JPH0371448A - 記録媒体 - Google Patents
記録媒体Info
- Publication number
- JPH0371448A JPH0371448A JP20576489A JP20576489A JPH0371448A JP H0371448 A JPH0371448 A JP H0371448A JP 20576489 A JP20576489 A JP 20576489A JP 20576489 A JP20576489 A JP 20576489A JP H0371448 A JPH0371448 A JP H0371448A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- film
- monomolecular
- compound
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、トンネル電流を導電性プローブにより検出す
る記録再生装置における記録媒体に関する。
る記録再生装置における記録媒体に関する。
［従来の技術］
近年、メモリー素子の用途はコンピュータ及びその関連
機器、ビデオディスク、ディジタルオーディオディスク
等のエレクトロニクス産業の中核をなすものであり、そ
の開発も活発に進んでいる。かかるメモリー素子に要求
される性能は、船釣には ｌ）メモリー容量が大きい ２）記録再生の応答速度が速い ３ エラーレートが低い ４ 消費電力が少ない ５ 生産性が高く、価格が安い 等が挙げられる。
機器、ビデオディスク、ディジタルオーディオディスク
等のエレクトロニクス産業の中核をなすものであり、そ
の開発も活発に進んでいる。かかるメモリー素子に要求
される性能は、船釣には ｌ）メモリー容量が大きい ２）記録再生の応答速度が速い ３ エラーレートが低い ４ 消費電力が少ない ５ 生産性が高く、価格が安い 等が挙げられる。
従来は磁気メモリー、半導体メモリーが主流であったが
、近年レーザー技術の進展に伴い、安価で高密度な記録
媒体を用いた光メモリー素子などが登場してきた。
、近年レーザー技術の進展に伴い、安価で高密度な記録
媒体を用いた光メモリー素子などが登場してきた。
一方、最近導体の表面原子の電子構造を直接観測できる
走査型トンネル顕微鏡（以後ＳＴＭと略す）が開発され
、（Ｇ、Ｂ１ｎｎ１ｇ ｅｔ ａｌ、、Ｈｅ１ｖｅｔｉ
ｃａＰｈｙｓｉｅａ Ａｃｔａ、５５，７２６（１９８
２）、）単結晶、非結晶を問わず実空間像の高い分解能
の測定ができるようになり、しかも媒体に電流による損
傷を与えずに低電力で観測できる利点をも有し、更に大
気中でも動作させることが可能であるため広範囲な応用
が期待されている。
走査型トンネル顕微鏡（以後ＳＴＭと略す）が開発され
、（Ｇ、Ｂ１ｎｎ１ｇ ｅｔ ａｌ、、Ｈｅ１ｖｅｔｉ
ｃａＰｈｙｓｉｅａ Ａｃｔａ、５５，７２６（１９８
２）、）単結晶、非結晶を問わず実空間像の高い分解能
の測定ができるようになり、しかも媒体に電流による損
傷を与えずに低電力で観測できる利点をも有し、更に大
気中でも動作させることが可能であるため広範囲な応用
が期待されている。
ＳＴＭは金属の深針と導電性物質の間に電圧を加えて１
ｎｍ程度の距離まで近づけるとトンネル電流が流れる
ことを利用している。この電流は両者の距離変化に非常
に敏感であり、トンネル電流を一定に保つように深針を
走査することにより実空間の表面構造を描くことができ
る。ＳＴＭを用いた解析は導電性材料に限られるが、導
電性材料の表面に薄く形成された絶縁膜の構造解析にも
応用され始めており、個々の有機分子の状態の違いを利
用した高密度記録としての応用も考えられ始めている（
特開昭６３−１６１５５２等）。
ｎｍ程度の距離まで近づけるとトンネル電流が流れる
ことを利用している。この電流は両者の距離変化に非常
に敏感であり、トンネル電流を一定に保つように深針を
走査することにより実空間の表面構造を描くことができ
