JPH11266084A - 多層印刷回路基板の製造方法 - Google Patents
多層印刷回路基板の製造方法Info
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- JPH11266084A JPH11266084A JP10357019A JP35701998A JPH11266084A JP H11266084 A JPH11266084 A JP H11266084A JP 10357019 A JP10357019 A JP 10357019A JP 35701998 A JP35701998 A JP 35701998A JP H11266084 A JPH11266084 A JP H11266084A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 絶縁層の材質を変更する一方回路層と絶縁層
とのホール加工を異にする混合加工方式によりホール
（ｈｏｌｅ）加工精度のみならず加工効率を向上させ
る。 【解決手段】 両面に回路パターン４２を有する銅箔積
層版（ｃｏｐｐｅｒ ｃｌａｄ ｌａｙｅｒ；ＣＣＬ）
４１にレジン絶縁物が付着された銅箔（ＲＣＣ）４３を
積層させそれを加熱、加圧後、少なくとも加圧積層のＲ
ＣＣ４３の銅箔層まで除去されるようにＮｄ−ＹＡＧレ
ーザー１を照射後、銅箔層が取除かれた部位に更にＣＯ
2レーザーを照射し、残っているレジン絶縁物４３ｂを
除去しビアホールを形成させ、このビアホールが形成さ
れた基板に回路パターンを形成する。
とのホール加工を異にする混合加工方式によりホール
（ｈｏｌｅ）加工精度のみならず加工効率を向上させ
る。 【解決手段】 両面に回路パターン４２を有する銅箔積
層版（ｃｏｐｐｅｒ ｃｌａｄ ｌａｙｅｒ；ＣＣＬ）
４１にレジン絶縁物が付着された銅箔（ＲＣＣ）４３を
積層させそれを加熱、加圧後、少なくとも加圧積層のＲ
ＣＣ４３の銅箔層まで除去されるようにＮｄ−ＹＡＧレ
ーザー１を照射後、銅箔層が取除かれた部位に更にＣＯ
2レーザーを照射し、残っているレジン絶縁物４３ｂを
除去しビアホールを形成させ、このビアホールが形成さ
れた基板に回路パターンを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はコンピュータ、ＶＴ
Ｒまたは携帯ホーン等に用いられる多層印刷回路基板
（ｍｕｌｔｉ−ｌａｙｅｒ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃ
ｕｉｔ ｂｏａｒｄ）の製造方法に関し、より詳細には
回路層と絶縁層とのホール加工を異にする混合加工方式
によりホール（ｈｏｌｅ）加工精度と加工効率が向上す
るビルドアップ多層印刷回路基板の製造方法に関する。
Ｒまたは携帯ホーン等に用いられる多層印刷回路基板
（ｍｕｌｔｉ−ｌａｙｅｒ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃ
ｕｉｔ ｂｏａｒｄ）の製造方法に関し、より詳細には
回路層と絶縁層とのホール加工を異にする混合加工方式
によりホール（ｈｏｌｅ）加工精度と加工効率が向上す
るビルドアップ多層印刷回路基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】上記ビルドアップ多層印刷回路基板は種
々の方法で製造可能であるが、一般的には図９に示す如
くである。すなわち、両面に銅箔がコーティングされた
銅箔絶縁板（ｃｏｐｐｅｒ ｃｌａｄ ｌａｍｉｎａｔ
ｅ；以下、‘ＣＣＬ’という）１１の両面に通常の写真
食刻（ｐｈｏｔｏｅｔｃｈｉｎｇ）を通じて印刷回路パ
ターン１２を形成して内層回路を設けている。上記内層
回路が形成されたＣＣＬ１１上には、一側面にレジン
（ｒｅｓｉｎ ｃｏａｔｅｄ ｃｏｐｐｅｒ ｆｏｉ
ｌ；以下、‘ＲＣＣ’という）１３を積層して、それを
加熱、加圧した後、上記積層の基板の所定位置にビアホ
ール（ｖｉａ ｈｏｌｅ）１５を加工して無電解メッキ
（ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ ｐｌａｔｉｎｇ）する。以
後、メッキした基板１０は通常の写真食刻を通じてパタ
ーン１４を設けて外層回路層を形成し、最終的にパター
ン上には更にフォトレジスト層（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓ
ｔ ｌａｙｅｒ）を形成する。
々の方法で製造可能であるが、一般的には図９に示す如
くである。すなわち、両面に銅箔がコーティングされた
銅箔絶縁板（ｃｏｐｐｅｒ ｃｌａｄ ｌａｍｉｎａｔ
ｅ；以下、‘ＣＣＬ’という）１１の両面に通常の写真
食刻（ｐｈｏｔｏｅｔｃｈｉｎｇ）を通じて印刷回路パ
ターン１２を形成して内層回路を設けている。上記内層
回路が形成されたＣＣＬ１１上には、一側面にレジン
（ｒｅｓｉｎ ｃｏａｔｅｄ ｃｏｐｐｅｒ ｆｏｉ
ｌ；以下、‘ＲＣＣ’という）１３を積層して、それを
加熱、加圧した後、上記積層の基板の所定位置にビアホ
ール（ｖｉａ ｈｏｌｅ）１５を加工して無電解メッキ
（ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ ｐｌａｔｉｎｇ）する。以
後、メッキした基板１０は通常の写真食刻を通じてパタ
ーン１４を設けて外層回路層を形成し、最終的にパター
ン上には更にフォトレジスト層（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓ
ｔ ｌａｙｅｒ）を形成する。
【０００３】このようなＲＣＣを利用した多層印刷回路
基板の製造方法は、その基板内にビアホールの加工方式
により二種類に分類できる。一つはビアホールを化学的
なエッチング（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｅｔｃｉｎｇ）によ
り形成する方法であり、他の一つはビアホールをレーザ
ー（ｌａｓｅｒ）により加工する方法である。最近、基
板のビアホール加工には化学的なエッチング方法に比し
てレーザー加工による方法を主に利用している。
基板の製造方法は、その基板内にビアホールの加工方式
により二種類に分類できる。一つはビアホールを化学的
なエッチング（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｅｔｃｉｎｇ）によ
り形成する方法であり、他の一つはビアホールをレーザ
ー（ｌａｓｅｒ）により加工する方法である。最近、基
板のビアホール加工には化学的なエッチング方法に比し
てレーザー加工による方法を主に利用している。
【０００４】上記レーザーを利用した多層印刷回路基板
の製造において、従来はエキシマーレーザー（ｅｘｃｉ
ｍｅｒ ｌａｓｅｒ）を利用した方法が用いられて来
た。しかし、エキシマーレーザーを用いてビアホールを
形成する方法の場合は、エキシマーレーザーを用いる時
に光を防ぐために有機質フィルム付着銅箔（ｃｏｐｐｅ
ｒ ｆｏｉｌ ｃｏａｔｅｄ ｗｉｔｈ ｏｒｇａｎｉ
ｃ ｆｉｌｍ）にイメージホールマスク（ｉｍａｇｅ
ｈｏｌｅ ｍａｓｋ）を用いなければならない不具合が
ある。殊に、有機質フィルムの代用としてＦＲ−４材質
を用いる場合は、エキシマーレーザー加工が不可能にな
るため絶縁層の材質選択に制約を受け、加工時にも特定
の深さまで加工する等、加工の自由度が低いため密度化
が劣る不具合がある。このようなエキシマーレーザー利
用による不具合を解消するため、本願発明者等はエキシ
マーレーザーの代わりにヤグレーザー（ＹＡＧ Ｌａｓ
ｅｒ；Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｇａｒｎｅ
ｔ Ｌａｓｅｒ）を利用して多層印刷回路基板を製造す
る方法を提案（大韓民国特許公開第９８−７９０２号）
した。
の製造において、従来はエキシマーレーザー（ｅｘｃｉ
ｍｅｒ ｌａｓｅｒ）を利用した方法が用いられて来
た。しかし、エキシマーレーザーを用いてビアホールを
形成する方法の場合は、エキシマーレーザーを用いる時
に光を防ぐために有機質フィルム付着銅箔（ｃｏｐｐｅ
ｒ ｆｏｉｌ ｃｏａｔｅｄ ｗｉｔｈ ｏｒｇａｎｉ
ｃ ｆｉｌｍ）にイメージホールマスク（ｉｍａｇｅ
ｈｏｌｅ ｍａｓｋ）を用いなければならない不具合が
ある。殊に、有機質フィルムの代用としてＦＲ−４材質
を用いる場合は、エキシマーレーザー加工が不可能にな
るため絶縁層の材質選択に制約を受け、加工時にも特定
の深さまで加工する等、加工の自由度が低いため密度化
が劣る不具合がある。このようなエキシマーレーザー利
用による不具合を解消するため、本願発明者等はエキシ
マーレーザーの代わりにヤグレーザー（ＹＡＧ Ｌａｓ
ｅｒ；Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｇａｒｎｅ
ｔ Ｌａｓｅｒ）を利用して多層印刷回路基板を製造す
る方法を提案（大韓民国特許公開第９８−７９０２号）
した。
【０００５】上記方法は図１０に図示のように、ＣＣＬ
２１上に通常の写真食刻を通じて印刷回路パターン２２
を形成後、パターン２２が形成された基板にＲＣＣ２３
を積層させ、それを加熱および加圧後、上記ＲＣＣ２３
が積層の基板をヤグレーザーによりビアホール２５を形
成する。通常、エキシマレーザーを利用して多層印刷回
路を製造する場合、エキシマーレーザーは銅箔に対する
加工が難しいため、ＲＣＣの銅箔層を予めエッチングに
より除去した後、絶縁層上にビアホールを形成すべきで
ある。しかし、ヤグレーザーは銅箔に対しても加工が可
能になるため銅箔除去のためのエッチング作業を要しな
いという利点がある。即ち、ヤグレーザーを用いる場合
は、ＲＣＣ２３の銅箔２３ａを除去せずそのまま絶縁層
２３ｂにビアホール２５の加工が容易に行われる。ヤグ
レーザーによりビアホール形成後、基板２０は図１０
（Ｂ）のように、層間接続を行うため無電解銅メッキ
（ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ ｃｏｐｐｅｒ ｐｌａｔｉ
ｎｇ）を行いビアホール２５の内側を銅メッキ後、次い
で電解Ｃｕメッキを行いメッキ層２６を形成することに
よりビアホール２５の内側を導通させる。そして、ＲＣ
Ｃの銅箔２３ａ上に最終的に通常の露光、現像を通じる
回路パターンを形成後、フォトレジスト層を形成すれば
多層印刷回路基板が得られる。
２１上に通常の写真食刻を通じて印刷回路パターン２２
を形成後、パターン２２が形成された基板にＲＣＣ２３
を積層させ、それを加熱および加圧後、上記ＲＣＣ２３
が積層の基板をヤグレーザーによりビアホール２５を形
成する。通常、エキシマレーザーを利用して多層印刷回
路を製造する場合、エキシマーレーザーは銅箔に対する
加工が難しいため、ＲＣＣの銅箔層を予めエッチングに
より除去した後、絶縁層上にビアホールを形成すべきで
ある。しかし、ヤグレーザーは銅箔に対しても加工が可
能になるため銅箔除去のためのエッチング作業を要しな
いという利点がある。即ち、ヤグレーザーを用いる場合
は、ＲＣＣ２３の銅箔２３ａを除去せずそのまま絶縁層
２３ｂにビアホール２５の加工が容易に行われる。ヤグ
レーザーによりビアホール形成後、基板２０は図１０
（Ｂ）のように、層間接続を行うため無電解銅メッキ
（ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ ｃｏｐｐｅｒ ｐｌａｔｉ
ｎｇ）を行いビアホール２５の内側を銅メッキ後、次い
で電解Ｃｕメッキを行いメッキ層２６を形成することに
よりビアホール２５の内側を導通させる。そして、ＲＣ
Ｃの銅箔２３ａ上に最終的に通常の露光、現像を通じる
回路パターンを形成後、フォトレジスト層を形成すれば
多層印刷回路基板が得られる。
【０００６】上記大韓民国特許公開第９８−７９０２号
に開示された多層印刷回路基板のビアホール形成精度が
向上するのみならず、ビアホールの加工工程が甚だ単純
化される利点がある。しかし、ヤグレーザーを利用した
基板製造はＲＣＣ２３の銅箔２３ａのみならずレジン絶
縁層（ｒｅｓｉｎ ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ ｌａｙｅ
ｒ）２３ｂまで加工されるために、図１１（Ａ）のよう
に、パターン２２の末端（ｅｎｄ−ｐｏｉｎｔ）２２ａ
において損傷されることが生じ得る。この場合、無電解
メッキを行うと言えども図１１（Ｂ）のように、ビアホ
ール２５によるパターン相互間の連結が末洽となる不具
合がある。更に、高密度多層印刷回路基板の製造のため
上記ＣＣＬ２１上のパターン２２の厚さを薄くするとか
或いはＲＣＣの絶縁層２３ｂの厚さが薄くなる場合は、
レーザー強度変化が生じる時、図１２（Ａ）のように、
上記ＣＣＬのパターン２２が全て加工できる。このよう
な状態において図１２（Ｂ）のように、約２５μｍの厚
さでメッキ層２６を形成後、図１２（Ｃ）のように、約
１０μｍの厚さでフォトレジスト層２８を形成する時、
メッキ層２６が不完全に進行される場合、以後アルカリ
エッチング（ａｌｋａｌｉ ｅｔｃｈｉｎｇ）の際エッ
チング液の浸食（ａｔｔａｃｋ）により図中“Ｄ”にお
いて回路断線が生じ得る。
に開示された多層印刷回路基板のビアホール形成精度が
向上するのみならず、ビアホールの加工工程が甚だ単純
化される利点がある。しかし、ヤグレーザーを利用した
基板製造はＲＣＣ２３の銅箔２３ａのみならずレジン絶
