JPH0371452A - 記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、トンネル電流を導電性プローブにより検出す
る方法を用いた記録再生装置に関する。

［従来の技術］ 近年、メモリー素子の用途はコンピュータ及びその関連
機器、ビデオディスク、ディジタルオーディオディスク
等のエレクトロニクス産業の中核をなすものであり、そ
の開発も活発に進んでいる。かかるメモリー素子に要求
される性能は一般的には ■）メモリー容量が大きい ２）記録再生の応答速度が速い ３　エラーレートが低い ４）消費電力が少ない ５　生産性が高く、価格が安い 等が挙げられる。

従来は磁気メモリー、半導体メモリーが主流であったが
、近年レーザー技術の進展に伴い、安価で高密度な記録
媒体を用いた光メモリー素子などが登場してきた。

一方、最近導体の表面原子の電子構造を直接観測できる
走査型トンネル顕微鏡（以後ＳＴＭと略す）が開発され
、（Ｇ、Ｂ１ｎｎ１ｇ　ｅｔ　ａｌ、、Ｈｅ１ｖｅｔｉ
ｃａＰｈｙｓｉｅａ　Ａｅｔａ、５５，７２６（１９８
２）、）単結晶、非結晶を問わず実空間像の高い分解能
の測定ができるようになり、しかも媒体に電流による損
傷を与えずに低電力で観測できる利点をも有し、更に大
気中でも動作させることが可能であるため広範囲な応用
が期待されている。

ＳＴＭは金属の深針と導電性物質の間に電圧を加えて１
　ｎｍ程度の距離まで近づけるとトンネル電流が流れる
ことを利用している。この電流は両者の距離変化に非常
に敏感であり、トンネル電流を一定に保つように深針な
走査することにより実空間の表面構造を描くことができ
る。ＳＴＭを用いた解析は導電性材料に限られるが、導
電性材料の表面に薄く形成された絶縁膜の構造解析にも
応用され始めており、個々の有機分子の状態の違いを利
用した高密度記録としての応用も考えられ始めている（
特開昭６３−１１１ｉ１５５２等）。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記従来例において記録層として比抵抗
が約１０′６〜１０”７Ωｃａｎ程度の絶縁体を用いる
限りは、トンネル電流検出のためプローブが絶縁体の記
録層に接触することなく限りなく記録層に接近した位置
での走査が必要となるが、現実問題として非常に困難で
あった。すなわち、プローブの位置制御が容易でなく、
記録層にプローブが接触するなどの問題を生じる場合が
あった。そのため記録層は若干の導電性を示す膜で形成
するか、あるいは極めて薄い１ｒ＋ｍ程度の厚さの記録
層にするのが好ましく、このようにすることによって著
しくそのプローブの位置制御機能が向上する。即ち導電
性を増した材料を用いるとその膜自身からのトンネル電
流によってプローブの記録層からの位置が直接的に判明
し、接触の危険性がほとんど皆無になる。導電性は金属
的な導電率を示す必要はなく、半導体レベルの比抵抗を
示せば十分でこれ以下でも１Ｘ１０１０ΩＣｍ程度なら
使用可能である。またこれら記録に用いる有機薄膜の表
面はプローブがｎｍオーダーで移動するためできるだけ
平滑であるほうが好ましい。

一方、導電性薄膜としてＴＣＮＱｍ体などがラングミュ
ア−ブロジェット法（以下ＬＢ法と略す）によって形成
されている（中相、用端：固体物理２４．６３ｆ１９８
９）、）が、その導電性部位のＴＣＮＱ誘導体部位が１
次元結晶性が高いために、いずれもその膜の表面は平滑
なものがなく、ＳＥＭを用いて１万倍程度の倍率で十分
にその微結晶の存在が確認でき、その凹凸を検知するこ
とが可能である。そのためＳＴＭを用いた記録・再生装
置の記録媒体に用いるにはあまり好ましくなく、平滑な
表面を有し、かつ導電性を有する薄膜が望まれている。

すなわち、本発明の目的とするところは、上記のような
問題点を解決した導電性を有した薄膜を特徴とする記録
媒体を具備した記録再生装置を提供することにある。

［課題を解決するための手段及び作用コ本発明の特徴と
するところは、電子受容性化合物及び複素環化合物から
なる塩を親水性部位に、共役二重結合を少なくとも４以
上、より好ましくは６以上有する縮合多環式炭化水素を
疎水性部位に含む両親媒性化合物の単分子膜又は単分子
累積膜を有する記録媒体と、トンネル電流を検出する導
電性プローブ電極とを少なくとも有する記録再生装置に
ある。