る。ＳＴＭを用いた解析は導電性材料に限られるが、導
電性材料の表面に薄く形成された絶縁膜の構造解析にも
応用され始めており、個々の有機分子の状態の違いを利
用した高密度記録としての応用も考えられ始めている（
特開昭６３−１６１５５２等）。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記従来例において記録層として比抵抗
が約１０１８〜１０１７Ωｃｍ程度の絶縁体を用いる限
りは、トンネル電流検出のためプローブが絶縁体の記録
層に接触しない限りなく接近した位置での走査が必要と
なるが、現実問題として非常に困難であった。すなわち
、プローブの位置制御が容易でなく、記録層にプローブ
が接触するなどの問題を生じる場合があった。そのため
記録層は若干の導電性を示す膜で形成するか、あるいは
極めて薄いｌｎｍ程度の厚さの記録層にするのが好まし
く、このようにすることによって著しくそのプローブの
位置制御機能が向上する。即ち導電性を増した材料を用
いるとその膜自身からのトンネル電流によってプローブ
の記録層からの位置が直接的に判明し、接触の危険性が
ほとんど皆無になる。導電性は金属的な導電率を示す必
要はなく、半導体レベルの比抵抗を示せば十分でこれ以
下でもｌ Ｘ １０”ΩＣ１ｎ程度なら使用可能である
。またこれら記録に用いる有機薄膜の表面はプローブが
ｎｍオーダーで移動するためできるだけ平滑であるほう
が好ましい。
が約１０１８〜１０１７Ωｃｍ程度の絶縁体を用いる限
りは、トンネル電流検出のためプローブが絶縁体の記録
層に接触しない限りなく接近した位置での走査が必要と
なるが、現実問題として非常に困難であった。すなわち
、プローブの位置制御が容易でなく、記録層にプローブ
が接触するなどの問題を生じる場合があった。そのため
記録層は若干の導電性を示す膜で形成するか、あるいは
極めて薄いｌｎｍ程度の厚さの記録層にするのが好まし
く、このようにすることによって著しくそのプローブの
位置制御機能が向上する。即ち導電性を増した材料を用
いるとその膜自身からのトンネル電流によってプローブ
の記録層からの位置が直接的に判明し、接触の危険性が
ほとんど皆無になる。導電性は金属的な導電率を示す必
要はなく、半導体レベルの比抵抗を示せば十分でこれ以
下でもｌ Ｘ １０”ΩＣ１ｎ程度なら使用可能である
。またこれら記録に用いる有機薄膜の表面はプローブが
ｎｍオーダーで移動するためできるだけ平滑であるほう
が好ましい。
一方、導電性薄膜としてＴＣＮＱ錯体などがラングミュ
ア−プロジェット法（以下ＬＢ法と略す）によって形成
されている（中相、川端：固体物理ハ、６３ （１９８
９）、 ）が、その導電性部位のＴＣＮＱ誘導体部位が
１次元結晶性が高いために、いずれもその膜の表面は平
滑なものがなく、ＳＥＭを用いてｉ万倍程度の倍率で十
分にその微結晶の存在が確認でき、その凹凸を検知する
ことが可能である。そのためＳＴＭを用いた記録・再生
装置の記録媒体に用いるにはあまり好ましくなく、平滑
な表面を有し、かつ導電性を有する薄膜が望まれている
。
ア−プロジェット法（以下ＬＢ法と略す）によって形成
されている（中相、川端：固体物理ハ、６３ （１９８
９）、 ）が、その導電性部位のＴＣＮＱ誘導体部位が
１次元結晶性が高いために、いずれもその膜の表面は平
滑なものがなく、ＳＥＭを用いてｉ万倍程度の倍率で十
分にその微結晶の存在が確認でき、その凹凸を検知する
ことが可能である。そのためＳＴＭを用いた記録・再生
装置の記録媒体に用いるにはあまり好ましくなく、平滑
な表面を有し、かつ導電性を有する薄膜が望まれている
。
すなわち、本発明の目的とするところは、上記のような
問題点を解決した導電性を有した薄膜を特徴とする記録
媒体を提供することにある。
問題点を解決した導電性を有した薄膜を特徴とする記録
媒体を提供することにある。
［課題を解決するための手段及び作用］本発明の特徴と
するところは、電気メモ・り一効果を有する記録媒体と
プローブ電極間に流れるトンネル電流の変化を利用した