縁層（ｒｅｓｉｎ ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ ｌａｙｅ
ｒ）２３ｂまで加工されるために、図１１（Ａ）のよう
に、パターン２２の末端（ｅｎｄ−ｐｏｉｎｔ）２２ａ
において損傷されることが生じ得る。この場合、無電解
メッキを行うと言えども図１１（Ｂ）のように、ビアホ
ール２５によるパターン相互間の連結が末洽となる不具
合がある。更に、高密度多層印刷回路基板の製造のため
上記ＣＣＬ２１上のパターン２２の厚さを薄くするとか
或いはＲＣＣの絶縁層２３ｂの厚さが薄くなる場合は、
レーザー強度変化が生じる時、図１２（Ａ）のように、
上記ＣＣＬのパターン２２が全て加工できる。このよう
な状態において図１２（Ｂ）のように、約２５μｍの厚
さでメッキ層２６を形成後、図１２（Ｃ）のように、約
１０μｍの厚さでフォトレジスト層２８を形成する時、
メッキ層２６が不完全に進行される場合、以後アルカリ
エッチング（ａｌｋａｌｉ ｅｔｃｈｉｎｇ）の際エッ
チング液の浸食（ａｔｔａｃｋ）により図中“Ｄ”にお
いて回路断線が生じ得る。
【０００７】結局、ヤグレーザーによる多層印刷回路基
板の製造はビアホール形成精度が向上するのみならず、
ビアホールの加工工程が甚だ単純化する利点にも拘らず
基板の回路断線等製品の信頼性に大きな問題点が潜在し
ている。
板の製造はビアホール形成精度が向上するのみならず、
ビアホールの加工工程が甚だ単純化する利点にも拘らず
基板の回路断線等製品の信頼性に大きな問題点が潜在し
ている。
【０００８】更に、ヤグレーザーのみを用いてビアホー
ルを加工する場合は、ビアホールをより粗密に加工する
ためには銅箔２３ａとレジン絶縁層２３ｂとの一部を先
にスパイナル方式（ｓｐｉｒａｌ ｓｔｅｐ）で加工
後、トレパン方式（ｔｒｅｐａｎ ｓｔｅｐ）による２
段階加工を行って若干残っているレジンを除去しなけれ
ばならないため加工効率が劣る。その他にもＲＣＣは銅
箔層にレジン絶縁層が付着しているため、ヤグレーザー
によるビアホールの加工は両者の異質的な層（銅箔と絶
縁層）のために加工効率が至って低下する傾向がある。
例を上げれば、Ｎｄ−ＹＡＧレーザーを利用して図１０
（Ａ）のようなＲＣＣが積層の基板のビアホール加工の
際、約２５ホール／秒位の加工速度しか至らない不具合
がある。
ルを加工する場合は、ビアホールをより粗密に加工する
ためには銅箔２３ａとレジン絶縁層２３ｂとの一部を先
にスパイナル方式（ｓｐｉｒａｌ ｓｔｅｐ）で加工
後、トレパン方式（ｔｒｅｐａｎ ｓｔｅｐ）による２
段階加工を行って若干残っているレジンを除去しなけれ
ばならないため加工効率が劣る。その他にもＲＣＣは銅
箔層にレジン絶縁層が付着しているため、ヤグレーザー
によるビアホールの加工は両者の異質的な層（銅箔と絶
縁層）のために加工効率が至って低下する傾向がある。
例を上げれば、Ｎｄ−ＹＡＧレーザーを利用して図１０
（Ａ）のようなＲＣＣが積層の基板のビアホール加工の
際、約２５ホール／秒位の加工速度しか至らない不具合
がある。
【０００９】このような不具合を解決するために、特開
平８−２７９６７８号公報には銅箔のみを選択的に除去
後、絶縁層をＣＯ2レーザーを用いてビアホールを加工
する基板の製造方法が提案された。即ち、上記方法は図
１３（Ａ）〜図１４（Ｃ）に示すように、接続用パッド
３２を含むＣＣＬ３１にガラス繊維（ｇｌａｓｓ ｃｌ
ｏｔｈ）基材のプレプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）３３ｂと
銅箔３３ａを積層して、加圧、加熱し、プレプレグ３３
ｂを硬化後、接続用パッド３２の位置に相当する銅箔３
３ａをエッチングにより除去後、ＣＯ2レーザーを利用
してプレプレグ硬化層３３ｂにビアホール３５を形成
し、上記ビアホール３５に導体を被覆する方法である。
平８−２７９６７８号公報には銅箔のみを選択的に除去
後、絶縁層をＣＯ2レーザーを用いてビアホールを加工
する基板の製造方法が提案された。即ち、上記方法は図
１３（Ａ）〜図１４（Ｃ）に示すように、接続用パッド
３２を含むＣＣＬ３１にガラス繊維（ｇｌａｓｓ ｃｌ
ｏｔｈ）基材のプレプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）３３ｂと
銅箔３３ａを積層して、加圧、加熱し、プレプレグ３３
ｂを硬化後、接続用パッド３２の位置に相当する銅箔３
３ａをエッチングにより除去後、ＣＯ2レーザーを利用
してプレプレグ硬化層３３ｂにビアホール３５を形成
し、上記ビアホール３５に導体を被覆する方法である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記特開平８−２７９
６７８号公報は、絶縁層をＣＯ2レーザーにより加工す
ることによってヤグレーザーによるホール形成方法に比
して加工速度を向上させることのできる利点ある。しか
し、先ず絶縁層としてガラス繊維が含有するプレプレグ
を用いるためにガラス繊維が存在する部位と存在しない
部位とによりレーザー強さの制御が難しいと言う不具合
がある。即ち、ＣＯ2レーザーの強さを一定にする場
合、絶縁層自体の材質差によりビアホールの精度が一定
で無く、殊にＣＯ2レーザーの強さを大きくすれば図１
５（Ａ）に示すようにビアホールが鍾態様に中央の部分
が若干盛り上がり得るためにビアホール内を無電解メッ
キする場合、パッド層が熱間衝撃により断線することが
ある。
６７８号公報は、絶縁層をＣＯ2レーザーにより加工す
ることによってヤグレーザーによるホール形成方法に比
して加工速度を向上させることのできる利点ある。しか
し、先ず絶縁層としてガラス繊維が含有するプレプレグ
を用いるためにガラス繊維が存在する部位と存在しない
部位とによりレーザー強さの制御が難しいと言う不具合
がある。即ち、ＣＯ2レーザーの強さを一定にする場
合、絶縁層自体の材質差によりビアホールの精度が一定
で無く、殊にＣＯ2レーザーの強さを大きくすれば図１
５（Ａ）に示すようにビアホールが鍾態様に中央の部分
が若干盛り上がり得るためにビアホール内を無電解メッ
キする場合、パッド層が熱間衝撃により断線することが
ある。
【００１１】更に他の問題として上記方法によれば銅箔
をエッチングにより除去することにより、エッチング能
力上１００μｍ以下のホールを加工し難いのみならず、
若しも銅箔除去に不整合（ｍｉｓｍａｔｃｈ）が生じた
場合、図１５（Ｂ）のようにＣＯ2レーザー加工時、ビ
アホールの態様が歪んで層間接続において信頼性が大き
く低下する不具合があった。
をエッチングにより除去することにより、エッチング能
力上１００μｍ以下のホールを加工し難いのみならず、
若しも銅箔除去に不整合（ｍｉｓｍａｔｃｈ）が生じた
場合、図１５（Ｂ）のようにＣＯ2レーザー加工時、ビ
アホールの態様が歪んで層間接続において信頼性が大き
く低下する不具合があった。
【００１２】本発明は、上記の従来の問題を改善するた
めに提案したものであって、本発明は絶縁層の材質を一
定にする一方、銅箔層と絶縁層とのホール加工を異にし
た混合加工方式により基板のホール加工効率が向上する
のみならず、基板のホール加工精度が向上して高密度回
路設計に適合なる多層印刷回路基板を提供することにそ
の目的がある。
めに提案したものであって、本発明は絶縁層の材質を一
定にする一方、銅箔層と絶縁層とのホール加工を異にし
た混合加工方式により基板のホール加工効率が向上する
のみならず、基板のホール加工精度が向上して高密度回
路設計に適合なる多層印刷回路基板を提供することにそ
の目的がある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成のため
に、請求項１記載の第１の発明は、回路パターンが形成
された銅箔積層板（ＣＣＬ）に絶縁層を積層し、上記絶
縁層上に更に回路パターンを形成する工程を繰返して得
られるビルドアップ多層印刷回路基板の製造方法におい
て、第１回路パターンを有する第１印刷回路層が形成さ
れた銅箔積層版にレジン絶縁物が付着された銅箔（ＲＣ
Ｃ）を積層して、加熱、加圧する段階と、上記加熱、加
圧された上記銅箔積層版にレジン絶縁物が付着された銅
箔に層間接続のためのビアホールを形成する段階と、上
記ビアホールが形成された基板にメッキを行い電気的に
導通するメッキ層を形成して層間を電気的に接続する段
階と、上記メッキした基板に所定の第２回路パターンを
有すべく第２印刷回路層を形成する段階と、上記第２印
刷回路層が形成された基板上に保護層を形成する段階と
を含み、上記第１印刷回路層にある第１回路パターンと
第２印刷回路層にある第２回路パターンとを接続するビ
アホールにＮｄ−ＹＡＧレーザーを照射して最小限の上
記銅箔積層版にレジン絶縁物が付着された銅箔を除去
後、上記銅箔が除去された位置にＣＯ2レーザーを照射
して上記第１回路パターン上部に残っている上記銅箔積
層版にレジン絶縁物が付着された銅箔のレジンを全て除
去して形成することを要旨とする。従って、銅箔層と絶
縁層とのホール加工を異にした混合加工方式により基板
のホール加工効率が向上するのみならず、基板のホール
加工精度が向上して高密度回路設計に適合なる。上記レ
ジン絶縁物付着銅箔はエポキシ系レジンがコーティング
された銅箔（ｒｅｓｉｎ−ｃｏａｔｅｄ−ｃｏｐｐｅｒ
−ｆｏｉｌ；ＲＣＣ）であることを要旨とする。上記レ
ジン絶縁物は転移温度（Ｔｇ）が１１５℃以上になるこ
とを要旨とする。上記レジン絶縁物はその層の厚さが２
００μｍ以下になることを要旨とする。上記Ｎｄ−ＹＡ
Ｇレーザー加工条件はレーザー出力を２００〜１３００
ｍＷの範囲とし、更にパルス周波数（ｒｅｐｅｔｉｔｉ
ｏｎ ｒａｔｅ）を１〜２０ｋＨｚの範囲に行うことを
要旨とする。上記Ｎｄ−ＹＡＧレーザー加工条件はレー
ザービームとビームの間（ｂｉｔｅ ｓｉｚｅ）を１〜
１０μｍ、レーザービームの移動速度を１〜５０ｍｍ／
ｓｅｃ、パス数（ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ ｐａｓｓｅｓ）
を１〜１０パス、加工後のホールの大きさについての補
正値（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｓｐｏｔ ｓｉｚｅ）を０
〜４０μｍ、そしてスパイナル内径を１〜１００μｍ、
スパイナル回転数を１〜１０回およびピッチを４０μｍ
以下の範囲に設定することを要旨とする。上記ＣＯ2レ
ーザーの加工条件はパルス周期を０．１〜１００ｍｓｅ
ｃ、パルス幅を１〜１００μｓｅｃ、パルス数を１〜１
０回およびエネルギーを０．７〜２ｍＪの範囲として行
うことを要旨とする。上記ビアホールの直径は２５〜２
００μｍの範囲になることを要旨とする。
に、請求項１記載の第１の発明は、回路パターンが形成
された銅箔積層板（ＣＣＬ）に絶縁層を積層し、上記絶
縁層上に更に回路パターンを形成する工程を繰返して得
られるビルドアップ多層印刷回路基板の製造方法におい
て、第１回路パターンを有する第１印刷回路層が形成さ
れた銅箔積層版にレジン絶縁物が付着された銅箔（ＲＣ
Ｃ）を積層して、加熱、加圧する段階と、上記加熱、加
圧された上記銅箔積層版にレジン絶縁物が付着された銅
箔に層間接続のためのビアホールを形成する段階と、上
記ビアホールが形成された基板にメッキを行い電気的に
導通するメッキ層を形成して層間を電気的に接続する段
階と、上記メッキした基板に所定の第２回路パターンを
有すべく第２印刷回路層を形成する段階と、上記第２印
刷回路層が形成された基板上に保護層を形成する段階と
を含み、上記第１印刷回路層にある第１回路パターンと
第２印刷回路層にある第２回路パターンとを接続するビ
アホールにＮｄ−ＹＡＧレーザーを照射して最小限の上
記銅箔積層版にレジン絶縁物が付着された銅箔を除去
後、上記銅箔が除去された位置にＣＯ2レーザーを照射
して上記第１回路パターン上部に残っている上記銅箔積
層版にレジン絶縁物が付着された銅箔のレジンを全て除
去して形成することを要旨とする。従って、銅箔層と絶
縁層とのホール加工を異にした混合加工方式により基板
のホール加工効率が向上するのみならず、基板のホール
加工精度が向上して高密度回路設計に適合なる。上記レ
ジン絶縁物付着銅箔はエポキシ系レジンがコーティング
された銅箔（ｒｅｓｉｎ−ｃｏａｔｅｄ−ｃｏｐｐｅｒ
−ｆｏｉｌ；ＲＣＣ）であることを要旨とする。上記レ
ジン絶縁物は転移温度（Ｔｇ）が１１５℃以上になるこ
とを要旨とする。上記レジン絶縁物はその層の厚さが２
００μｍ以下になることを要旨とする。上記Ｎｄ−ＹＡ
Ｇレーザー加工条件はレーザー出力を２００〜１３００
ｍＷの範囲とし、更にパルス周波数（ｒｅｐｅｔｉｔｉ
ｏｎ ｒａｔｅ）を１〜２０ｋＨｚの範囲に行うことを
要旨とする。上記Ｎｄ−ＹＡＧレーザー加工条件はレー
ザービームとビームの間（ｂｉｔｅ ｓｉｚｅ）を１〜
１０μｍ、レーザービームの移動速度を１〜５０ｍｍ／
ｓｅｃ、パス数（ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ ｐａｓｓｅｓ）
を１〜１０パス、加工後のホールの大きさについての補
正値（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｓｐｏｔ ｓｉｚｅ）を０
〜４０μｍ、そしてスパイナル内径を１〜１００μｍ、
スパイナル回転数を１〜１０回およびピッチを４０μｍ
以下の範囲に設定することを要旨とする。上記ＣＯ2レ
ーザーの加工条件はパルス周期を０．１〜１００ｍｓｅ