また、前記電子受容性化合物としてテトラシアノキノジ
メタン（ＴＣＮＱ）誘導体及び複素環化合物からなる塩
を親水性部位に、共役二重結合を少なくとも６以上有す
る縮合多環式炭化水素を疎水性部位に含む下記一般式（
Ｉ）に示す両親媒性化合物の単分子膜又は単分子累積膜
を有する記録媒体と、トンネル電流を検出する導電性プ
ローブ電極とを少なくとも有する記録再生装置も特徴と
するものである。

さらにまた、前記電子受容性化合物が、下記−般式（Ｉ
Ｉ　） で示される丁ＮＡＰ誘導体を有する有機化合物から成る
前記構成の記録媒体を有した記録再生装置をも特徴とす
るものである。

ここで、本発明に係る記録媒体に用いられる基板として
は、絶縁性の酸化膜を形成しない材料、例えば、金、白
金、パラジウム等の貴金属を蒸着あるいはメツキにより
金属表面を形成させた基板、あるいは金、白金、パラジ
ウム等そのものの基板が挙げられる。

更に基板に単分子膜あるいは単分子累積膜を形成させる
手段としては、ラングミュアーブロジェット法（ＬＢ法
）が挙げられ、垂直浸漬法または水平付着法のいずれで
あってもよい。

一方、平面性の高い、例えば縮合系多環炭化水素化合物
は結晶性が高く、これらの有機化合物を用いてＬＢ法に
より成膜を試みると２次元結晶を有する膜を得ることが
可能になる。即ち、導電性の有機化合物にアルキル基等
の疎水性部位を導入し、更に縮合系多環炭化水素化合物
を疎水性部位に導入した化合物を用い、ＬＢ法により成
膜を行うと工次元結晶性の高い有機化合物が２次元結晶
性の高い性質を有する化合物になる。

このことにより、導電性を有した平滑な膜を得ることが
でき、ＳＴＭを用いた記録再生装置の記録媒体として用
いることが可能になる。

また、本発明に係る複素環化合物としては、前記一般式
（Ｉ）で示すようにピリジン、キノリン、アクリジン、
ピラジン等が好ましい。

また、本発明に係る両親媒性化合物の単分子膜又は単分
子累積膜の厚さは、２０ｎｍ以下、さらには１０ｎｍ以
下であることが好ましい。

さらに、単分子膜として用いる場合には、３ｎａ＋以下
がより好ましい。

さて、本発明の記録媒体の形成にあたっては、先ず金属
表面を有する基板の表面清浄化を行い、これをＬＢ膜形
成装置に装着する。水相を所定の温度等の条件にセット
し、導電性有機化合物を展開する。その後所定の表面圧
まで高め、これを保持しながら公知の垂直浸漬法あるい
は水平付着法によって成膜を行い前記基板上に導電性有
機化合物の単分子膜あるいは単分子累積膜を形成する。

また所定の表面圧に達した時に水相表面に熱エネルギー
を加え、導電性有機化合物の融点あるいは相転移点近く
まで水相表面を加熱しても良い。この熱エネルギー付与
手段はレーザービーム照射による方法、赤外線ヒーター
を用いる手段など通常用いられている方法で行うことが
できる。

次に、本発明に係るプローブ電極の先端は、記録／再生
／消去の分解能を挙げるためできるだけ尖らせる必要が
ある。本発明ではｉ　ｎｕｎφの太さの白金の先端を機
械的に先端が鋭くなるように切断したものを用いている
が、プローブの形状や製造方法は何らこれに限定される
ことはない。

第１図は本発明の記録・再生装置を示すブロック構成図
である。第１図中５はプローブ電流増幅器で、６はプロ
ーブ電流が一定になるように圧電素子を用いた微動機構
７を制御するサーボ回路である。８はプローブ電極２と
基板電極３の間に記録／消去用のパルス電圧を印加する
ための電源である。