記録・再生方式に用いる記録媒体であって、電子受容性
化合物及び複素環化合物からなる塩を親水性部位に、共
役二重結合を少なくとも４以上、より好ましくは６以上
有する縮合多環式炭化水素を疎水性部位に含む両親媒性
化合物の単分子膜あるいは単分子累積膜を電極を有する
基板上に形成させた記録媒体にある。
するところは、電気メモ・り一効果を有する記録媒体と
プローブ電極間に流れるトンネル電流の変化を利用した
記録・再生方式に用いる記録媒体であって、電子受容性
化合物及び複素環化合物からなる塩を親水性部位に、共
役二重結合を少なくとも４以上、より好ましくは６以上
有する縮合多環式炭化水素を疎水性部位に含む両親媒性
化合物の単分子膜あるいは単分子累積膜を電極を有する
基板上に形成させた記録媒体にある。
また、前記電子受容性化合物としてテトラシアノキノジ
メタン（ＴＣＮＱ）誘導体、及び複素環化合物からなる
塩を親水性部位に、共役二重結合を少なくとも６以上有
する縮合多環式炭化水素を疎水性部位に含む下記一般式
（Ｉ）に示す両親媒性化合物の単分子膜あるいは単分子
累積膜を有する記録媒体も特徴とするものである。
メタン（ＴＣＮＱ）誘導体、及び複素環化合物からなる
塩を親水性部位に、共役二重結合を少なくとも６以上有
する縮合多環式炭化水素を疎水性部位に含む下記一般式
（Ｉ）に示す両親媒性化合物の単分子膜あるいは単分子
累積膜を有する記録媒体も特徴とするものである。
さらにまた、前記電子受容性化合物が、下記−般式（Ｉ
Ｉ） （ＴＮＡＰ） で示されるＴＮＡＰ誘導体を有する有機化合物から成る
前記構成の記録媒体をも特徴とするものである。
Ｉ） （ＴＮＡＰ） で示されるＴＮＡＰ誘導体を有する有機化合物から成る
前記構成の記録媒体をも特徴とするものである。
ここで、本発明の記録媒体に用いられる基板としては、
金、白金、パラジウム等の貴金属を蒸着あるいはメツキ
により金属表面を形成させた基板、あるいは金、白金、
パラジウム等そのものの基板が挙げられる。
金、白金、パラジウム等の貴金属を蒸着あるいはメツキ
により金属表面を形成させた基板、あるいは金、白金、
パラジウム等そのものの基板が挙げられる。
更に基板に単分子膜あるいは単分子累積膜を形成させる
手段としては、ラングミュア−プロジェット法（ＬＢ法
）が挙げられ、垂直浸漬法または水平付着法のいずれで
あってもよい。
手段としては、ラングミュア−プロジェット法（ＬＢ法
）が挙げられ、垂直浸漬法または水平付着法のいずれで
あってもよい。
一方、平面性の高い、例えば縮合系多環炭化水素化合物
は結晶性が高く、これらの有機化合物を用いてＬＢ法に
より成膜を試みると２次元結晶を有する膜を得ることが
可能になる。即ち、導電性の有機化合物にアルキル基等
の疎水性部位を導入し、更に縮合系多環炭化水素化合物
を疎水性部位に導入した化合物を用い、ＬＢ法により成
膜を行うと１次元結晶性の高い有機化合物が２次元結晶
性の高い性質を有する化合物になる。
は結晶性が高く、これらの有機化合物を用いてＬＢ法に
より成膜を試みると２次元結晶を有する膜を得ることが
可能になる。即ち、導電性の有機化合物にアルキル基等
の疎水性部位を導入し、更に縮合系多環炭化水素化合物
を疎水性部位に導入した化合物を用い、ＬＢ法により成
膜を行うと１次元結晶性の高い有機化合物が２次元結晶
性の高い性質を有する化合物になる。
このことにより、導電性を有した平滑な膜を得ることが
でき、ＳＴＭを用いた記録再生装置の記録媒体として用
いることが可能になる。
でき、ＳＴＭを用いた記録再生装置の記録媒体として用
いることが可能になる。
また、本発明に係る複素環化合物としては、前記一般式
（１）で示すようにピリジン、キノリン、アクリジン、
ピラジン等が好ましい。
（１）で示すようにピリジン、キノリン、アクリジン、
ピラジン等が好ましい。
また、本発明に係る両親媒性化合物の単分子膜又は単分
子累積膜の厚さは、２０ｎｍ以下、さらには１０ｎｍ以
下であることが好ましい。