ｃ、パルス幅を１〜１００μｓｅｃ、パルス数を１〜１
０回およびエネルギーを０．７〜２ｍＪの範囲として行
うことを要旨とする。上記ビアホールの直径は２５〜２
００μｍの範囲になることを要旨とする。
【００１４】また、上記目的を達成のために、請求項９
記載の第９の発明は、回路パターンが形成されて銅箔積
層版（ＣＣＬ）に絶縁層を積層し、上記絶縁層上に更に
回路パターンを形成する工程を繰返して得られるビルド
アップ多層印刷回路基板の製造方法において、第１回路
パターンを有する第１印刷回路層が形成された銅箔積層
版にレジン絶縁物が付着された銅箔（ＲＣＣ）を積層し
て、加熱、加圧する段階と、上記加熱、加圧された上記
銅箔積層版にレジン絶縁物が付着された銅箔に層間接続
のためのビアホールを形成する段階と、上記ビアホール
が形成された基板にメッキを行い電気的に導通するメッ
キ層を形成して層間を電気的に接続する段階と、上記メ
ッキした基板に所定の第２回路パターンを有すべく第２
印刷回路層を形成する段階と、上記第２印刷回路層が形
成された基板に更に上記銅箔積層版にレジン絶縁物が付
着された銅箔を積層して、加熱、加圧した後、層間接続
のためのビアホールを形成し、その上にメッキ層を形成
後、第３回路パターンを有すべく第３印刷回路層を形成
する段階と、上記第３印刷回路層が形成された基板上に
保護層を形成する段階とを含み、上記第２印刷回路層に
ある第２回路パターンと第３印刷回路層にある第３回路
パターンとを接続するビアホールは所定の位置にＮｄ−
ＹＡＧレーザーを照射して最小限の上記銅箔積層版にレ
ジン絶縁物が付着された銅箔を全て除去後、上記銅箔が
除去された位置にＣＯ2レーザーを照射して第２回路パ
ターン上部に残っている上記銅箔積層版にレジン絶縁物
が付着された銅箔のレジンを全て除去して形成し、上記
第１印刷回路層にある第１回路パターンと第３印刷回路
層にある第３回路パターンとを接続するビアホールは所
定の位置にＮｄ−ＹＡＧレーザーを照射して最小限の第
２回路パターンまで全て除去後、上記回路パターンが除
去された位置にＣＯ2レーザーを照射して第１回路パタ
ーン上部に残っている上記銅箔積層版にレジン絶縁物が
付着された銅箔のレジンを全て除去して形成することを
要旨とする。従って、銅箔層と絶縁層とのホール加工を
異にした混合加工方式により基板のホール加工効率が向
上するのみならず、基板のホール加工精度が向上して高
密度回路設計に適合なる。上記レジン絶縁物付着の銅箔
はエポキシ系レジンがコーティングされた銅箔（ｒｅｓ
ｉｎ−ｃｏａｔｅｄ−ｃｏｐｐｅｒ−ｆｏｉｌ；ＲＣ
Ｃ）であることを要旨とする。上記レジン絶縁物は転移
温度（Ｔｇ）が１１５℃以上になることを要旨とする。
上記レジン絶縁物はその層の厚さが２００μｍ以下にな
ることを要旨とする。上記第１印刷回路層にある第１回
路パターンと第２印刷回路層にある第２回路パターンと
を接続するビアホール形成のためのＮｄ−ＹＡＧレーザ
ー加工条件はレーザー出力を２００〜１３００ｍＷの範
囲とし、更にパルス周波数（ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ ｒ
ａｔｅ）を１〜２０ｋＨｚの範囲に行うことを要旨とす
る。上記Ｎｄ−ＹＡＧレーザー加工条件はレーザービー
ムとビームとの間の距離（ｂｉｔｅｓｉｚｅ）を１〜１
０μｍ、レーザービームの移動速度を１〜５０ｍｍ／ｓ
ｅｃ、パス数（ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ ｐａｓｓｅｓ）を
１〜１０パス、加工後のホールの大きさについての補正
値（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｓｐｏｔ ｓｉｚｅ）を０〜
４０μｍ、そしてスパイナル内径を１〜１００μｍ、ス
パイナル回転数を１〜１０回およびピッチを４０μｍ以
下の範囲に設定することを要旨とする。上記第１印刷回
路層にある第１回路パターンと第２印刷回路層にある第
２回路パターンとを接続するビアホール形成のためのＣ
Ｏ2レーザーの加工条件はパルス周期を０．１〜１００
ｍｓｅｃ、パルス幅を１〜１００μｓｅｃ、パルス数を
１〜１０回およびエネルギーを０．７〜２ｍＪの範囲と
して行うことを要旨とする。上記第１印刷回路層にある
第１回路パターンと第２印刷回路層にある第２回路パタ
ーンとを接続するビアホールはその直径が２５〜２００
μｍの範囲になることを要旨とする。上記第１印刷回路
層にある第１回路パターンと第３印刷回路層にある第３
回路パターンとを接続するビアホール形成のためのＮｄ
−ＴＡＧレーザー加工条件はレーザー出力を７５０〜１
２００ｍＷの範囲とし、更にパルス周波数（ｒｅｐｅｔ
ｉｔｉｏｎ ｒａｔｅ）を５．５〜８．０ｋＨｚの範囲
に行うことを要旨とする。上記Ｎｄ−ＹＡＧレーザー加
工条件はレーザービームとビームとの間の距離（ｂｉｔ
ｅ ｓｉｚｅ）を１．５〜４．５μｍ、レーザービーム
の移動速度を１５〜２４ｍｍ／ｓｅｃ、パス数（ｎｕｍ
ｂｅｒ ｏｆ ｐａｓｓｅｓ）を２〜４パス、加工後の
ホールの大きさについての補正値（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ
ｓｐｏｔ ｓｉｚｅ）を３０〜５０μｍ、そしてスパ
イナル内径を３０〜５０μｍ、スパイナル回転数を２〜
５回およびピッチを１５〜４０μｍの範囲に設定するこ
とを要旨とする。上記第１印刷回路層にある第１パター
ンと第３印刷回路層にある第３回路パターンとを接続す
るビアホール形成のためのＣＯ2レーザーのパルス周期
を０．１〜１００ｍｓｅｃ、パルス幅を１〜１００μｓ
ｅｃ、パルス数を１〜１０回およびエネルギーを０．７
〜２ｍＪの範囲にして行うことを要旨とする。上記第１
印刷回路層にある第１回路パターンと第３印刷回路層に
ある第３回路パターンとを接続するビアホールは当該ビ
アホールの直径が２５〜２００μｍの範囲になることを
要旨とする。
記載の第９の発明は、回路パターンが形成されて銅箔積
層版（ＣＣＬ）に絶縁層を積層し、上記絶縁層上に更に
回路パターンを形成する工程を繰返して得られるビルド
アップ多層印刷回路基板の製造方法において、第１回路
パターンを有する第１印刷回路層が形成された銅箔積層
版にレジン絶縁物が付着された銅箔（ＲＣＣ）を積層し
て、加熱、加圧する段階と、上記加熱、加圧された上記
銅箔積層版にレジン絶縁物が付着された銅箔に層間接続
のためのビアホールを形成する段階と、上記ビアホール
が形成された基板にメッキを行い電気的に導通するメッ
キ層を形成して層間を電気的に接続する段階と、上記メ
ッキした基板に所定の第２回路パターンを有すべく第２
印刷回路層を形成する段階と、上記第２印刷回路層が形
成された基板に更に上記銅箔積層版にレジン絶縁物が付
着された銅箔を積層して、加熱、加圧した後、層間接続
のためのビアホールを形成し、その上にメッキ層を形成
後、第３回路パターンを有すべく第３印刷回路層を形成
する段階と、上記第３印刷回路層が形成された基板上に
保護層を形成する段階とを含み、上記第２印刷回路層に
ある第２回路パターンと第３印刷回路層にある第３回路
パターンとを接続するビアホールは所定の位置にＮｄ−
ＹＡＧレーザーを照射して最小限の上記銅箔積層版にレ
ジン絶縁物が付着された銅箔を全て除去後、上記銅箔が
除去された位置にＣＯ2レーザーを照射して第２回路パ
ターン上部に残っている上記銅箔積層版にレジン絶縁物
が付着された銅箔のレジンを全て除去して形成し、上記
第１印刷回路層にある第１回路パターンと第３印刷回路
層にある第３回路パターンとを接続するビアホールは所
定の位置にＮｄ−ＹＡＧレーザーを照射して最小限の第
２回路パターンまで全て除去後、上記回路パターンが除
去された位置にＣＯ2レーザーを照射して第１回路パタ
ーン上部に残っている上記銅箔積層版にレジン絶縁物が
付着された銅箔のレジンを全て除去して形成することを
要旨とする。従って、銅箔層と絶縁層とのホール加工を
異にした混合加工方式により基板のホール加工効率が向
上するのみならず、基板のホール加工精度が向上して高
密度回路設計に適合なる。上記レジン絶縁物付着の銅箔
はエポキシ系レジンがコーティングされた銅箔（ｒｅｓ
ｉｎ−ｃｏａｔｅｄ−ｃｏｐｐｅｒ−ｆｏｉｌ；ＲＣ
Ｃ）であることを要旨とする。上記レジン絶縁物は転移
温度（Ｔｇ）が１１５℃以上になることを要旨とする。
上記レジン絶縁物はその層の厚さが２００μｍ以下にな
ることを要旨とする。上記第１印刷回路層にある第１回
路パターンと第２印刷回路層にある第２回路パターンと
を接続するビアホール形成のためのＮｄ−ＹＡＧレーザ
ー加工条件はレーザー出力を２００〜１３００ｍＷの範
囲とし、更にパルス周波数（ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ ｒ
ａｔｅ）を１〜２０ｋＨｚの範囲に行うことを要旨とす
る。上記Ｎｄ−ＹＡＧレーザー加工条件はレーザービー
ムとビームとの間の距離（ｂｉｔｅｓｉｚｅ）を１〜１
０μｍ、レーザービームの移動速度を１〜５０ｍｍ／ｓ
ｅｃ、パス数（ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ ｐａｓｓｅｓ）を
１〜１０パス、加工後のホールの大きさについての補正
値（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｓｐｏｔ ｓｉｚｅ）を０〜
４０μｍ、そしてスパイナル内径を１〜１００μｍ、ス
パイナル回転数を１〜１０回およびピッチを４０μｍ以
下の範囲に設定することを要旨とする。上記第１印刷回
路層にある第１回路パターンと第２印刷回路層にある第
２回路パターンとを接続するビアホール形成のためのＣ
Ｏ2レーザーの加工条件はパルス周期を０．１〜１００
ｍｓｅｃ、パルス幅を１〜１００μｓｅｃ、パルス数を
１〜１０回およびエネルギーを０．７〜２ｍＪの範囲と
して行うことを要旨とする。上記第１印刷回路層にある
第１回路パターンと第２印刷回路層にある第２回路パタ
ーンとを接続するビアホールはその直径が２５〜２００
μｍの範囲になることを要旨とする。上記第１印刷回路
層にある第１回路パターンと第３印刷回路層にある第３
回路パターンとを接続するビアホール形成のためのＮｄ
−ＴＡＧレーザー加工条件はレーザー出力を７５０〜１
２００ｍＷの範囲とし、更にパルス周波数（ｒｅｐｅｔ
ｉｔｉｏｎ ｒａｔｅ）を５．５〜８．０ｋＨｚの範囲
に行うことを要旨とする。上記Ｎｄ−ＹＡＧレーザー加
工条件はレーザービームとビームとの間の距離（ｂｉｔ
ｅ ｓｉｚｅ）を１．５〜４．５μｍ、レーザービーム
の移動速度を１５〜２４ｍｍ／ｓｅｃ、パス数（ｎｕｍ
ｂｅｒ ｏｆ ｐａｓｓｅｓ）を２〜４パス、加工後の
ホールの大きさについての補正値（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ
ｓｐｏｔ ｓｉｚｅ）を３０〜５０μｍ、そしてスパ
イナル内径を３０〜５０μｍ、スパイナル回転数を２〜
５回およびピッチを１５〜４０μｍの範囲に設定するこ
とを要旨とする。上記第１印刷回路層にある第１パター
ンと第３印刷回路層にある第３回路パターンとを接続す
るビアホール形成のためのＣＯ2レーザーのパルス周期
を０．１〜１００ｍｓｅｃ、パルス幅を１〜１００μｓ
ｅｃ、パルス数を１〜１０回およびエネルギーを０．７
〜２ｍＪの範囲にして行うことを要旨とする。上記第１
印刷回路層にある第１回路パターンと第３印刷回路層に
ある第３回路パターンとを接続するビアホールは当該ビ
アホールの直径が２５〜２００μｍの範囲になることを
要旨とする。
【００１５】更に、上記目的を達成のために、請求項２
１記載の第２１の本発明は、回路パターンが形成された
銅箔積層版（ＣＣＬ）に絶縁層を積層し、上記絶縁層上
に更に回路パターンを形成する工程を繰返して得られる
ビルドアップ多層印刷回路基板の製造方法において、第
１回路パターンを有する第１印刷回路層が形成された銅
箔積層版にレジン絶縁物が付着された銅箔（ＲＣＣ）を
積層して、加熱、加圧する段階と、上記加熱、加圧され
た上記銅箔積層版にレジン絶縁物が付着された銅箔に層
間の接続のためのビアホールを形成する段階と、上記ビ
アホールが形成された基板にメッキを行い電気的に導通
するメッキ層を形成して層間を電気的に接続する段階
と、上記メッキされた基板に所定の第２回路パターンを
有すべく第２印刷回路層を形成する段階と、上記第２印
刷回路層が形成された基板に更に上記銅箔積層版にレジ
ン絶縁物が付着された銅箔を積層して、加熱、加圧した
後、層間接続のためのビアホールを形成し、その上にメ
ッキ層を形成した後、第３回路パターンを有する第３印
刷回路層を形成する段階と、上記各印刷回路層の形成過
程を繰返して必要なだけ第ｎ回路パターンを有する第ｎ
印刷回路層を形成する段階と、上記第ｎ印刷回路層が形
成された基板上に保護層を形成する段階とを含み、少な
くとも二個以上の印刷回路層の回路パターンを連結する
層間接続ビアホールは所定の位置にＮｄ−ＹＡＧレーザ
ーを照射して最小限に接続しようとする最上位の印刷回
路層にある回路パターンから最下位の印刷回路層に隣接
して位置する回路パターンまで全て除去後、上記回路パ
ターンが除去された位置にＣＯ2レーザーを照射して最
下位の回路パターンの上部に残っている上記銅箔積層版
にレジン絶縁物が付着された銅箔のレジンを全て除去し
て形成することを要旨とする。従って、銅箔層と絶縁層
とのホール加工を異にした混合加工方式により基板のホ
