいて、メモリ電位およびメモリ画像は認
められず良好であった。疲労特性に関しては、第１除電
光の光量をＥ１７゜の５倍とした場合に帯電低下量が少
なく良好であった。
実施例２
実施例１において、第２除電光の波長を５２０ｎｍに変
えたこと以外は実施例１と同様にして感光体の評価を行
ったところ、実施例１と同様の結果が得られた。
えたこと以外は実施例１と同様にして感光体の評価を行
ったところ、実施例１と同様の結果が得られた。
比較例１
実施例１において、第１除電光のみを用い、光量をＥ１
７２の５倍、１０倍と変化させて除電を行い、実施例１
と同様にして評価したところ、メモリ電位は認められな
かったが画像上にかぶりが発生した。
７２の５倍、１０倍と変化させて除電を行い、実施例１
と同様にして評価したところ、メモリ電位は認められな
かったが画像上にかぶりが発生した。
比較例２
実施例１において、第２除電光のみを用い、光量をＥ
ｌ／２の１０倍、２０倍、４０倍と変えて除電を行い、
実施例１と同様にして評価したところ、メモリ電位が明
瞭に認められた。
ｌ／２の１０倍、２０倍、４０倍と変えて除電を行い、
実施例１と同様にして評価したところ、メモリ電位が明
瞭に認められた。
この発明によれば、反転現像方式の電子写真装置におい
て、分離機構とクリーニング機構との間に６００ｎｍ以
上７００ｎｍ以下の範囲内にピーク波長を有する光によ
る第１除電機構を、クリーニング機構と帯電機構との間
に５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満の範囲内にピーク波長
を有する光による第２除電機構を設ける。このような電
子写真装置を用いて感光体に対して二種類の光で二段階
の除電を行うことにより、積層型のセレン感光体を用い
た場合でも、疲労特性を悪化させることなくメモリ電位
を効果的に除去することが可能となり、良質な画像が得
られることになる。
て、分離機構とクリーニング機構との間に６００ｎｍ以
上７００ｎｍ以下の範囲内にピーク波長を有する光によ
る第１除電機構を、クリーニング機構と帯電機構との間
に５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満の範囲内にピーク波長
を有する光による第２除電機構を設ける。このような電
子写真装置を用いて感光体に対して二種類の光で二段階
の除電を行うことにより、積層型のセレン感光体を用い
た場合でも、疲労特性を悪化させることなくメモリ電位
を効果的に除去することが可能となり、良質な画像が得
られることになる。
第１図はこの発明に係わる電子写真装置の一実施例とし
ての印字装置の要部概念図である。 １ 感光体、２ 帯電器、３ 露光源、４ 現像器、５
転写器、６ 分離器、７ 第１除電器、８ クリーニ
ング器、９ 第２除電器。 第 １
ての印字装置の要部概念図である。 １ 感光体、２ 帯電器、３ 露光源、４ 現像器、５
転写器、６ 分離器、７ 第１除電器、８ クリーニ
ング器、９ 第２除電器。 第 １
Claims (1)
- １）内部に装着される電子写真用感光体に対して帯電、
露光、現像、転写、分離、クリーニングおよび除電の電
子写真画像形成プロセスが繰り返される機構の反転現像
方式の電子写真装置において、分離機構とクリーニング
機構との間に６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲内に
ピーク波長を有する光による第１除電を行う機構を備え
、さらにクリーニング機構と帯電機構との間に５００ｎ
ｍ以上６００ｎｍ未満の範囲内にピーク波長を有する光
による第２除電を行う機構を備えたことを特徴とする電
子写真装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20732189A JPH0371176A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 電子写真装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20732189A JPH0371176A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 電子写真装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0371176A true JPH0371176A (ja) | 1991-03-26 |
Family
ID=16537834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20732189A Pending JPH0371176A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 電子写真装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0371176A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007199370A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Kyocera Mita Corp | 画像形成ユニット及び画像形成装置 |
| JP2014182182A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Toshiba Corp | 画像形成装置及び像担持体の除電方法 |
-
1989
- 1989-08-10 JP JP20732189A patent/JPH0371176A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007199370A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Kyocera Mita Corp | 画像形成ユニット及び画像形成装置 |
| JP2014182182A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Toshiba Corp | 画像形成装置及び像担持体の除電方法 |
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