子累積膜の厚さは、２０ｎｍ以下、さらには１０ｎｍ以
下であることが好ましい。
さらに、単分子膜として用いる場合には、３ｎｍ以下が
より好ましい。
より好ましい。
さて、本発明の記録媒体の形成にあたっては、先ず金属
表面を有する基板の表面清浄化を行い、これをＬＢ膜形
成装置に装着する。水相を所定の温度等の条件にセット
し、導電性有機化合物を展開する。その後所定の表面圧
まで高め、これを保持しながら公知の垂直浸漬法あるい
は水平付着法によって成膜を行い前記基板上に導電性有
機化合物の単分子膜あるいは単分子累積膜を形成する。
表面を有する基板の表面清浄化を行い、これをＬＢ膜形
成装置に装着する。水相を所定の温度等の条件にセット
し、導電性有機化合物を展開する。その後所定の表面圧
まで高め、これを保持しながら公知の垂直浸漬法あるい
は水平付着法によって成膜を行い前記基板上に導電性有
機化合物の単分子膜あるいは単分子累積膜を形成する。
また所定の表面圧に達した時に水相表面に熱エネルギー
を加え、導電性有機化合物の融点あるいは相転移点近く
まで水相表面を加熱しても良い。この熱エネルギー付与
手段はレーザービーム照射による方法、赤外線ヒーター
を用いる手段など通常用いられている方法で行うことが
できる。
を加え、導電性有機化合物の融点あるいは相転移点近く
まで水相表面を加熱しても良い。この熱エネルギー付与
手段はレーザービーム照射による方法、赤外線ヒーター
を用いる手段など通常用いられている方法で行うことが
できる。
［実施例コ
以下に本発明の実施例を記す。
え五班ユ
導電性有機化合物に３− （９−ｎ−ブチル−アントラ
セニル）プロピルピリジニウムテトラシアノキノジメタ
ン（ＡｎＰｙＴＣＮＱ）を用い、これをベンゼンに溶解
させ、１ ｘ １０−３ｍｏ！！＃！の濃度に調製した
。この溶液を純水、水温２０°Ｃの条件の水相上に滴下
した。
セニル）プロピルピリジニウムテトラシアノキノジメタ
ン（ＡｎＰｙＴＣＮＱ）を用い、これをベンゼンに溶解
させ、１ ｘ １０−３ｍｏ！！＃！の濃度に調製した
。この溶液を純水、水温２０°Ｃの条件の水相上に滴下
した。
溶媒が蒸発した後、表面圧を２５＋ｎＮ／＋＋＋まで高
め、水相上にＡｎＰｙＴＣＮＱの単分子膜を形成した。
め、水相上にＡｎＰｙＴＣＮＱの単分子膜を形成した。
シランカップリング剤により疎水処理を行ったＡｕを蒸
着したガラス基板を速度１０ｍｍ／ｍｉｎで浸漬／引き
上げを繰り返し行い２．６、ｉｏＮのＡｎＰｙＴＣＮＱ
単分子膜をＡｕ蒸着面上に形成した。
着したガラス基板を速度１０ｍｍ／ｍｉｎで浸漬／引き
上げを繰り返し行い２．６、ｉｏＮのＡｎＰｙＴＣＮＱ
単分子膜をＡｕ蒸着面上に形成した。
得られた膜をＳＥＭにて加速電圧１０ｋＶ、倍率３５０
００倍で観察したところ、従来の１次元結晶性膜では充
分にその膜面の凹凸が観測されたのに対し、作成された
金属錯体膜では全くその凹凸は認められなかった。この
ことから平滑性の向上を推定することができる。更に１
０層のＡｎＰｙＴＣＮＱを累積した膜の導電性は、面内
方向においてＩ Ｘ １０−”（０ｃｍ）−’であった
。尚５単分子膜ＩＨの厚さは約２ｒ＋＋ｙ＋であった。
００倍で観察したところ、従来の１次元結晶性膜では充
分にその膜面の凹凸が観測されたのに対し、作成された
金属錯体膜では全くその凹凸は認められなかった。この
ことから平滑性の向上を推定することができる。更に１
０層のＡｎＰｙＴＣＮＱを累積した膜の導電性は、面内
方向においてＩ Ｘ １０−”（０ｃｍ）−’であった
。尚５単分子膜ＩＨの厚さは約２ｒ＋＋ｙ＋であった。
更にＳＴＭで記録・再生を試みたところ、記録層を破壊
することなく容易にプローブを記録面に接近させること
ができ、記録を容易に行うことができた。プローブを一
旦記録部位より遠ざけ再度記録した部位の記録再生を行
ったところ、容易に再生を行うことができた。
することなく容易にプローブを記録面に接近させること
ができ、記録を容易に行うことができた。プローブを一
旦記録部位より遠ざけ再度記録した部位の記録再生を行