ール加工効率が向上するのみならず、基板のホール加工
精度が向上して高密度回路設計に適合なる。上記レジン
絶縁物付着の銅箔はエポキシ系レジンがコーティングさ
れた銅箔（ｒｅｓｉｎ−ｃｏａｔｅｄ−ｆｏｉｌ；ＲＣ
Ｃ）であることを要旨とする。上記レジン絶縁物は転移
温度（Ｔｇ）が１１５℃以上になることを要旨とする。
上記レジン絶縁物はその層の厚さが２００μｍ以下にな
ることを要旨とする。上記層間接続のためのビアホール
は隣接する印刷回路層間に形成され、そのビアホール形
成のためのＮｄ−ＹＡＧレーザー加工条件はレーザー出
力を２００〜１３００ｍＷの範囲とし、更にパルス周波
数（ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ ｒａｔｅ）を１〜２０ｋＨ
ｚの範囲に行うことを要旨とする。上記Ｎｄ−ＹＡＧレ
ーザー加工条件はレーザービームとビームとの間の距離
（ｂｉｔｅ ｓｉｚｅ）を１〜１０μｍ、レーザービー
ムの移動速度を１〜５０ｍｍ／ｓｅｃ、パス数（ｎｕｍ
ｂｅｒ ｏｆ ｐａｓｓｅｓ）を１〜１０パス、加工後
のホールの大きさに対する補正値（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ
ｓｐｏｔ ｓｉｚｅ）を０〜４０μｍ、そしてスパイ
ナル内径を１〜１００μｍ、スパイナル回転数を１〜１
０回およびピッチを４０μｍ以下の範囲に設定すること
を要旨とする。上記層間の接続のためのビアホールは隣
接する印刷回路層間に形成され、そのビアホールの形成
のためのＣＯ2レーザーの加工条件はパルス周期を０．
１〜１００ｍｓｅｃ、パルス幅を１〜１００μｓｅｃ、
パルス数を１〜１０回およびエネルギーを０．７〜２ｍ
Ｊの範囲として行うことを要旨とする。上記層間の接続
のためのビアホールは隣接する印刷回路層間に形成さ
れ、そのビアホールはその直径が２５〜２００μｍの範
囲になることを要旨とする。上記層間の接続のためのビ
アホールは隣接しない印刷回路層間に形成され、当該ビ
アホール形成のためのＮｄ−ＴＡＧレーザー加工条件は
レーザー出力を７５０〜１２００ｍＷの範囲とし、更に
パルス周波数（ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ ｒａｔｅ）を
５．５〜８．０ｋＨｚの範囲に行うことを要旨とする。
上記Ｎｄ−ＹＡＧレーザー加工条件はレーザービームと
ビームとの間の距離（ｂｉｔｅ ｓｉｚｅ）を１．５〜
４．５μｍ、レーザービームの移動速度を１５〜２４ｍ
ｍ／ｓｅｃ、パス数（ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ ｐａｓｓｅ
ｓ）を２〜４パス、加工後のホールの大きさについての
補正値（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｓｐｏｔ ｓｉｚｅ）を
３０〜５０μｍ、そしてスパイナル内径を３０〜５０μ
ｍ、スパイナル回転数を２〜５回およびピッチを１５〜
４０μｍの範囲に設定することを要旨とする。上記層間
の接続のためのビアホールは隣接しない印刷回路層間に
形成され、当該ビアホールの形成のためのＣＯ2レーザ
ーの加工条件はパルス周期を０．１〜１００ｍｓｅｃ、
パルス幅を１〜１００μｓｅｃ、パルス数を１〜１０回
およびエネルギーを０．７〜２ｍＪの範囲にして行うこ
とを要旨とする。上記層間の接続のためのビアホールは
隣接しない印刷回路層間に形成され、当該ビアホールは
その直径が２５〜２５０μｍの範囲になることを要旨と
する。上記層間の接続のためのビアホールは少なくとも
３個の層を同時に接続すべく形成され、当該ビアホール
の形成のためのＮｄ−ＹＡＧレーザーの加工条件はレー
ザーの出力を７５０〜１２００ｍＷの範囲とし、更にパ
ルス周波数（ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ ｒａｔｅ）を５．
５〜８．０ｋＨｚの範囲に行うことを要旨とする。Ｎｄ
−ＹＡＧレーザー加工条件はレーザービームとビームと
の間の距離（ｂｉｔｅ ｓｉｚｅ）を１．５〜４．５μ
ｍ、レーザービームの移動速度を１５〜２４ｍｍ／ｓｅ
ｃ、パス数（ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ ｐａｓｓｅｓ）を２
〜４パス、加工後のホールの大きさについての補正値
（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅｓｐｏｔ ｓｉｚｅ）を３０〜５
０μｍ、そしてスパイナル内径を３０〜５０μｍ、スパ
イナル回転数を２〜５回およびピッチを１５〜４０μｍ
の範囲に設定することを要旨とする。上記の層間の接続
のためのビアホールは少なくとも３個の印刷回路層を同
時に接続すべく形成され、当該ビアホールの形成のため
のＣＯ2レーザーの加工条件はパルス周期を０．１〜１
００ｍｓｅｃ、パルス幅を１〜１００μｓｅｃ、パルス
数を１〜１０回およびエネルギーを０．７〜２ｍＪの範
囲にして行うことを要旨とする。上記層間の接続のため
のビアホールは隣接しない印刷回路層間に形成され、当
該ビアホールは当該ビアホールの直径が２５〜２００μ
ｍの範囲になることを要旨とする。
１記載の第２１の本発明は、回路パターンが形成された
銅箔積層版（ＣＣＬ）に絶縁層を積層し、上記絶縁層上
に更に回路パターンを形成する工程を繰返して得られる
ビルドアップ多層印刷回路基板の製造方法において、第
１回路パターンを有する第１印刷回路層が形成された銅
箔積層版にレジン絶縁物が付着された銅箔（ＲＣＣ）を
積層して、加熱、加圧する段階と、上記加熱、加圧され
た上記銅箔積層版にレジン絶縁物が付着された銅箔に層
間の接続のためのビアホールを形成する段階と、上記ビ
アホールが形成された基板にメッキを行い電気的に導通
するメッキ層を形成して層間を電気的に接続する段階
と、上記メッキされた基板に所定の第２回路パターンを
有すべく第２印刷回路層を形成する段階と、上記第２印
刷回路層が形成された基板に更に上記銅箔積層版にレジ
ン絶縁物が付着された銅箔を積層して、加熱、加圧した
後、層間接続のためのビアホールを形成し、その上にメ
ッキ層を形成した後、第３回路パターンを有する第３印
刷回路層を形成する段階と、上記各印刷回路層の形成過
程を繰返して必要なだけ第ｎ回路パターンを有する第ｎ
印刷回路層を形成する段階と、上記第ｎ印刷回路層が形
成された基板上に保護層を形成する段階とを含み、少な
くとも二個以上の印刷回路層の回路パターンを連結する
層間接続ビアホールは所定の位置にＮｄ−ＹＡＧレーザ
ーを照射して最小限に接続しようとする最上位の印刷回
路層にある回路パターンから最下位の印刷回路層に隣接
して位置する回路パターンまで全て除去後、上記回路パ
ターンが除去された位置にＣＯ2レーザーを照射して最
下位の回路パターンの上部に残っている上記銅箔積層版
にレジン絶縁物が付着された銅箔のレジンを全て除去し
て形成することを要旨とする。従って、銅箔層と絶縁層
とのホール加工を異にした混合加工方式により基板のホ
ール加工効率が向上するのみならず、基板のホール加工
精度が向上して高密度回路設計に適合なる。上記レジン
絶縁物付着の銅箔はエポキシ系レジンがコーティングさ
れた銅箔（ｒｅｓｉｎ−ｃｏａｔｅｄ−ｆｏｉｌ；ＲＣ
Ｃ）であることを要旨とする。上記レジン絶縁物は転移
温度（Ｔｇ）が１１５℃以上になることを要旨とする。
上記レジン絶縁物はその層の厚さが２００μｍ以下にな
ることを要旨とする。上記層間接続のためのビアホール
は隣接する印刷回路層間に形成され、そのビアホール形
成のためのＮｄ−ＹＡＧレーザー加工条件はレーザー出
力を２００〜１３００ｍＷの範囲とし、更にパルス周波
数（ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ ｒａｔｅ）を１〜２０ｋＨ
ｚの範囲に行うことを要旨とする。上記Ｎｄ−ＹＡＧレ
ーザー加工条件はレーザービームとビームとの間の距離
（ｂｉｔｅ ｓｉｚｅ）を１〜１０μｍ、レーザービー
ムの移動速度を１〜５０ｍｍ／ｓｅｃ、パス数（ｎｕｍ
ｂｅｒ ｏｆ ｐａｓｓｅｓ）を１〜１０パス、加工後
のホールの大きさに対する補正値（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ
ｓｐｏｔ ｓｉｚｅ）を０〜４０μｍ、そしてスパイ
ナル内径を１〜１００μｍ、スパイナル回転数を１〜１
０回およびピッチを４０μｍ以下の範囲に設定すること
を要旨とする。上記層間の接続のためのビアホールは隣
接する印刷回路層間に形成され、そのビアホールの形成
のためのＣＯ2レーザーの加工条件はパルス周期を０．
１〜１００ｍｓｅｃ、パルス幅を１〜１００μｓｅｃ、
パルス数を１〜１０回およびエネルギーを０．７〜２ｍ
Ｊの範囲として行うことを要旨とする。上記層間の接続
のためのビアホールは隣接する印刷回路層間に形成さ
れ、そのビアホールはその直径が２５〜２００μｍの範
囲になることを要旨とする。上記層間の接続のためのビ
アホールは隣接しない印刷回路層間に形成され、当該ビ
アホール形成のためのＮｄ−ＴＡＧレーザー加工条件は
レーザー出力を７５０〜１２００ｍＷの範囲とし、更に
パルス周波数（ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ ｒａｔｅ）を
５．５〜８．０ｋＨｚの範囲に行うことを要旨とする。
上記Ｎｄ−ＹＡＧレーザー加工条件はレーザービームと
ビームとの間の距離（ｂｉｔｅ ｓｉｚｅ）を１．５〜
４．５μｍ、レーザービームの移動速度を１５〜２４ｍ
ｍ／ｓｅｃ、パス数（ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ ｐａｓｓｅ
ｓ）を２〜４パス、加工後のホールの大きさについての
補正値（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｓｐｏｔ ｓｉｚｅ）を
３０〜５０μｍ、そしてスパイナル内径を３０〜５０μ
ｍ、スパイナル回転数を２〜５回およびピッチを１５〜
４０μｍの範囲に設定することを要旨とする。上記層間
の接続のためのビアホールは隣接しない印刷回路層間に
形成され、当該ビアホールの形成のためのＣＯ2レーザ
ーの加工条件はパルス周期を０．１〜１００ｍｓｅｃ、
パルス幅を１〜１００μｓｅｃ、パルス数を１〜１０回
およびエネルギーを０．７〜２ｍＪの範囲にして行うこ
とを要旨とする。上記層間の接続のためのビアホールは
隣接しない印刷回路層間に形成され、当該ビアホールは
その直径が２５〜２５０μｍの範囲になることを要旨と
する。上記層間の接続のためのビアホールは少なくとも
３個の層を同時に接続すべく形成され、当該ビアホール
の形成のためのＮｄ−ＹＡＧレーザーの加工条件はレー
ザーの出力を７５０〜１２００ｍＷの範囲とし、更にパ
ルス周波数（ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ ｒａｔｅ）を５．
５〜８．０ｋＨｚの範囲に行うことを要旨とする。Ｎｄ
−ＹＡＧレーザー加工条件はレーザービームとビームと
の間の距離（ｂｉｔｅ ｓｉｚｅ）を１．５〜４．５μ
ｍ、レーザービームの移動速度を１５〜２４ｍｍ／ｓｅ
ｃ、パス数（ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ ｐａｓｓｅｓ）を２
〜４パス、加工後のホールの大きさについての補正値
（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅｓｐｏｔ ｓｉｚｅ）を３０〜５
０μｍ、そしてスパイナル内径を３０〜５０μｍ、スパ
イナル回転数を２〜５回およびピッチを１５〜４０μｍ
の範囲に設定することを要旨とする。上記の層間の接続
のためのビアホールは少なくとも３個の印刷回路層を同
時に接続すべく形成され、当該ビアホールの形成のため
のＣＯ2レーザーの加工条件はパルス周期を０．１〜１
００ｍｓｅｃ、パルス幅を１〜１００μｓｅｃ、パルス
数を１〜１０回およびエネルギーを０．７〜２ｍＪの範
囲にして行うことを要旨とする。上記層間の接続のため
のビアホールは隣接しない印刷回路層間に形成され、当
該ビアホールは当該ビアホールの直径が２５〜２００μ
ｍの範囲になることを要旨とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を通じて具体
的に説明する。
的に説明する。
【００１７】本発明はビルドアップ多層印刷回路基板内
のビアホール形成時、まず、ヤグレーザーで少なくとも
銅箔を加工後、絶縁層を更にＣＯ2 レーザーで加工する
ことにより、ビアホールの加工精度を向上させ基板の信
頼性を保ちながらも加工効率の向上を図ることに特徴が
ある。
のビアホール形成時、まず、ヤグレーザーで少なくとも
銅箔を加工後、絶縁層を更にＣＯ2 レーザーで加工する
ことにより、ビアホールの加工精度を向上させ基板の信
頼性を保ちながらも加工効率の向上を図ることに特徴が
ある。
【００１８】図１（Ａ）から図２（Ｃ）は本発明による
多層印刷回路基板の製造工程の模式図であり、便宜上基
板の一側面だけを示すものである。先ず、本発明は図１
（Ａ）のように、両面に銅箔が積層された銅箔積層版
（ＣＣＬ）４１上に通常の写真食刻を通じて第１回路パ
ターン４２を形成する。そして、上記パターン４２が形
成されて第１印刷回路層が設けられたＣＣＬ４１に図１
