JPH0371236B2 - - Google Patents

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JPH0371236B2
JPH0371236B2 JP60103632A JP10363285A JPH0371236B2 JP H0371236 B2 JPH0371236 B2 JP H0371236B2 JP 60103632 A JP60103632 A JP 60103632A JP 10363285 A JP10363285 A JP 10363285A JP H0371236 B2 JPH0371236 B2 JP H0371236B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、金属、合成樹脂、金属から成る多
層構造の基板にスルーホールのための袋孔（有底
孔）を形成する方法に関する。
プリント配線板などの多層構造の基板の個々の
配線面はスルーホールを介して直接相互結合され
るが、配線板の微細化は主としてこのスルーホー
ルを形成するのに必要な面積によつて限定され
る。この必要面積は、接触のために配線面に空け
ておかなければならない面積とスルーホールの長
さとによつて決定される。スルーホールの長さは
配線板の全厚あるいは配線板内に予め作られてい
る個々のコアの全厚にわたつている。
〔従来の技術〕
スルーホールを機械的に明けることは公知であ
る。この場合スルーホールに必要面積は主として
孔明け直径によつて決められる。機械的孔ぐりで
は配線板内の一つの金属層で確実に終わる袋孔を
作ることは不可能である。最小孔明け直径は孔ぐ
り工具によつて限定される。従つて微細化が進む
につれてスルーホールのための袋孔の別の形成方
法が求められる。
集束されたCO2レーザ光線を個別照射法による
スルーホールの形成に使用することは既に提案さ
れている（ドイツ連邦共和国特許第2702844号明
細書）。この方法では多層プリント配線板の製作
に際して下層が孔明け過程を終了させるのに役立
つ。
〔発明が解決しようとする課題〕
この発明の課題は、冒頭に挙げた方法において
配線板の微細化を更に進めることを可能にするこ
とにある。更に孔の深さに比べて直径が小さいと
いう不利な情況においても実施できるようにする
こともこの発明の課題の一つである。
〔課題を解決するための手段〕
この課題は、金属層の上層と下層にレーザ光に
対して耐性を示すものを使用し、上層を予め孔明
けしてマスクとし、下層はレーザによる孔明け過
程を終らせるのに使用し、エキシマレーザにより
基板の下層に達するまで樹脂層を除去することに
よつて解決される。
この発明の種々の実施態様は特許請求の範囲第
２項以下に示されている。
〔作用〕
この発明による方法はスリニバサン（R.
Srinivasan）によつて発見され略奪光分解
（ablative photodecomposition）と呼ばれてい
る光化学過程を基礎にするものである（文献「レ
ーザ・フオーカス（Laser Focus）」19，５，62，
1983年参照）。合成樹脂層の有機分子内の結合を
電子の励起によつて破断するためには波長200nm
以下の光子エネルギーで足りる、ある臨界強度し
きい値以下においては有機分子内の結合はレーザ
パルスの終了後に再び形成されるようにすること
ができ、それによつてゆつくりした材料の除去が
行われるのに対して、このしきい値以上では分子
破片が回転、振動および並進の自由度において過
剰エネルギーを得て材料から離れる。この場合吸
収の深さにわたる材料の除去が期待される。過剰
エネルギーの大部分は分子破片によつて持ち去ら
れるので、材料の過熱は殆ど起こらない。
この発明の方法では合成樹脂層に袋孔を形成す
る際、例えば銅、合成樹脂、銅のサンドイツチ板
が出発材料として使用され、スルーホールが形成
される個所においてその上層（銅層）が通常のフ
オトエツチングにより除去され、残された銅層部
分がエキシマレーザに対するマスクとして使用さ
れる。レーザ光にさらされた露出部分ではレーザ
光パルス毎に一定量の樹脂層が除去される。深い
袋孔を作るためには多数のレーザ光パルスが必要
である。工業的に実施する場合には板の全面が
0.5cm×１cmのレーザ光線によつて走査される。
基板の移動速度とレーザ光の反復速度を適当に選
定すると、基板の各点がそれぞれ特定数のレーザ
光パルスを受け、レーザ光の不均一性は充分なら
される。
エキシマレーザの波長は例えば248nm（KrF）
であり、そのエネルギー密度は約750mJ／cm2とす
る。合成樹脂層の除去は下方の銅層に達したとき
終わらせる。これによつて所望の袋孔が高い信頼
度をもつて作られる。
〔実施例〕
図面にはこの発明の方法による孔の形成情況を
示す。
１は予め孔明けされた銅の上層であり、２は合
成樹脂層、３は銅の下層である。これらの層は多
層構造を形成する。上層１に垂直に向けられた光
ビーム４はエキシマレーザで発生されたものであ
る。。照射が終わると銅の下層３を下限とする袋
孔５が作られる。
〔発明の効果〕
この発明によれば、上側の金属層をマスクとし
てまた下側の金属層をエツチストツプとして使用
することにより、微細加工の可能なエキシマレー
ザにより多層構造の基板に所望の袋孔を高い信頼
度をもつて形成することができる。
またこの発明の方法は円筒形のスルーホールの
ための袋孔の形成に限定されるものではなく、任
意の形状のものを作ることができ、レーザ光線の
入射方向を適当に選ぶことにより傾斜壁面の孔を
作ることも可能である。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明の方法による袋孔の形成情況を
示すもので、１は予め孔明けされた銅の上層、２
は合成樹脂層、３は銅の下層、４はレーザ光ビー
ム、５は合成樹脂層に作られた袋孔である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 金属、合成樹脂、金属から成る多層構造の基
    板にスルーホールのための袋孔５を形成するた
    め、金属層の上層１と下層２にレーザ光に対して
    耐性を示すものを使用し、上層１を予め孔明けし
    てマスクとし、下層３はレーザによる孔明け過程
    を終らせるのに使用し、エキシマレーザにより基
    板の下層３に達するまで樹脂層２を除去すること
    を特徴とする多層構造の基板に袋孔を形成する方
    法。 ２ 上層１と下層３に銅を使用し、エキシマレー
    ザを波長248nm、エネルギー密度約750mJ／cm2で
    作動させることを特徴とする特許請求の範囲第１
    項記載の方法。 ３ 傾斜壁の孔を明けるためレーザ光線を基板の
    法線に対して傾斜させることを特徴とする特許請
    求の範囲第１項または第２項記載の方法。 ４ 基板をレーザ光線に対して相対的に動かすこ
    とにより基板の全面を一様に照射することを特徴
    とする特許請求の範囲第１項乃至第３項の一つに
    記載の方法。
JP60103632A 1984-05-18 1985-05-15 多層構造に対する貫通接触孔形成装置 Granted JPS60261685A (ja)

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DE3418593.3 1984-05-18
DE3418593 1984-05-18

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JPS60261685A JPS60261685A (ja) 1985-12-24
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