ったところ、容易に再生を行うことができた。
及豊朋１
導電性有機化合物に３− （９−ｎ−ブチル−アントラ
セニル）プロピルピリジニウムテトラシアノキノジメタ
ン（ＡｎＰｙＴＩＮＱ）を用い、これをベンゼンに溶解
させ、Ｉ Ｘ １０−３ｍｏｊｉ’／ｉ’の濃度に調製
した。この溶液を純水、水２Ｂｚａ℃の条件の水相上に
滴下した。
セニル）プロピルピリジニウムテトラシアノキノジメタ
ン（ＡｎＰｙＴＩＮＱ）を用い、これをベンゼンに溶解
させ、Ｉ Ｘ １０−３ｍｏｊｉ’／ｉ’の濃度に調製
した。この溶液を純水、水２Ｂｚａ℃の条件の水相上に
滴下した。
溶媒が蒸発した後、表面圧を２５ｍＮ／ｍまで高め、水
相上にＡｎＰｙＴＣＮＱの単分子膜を形成した。
相上にＡｎＰｙＴＣＮＱの単分子膜を形成した。
更に表面圧を一定に保ったまま、ランプ幅が水相幅より
も長い２００Ｗ遠赤外ハロゲンランプを用いて水面上の
単分子膜のアニールを行った。具体的にはランプの長軸
方向を水相の幅方向と平行になるように配置し、水面上
単分子膜の累積位置より熱照射を開始し、仕切り板の方
向へ１ ＋ｎ＋＋＋／ｗｉｎの速度で走査させた。この
時、水面とランプの距離は３ｃ＋ｎであり、加熱時にお
ける氷表面の温度は５０℃になるようにランプの印加電
圧を調節した。
も長い２００Ｗ遠赤外ハロゲンランプを用いて水面上の
単分子膜のアニールを行った。具体的にはランプの長軸
方向を水相の幅方向と平行になるように配置し、水面上
単分子膜の累積位置より熱照射を開始し、仕切り板の方
向へ１ ＋ｎ＋＋＋／ｗｉｎの速度で走査させた。この
時、水面とランプの距離は３ｃ＋ｎであり、加熱時にお
ける氷表面の温度は５０℃になるようにランプの印加電
圧を調節した。
ランプを走査し仕切り板のところまできたところでラン
プの電圧印加を中止し、同時に水面上から除去した。そ
の後、水相表面温度が２０℃まで下がるのを確認してか
ら、シランカップリング剤により疎水処理を行ったＡｕ
を蒸着したガラス基板を速度１０ｍｍ／ｍｉｎで浸漬／
引き上げを繰り返し行い２．６．１０層のＡｎＰｙＴＣ
ＮＱ単分子膜をＡｕ蒸着面上にした。
プの電圧印加を中止し、同時に水面上から除去した。そ
の後、水相表面温度が２０℃まで下がるのを確認してか
ら、シランカップリング剤により疎水処理を行ったＡｕ
を蒸着したガラス基板を速度１０ｍｍ／ｍｉｎで浸漬／
引き上げを繰り返し行い２．６．１０層のＡｎＰｙＴＣ
ＮＱ単分子膜をＡｕ蒸着面上にした。
得られた膜をＳＥＭにて加速電圧１０ｋＶ、倍率３５０
００倍で観察したところ、実施例１同様面内において平
滑であることが確認された。更にｌＯＮのＡｎＰｙＴＣ
ＮＱを累積した膜の導電性は、面内方向においてＩ Ｘ
１０−” （０ｃｍ） −’であった。
００倍で観察したところ、実施例１同様面内において平
滑であることが確認された。更にｌＯＮのＡｎＰｙＴＣ
ＮＱを累積した膜の導電性は、面内方向においてＩ Ｘ
１０−” （０ｃｍ） −’であった。
更にＳＴＭで記録・再生を試みたところ、記録層を破壊
することなく容易にプローブを記録面に接近させること
ができ、記録を容易に行うことができた。プローブを一
旦記録部位より遠ざけ再度記録した部位の記録再生を行
ったところ、容易に再生を行うことができた。
することなく容易にプローブを記録面に接近させること
ができ、記録を容易に行うことができた。プローブを一
旦記録部位より遠ざけ再度記録した部位の記録再生を行
ったところ、容易に再生を行うことができた。
及思豊ユ
導電性有機化合物に３− （９−ｎ−ブチル−アントラ
セニル〉プロピルピラジニウムテトラシアノキノジメタ
ン（ＡｎＰｙｒａＴＣＮＱ）を用い、これをベンゼンに
溶解させ、Ｉ Ｘ １０−”ｍｏ１／ｊ’の濃度に調製
した。この溶液を純水、水温２０℃の条件の水相上に滴
下した。
セニル〉プロピルピラジニウムテトラシアノキノジメタ
ン（ＡｎＰｙｒａＴＣＮＱ）を用い、これをベンゼンに
溶解させ、Ｉ Ｘ １０−”ｍｏ１／ｊ’の濃度に調製