パルス電圧を印加するときプローブ電流が急激に変化す
るためサーボ回路６は、その間出力電圧を一定になるよ
うに、ＨＯＬＤ回路をＯＮになるように制御している。

９はＸＹ方向にプローブ電極２を移動制御するためのＸ
Ｙ走査駆動回路である。１０と１１は予め１０−”Ａ程
度のプローブ電流が得られるようにプローブ電極２と記
録媒体ｌとの距離を粗動器ｉ卸するものである。これら
の各機器はすべてマイクロコンピュータ１２により中央
側（卸されている。

また１３は表示装置を表わしている。また圧電素子を用
いた移動制御における機械的性能を下記に示す。

Ｚ方向微動制御範囲：０．１ｎｍ〜１紗ｍＺ方向粗動制
御範囲：　１０ｎ＋＋＋−１０ｍｍＸＹ方向走査範囲　
　：　０．ｌｎｍ　〜ｌ　４ｒｎ計測・制御許容範囲：
　＜０．１ｎｍ ［実施例］ 以下に本発明の実施例を記す。

及施生ユ 導電性有機化合物に３−　（９−ｎ−ブチル−アントラ
セニル）プロピルピリジニウムテトラシアノキノジメタ
ン（ＡｎＰｙＴＣＮＱ）を用い、これをベンゼンに溶解
させ、Ｉ　Ｘ　１０””ｍｏｉ’／ｉ！の濃度に調製し
た。この溶液を純水、水温２０℃の条件の水相上に滴下
した。

溶媒が蒸発した後、表面圧を２５ｍＮ／ｍまで高め、水
相上にＡｎＰｙＴＣＮＱの単分子膜を形成させた。

シランカップリング剤により疎水処理を行ったＡｕを蒸
着したガラス基板を速度１０ｍｍ／ｍｉｎ″Ｃ−漫漬／
引き上げを繰り返し行い２．６．１０層のＡｎＰｙＴＣ
ＮＱ単分子膜をＡｕ蒸着面上に形成させた。これを記録
媒体ｌとした。

得られた膜をＳＥＭにて加速電圧１０ｋＶ、倍率３５０
００倍で観察したεころ、従来の１次元結晶性膜では充
分にその膜面の凹凸が観測されたのに対し、形成された
金属錯体膜では全くその凹凸は認められなかった。この
ことから平滑性の向上を推定することができる。

更に１０ＨのＡｎＰｙＴＣＮＱを累積した膜の導電性は
、面内方向においてＩ　Ｘ　ｔｏ−”　（０ｃｍ）　−
’であった。

かかる層２層からなる導電性有機薄膜を有する記録媒体
１を、第１図に示した装置の高制度のＸＹステージ１４
の上に装着した。プローブ電極２には、白金線（径１　
ｍｍφ）を機械的に先端が鋭くなるように切断したもの
を用いた。かかるプローブ電極は直接、記録／再生／消
去を行うために用いることができる。次に、金からなる
基板電極３とプローブ電極２間に１．ＯＶの電圧を印加
し、プローブ電流Ｉｐが１０−’Ａになるように２方向
粗動制御機構１０、Ｚ方向微動制御機構７を用いて調製
した。

プローブ電極２と記録層１７表面との距離Ｚを制御する
ためのプローブ電流Ｉｐは１０−’Ａ≦Ｉｐ≦１０−”
　Ａの範囲内であればよく、好適にはｔｏ−８Ａ５Ｉｐ
≦１０−”　Ａになるようにプローブ電圧を制御する必
要があると思われる。更に工ｐの値は、その範囲の中で
も高い方が電流測定器の性能上制御し易い。次にＸＹス
テージ１４を一定の間隔（１ｐｍ）で移動させながら、
しきい値電圧Ｖｔｈ−ｏ、以上の矩形パルス電圧（３Ｖ
ｍａｘ、Ｏ，１ｐｓｅｃ　）を印加して低抵抗状態（ｏ
ｎ状態）を生じさせた。その後、プローブ電極２と基板
電極３の間に読み取り用の１４０ｖのプローブ電圧を印
加して低抵抗状態領域と高抵抗状態（ｏｆｆ状態）領域
に流れる電流量の変化を直接読みとるか、またはサーボ
回路６を通して読みとることができる。本例ではｏｎ状
態領域を流れるプローブ電流が記録前と比較して２桁以
上変化していたことを確認した。

更にプローブ電極にしきい値電圧Ｖ　ｔ　ｈ　−ｏ　ｆ
　１以上の矩形パルス電圧（２Ｖｍａｘ、１０１Ｌｓｅ
ｃ）を印加しながら、再び記録位置をトレースした結果
、すべての記録が消去されｏｆｆ状態に遷移したことを
確認した。