（Ｂ）に示すように、一側面にレジン（樹脂）が付着さ
れた銅箔のＲＣＣ４３を積層させて予備積層させ、それ
を加熱、加圧する。その際、上記ＲＣＣ４３とＣＣＬ４
１との密着性向上のために通常的な黒化膜処理（ｂｌａ
ｃｄ ｏｘｉｄｅ ｆｉｌｍ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を
行うことができる。
多層印刷回路基板の製造工程の模式図であり、便宜上基
板の一側面だけを示すものである。先ず、本発明は図１
（Ａ）のように、両面に銅箔が積層された銅箔積層版
（ＣＣＬ）４１上に通常の写真食刻を通じて第１回路パ
ターン４２を形成する。そして、上記パターン４２が形
成されて第１印刷回路層が設けられたＣＣＬ４１に図１
（Ｂ）に示すように、一側面にレジン（樹脂）が付着さ
れた銅箔のＲＣＣ４３を積層させて予備積層させ、それ
を加熱、加圧する。その際、上記ＲＣＣ４３とＣＣＬ４
１との密着性向上のために通常的な黒化膜処理（ｂｌａ
ｃｄ ｏｘｉｄｅ ｆｉｌｍ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を
行うことができる。
【００１９】本発明に用いられるＲＣＣ４３はエポキシ
系のレジン（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）がコーティング
されたＲＣＣが望ましく、より望ましきはガラス繊維
（ｇｌａｓｓ ｆｉｂｅｒ）の無いレジンがコーティン
グされたＲＣＣが適合である。更に、上記レジン絶縁物
４３ｂは転移温度（Ｔｇ）が１１５℃以上のものを用い
ることが望ましい。このような本発明のＲＣＣは従来の
プレプレグとは異なって、レジンから構成されているた
め、レーザー加工を一定に行うことができるし、そのこ
とにより精度の良いビアホール形成により有利である。
殊に、上記ＲＣＣは絶縁層の漏電率が３．５程度に甚だ
低いため、電気的信頼度が大きいという利点がある。
系のレジン（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）がコーティング
されたＲＣＣが望ましく、より望ましきはガラス繊維
（ｇｌａｓｓ ｆｉｂｅｒ）の無いレジンがコーティン
グされたＲＣＣが適合である。更に、上記レジン絶縁物
４３ｂは転移温度（Ｔｇ）が１１５℃以上のものを用い
ることが望ましい。このような本発明のＲＣＣは従来の
プレプレグとは異なって、レジンから構成されているた
め、レーザー加工を一定に行うことができるし、そのこ
とにより精度の良いビアホール形成により有利である。
殊に、上記ＲＣＣは絶縁層の漏電率が３．５程度に甚だ
低いため、電気的信頼度が大きいという利点がある。
【００２０】上記レジン絶縁物の厚さは基板の種類によ
り多用に調節可能である。本発明の場合はレジン絶縁層
の厚さが２００μｍ以下のものが望ましい。
り多用に調節可能である。本発明の場合はレジン絶縁層
の厚さが２００μｍ以下のものが望ましい。
【００２１】本発明においては上記加圧積層された基板
にＲＣＣの銅箔層４３ａ或いは上記銅箔層４３ａ下の一
部までＮｄ−ＹＡＧレーザー１を用いて第１段階で加工
後、レジン絶縁物４３ｂをＣＯ2レーザー２により加工
して層間接続のためのビアホール４５を設けることに特
徴がある。
にＲＣＣの銅箔層４３ａ或いは上記銅箔層４３ａ下の一
部までＮｄ−ＹＡＧレーザー１を用いて第１段階で加工
後、レジン絶縁物４３ｂをＣＯ2レーザー２により加工
して層間接続のためのビアホール４５を設けることに特
徴がある。
【００２２】具体的に本発明は図１（Ｃ）に図示の通
り、先にＮｄ−ＹＡＧレーザー１を利用してＲＣＣの所
定の位置に少なくとも銅箔層４３ａを除去すれば、銅箔
層とレジン絶縁物を同時に加工する通常のＹＡＧレーザ
ー加工に比して加工効率が向上される。例を挙げれば、
ＲＣＣの銅箔層４３ａのみをＮｄ−ＹＡＧレーザーで加
工すれば普通５０ホール／秒程度にホール加工速度が向
上する。
り、先にＮｄ−ＹＡＧレーザー１を利用してＲＣＣの所
定の位置に少なくとも銅箔層４３ａを除去すれば、銅箔
層とレジン絶縁物を同時に加工する通常のＹＡＧレーザ
ー加工に比して加工効率が向上される。例を挙げれば、
ＲＣＣの銅箔層４３ａのみをＮｄ−ＹＡＧレーザーで加
工すれば普通５０ホール／秒程度にホール加工速度が向
上する。
【００２３】本発明によりＲＣＣの銅箔層を加工する場
合にＮｄ−ＹＡＧレーザーは、電力（ｐｏｗｅｒ）を２
００〜１３００ｍＷの範囲とし、Ｎｄ−ＴＡＧレーザー
のパルス周波数（ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ ｒａｔｅ）を
１〜２０ｋＨｚの範囲で行うのが適合である。そのＮｄ
−ＹＡＧレーザーの作業条件はレーザービームとビーム
間の距離（ｂｉｔｅ ｓｉｚｅ）を１〜１０μｍ、レー
ザービームの移動速度を１〜５０ｍｍ／ｓｅｃ、パス数
（ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ ｐａｓｓｅｓ）を１〜１０パ
ス、加工後のホールの大きさについての補正値（ｅｆｆ
ｅｃｔｉｖｅ ｓｐｏｔ ｓｉｚｅ）を０〜４０μｍ、
そして、スパイナル内径（ｓｐｉｒａｌｉｎｎｅｒ ｄ
ｉａｍｅｔｅｒ）（レーザービームが最初円を形成した
時の内径）を１〜１００μｍ、スパイナル回転数は１〜
１０回とし、スパイナルピッチ（ｓｐｉｒａｌ ｐｉｔ
ｃｈ）は４０μｍ以下に設定することが望ましい。
合にＮｄ−ＹＡＧレーザーは、電力（ｐｏｗｅｒ）を２
００〜１３００ｍＷの範囲とし、Ｎｄ−ＴＡＧレーザー
のパルス周波数（ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ ｒａｔｅ）を
１〜２０ｋＨｚの範囲で行うのが適合である。そのＮｄ
−ＹＡＧレーザーの作業条件はレーザービームとビーム
間の距離（ｂｉｔｅ ｓｉｚｅ）を１〜１０μｍ、レー
ザービームの移動速度を１〜５０ｍｍ／ｓｅｃ、パス数
（ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ ｐａｓｓｅｓ）を１〜１０パ
ス、加工後のホールの大きさについての補正値（ｅｆｆ
ｅｃｔｉｖｅ ｓｐｏｔ ｓｉｚｅ）を０〜４０μｍ、
そして、スパイナル内径（ｓｐｉｒａｌｉｎｎｅｒ ｄ
ｉａｍｅｔｅｒ）（レーザービームが最初円を形成した
時の内径）を１〜１００μｍ、スパイナル回転数は１〜
１０回とし、スパイナルピッチ（ｓｐｉｒａｌ ｐｉｔ
ｃｈ）は４０μｍ以下に設定することが望ましい。
【００２４】このようにＮｄ−ＴＡＧレーザーを用いて
第１段階に少なくとも銅箔層を加工して除去後、図２
（Ａ）に図示の通り、銅箔層が除去された部位にＲＣＣ
のレジン絶縁物４３ｂをＣＯ2レーザー２により加工
し、層間接続のためのビアホール４５を設ける。本発明
の場合、絶縁物層加工に適合なるＣＯ2レーザーはパル
ス周期を０．１〜１０ｍｓｅｃ、パルス幅を１〜１００
μｓｅｃ、パルス数を１〜１０回およびエネルギーを
０．７〜２ｍＪの範囲として照射することが望ましい。
第１段階に少なくとも銅箔層を加工して除去後、図２
（Ａ）に図示の通り、銅箔層が除去された部位にＲＣＣ
のレジン絶縁物４３ｂをＣＯ2レーザー２により加工
し、層間接続のためのビアホール４５を設ける。本発明
の場合、絶縁物層加工に適合なるＣＯ2レーザーはパル
ス周期を０．１〜１０ｍｓｅｃ、パルス幅を１〜１００
μｓｅｃ、パルス数を１〜１０回およびエネルギーを
０．７〜２ｍＪの範囲として照射することが望ましい。
【００２５】この条件による本発明のホール加工方式は
テーパーを有するビアホールの形成が可能であり、更
に、ビアホールの精度を向上させる。本発明の場合、ビ
アホールの直径が約２５〜２００μｍ範囲のビアホール
の形成により適合に適用される。
テーパーを有するビアホールの形成が可能であり、更
に、ビアホールの精度を向上させる。本発明の場合、ビ
アホールの直径が約２５〜２００μｍ範囲のビアホール
の形成により適合に適用される。
【００２６】上記ＹＡＧレーザーによる加工に次いでＣ
Ｏ2レーザーで加工する際、本発明の場合は基板の一定
位置に設けられた基準マーク（ｍａｒｋ）により正確な
位置設定が可能であり、更にＹＡＧレーザーの加工直径
に比してＣＯ2レーザーの加工直径を大きくするために
ビアホールの未整合（ｍｉｓｍａｔｃｈ）には問題がな
い。ＣＯ2レーザーによる絶縁物層を約４００ホール／
秒程度に高速加工が可能である。
Ｏ2レーザーで加工する際、本発明の場合は基板の一定
位置に設けられた基準マーク（ｍａｒｋ）により正確な
位置設定が可能であり、更にＹＡＧレーザーの加工直径
に比してＣＯ2レーザーの加工直径を大きくするために
ビアホールの未整合（ｍｉｓｍａｔｃｈ）には問題がな
い。ＣＯ2レーザーによる絶縁物層を約４００ホール／
秒程度に高速加工が可能である。
【００２７】したがって、本発明のような少なくともＲ
ＣＣの銅箔層を加工して除去後、銅箔層が除去された部
位の下に存在する絶縁物層をＣＯ2レーザーにより加工
する場合、ホールの加工速度が甚だ向上できる。勿論、
ＹＡＧレーザーによる加工の後にＣＯ2レーザーで加工
するとき相互にレーザー加工作業交換時期と加工速度の
差等のような問題でホール加工速度が低下されることは
あるものの、このような問題などはＹＡＧレーザーの個
数をより増設することにより簡単に解消できる。
ＣＣの銅箔層を加工して除去後、銅箔層が除去された部
位の下に存在する絶縁物層をＣＯ2レーザーにより加工
する場合、ホールの加工速度が甚だ向上できる。勿論、
ＹＡＧレーザーによる加工の後にＣＯ2レーザーで加工
するとき相互にレーザー加工作業交換時期と加工速度の
差等のような問題でホール加工速度が低下されることは
あるものの、このような問題などはＹＡＧレーザーの個
数をより増設することにより簡単に解消できる。
【００２８】何よりも重要な点は、本発明のホール加工
方式によれば、後述の実施例においても知り得る通り、
ＣＣＬ４１の第１回路パターン４２を損傷させずに銅メ
ッキ時にメッキ密着性が良好になるため、従来に比して
基板の層間回路の導通においてより信頼性があるという
点である。このようにビアホール４５が形成された基板
４０は図２（Ｂ）に示すように、通常の方法で無電解メ
ッキし、上記無電解メッキされた基板を電解銅メッキを
行ってメッキ層４６を形成する。
方式によれば、後述の実施例においても知り得る通り、
ＣＣＬ４１の第１回路パターン４２を損傷させずに銅メ
ッキ時にメッキ密着性が良好になるため、従来に比して
基板の層間回路の導通においてより信頼性があるという
点である。このようにビアホール４５が形成された基板
４０は図２（Ｂ）に示すように、通常の方法で無電解メ
ッキし、上記無電解メッキされた基板を電解銅メッキを
行ってメッキ層４６を形成する。
【００２９】次に、メッキ層４６が形成された基板４０
は図２（Ｃ）に示すように、通常の写真食刻方法により
必要な第２回路パターン４７を形成すれば第２印刷回路
層を有する４層印刷回路基板を得ることができる。
は図２（Ｃ）に示すように、通常の写真食刻方法により
必要な第２回路パターン４７を形成すれば第２印刷回路
層を有する４層印刷回路基板を得ることができる。
【００３０】一方、ＲＣＣが複数個積層されれば４層以
上の多層回路基板を製造することができる。即ち、上記
メッキ層が形成された基板４０に更に一側面にＲＣＣ４
３を積層して加熱、加圧工程から電解銅メッキ工程を繰
返して所定のｎ層印刷回路層を形成すれば複数個のＲＣ
Ｃが積層した４層以上の印刷回路基板を得ることができ
る。図３（Ａ）〜図４（Ｂ）は６層の印刷回路基板を製
造する工程図を示している。図３（Ａ）〜図４（Ｂ）に
おいて示す通り、本発明の場合、既存のＣＯ2レーザー
によるビアホール加工方式とは異なり、第１印刷回路層
に存在する第１回路パターン５２と第３印刷回路層に存
在する第３回路パターン５４を連結するときより便利な
利点を有する。即ち、隣接していない層間のパターンを
連結する本発明においては勿論Ｎｄ−ＹＡＧレーザーを
用いて、まず、少なくとも銅箔に照射されるように成し
た後、照射された気孔部位に更にＣＯ2レーザーを照射
してレジン絶縁物を提起してビアホールを形成する加工
方式は同一に適用される。ここで、本発明によれば隣接
されていないパターンを互いに連結するのにおいて工程
上甚だ大きい利点がある。
上の多層回路基板を製造することができる。即ち、上記
メッキ層が形成された基板４０に更に一側面にＲＣＣ４
３を積層して加熱、加圧工程から電解銅メッキ工程を繰
返して所定のｎ層印刷回路層を形成すれば複数個のＲＣ
Ｃが積層した４層以上の印刷回路基板を得ることができ
る。図３（Ａ）〜図４（Ｂ）は６層の印刷回路基板を製
造する工程図を示している。図３（Ａ）〜図４（Ｂ）に
おいて示す通り、本発明の場合、既存のＣＯ2レーザー
によるビアホール加工方式とは異なり、第１印刷回路層
に存在する第１回路パターン５２と第３印刷回路層に存
在する第３回路パターン５４を連結するときより便利な
利点を有する。即ち、隣接していない層間のパターンを
連結する本発明においては勿論Ｎｄ−ＹＡＧレーザーを
用いて、まず、少なくとも銅箔に照射されるように成し
た後、照射された気孔部位に更にＣＯ2レーザーを照射
してレジン絶縁物を提起してビアホールを形成する加工
方式は同一に適用される。ここで、本発明によれば隣接
されていないパターンを互いに連結するのにおいて工程
上甚だ大きい利点がある。
【００３１】具体的には、隣接していないパターン層間