した。この溶液を純水、水温２０℃の条件の水相上に滴
下した。
溶媒が蒸発した後、表面圧を２５ｍＮ／ｍまで高め、水
相上にＡｎＰｙｒａＴＣ：ＮＱの単分子膜を形成した。
相上にＡｎＰｙｒａＴＣ：ＮＱの単分子膜を形成した。
シランカップリング剤により疎水処理を行ったＡｕを蒸
着したガラス基板を速度１０ｍｍ／ｍｉｎで浸漬／引き
上げを繰り返し行い２．６．１０層のＡｎＰｙＴＣＮＱ
単分子膜をＡｕ蒸着面上に形成した。
着したガラス基板を速度１０ｍｍ／ｍｉｎで浸漬／引き
上げを繰り返し行い２．６．１０層のＡｎＰｙＴＣＮＱ
単分子膜をＡｕ蒸着面上に形成した。
得られた膜をＳＥＸにて加速電圧１０ｋＶ、倍率３５０
００倍で観察したところ、前述実施例同様面内において
平滑であることが確認された。更に１０層のＡｎＰｙｒ
ａＴＣＮＱを累積した膜の導電性は、面内方向において
Ｉ Ｘ １０−” （Ωｃｍ） −’であった。
００倍で観察したところ、前述実施例同様面内において
平滑であることが確認された。更に１０層のＡｎＰｙｒ
ａＴＣＮＱを累積した膜の導電性は、面内方向において
Ｉ Ｘ １０−” （Ωｃｍ） −’であった。
更にＳＴＭで記録・再生を試みたところ、記録層を破壊
することなく容易にプローブを記録面に接近させること
ができ、記録を容易に行うことができた。プローブを一
旦記録部位より遠ざけ再度記録した部位の記録再生を行
ったところ、容易に再生を行うことができた。
することなく容易にプローブを記録面に接近させること
ができ、記録を容易に行うことができた。プローブを一
旦記録部位より遠ざけ再度記録した部位の記録再生を行
ったところ、容易に再生を行うことができた。
及思北１
導電性有機化合物に３−（９−ｎ−ブチル−アントラセ
ニル）プロピルピラジニウムテトラシアノキノジメタン
（ＡｎＰｙｒａＴＣＮＱ）を用い、これをベンゼンに溶
解させ、Ｉ Ｘ １０−”ｍｏ！！／ｊ’の濃度に調製
した。この溶ｌ夜を純水、水温２０℃の条件の水相上に
滴下した。
ニル）プロピルピラジニウムテトラシアノキノジメタン
（ＡｎＰｙｒａＴＣＮＱ）を用い、これをベンゼンに溶
解させ、Ｉ Ｘ １０−”ｍｏ！！／ｊ’の濃度に調製
した。この溶ｌ夜を純水、水温２０℃の条件の水相上に
滴下した。
溶媒が蒸発した後、表面圧を２５ｍＮ／ｍまで高め、水
相上にＡｎＰｙｒａＴＣＮＱの単分子膜を形成した。
相上にＡｎＰｙｒａＴＣＮＱの単分子膜を形成した。
更に表面圧を一定に保ったまま、ランプ幅が水相幅より
も長い２００Ｗ遠赤外ハロゲンランプを用いて水面上の
単分子膜のアニールを行った。具体的にはランプの長軸
方向を水相の幅方向と平行になるように配置し、水面上
単分子膜の累積位置より熱照射を開始し、仕切り板の方
向へｉ ｎ＋ｍ／ｍｉｎの速度で走査させた。この時、
水面とランプの距離は３ｃｍであり、加熱時における氷
表面の温度は５０℃になるようにランプの印加電圧を調
節した。
も長い２００Ｗ遠赤外ハロゲンランプを用いて水面上の
単分子膜のアニールを行った。具体的にはランプの長軸
方向を水相の幅方向と平行になるように配置し、水面上
単分子膜の累積位置より熱照射を開始し、仕切り板の方
向へｉ ｎ＋ｍ／ｍｉｎの速度で走査させた。この時、
水面とランプの距離は３ｃｍであり、加熱時における氷
表面の温度は５０℃になるようにランプの印加電圧を調
節した。
ランプを走査し仕切り板のところまできたところでラン
プの電圧印加を中止し、同時に水面上から除去した。そ
の後、水相表面温度が２０℃まで下がるのを確認してか
ら、Ａｕを蒸着した基板を水面に対して平行になるよう
に配置し、速度１０ｍｍ／ｌｌ１ｉｎで水面に接するま
で近づけた。基板が水面に接すると同時に単分子膜の付
着が行われた。
プの電圧印加を中止し、同時に水面上から除去した。そ
の後、水相表面温度が２０℃まで下がるのを確認してか
ら、Ａｕを蒸着した基板を水面に対して平行になるよう
に配置し、速度１０ｍｍ／ｌｌ１ｉｎで水面に接するま
で近づけた。基板が水面に接すると同時に単分子膜の付
着が行われた。