次に、微動制御機構７を用いてｏ、ｏｉμ１ｍがらｌ）
ｒｍの間の種々のピッチで長さ１叩のラインを上記の方
法で書き込み分解能を測定したところ、０．１μｍ以下
であることが解った。６層、１０層の導電性薄膜を有す
る記録媒体の記録層をｏｎ状態にするためのしきい値電
圧■。−０゜の矩形パルス電圧及びパルス幅は・各々８
　Ｖｍａｘ、　０．１ｇ５ｅｃ、１２ＶＩ！ｌａｘ、　
Ｏ，１ｇ５ｅｃに変更し、ｏｎ状態からｏｆｆ状態へ遷
移させるためのしきい値電圧Ｖｔｈ−０２，の矩形パル
ス電圧及びパルス幅を、各々６　Ｖｍａｘ＋　１０ｐｓ
ｅｃ、　ｌＯＶｍａｘ、　１０ｐｓｅｅに変更し、同様
に記録再生を行った。その結果、上記同様な結果を得た
。

及轟豊ユ 導電性有機化合物に３〜（９−ｎ−ブチル−アントラセ
ニル）プロピルピリジニウムテトラシアノキノジメタン
（ＡｎＰｙＴＣＮＱ）を用い、これをベンゼンに溶解サ
セ、Ｉ　Ｘ　１０−”ｍｏｉ’＃の濃度に調製した。こ
の溶液を純水、水温２０℃の条件の水相上に滴下した。

溶媒が蒸発した後、表面圧を２５ｍＮ／＋ｎまで高め、
水相上にＡｎＰｙＴＣＮＱの単分子膜を形成させた。

更に表面圧を一定に保ったまま、ランプ幅が水相幅より
も長い２００Ｗ遠赤外線ハロゲンランプを用いて水面上
の単分子膜のアニールを行った。具体的にはランプの長
軸方向な水相の幅方向と平行になるように配置し、水面
上単分子膜の累積位置より熱照射を開始し、仕切り板の
方向へｌ　ｍｍ／ｍｉｎの速度で走査させた。この時水
面とランプの距離は３ｃｍであり、加熱時における氷表
面の温度は５０℃になるようにランプの印加電圧を調節
した。

ランプを走査し仕切り板のところまできたところでラン
プの電圧印加を中止し、同時に水面上から除去した。そ
の後、水相表面温度が２０℃まで下がるのを確認してか
ら、シランカップリング剤により疎水処理を行ったＡｕ
を蒸着したガラス基板を速度ｔｏＩＩ１ｍ／ｍｉｎで浸
漬／引き上げを繰り返し行い２．６．１０層のＡｎＰｙ
ＴＣＮＱ単分子膜をＡｕ蒸着面上に形成させた。これを
記録媒体１とした。

得られた膜をＳＥＭにて加速電圧１０ｋＶ、倍率３５０
００倍で観察したところ、実施例１同様、面内において
平滑であることが確認された。更に１０層のＡｎＰｙＴ
ＣＮＱを累積した膜の導電性は、面内方向においてＩ　
Ｘ　１０−”　（０ｃｍ）　−’であった。

２層、６層、１０層の導電性薄膜を有する記録媒体の記
録層をｏｎ状態にするためのしきい値電圧ｖｔｈ−ｏ。

の矩形パルス電圧及びパルス幅は、各々３層ｍａｘ、　
０．１ｐｓｅｃ　、　９層ｍａｘ、　０．１ｐｓｅｃ　
１１２ｖｍａｘ。

０．１μｓｅｃに変更し、ｏｎ状態からｏｆｆ状態へ遷
移させるためのしきい値電圧ｖｔｈ−０．ｆの矩形パル
ス電圧及びパルス幅を、各々２　Ｖｍａｘ、　１０μｓ
ｅｃ、　６　Ｖｍａｘ。

ｔＯｇｓｅｃ、　ｌＯＶｍａｘ、　１０ＩＬｓｅｅに変
更し、実施例１と同様に記録再生を行った。その結果、
実施例１同様の結果を得た。

笈息立ユ 導電性有機化合物に３−　（９−ｎ−ブチル−アントラ
セニル）プロピルピラジニウムテトラシアノキノジメタ
ン（ＡｎＰｙｒａＴＣＮＱ）を用い、これをベンゼンに
溶解させ、Ｉ　Ｘ　１０−”ｍｏｊ）／ｊ’の濃度に調
製した。この溶液を純水、水温２０℃の条件の水相上に
滴下した。