を連結する場合、先ず図１（Ａ）〜図２（Ｃ）に示すよ
うに製造の４層印刷までビアホール形成を完了後には図
３（Ａ）のように、ＲＣＣ５３に新しいＲＣＣ５８を積
層して、加熱加圧する。そして、図３（Ｂ）において示
す通り、少なくとも銅箔が加工されるようにＮｄ−ＹＡ
Ｇレーザー１を照射する。図３（Ｂ）においてビアホー
ル５５ｂは第３印刷回路層に存在するパターンと第２印
刷回路層の第２回路パターン５２ｂを連結する場合であ
り、ビアホール５９ａを直ちに第１印刷回路層に存在す
る第１回路パターン５２ａと第３印刷回路層の第３回路
パターンを連結する場合である。更に、ビアホール５９
ｃは第１印刷回路層に存在する第１回路パターン５２ｃ
と第２印刷回路層の第２回路層の第２回路パターン５
２’ｃは、勿論、第３印刷回路層に存在する第３回路パ
ターン５４を連結する場合等、多様なる形態に加工され
るビアホール形成方式を示している。上記隣接した第１
−２印刷回路層のパターンの連結は図１（Ａ）〜（Ｃ）
と類似する。しかし、上記隣接していない第１−第３印
刷回路層または少なくとも３個の印刷回路層を連結して
いる第１−２−３印刷回路層のパターン連結方式は先
に、ヤグレーザーにより少なくともＲＣＣ５３の絶縁物
の一部まで除去した後、図４（Ａ）に示すようにＣＯ2
レーザーを照射して第１回路パターンの上部に残ってい
るＲＣＣのレジンを全て除去して連結することが望まし
い。
を連結する場合、先ず図１（Ａ）〜図２（Ｃ）に示すよ
うに製造の４層印刷までビアホール形成を完了後には図
３（Ａ）のように、ＲＣＣ５３に新しいＲＣＣ５８を積
層して、加熱加圧する。そして、図３（Ｂ）において示
す通り、少なくとも銅箔が加工されるようにＮｄ−ＹＡ
Ｇレーザー１を照射する。図３（Ｂ）においてビアホー
ル５５ｂは第３印刷回路層に存在するパターンと第２印
刷回路層の第２回路パターン５２ｂを連結する場合であ
り、ビアホール５９ａを直ちに第１印刷回路層に存在す
る第１回路パターン５２ａと第３印刷回路層の第３回路
パターンを連結する場合である。更に、ビアホール５９
ｃは第１印刷回路層に存在する第１回路パターン５２ｃ
と第２印刷回路層の第２回路層の第２回路パターン５
２’ｃは、勿論、第３印刷回路層に存在する第３回路パ
ターン５４を連結する場合等、多様なる形態に加工され
るビアホール形成方式を示している。上記隣接した第１
−２印刷回路層のパターンの連結は図１（Ａ）〜（Ｃ）
と類似する。しかし、上記隣接していない第１−第３印
刷回路層または少なくとも３個の印刷回路層を連結して
いる第１−２−３印刷回路層のパターン連結方式は先
に、ヤグレーザーにより少なくともＲＣＣ５３の絶縁物
の一部まで除去した後、図４（Ａ）に示すようにＣＯ2
レーザーを照射して第１回路パターンの上部に残ってい
るＲＣＣのレジンを全て除去して連結することが望まし
い。
【００３２】本発明の場合は、図３（Ａ）〜図４（Ｂ）
に示すように、一つの基板内に第１−２印刷回路層を連
結するビアホール５５ｂと第１−３印刷回路層或いは第
１−２−３印刷回路層の各パターンを連結するビアホー
ル５９ａ，５９ｂが同時に存在する場合、ヤグレーザー
で加工する際は先に、第１−２印刷回路層間のパターン
を連結するビアホール５５ｂを加工後、第１−３印刷回
路層、第１−２−３印刷回路層間の各パターンを連結す
るビアホール５９を加工するとか或いはその反対に成す
ことが望ましい。即ち、ヤグレーザーを用いて、第１段
階でビアホールの一部を加工するパターン層間の厚さに
より加工順序を決める必要がある。
に示すように、一つの基板内に第１−２印刷回路層を連
結するビアホール５５ｂと第１−３印刷回路層或いは第
１−２−３印刷回路層の各パターンを連結するビアホー
ル５９ａ，５９ｂが同時に存在する場合、ヤグレーザー
で加工する際は先に、第１−２印刷回路層間のパターン
を連結するビアホール５５ｂを加工後、第１−３印刷回
路層、第１−２−３印刷回路層間の各パターンを連結す
るビアホール５９を加工するとか或いはその反対に成す
ことが望ましい。即ち、ヤグレーザーを用いて、第１段
階でビアホールの一部を加工するパターン層間の厚さに
より加工順序を決める必要がある。
【００３３】第１−３印刷回路層或いは第１−２−３印
刷回路層のパターンを連結するビアホールを加工する
際、第１−２印刷回路層間のパターンを連結するビアホ
ールの場合よりビアホールの大きさが大きくなる。した
がって、Ｎｄ−ＹＡＧレーザーは電力を７５０〜１２０
０ｍＷの範囲とし、Ｎｄ−ＹＡＧレーザーのパルス周波
数は５．５〜８．０ｋＨｚの範囲で行うことがより適合
である。Ｎｄ−ＹＡＧレーザーの作業条件はレーザービ
ームとビーム間の距離を１．５〜４．５μｍ、レーザー
ビームの移動速度を１５〜２５ｍｍ／ｓｅｃ、パス数を
２〜４パス、加工後のホールの大きさに対する補正値を
３０〜５０μｍ、そしてスパイナル内径を３０〜５０μ
ｍ、スパイナル回転数は２〜５回とし、スパイナルピッ
チは１５〜４０μｍに設定するのが望ましい。
刷回路層のパターンを連結するビアホールを加工する
際、第１−２印刷回路層間のパターンを連結するビアホ
ールの場合よりビアホールの大きさが大きくなる。した
がって、Ｎｄ−ＹＡＧレーザーは電力を７５０〜１２０
０ｍＷの範囲とし、Ｎｄ−ＹＡＧレーザーのパルス周波
数は５．５〜８．０ｋＨｚの範囲で行うことがより適合
である。Ｎｄ−ＹＡＧレーザーの作業条件はレーザービ
ームとビーム間の距離を１．５〜４．５μｍ、レーザー
ビームの移動速度を１５〜２５ｍｍ／ｓｅｃ、パス数を
２〜４パス、加工後のホールの大きさに対する補正値を
３０〜５０μｍ、そしてスパイナル内径を３０〜５０μ
ｍ、スパイナル回転数は２〜５回とし、スパイナルピッ
チは１５〜４０μｍに設定するのが望ましい。
【００３４】次に、Ｎｄ−ＹＡＧレーザーを用いて第１
段階として、少なくとも、銅箔層を加工除去後、図４
（Ｂ）に図示の通り、銅箔層が除去された部位にＲＣＣ
のレジン絶縁物をＣＯ2レーザー２により加工してビア
ホール５９を設ける。
段階として、少なくとも、銅箔層を加工除去後、図４
（Ｂ）に図示の通り、銅箔層が除去された部位にＲＣＣ
のレジン絶縁物をＣＯ2レーザー２により加工してビア
ホール５９を設ける。
【００３５】本発明の場合、絶縁物層加工に適合なＣＯ
2レーザーは図１（Ａ）〜図２（Ｃ）の基板製造時と同
一な加工条件範囲にして照射することが望ましい。この
とき、第１−２印刷回路層間のパターンを連結するビア
ホールに比して第１−３印刷回路層或いは第１−２−３
印刷回路層間のパターンビアホールを形成する場合第１
−３回路層或いは第１−２−３印刷回路層間のパターン
連結のためのビアホールの直径がより大きくなる。
2レーザーは図１（Ａ）〜図２（Ｃ）の基板製造時と同
一な加工条件範囲にして照射することが望ましい。この
とき、第１−２印刷回路層間のパターンを連結するビア
ホールに比して第１−３印刷回路層或いは第１−２−３
印刷回路層間のパターンビアホールを形成する場合第１
−３回路層或いは第１−２−３印刷回路層間のパターン
連結のためのビアホールの直径がより大きくなる。
【００３６】このようにビアホールが形成された基板４
０は図４（Ｂ）のように、通常の方法で無電解メッキ
し、上記無電解銅メッキされた基板を電解銅メッキを行
ってメッキ層を形成された後、メッキ層が形成された基
板を通常の写真食刻の方法により必要な第３回路パター
ン５４を形成すれば６層印刷回路基板を得ることができ
る。したがって、上記ＲＣＣを複数個積層して必要なｎ
層印刷回路パターンを形成すれば４層以上の基板を製造
できるのは勿論である。
０は図４（Ｂ）のように、通常の方法で無電解メッキ
し、上記無電解銅メッキされた基板を電解銅メッキを行
ってメッキ層を形成された後、メッキ層が形成された基
板を通常の写真食刻の方法により必要な第３回路パター
ン５４を形成すれば６層印刷回路基板を得ることができ
る。したがって、上記ＲＣＣを複数個積層して必要なｎ
層印刷回路パターンを形成すれば４層以上の基板を製造
できるのは勿論である。
【００３７】以下、本発明を実施例を通じて具体的に説
明するが、本発明の技術思想は下記の実施例に限定され
ないことは勿論である。
明するが、本発明の技術思想は下記の実施例に限定され
ないことは勿論である。
【００３８】（実施例） （発明例１）ＣＣＬ上に通常の写真食刻を通じて印刷回
路パターンを形成し、上記パターンを黒化還元処理した
黒化膜を形成したＣＣＬに転移温度が約１７０℃であ
り、その厚さが４０μｍのＲＣＣを積置し、約２０−３
０ｋｇ／ｃｍ2の圧力と１８０℃以上の温度において４
５分以上加熱加圧した。以後、基板の所定位置にＮｄ−
ＹＡＧレーザーを照射して直径約６０μｍのビアホール
をテーパー形態（ｔａｐｅｒｄ ｔｙｐｅ）のドリル加
工した。その際、ヤグレーザーの作業条件はレーザーパ
ルス周波数を５．５ｋＨｚ、レーザービームとビーム間
の距離を４．１μｍ、レーザービームの移動速度を１
８．８４０ｍｍ／ｓｅｃ、パルス数を１パス、加工後の
ホールの大きさについての補正値を３４．００μｍ、そ
して、スパイナル内径を２４．０μｍ、スパイナル回転
数を２回、ピッチを２３．００μｍ、加工基板を基準と
したレーザービームのフォーカスを０．４ｍｍに設定
し、レーザーの出力は１１５０ｍＷとして加工した。
路パターンを形成し、上記パターンを黒化還元処理した
黒化膜を形成したＣＣＬに転移温度が約１７０℃であ
り、その厚さが４０μｍのＲＣＣを積置し、約２０−３
０ｋｇ／ｃｍ2の圧力と１８０℃以上の温度において４
５分以上加熱加圧した。以後、基板の所定位置にＮｄ−
ＹＡＧレーザーを照射して直径約６０μｍのビアホール
をテーパー形態（ｔａｐｅｒｄ ｔｙｐｅ）のドリル加
工した。その際、ヤグレーザーの作業条件はレーザーパ
ルス周波数を５．５ｋＨｚ、レーザービームとビーム間
の距離を４．１μｍ、レーザービームの移動速度を１
８．８４０ｍｍ／ｓｅｃ、パルス数を１パス、加工後の
ホールの大きさについての補正値を３４．００μｍ、そ
して、スパイナル内径を２４．０μｍ、スパイナル回転
数を２回、ピッチを２３．００μｍ、加工基板を基準と
したレーザービームのフォーカスを０．４ｍｍに設定
し、レーザーの出力は１１５０ｍＷとして加工した。
【００３９】次に、ヤグレーザーでビアホールが形成さ
れた基板上に更にＣＯ2レーザーによりレジン絶縁物層
を加工した。この際ＣＯ2レーザー加工はレーザーの条
件はパルス周期を０．５ｍｓｅｃ、パルスの幅を２〜３
μｓｅｃおよびパルス３回の範囲内において組み合わせ
て行った。
れた基板上に更にＣＯ2レーザーによりレジン絶縁物層
を加工した。この際ＣＯ2レーザー加工はレーザーの条
件はパルス周期を０．５ｍｓｅｃ、パルスの幅を２〜３
μｓｅｃおよびパルス３回の範囲内において組み合わせ
て行った。
【００４０】このように、銅箔層と絶縁物層とを別途に
レーザー加工してビアホールが形成の基板は無電解銅メ
ッキを行った後、電解Ｃｕメッキを行い約１５μｍの厚
さのメッキ層を形成した。メッキ層が形成された基板に
感光性乾式フィルム（ｉｍａｇｂｌｅ ｄｒｙ ｆｉｌ
ｍ）を塗布し、露光、現像、エッチングおよび乾式フィ
ルム剥離作業を通じて回路パターンを形成させた。更に
上記のような過程を繰り返してビアホールを形成させ、
無電解銅メッキパターンメッキを行って約２５μｍの厚
さのＣｕメッキ層と、約１０μｍの厚さのＳｎ／Ｐｂメ
ッキでエッチングレジストを形成した。そして、乾式フ
ィルム剥離およびエッチングにより不必要な銅箔を除去
し、Ｓｎ／Ｐｂを剥離して外層と内層とを連結させる回
路を形成した。このように形成した基板に対してビアホ
ールの断面写真を撮影し、その結果を図５に示した。図
５に示したように、本発明によればＣＣＬのパターンは
損傷されずビアホール内のメッキ層の形成が円滑で層間
導通には問題が無いことが判る。
レーザー加工してビアホールが形成の基板は無電解銅メ
ッキを行った後、電解Ｃｕメッキを行い約１５μｍの厚
さのメッキ層を形成した。メッキ層が形成された基板に
感光性乾式フィルム（ｉｍａｇｂｌｅ ｄｒｙ ｆｉｌ
ｍ）を塗布し、露光、現像、エッチングおよび乾式フィ
ルム剥離作業を通じて回路パターンを形成させた。更に
上記のような過程を繰り返してビアホールを形成させ、
無電解銅メッキパターンメッキを行って約２５μｍの厚
さのＣｕメッキ層と、約１０μｍの厚さのＳｎ／Ｐｂメ
ッキでエッチングレジストを形成した。そして、乾式フ
ィルム剥離およびエッチングにより不必要な銅箔を除去
し、Ｓｎ／Ｐｂを剥離して外層と内層とを連結させる回
路を形成した。このように形成した基板に対してビアホ
ールの断面写真を撮影し、その結果を図５に示した。図
５に示したように、本発明によればＣＣＬのパターンは
損傷されずビアホール内のメッキ層の形成が円滑で層間
導通には問題が無いことが判る。
【００４１】（従来例１）基板の所定位置にＮｄ−ＹＡ
Ｇレーザーのみでビアホールを形成したことを除いては
上記実施例と同一な方法で４層印刷回路基板を製造し
た。この際、レーザーの作業条件はレーザーパルス周波
数を５．５５５ｋＨｚ、レーザービームとビーム間との
距離を４．１４μｍ、レーザービームの移動速度を２
３．００ｍｍ／ｓｅｃ、パルス数を１パス、加工後のホ
ールの大きさについての補正値を３０μｍ、そしてスパ
イナルＩＤを３５μｍ、スパイナル回転数を３回および
ピッチを１４．１７μｍとし、レーザーの出力は１１８
０ｍＷにしてスパイナル方式により加工した後、レーザ
ーパルス周波数を７．１４２ｋＨｚ、レーザービームと