かかる基板を１０ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き上げ、膜面
に対して乾燥窒素によるブローを行い乾燥を行った。こ
の操作を繰り返し行い２．６．１０層のＡｎＰｙｒａＴ
ＣＮＱ単分子膜をＡｕ蒸着基板上に形成した。
に対して乾燥窒素によるブローを行い乾燥を行った。こ
の操作を繰り返し行い２．６．１０層のＡｎＰｙｒａＴ
ＣＮＱ単分子膜をＡｕ蒸着基板上に形成した。
得られた膜をＳＥＭにて加速電圧１０ｋＶ、倍率３５０
００倍で観察したところ、前述実施例同様面内において
平滑であることが確認された。更に１０層のＡｎＰｙｒ
ａＴＣＮＱを累積した膜の導電性は、面内方向において
Ｉ Ｘ １０−” （Ωｃｍ） −’であった。
００倍で観察したところ、前述実施例同様面内において
平滑であることが確認された。更に１０層のＡｎＰｙｒ
ａＴＣＮＱを累積した膜の導電性は、面内方向において
Ｉ Ｘ １０−” （Ωｃｍ） −’であった。
更にＳＴＭで記録・再生を試みたところ、記録層を破壊
することなく容易にプローブを記録面に接近させること
ができ、記録を容易に行うことができた。プローブを一
旦記録部位より遠ざけ再度記録した部位の記録再生を行
ったところ、容易に再生を行うことができた。
することなく容易にプローブを記録面に接近させること
ができ、記録を容易に行うことができた。プローブを一
旦記録部位より遠ざけ再度記録した部位の記録再生を行
ったところ、容易に再生を行うことができた。
［発明の効果］
以上述べたように、本発明の記録媒体によれば■、記録
層の厚さが１０ｒｖ以下の薄い膜であるためプローブに
よるトンネル電流の検知を行うために記録層を破壊する
ことなく容易にプローブを記録層に接近させることがで
きた。
層の厚さが１０ｒｖ以下の薄い膜であるためプローブに
よるトンネル電流の検知を行うために記録層を破壊する
ことなく容易にプローブを記録層に接近させることがで
きた。
■、記録層の導電性が通常の有機物よりも高いためプロ
ーブによるトンネル電流の検知を行うために記録層を破
壊することなく容易にプローブを記録層に接近させるこ
とができた。
ーブによるトンネル電流の検知を行うために記録層を破
壊することなく容易にプローブを記録層に接近させるこ
とができた。
■、 ＬＢ法を用い、膜を形成させているために膜厚を
オングストロームオーダーで制御することができる。
オングストロームオーダーで制御することができる。
Claims (8)
- （１）電気メモリー効果を有する記録媒体とプローブ電
極間に流れるトンネル電流の変化を利用した記録・再生
方式に用いる記録媒体であつて、電子受容性化合物及び
複素環化合物からなる塩を親水性部位に、共役二重結合
を少なくとも４以上有する縮合多環式炭化水素を疎水性
部位に含む両親媒性化合物の単分子膜又は単分子累積膜
を有すことを特徴とする記録媒体。 - （２）前記共役二重結合が、少なくとも６以上であるこ
とを特徴とする請求項１記載の記録媒体。 - （３）プローブ電極を用いることで電気メモリー効果を
有する記録媒体において、テトラシアノキノジメタン誘
導体及び複素環化合物からなる塩を親水性部位に、共役
二重結合を少なくとも６以上有する縮合多環式炭化水素
を疎水性部位に含む下記一般式（ I ）に示す両親媒性
化合物の単分子膜又は単分子累積膜を有することを特徴
とする記録媒体。 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼−（ I ） - （４）前記電子受容性化合物が、下記一般式（II）▲数
式、化学式、表等があります▼−（II） で示されるＴＮＡＰ誘導体を有する有機化合物であるこ
とを特徴とする請求項１又は２記載の記録媒体。 - （５）前記複素環化合物が、ピリジン、キノリン、アク
リジン、ピラジンのいずれかであることを特徴とする請
求項１〜３いずれかに記載の記録媒体。 - （６）前記単分子膜又は単分子累積膜の厚さが、１０ｎ
ｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３いずれかに
記載の記録媒体。 - （７）前記単分子膜の厚さが、３ｎｍ以下であることを
特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の記録媒体。 - （８）前記単分子膜又は単分子累積膜が、ラングミュア
ーブロジェット法により形成されたことを特徴とする請
求項１〜３いずれかに記載の記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20576489A JPH0371448A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20576489A JPH0371448A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0371448A true JPH0371448A (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=16512283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20576489A Pending JPH0371448A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0371448A (ja) |
-
1989
- 1989-08-10 JP JP20576489A patent/JPH0371448A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2859715B2 (ja) | 記録媒体用基板及びその製造方法、記録媒体、記録方法、記録再生方法、記録装置、記録再生装置 | |
| JP2981804B2 (ja) | 情報処理装置、それに用いる電極基板、及び情報記録媒体 | |
| JPH04372745A (ja) | 記録媒体、その製造方法、情報処理装置 | |
| JPH06187675A (ja) | 情報処理装置、及びそれを用いる情報処理方法 | |
| JPH01245445A (ja) | 記録装置及び再生装置 | |
| JPH0371448A (ja) | 記録媒体 | |
| JP2981789B2 (ja) | 記録媒体及び情報処理装置 | |
| JP3044421B2 (ja) | 記録媒体製造方法 | |
| JP3054895B2 (ja) | 記録媒体 | |
| JPH0371449A (ja) | 金属錯体薄膜及びその製造方法と記録媒体 | |
| JPS63222347A (ja) | 記録装置および再生装置 | |
| JPH0371452A (ja) | 記録再生装置 | |
| JP2932220B2 (ja) | 記録媒体製造方法 | |
| JP2992908B2 (ja) | 基板電極の製造方法、記録媒体の製造方法 | |
| JPH0371450A (ja) | 記録再生装置 | |
| JP3220914B2 (ja) | 記録媒体製造方法 | |
| JP3261539B2 (ja) | 電極基板の製造方法 | |
| JP2936290B2 (ja) | 記録媒体の製造方法、記録媒体及びこれを備えた情報処理装置 | |
| JPH03295044A (ja) | 記録媒体の製造方法 | |
| JPH04117641A (ja) | 記録再生装置 | |
| JP2859652B2 (ja) | 記録・再生方法及び記録・再生装置 | |
| JP2782275B2 (ja) | 電極基板及び記録媒体の製造方法 | |
| JPH0652581A (ja) | 記録媒体及びそれを用いた情報処理装置 | |
| JPH04143942A (ja) | トラック形成方法 | |
| JP3086988B2 (ja) | 情報処理装置 |