溶媒が蒸発した後、表面圧を２５ｍＮ／ｍまで高め、水
相上にＡｎＰｙＴＣＮＱの単分子膜を形成させた。

シランカップリング剤により疎水処理を行ったＡｕを蒸
着したガラス基板を速度１０ｍｍ／ｍｉｎで浸漬／引き
上げを繰り返し行い２．６．１０層のＡｎＰｙＴＣＮＱ
単分子膜をＡｕ蒸着面上に形成した。これを記録媒体１
とした。

得られた膜をＳＥＭにて加速電圧１０ｋＶ、倍率３５０
００倍で観察したところ、実施例１同様、面内において
平滑であることが確認された。更に１０層のＡｎＰｙｒ
ａＴＣＮＱを累積した膜の導電性は、面内方向において
Ｉ　Ｘ　１Ｏ−３（Ωｃｍ）　−’であった。

２層、６層、１０層の導電性薄膜を有する記録媒体の記
録層をｏｎ状態にするためのしきい値電圧ｖｔｈ−ｏ。

の矩形パルス電圧及びパルス幅は、各々３層ｍａｘ、　
０．１ｇ５ｅｃ　、　８層ｍａｘ、　０．１ｐｓｅｃ　
、　１２層ｍａｘ。

０、１ｐｓｅｃに変更し、Ｏｎ状態からｏｆｆ状態へ遷
移させるためのしきい値電圧Ｖｔ１ｌ−Ｏｆｆの矩形パ
ルス電圧及びパルス幅を、各々２　Ｖｍａｘ、　１Ｏｐ
ｓｅｃ、６層ｍａＸ。

１０ｐｓｅｃ、　１０層ｍａｘ、　１Ｏｐｓｅｅに変更
し、実施例１と同様に記録再生を行った。その結果、実
施例１同様の結果を得た。

Ｘ見盟１ 導電性有機化合物に３−（９−ｎ−ブチル−アントラセ
ニル）プロピルピラジニウムテトラシアノキノジメタン
（ＡｎＰｙｒａＴＣＮＱ）を用い、これをベンゼンに溶
解させ、Ｉ　Ｘ　１０−”ｍｏ＃／ｉ’の濃度に調製し
た。この溶液を純水、水温２０℃の条件の水相上に滴下
した。

溶媒が蒸発した後、表面圧を２５ｍＮ／ｍまで高め、水
相上にＡｎＰｙｒａＴＣＮＱの単分子膜を形成させた。

更に表面圧を一定に保ったまま、ランプ幅が水相幅より
も長い２００　Ｗ遠赤外線ハロゲンランプを用いて水面
上の単分子膜のアニールを行った。具体的にはランプの
長軸方向を水相の幅方向と平行になるように配置し、水
面上単分子膜の累積位置より熱照射を開始し、仕切り板
の方向へｌ　ｍｍ／ｍｉｎの速度で走査させた。この時
、水面とランプの距離は３ＣＯ１であり、加熱時におけ
る氷表面の温度は５０℃になるようにランプの印加電圧
を調節した。

ランプを走査し仕切り板のところまできたところでラン
プの電圧印加を中止し、同時に水面上から除去した。そ
の後、水相表面温度が２０℃まで下がるのを確認してか
ら、Ａｇを蒸着した基板を水面に対して平行になるよう
に配置し、速度１０ｍｍ／ｍｉｎで水面に接するまで近
づけた。基板が水面に接すると同時に単分子膜の付着が
行われた。

かかる基板を１０ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き上げ、膜面
に対して乾燥窒素によるブローを行い乾燥を行った。こ
の操作を繰り返し行い２．６．１０層のＡｎＰｙｒａＴ
ＣＮＱ単分子膜をＡｕ蒸着基板上に形成させた。これを
記録媒体１とした。

得られた膜をＳＥＭにて加速電圧１０ｋＶ、倍率３５０
００倍で観察したところ、前述実施例同様面内において
平滑であることが確認された。更に１０層のＡｎＰｙｒ
ａＴＣＮＱを累積した膜の導電性は、面内方向において
Ｉ　Ｘ　１０−”　（Ωｃｍ）　−’であった。