ビームとの間の距離を７．２８μｍ、レーザービームの
移動速度を５２．００μｍ、パス数を１パス、加工後の
ホールの大きさについては補正値を７５μｍ、レーザー
の出力は同一にトレパン方式で加工した。
Ｇレーザーのみでビアホールを形成したことを除いては
上記実施例と同一な方法で４層印刷回路基板を製造し
た。この際、レーザーの作業条件はレーザーパルス周波
数を５．５５５ｋＨｚ、レーザービームとビーム間との
距離を４．１４μｍ、レーザービームの移動速度を２
３．００ｍｍ／ｓｅｃ、パルス数を１パス、加工後のホ
ールの大きさについての補正値を３０μｍ、そしてスパ
イナルＩＤを３５μｍ、スパイナル回転数を３回および
ピッチを１４．１７μｍとし、レーザーの出力は１１８
０ｍＷにしてスパイナル方式により加工した後、レーザ
ーパルス周波数を７．１４２ｋＨｚ、レーザービームと
ビームとの間の距離を７．２８μｍ、レーザービームの
移動速度を５２．００μｍ、パス数を１パス、加工後の
ホールの大きさについては補正値を７５μｍ、レーザー
の出力は同一にトレパン方式で加工した。
【００４２】このようにＮｄ−ＹＡＧレーザーのみで２
段階に亘ってビアホール加工を行った基板に対してビア
ホールの断面写真を撮影し、その結果を図６に示した。
図６に示したように、Ｎｄ−ＹＡＧレーザーのみでビア
ホールを形成した場合ＣＣＬのパターンは両末端（ｅｎ
ｄ−ｐｏｉｎｔ）において損傷して信頼性に問題が生じ
得ることを知ることができた。
段階に亘ってビアホール加工を行った基板に対してビア
ホールの断面写真を撮影し、その結果を図６に示した。
図６に示したように、Ｎｄ−ＹＡＧレーザーのみでビア
ホールを形成した場合ＣＣＬのパターンは両末端（ｅｎ
ｄ−ｐｏｉｎｔ）において損傷して信頼性に問題が生じ
得ることを知ることができた。
【００４３】（従来例２）ＣＣＬにガラス繊維基材のプ
レプレグと銅箔３３ａを積層して、加圧、加熱してプレ
プレグを硬化させた後、パターンの位置に相当する銅箔
をエッチングにより除去後、ＣＯ2レーザーを利用して
プレプレグ硬化層にビアホールを形成したことを除いて
は上記発明例１と同一な方法で４層印刷回路基板を製造
した。このようにエッチングとＣＯ2レーザー加工によ
りビアホール加工を行った基板についてビアホールの断
面写真を撮影し、その結果を図７に示した。図７に示し
たように、エッチングとＣＯ2レーザー加工によりビア
ホールを形成した場合、エッチングにより銅箔が不整合
することによりＣＯ2レーザー照射後にはビアホールが
一側に相当偏心され、信頼性に問題となる。
レプレグと銅箔３３ａを積層して、加圧、加熱してプレ
プレグを硬化させた後、パターンの位置に相当する銅箔
をエッチングにより除去後、ＣＯ2レーザーを利用して
プレプレグ硬化層にビアホールを形成したことを除いて
は上記発明例１と同一な方法で４層印刷回路基板を製造
した。このようにエッチングとＣＯ2レーザー加工によ
りビアホール加工を行った基板についてビアホールの断
面写真を撮影し、その結果を図７に示した。図７に示し
たように、エッチングとＣＯ2レーザー加工によりビア
ホールを形成した場合、エッチングにより銅箔が不整合
することによりＣＯ2レーザー照射後にはビアホールが
一側に相当偏心され、信頼性に問題となる。
【００４４】（発明例２）ＲＣＣを２枚積層して加熱し
た基板の所定位置にＮｄ−ＹＡＧレーザーを照射し、第
１−２−３印刷回路層間の回路パターンが連結したビア
ホールを形成したことを取除いては発明例１と類似する
方式で６層印刷回路基板を製造した。この際、ヤグレー
ザーの作業条件はレーザーパルス周波数を６．６６６ｋ
Ｈｚ、レーザービームとビームの間の距離を３．３８μ
ｍ、レーザービームの移動速度を２２．５０ｍｍ／ｓｅ
ｃ、パス数を２パス、加工後のホールの大きさに対する
を補正値を４０μｍ、そしてスパイナル内径を３８μ
ｍ、スパイナル回転数を４回およびピッチを１８．３８
μｍに設定し、レーザーの出力は１１８０ｍＷにして加
工した。
た基板の所定位置にＮｄ−ＹＡＧレーザーを照射し、第
１−２−３印刷回路層間の回路パターンが連結したビア
ホールを形成したことを取除いては発明例１と類似する
方式で６層印刷回路基板を製造した。この際、ヤグレー
ザーの作業条件はレーザーパルス周波数を６．６６６ｋ
Ｈｚ、レーザービームとビームの間の距離を３．３８μ
ｍ、レーザービームの移動速度を２２．５０ｍｍ／ｓｅ
ｃ、パス数を２パス、加工後のホールの大きさに対する
を補正値を４０μｍ、そしてスパイナル内径を３８μ
ｍ、スパイナル回転数を４回およびピッチを１８．３８
μｍに設定し、レーザーの出力は１１８０ｍＷにして加
工した。
【００４５】その後、ヤグレーザーでビアホールが形成
の基板上に更にＣＯ2レーザーによりレジン絶縁物質を
加工した。この際、ＣＯ2レーザー加工のレーザーの条
件はパルス周期を０．５ｍｓｅｃ、パルスの幅を２〜３
μｓｅｃおよびパルス数を３回の範囲内において組み合
わせてエネルギーを０．７〜２ｍＪの範囲で実施した。
このように形成した基板に対してビアホールの断面写真
を撮影し、その結果を図８に示した。ビアホールは図８
のように、その直径が２００μｍのテーパー形態であっ
た。したがって、本発明によればＣＣＬのパターンは損
傷されずビアホール内のメッキ層の形成が円滑に第１−
２−３印刷回路層間の導通には問題がないということが
判った。
の基板上に更にＣＯ2レーザーによりレジン絶縁物質を
加工した。この際、ＣＯ2レーザー加工のレーザーの条
件はパルス周期を０．５ｍｓｅｃ、パルスの幅を２〜３
μｓｅｃおよびパルス数を３回の範囲内において組み合
わせてエネルギーを０．７〜２ｍＪの範囲で実施した。
このように形成した基板に対してビアホールの断面写真
を撮影し、その結果を図８に示した。ビアホールは図８
のように、その直径が２００μｍのテーパー形態であっ
た。したがって、本発明によればＣＣＬのパターンは損
傷されずビアホール内のメッキ層の形成が円滑に第１−
２−３印刷回路層間の導通には問題がないということが
判った。
【００４６】
【発明の効果】上述のように、本発明は銅箔層と絶縁層
とのホール加工を異にした混合加工方式により基板のビ
アホールを形成することによって基板内のビアホールの
精度が向上されて回路の信頼性が高いのみならず、基板
ホール加工効率が向上され、殊に露光エッチング等によ
る工程数を大いに減少させながらも環境汚染を防ぐこと
のできる付随的な効果がある。
とのホール加工を異にした混合加工方式により基板のビ
アホールを形成することによって基板内のビアホールの
精度が向上されて回路の信頼性が高いのみならず、基板
ホール加工効率が向上され、殊に露光エッチング等によ
る工程数を大いに減少させながらも環境汚染を防ぐこと
のできる付随的な効果がある。
【図１】本発明による４層印刷回路基板の製造工程図で
ある。
ある。
【図２】本発明による４層印刷回路基板の製造工程図で
ある。
ある。
【図３】本発明による６層印刷回路基板の製造工程図で
ある。
ある。
【図４】本発明による６層印刷回路基板の製造工程図で
ある。
ある。
【図５】本発明により製造の基板のビアホールの断面構
造を示す写真である。
造を示す写真である。
【図６】従来の方法により製造の基板のビアホールの断
面構造を示す写真である。
面構造を示す写真である。
【図７】他の従来の方法により製造の基板のビアホール
の断面構造を示す写真である。
の断面構造を示す写真である。
【図８】本発明により製造の他の基板のビアホールの断
面構造を示す写真である。
面構造を示す写真である。
【図９】一般的な多層印刷回路基板の断面斜視図であ
る。
る。
【図１０】従来の方法による多層印刷回路基板の製造工
程図である。
程図である。
【図１１】図１０の製造過程において不良なビアホール
が生ずる過程を説明するための基板の断面構成図であ
る。
が生ずる過程を説明するための基板の断面構成図であ
る。
【図１２】図１０の製造過程において他の形態の不良な
ビアホールが生ずる過程を説明するための基板の断面構
成図である。
ビアホールが生ずる過程を説明するための基板の断面構
成図である。
【図１３】他の従来の方法による多層印刷回路基板の製
造工程図である。
造工程図である。
【図１４】他の従来の方法による多層印刷回路基板の製
造工程図である。
造工程図である。
【図１５】図１３および図１４の製造過程において不良
なビアホールを生ずる過程を説明するための基板の断面
構成図である。
なビアホールを生ずる過程を説明するための基板の断面
構成図である。
１ ヤグレーザー ２ ＣＯ2レーザー ４０ 基板 ４１ ＣＣＬ ４２ 回路パターン ４３ ＲＣＣ ４５ ビアホール ４６ メッキ層
Claims (36)
- 【請求項１】 回路パターンが形成された銅箔積層板
（ＣＣＬ）に絶縁層を積層し、上記絶縁層上に更に回路
パターンを形成する工程を繰返して得られるビルドアッ
プ多層印刷回路基板の製造方法において、 第１回路パターンを有する第１印刷回路層が形成された
銅箔積層版にレジン絶縁物が付着された銅箔（ＲＣＣ）
を積層して、加熱、加圧する段階と、 上記加熱、加圧された上記銅箔積層版にレジン絶縁物が
付着された銅箔に層間接続のためのビアホールを形成す
る段階と、 上記ビアホールが形成された基板にメッキを行い電気的
に導通するメッキ層を形成して層間を電気的に接続する
段階と、 上記メッキした基板に所定の第２回路パターンを有すべ
く第２印刷回路層を形成する段階と、 上記第２印刷回路層が形成された基板上に保護層を形成
する段階とを含み、 上記第１印刷回路層にある第１回路パターンと第２印刷
回路層にある第２回路パターンとを接続するビアホール
にＮｄ−ＹＡＧレーザーを照射して最小限の上記銅箔積
層版にレジン絶縁物が付着された銅箔を除去後、上記銅
箔が除去された位置にＣＯ2レーザーを照射して上記第
１回路パターン上部に残っている上記銅箔積層版にレジ
ン絶縁物が付着された銅箔のレジンを全て除去して形成
することを特徴とするビルドアップ多層印刷回路基板の
製造方法。 - 【請求項２】 上記レジン絶縁物付着銅箔はエポキシ系
レジンがコーティングされた銅箔（ｒｅｓｉｎ−ｃｏａ
ｔｅｄ−ｃｏｐｐｅｒ−ｆｏｉｌ；ＲＣＣ）であること
を特徴とする請求項１記載のビルドアップ多層印刷回路
基板の製造方法。 - 【請求項３】 上記レジン絶縁物は転移温度（Ｔｇ）が
１１５℃以上になることを特徴とする請求項１記載のビ
ルドアップ多層印刷回路基板の製造方法。 - 【請求項４】 上記レジン絶縁物はその層の厚さが２０
０μｍ以下になることを特徴とするビルドアップ多層印
刷回路基板の製造方法。 - 【請求項５】 上記Ｎｄ−ＹＡＧレーザー加工条件はレ
ーザー出力を２００〜１３００ｍＷの範囲とし、更にパ
ルス周波数（ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ ｒａｔｅ）を１〜
２０ｋＨｚの範囲に行うことを特徴とするビルドアップ
多層印刷回路基板の製造方法。 - 【請求項６】 上記Ｎｄ−ＹＡＧレーザー加工条件はレ
ーザービームとビームの間（ｂｉｔｅ ｓｉｚｅ）を１
〜１０μｍ、レーザービームの移動速度を１〜５０ｍｍ
／ｓｅｃ、パス数（ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ ｐａｓｓｅ
ｓ）を１〜１０パス、加工後のホールの大きさについて
の補正値（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｓｐｏｔ ｓｉｚｅ）
を０〜４０μｍ、そしてスパイナル内径を１〜１００μ
ｍ、スパイナル回転数を１〜１０回およびピッチを４０
μｍ以下の範囲に設定することを特徴とする請求項５記
載のビルドアップ多層印刷回路基板の製造方法。 - 【請求項７】 上記ＣＯ2レーザーの加工条件はパルス
周期を０．１〜１００ｍｓｅｃ、パルス幅を１〜１００
μｓｅｃ、パルス数を１〜１０回およびエネルギーを
０．７〜２ｍＪの範囲として行うことを特徴とする請求
項１記載のビルドアップ多層印刷回路基板の製造方法。 - 【請求項８】 上記ビアホールの直径は２５〜２００μ
ｍの範囲になることを特徴とする請求項１記載のビルド
アップ多層印刷回路基板の製造方法。 - 【請求項９】 回路パターンが形成されて銅箔積層版
（ＣＣＬ）に絶縁層を積層し、上記絶縁層上に更に回路
パターンを形成する工程を繰返して得られるビルドアッ
プ多層印刷回路基板の製造方法において、 第１回路パターンを有する第１印刷回路層が形成された
銅箔積層版にレジン絶縁物が付着された銅箔（ＲＣＣ）
を積層して、加熱、加圧する段階と、 上記加熱、加圧された上記銅箔積層版にレジン絶縁物が
付着された銅箔に層間接続のためのビアホールを形成す
る段階と、 上記ビアホールが形成された基板にメッキを行い電気的
に導通するメッキ層を形成して層間を電気的に接続する
段階と、 上記メッキした基板に所定の第２回路パターンを有すべ
く第２印刷回路層を形成する段階と、 上記第２印刷回路層が形成された基板に更に上記銅箔積
層版にレジン絶縁物が付着された銅箔を積層して、加
熱、加圧した後、層間接続のためのビアホールを形成
し、その上にメッキ層を形成後、第３回路パターンを有
すべく第３印刷回路層を形成する段階と、 上記第３印刷回路層が形成された基板上に保護層を形成
する段階とを含み、 上記第２印刷回路層にある第２回路パターンと第３印刷
回路層にある第３回路パターンとを接続するビアホール
は所定の位置にＮｄ−ＹＡＧレーザーを照射して最小限
の上記銅箔積層版にレジン絶縁物が付着された銅箔を全