２層、６層、１０層の導電性薄膜を有する記録媒体の記
録層をｏｎ状態にするためのしきい値電圧■、−０゜の
矩形パルス電圧及びパルス幅は、各々３層ｍａｘ、０．
１ｇ５ｅｃ　　、　　８層ｍａｘ、０．１ｐｓｅｃ　　
、　　１２層ｍａｘ。

０、１ｐｓｅｃに変更し、Ｏｎ状態からｏｆｆ状態へ遷
移させるためのしきい値電圧ｖｔｈ−０．ｔの矩形パル
ス電圧及びパルス幅を、各々２　Ｖｍａｘ、　１０ｇ＝
ｓｅｃ、６　Ｖｍａｘ。

１０ｇ５ｅｃ、　ｌＯＶｍａｘ、　１Ｏｐｓｅｃに変更
し、実施例１と同様に記録再生を行った。その結果、実
施例１同様の結果を得た。

［発明の効果〕 以上述べたように、本発明の記録再生装置に係る記録媒
体の記録層の厚さが、１０層ｍ以下の薄い膜であるため
、プローブによるトンネル電流の検知を行うに際し、記
録層を破壊することなく容易にプローブを記録層に接近
させることができた。

また、記録層の導電性が通常の有機物よりも高いためプ
ローブによるトンネル電流の検知を行うに際し、記録層
を破壊することなく容易にプローブを記録層に接近させ
ることができた。

さらには、ＬＢ法を用いて膜を形成させているため、膜
厚をオングストロームオーダーで制御することができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の記録再生装置を図解的に示す説明図
である。 １・・・記録媒体　　　　　　　１′・・・記録層２・
・・プローブ電極　　　　　３・・・基板電極４・・・
基板　　　　　　　　　５・・・プローブ電流増幅器６
・・・サーボ回路　　　　　　７・・・微動制御機構８
・・・パルス電源　　　　　　９・・・ＸＹ走査駆動回
路１０・・・粗動機構　　　　　　　１１・・・粗動駆
動回路１２・・・マイクロコンピュータ　１３・・・表
示装置１４・・・ＸＹステージ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）電子受容性化合物及び複素環化合物からなる塩を
   親水性部位に、共役二重結合を少なくとも４以上有する
   縮合多環式炭化水素を疎水性部位に含む両親媒性化合物
   の単分子膜又は単分子累積膜を有する記録媒体と、トン
   ネル電流を検出する導電性プローブ電極とを少なくとも
   有することを特徴とする記録再生装置。
2. （２）前記縮合多環式炭化水素の有する共役二重結合が
   、少なくとも６以上であることを特徴とする請求項１記
   載の記録再生装置。
3. （３）テトラシアノキノジメタン誘導体及び複素環化合
   物からなる塩を親水性部位に、共役二重結合を少なくと
   も６以上有する縮合多環式炭化水素を疎水性部位に含む
   下記一般式（ I ）に示す両親媒性化合物の単分子膜又
   は単分子累積膜を有する記録媒体と、トンネル電流を検
   出する導電性プローブ電極とを少なくとも有することを
   特徴とする記録再生装置。 ▲数式、化学式、表等があります▼−（ I ） 但しｌ＝１．２ ０≦ｍ、ｎ≦１０▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼ Ｒ＿２＝Ｆ、Ｈ、ＯＣＨ＿２、ＣＨ＿２ Ｘ＝▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
   式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
   す▼、▲数式、化学式、表等があります▼
4. （４）前記電子受容性化合物が、下記一般式（II）▲数
   式、化学式、表等があります▼−（II） で示されるＴＮＡＰ誘導体を有する有機化合物であるこ
   とを特徴とする請求項１又は２記載の記録再生装置。
5. （５）前記複素環化合物がピリジン、キノリン、アクリ
   ジン、ピラジンのいずれかであることを特徴とする請求
   項１〜３いずれかに記載の記録再生装置。
6. （６）前記単分子膜又は単分子累積膜の厚さが、１０ｎ
   ｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３いずれかに
   記載の記録再生装置。
7. （７）前記単分子膜の厚さが、３ｎｍ以下であることを
   特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の記録再生装置
   。
8. （８）前記単分子膜又は単分子累積膜が、ラングミュア
   ーブロジェット法により形成されたことを特徴とする請
   求項１〜３いずれかに記載の記録再生装置。