て除去後、上記銅箔が除去された位置にＣＯ2レーザー
を照射して第２回路パターン上部に残っている上記銅箔
積層版にレジン絶縁物が付着された銅箔のレジンを全て
除去して形成し、 上記第１印刷回路層にある第１回路パターンと第３印刷
回路層にある第３回路パターンとを接続するビアホール
は所定の位置にＮｄ−ＹＡＧレーザーを照射して最小限
の第２回路パターンまで全て除去後、上記回路パターン
が除去された位置にＣＯ2レーザーを照射して第１回路
パターン上部に残っている上記銅箔積層版にレジン絶縁
物が付着された銅箔のレジンを全て除去して形成するこ
とを特徴とするビルドアップ多層印刷回路基板の製造方
法。 - 【請求項１０】 上記レジン絶縁物付着の銅箔はエポキ
シ系レジンがコーティングされた銅箔（ｒｅｓｉｎ−ｃ
ｏａｔｅｄ−ｃｏｐｐｅｒ−ｆｏｉｌ；ＲＣＣ）である
ことを特徴とする請求項９記載のビルドアップ多層印刷
回路基板の製造方法。 - 【請求項１１】 上記レジン絶縁物は転移温度（Ｔｇ）
が１１５℃以上になることを特徴とする請求項９記載の
ビルドアップ多層印刷回路基板の製造方法。 - 【請求項１２】 上記レジン絶縁物はその層の厚さが２
００μｍ以下になることを特徴とする請求項９記載のビ
ルドアップ多層印刷回路基板の製造方法。 - 【請求項１３】 上記第１印刷回路層にある第１回路パ
ターンと第２印刷回路層にある第２回路パターンとを接
続するビアホール形成のためのＮｄ−ＹＡＧレーザー加
工条件はレーザー出力を２００〜１３００ｍＷの範囲と
し、更にパルス周波数（ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ ｒａｔ
ｅ）を１〜２０ｋＨｚの範囲に行うことを特徴とする請
求項９記載のビルドアップ多層印刷回路基板の製造方
法。 - 【請求項１４】 上記Ｎｄ−ＹＡＧレーザー加工条件は
レーザービームとビームとの間の距離（ｂｉｔｅ ｓｉ
ｚｅ）を１〜１０μｍ、レーザービームの移動速度を１
〜５０ｍｍ／ｓｅｃ、パス数（ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ ｐ
ａｓｓｅｓ）を１〜１０パス、加工後のホールの大きさ
についての補正値（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｓｐｏｔ ｓ
ｉｚｅ）を０〜４０μｍ、そしてスパイナル内径を１〜
１００μｍ、スパイナル回転数を１〜１０回およびピッ
チを４０μｍ以下の範囲に設定することを特徴とする請
求項１３記載のビルドアップ多層印刷回路基板の製造方
法。 - 【請求項１５】 上記第１印刷回路層にある第１回路パ
ターンと第２印刷回路層にある第２回路パターンとを接
続するビアホール形成のためのＣＯ2レーザーの加工条
件はパルス周期を０．１〜１００ｍｓｅｃ、パルス幅を
１〜１００μｓｅｃ、パルス数を１〜１０回およびエネ
ルギーを０．７〜２ｍＪの範囲として行うことを特徴と
する請求項９記載のビルドアップ多層印刷回路基板の製
造方法。 - 【請求項１６】 上記第１印刷回路層にある第１回路パ
ターンと第２印刷回路層にある第２回路パターンとを接
続するビアホールはその直径が２５〜２００μｍの範囲
になることを特徴とする請求項９記載のビルドアップ多
層印刷回路基板の製造方法。 - 【請求項１７】 上記第１印刷回路層にある第１回路パ
ターンと第３印刷回路層にある第３回路パターンとを接
続するビアホール形成のためのＮｄ−ＴＡＧレーザー加
工条件はレーザー出力を７５０〜１２００ｍＷの範囲と
し、更にパルス周波数（ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ ｒａｔ
ｅ）を５．５〜８．０ｋＨｚの範囲に行うことを特徴と
する請求項９記載のビルドアップ多層印刷回路基板の製
造方法。 - 【請求項１８】 上記Ｎｄ−ＹＡＧレーザー加工条件は
レーザービームとビームとの間の距離（ｂｉｔｅ ｓｉ
ｚｅ）を１．５〜４．５μｍ、レーザービームの移動速
度を１５〜２４ｍｍ／ｓｅｃ、パス数（ｎｕｍｂｅｒ
ｏｆ ｐａｓｓｅｓ）を２〜４パス、加工後のホールの
大きさについての補正値（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｓｐｏ
ｔ ｓｉｚｅ）を３０〜５０μｍ、そしてスパイナル内
径を３０〜５０μｍ、スパイナル回転数を２〜５回およ
びピッチを１５〜４０μｍの範囲に設定することを特徴
とする請求項１７記載のビルドアップ多層印刷回路基板
の製造方法。 - 【請求項１９】 上記第１印刷回路層にある第１パター
ンと第３印刷回路層にある第３回路パターンとを接続す
るビアホール形成のためのＣＯ2レーザーのパルス周期
を０．１〜１００ｍｓｅｃ、パルス幅を１〜１００μｓ
ｅｃ、パルス数を１〜１０回およびエネルギーを０．７
〜２ｍＪの範囲にして行うことを特徴とする請求項９記
載のビルドアップ多層印刷回路基板の製造方法。 - 【請求項２０】 上記第１印刷回路層にある第１回路パ
ターンと第３印刷回路層にある第３回路パターンとを接
続するビアホールは当該ビアホールの直径が２５〜２０
０μｍの範囲になることを特徴とする請求項９記載のビ
ルドアップ多層印刷回路基板の製造方法。 - 【請求項２１】 回路パターンが形成された銅箔積層版
（ＣＣＬ）に絶縁層を積層し、上記絶縁層上に更に回路
パターンを形成する工程を繰返して得られるビルドアッ
プ多層印刷回路基板の製造方法において、 第１回路パターンを有する第１印刷回路層が形成された
銅箔積層版にレジン絶縁物が付着された銅箔（ＲＣＣ）
を積層して、加熱、加圧する段階と、 上記加熱、加圧された上記銅箔積層版にレジン絶縁物が
付着された銅箔に層間の接続のためのビアホールを形成
する段階と、 上記ビアホールが形成された基板にメッキを行い電気的
に導通するメッキ層を形成して層間を電気的に接続する
段階と、 上記メッキされた基板に所定の第２回路パターンを有す
べく第２印刷回路層を形成する段階と、 上記第２印刷回路層が形成された基板に更に上記銅箔積
層版にレジン絶縁物が付着された銅箔を積層して、加
熱、加圧した後、層間接続のためのビアホールを形成
し、その上にメッキ層を形成した後、第３回路パターン
を有する第３印刷回路層を形成する段階と、 上記各印刷回路層の形成過程を繰返して必要なだけ第ｎ
回路パターンを有する第ｎ印刷回路層を形成する段階
と、 上記第ｎ印刷回路層が形成された基板上に保護層を形成
する段階とを含み、 少なくとも二個以上の印刷回路層の回路パターンを連結
する層間接続ビアホールは所定の位置にＮｄ−ＹＡＧレ
ーザーを照射して最小限に接続しようとする最上位の印
刷回路層にある回路パターンから最下位の印刷回路層に
隣接して位置する回路パターンまで全て除去後、上記回
路パターンが除去された位置にＣＯ2レーザーを照射し
て最下位の回路パターンの上部に残っている上記銅箔積
層版にレジン絶縁物が付着された銅箔のレジンを全て除
去して形成することを特徴とするビルドアップ多層印刷
回路基板の製造方法。 - 【請求項２２】 上記レジン絶縁物付着の銅箔はエポキ
シ系レジンがコーティングされた銅箔（ｒｅｓｉｎ−ｃ
ｏａｔｅｄ−ｆｏｉｌ；ＲＣＣ）であることを特徴とす
る請求項２１記載のビルドアップ多層印刷回路基板の製
造方法。 - 【請求項２３】 上記レジン絶縁物は転移温度（Ｔｇ）
が１１５℃以上になることを特徴とする請求項２１記載
のビルドアップ多層印刷回路基板の製造方法。 - 【請求項２４】 上記レジン絶縁物はその層の厚さが２
００μｍ以下になることを特徴とする請求項２１記載の
ビルドアップ多層印刷回路基板の製造方法。 - 【請求項２５】 上記層間接続のためのビアホールは隣
接する印刷回路層間に形成され、そのビアホール形成の
ためのＮｄ−ＹＡＧレーザー加工条件はレーザー出力を
２００〜１３００ｍＷの範囲とし、更にパルス周波数
（ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ ｒａｔｅ）を１〜２０ｋＨｚ
の範囲に行うことを特徴とする請求項２１記載のビルド
アップ多層印刷回路基板の製造方法。 - 【請求項２６】 上記Ｎｄ−ＹＡＧレーザー加工条件は
レーザービームとビームとの間の距離（ｂｉｔｅ ｓｉ
ｚｅ）を１〜１０μｍ、レーザービームの移動速度を１
〜５０ｍｍ／ｓｅｃ、パス数（ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ ｐ
ａｓｓｅｓ）を１〜１０パス、加工後のホールの大きさ
に対する補正値（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅｓｐｏｔ ｓｉｚ
ｅ）を０〜４０μｍ、そしてスパイナル内径を１〜１０
０μｍ、スパイナル回転数を１〜１０回およびピッチを
４０μｍ以下の範囲に設定することを特徴とする請求項
２５記載のビルドアップ多層印刷回路基板の製造方法。 - 【請求項２７】 上記層間の接続のためのビアホールは
隣接する印刷回路層間に形成され、そのビアホールの形
成のためのＣＯ2レーザーの加工条件はパルス周期を
０．１〜１００ｍｓｅｃ、パルス幅を１〜１００μｓｅ
ｃ、パルス数を１〜１０回およびエネルギーを０．７〜
２ｍＪの範囲として行うことを特徴とする請求項２１記
載のビルドアップ多層印刷回路基板の製造方法。 - 【請求項２８】 上記層間の接続のためのビアホールは
隣接する印刷回路層間に形成され、そのビアホールはそ
の直径が２５〜２００μｍの範囲になることを特徴とす
る請求項２１記載のビルドアップ多層印刷回路基板の製
造方法。 - 【請求項２９】 上記層間の接続のためのビアホールは
隣接しない印刷回路層間に形成され、当該ビアホール形
成のためのＮｄ−ＴＡＧレーザー加工条件はレーザー出
力を７５０〜１２００ｍＷの範囲とし、更にパルス周波
数（ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ ｒａｔｅ）を５．５〜８．
０ｋＨｚの範囲に行うことを特徴とする請求項２１記載
のビルドアップ多層印刷回路基板の製造方法。 - 【請求項３０】 上記Ｎｄ−ＹＡＧレーザー加工条件は
レーザービームとビームとの間の距離（ｂｉｔｅ ｓｉ
ｚｅ）を１．５〜４．５μｍ、レーザービームの移動速
度を１５〜２４ｍｍ／ｓｅｃ、パス数（ｎｕｍｂｅｒ
ｏｆ ｐａｓｓｅｓ）を２〜４パス、加工後のホールの
大きさについての補正値（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｓｐｏ
ｔ ｓｉｚｅ）を３０〜５０μｍ、そしてスパイナル内
径を３０〜５０μｍ、スパイナル回転数を２〜５回およ
びピッチを１５〜４０μｍの範囲に設定することを特徴
とする請求項２９記載のビルドアップ多層印刷回路基板
の製造方法。 - 【請求項３１】 上記層間の接続のためのビアホールは
隣接しない印刷回路層間に形成され、当該ビアホールの
形成のためのＣＯ2レーザーの加工条件はパルス周期を
０．１〜１００ｍｓｅｃ、パルス幅を１〜１００μｓｅ
ｃ、パルス数を１〜１０回およびエネルギーを０．７〜
２ｍＪの範囲にして行うことを特徴とする請求項２１記
載の多層印刷回路基板製造方法。 - 【請求項３２】 上記層間の接続のためのビアホールは
隣接しない印刷回路層間に形成され、当該ビアホールは
その直径が２５〜２５０μｍの範囲になることを特徴と
する請求項２１記載のビルドアップ多層印刷回路基板の
製造方法。 - 【請求項３３】 上記層間の接続のためのビアホールは
少なくとも３個の層を同時に接続すべく形成され、当該
ビアホールの形成のためのＮｄ−ＹＡＧレーザーの加工
条件はレーザーの出力を７５０〜１２００ｍＷの範囲と
し、更にパルス周波数（ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ ｒａｔ
ｅ）を５．５〜８．０ｋＨｚの範囲に行うことを特徴と
する請求項２１記載のビルドアップ多層印刷回路基板の
製造方法。 - 【請求項３４】 Ｎｄ−ＹＡＧレーザー加工条件はレー
ザービームとビームとの間の距離（ｂｉｔｅ ｓｉｚ
ｅ）を１．５〜４．５μｍ、レーザービームの移動速度
を１５〜２４ｍｍ／ｓｅｃ、パス数（ｎｕｍｂｅｒ ｏ
ｆ ｐａｓｓｅｓ）を２〜４パス、加工後のホールの大
きさについての補正値（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｓｐｏｔ
ｓｉｚｅ）を３０〜５０μｍ、そしてスパイナル内径
を３０〜５０μｍ、スパイナル回転数を２〜５回および
ピッチを１５〜４０μｍの範囲に設定することを特徴と
する請求項３３記載のビルドアップ多層印刷回路基板の
製造方法。 - 【請求項３５】 上記層間の接続のためのビアホールは
少なくとも３個の印刷回路層を同時に接続すべく形成さ
れ、当該ビアホールの形成のためのＣＯ2レーザーの加
工条件はパルス周期を０．１〜１００ｍｓｅｃ、パルス
幅を１〜１００μｓｅｃ、パルス数を１〜１０回および
エネルギーを０．７〜２ｍＪの範囲にして行うことを特
徴とする請求項２１記載のビルドアップ多層印刷回路基
板の製造方法。 - 【請求項３６】 上記層間の接続のためのビアホールは
隣接しない印刷回路層間に形成され、当該ビアホールは
当該ビアホールの直径が２５〜２００μｍの範囲になる
ことを特徴とする請求項３３記載のビルドアップ多層印
刷回路基板の製造方法。
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