JPH037208B2 - - Google Patents
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- JPH037208B2 JPH037208B2 JP59231479A JP23147984A JPH037208B2 JP H037208 B2 JPH037208 B2 JP H037208B2 JP 59231479 A JP59231479 A JP 59231479A JP 23147984 A JP23147984 A JP 23147984A JP H037208 B2 JPH037208 B2 JP H037208B2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Secondary Cells (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、2次電池の電極等に用いて好適な導
電性を有するポリアセチレンフイルムの製造方法
に関する。
電性を有するポリアセチレンフイルムの製造方法
に関する。
ポリアセチレンは、炭素と水素原子各1ケを構
成単位とする最も単純な鎖状共役形高分子化合物
であり、半導体としての性質をもつているが、特
にチーグラナツタ触媒(Ti(OC4H3)4−Al
(C2H5)3系)を用いてのアセチレン重合によるポ
リアセチレン膜は、直径200Å程度のフイブリル
(繊維状微結晶)網目構造を有しており、これに
ハロゲンガスや5弗化砒素などの僅かなドーピン
グを施すことによつて、その導電率を大巾に変化
させることができる。
成単位とする最も単純な鎖状共役形高分子化合物
であり、半導体としての性質をもつているが、特
にチーグラナツタ触媒(Ti(OC4H3)4−Al
(C2H5)3系)を用いてのアセチレン重合によるポ
リアセチレン膜は、直径200Å程度のフイブリル
(繊維状微結晶)網目構造を有しており、これに
ハロゲンガスや5弗化砒素などの僅かなドーピン
グを施すことによつて、その導電率を大巾に変化
させることができる。
また、このようなポリアセチレン膜は、化学的
に極めて安定していること、軽量であること、そ
して前記の如くフイブリル網目構造であるため、
非常に大きな表面積をとることができるなどのこ
とから、二次電池の有望な電極材料として、ある
いは集積回路への応用などにつき既に注目を集め
ている。
に極めて安定していること、軽量であること、そ
して前記の如くフイブリル網目構造であるため、
非常に大きな表面積をとることができるなどのこ
とから、二次電池の有望な電極材料として、ある
いは集積回路への応用などにつき既に注目を集め
ている。
アセチレンの重合により得られる上記ポリアセ
チレン膜の製造方法としても、前記チーグラナツ
タ触媒につき、そのAl/Tiのモル比を3〜4に
調整して、これをドライアイス、メタノールの冷
媒にて冷却し、当該冷却触媒にアセチレンガスを
吹付けることにより、触媒溶液表面での気相−液
相境界近傍にて同ガスを重合させることが、既に
知られている。
チレン膜の製造方法としても、前記チーグラナツ
タ触媒につき、そのAl/Tiのモル比を3〜4に
調整して、これをドライアイス、メタノールの冷
媒にて冷却し、当該冷却触媒にアセチレンガスを
吹付けることにより、触媒溶液表面での気相−液
相境界近傍にて同ガスを重合させることが、既に
知られている。
ところで、従来、実際にポリアセチレン膜を製
造するには、第3図に示すように円筒形の容器a
内に、前記チーグラナツタ触媒bを貯留し、この
容器aを振り動かしたり、回転することによつ
て、上記触媒bを同容器aの内壁面a′に付着さ
せ、容器a内に供給管cからアセチレンガスを導
入することにより、上記内壁面a′に付着した触媒
bから、容器aの底部に貯留した同触媒bの気相
−液相境界面b′にわたつて、同ガスの重合により
得られるポリアセチレン膜dを形成するようにし
ている。
造するには、第3図に示すように円筒形の容器a
内に、前記チーグラナツタ触媒bを貯留し、この
容器aを振り動かしたり、回転することによつ
て、上記触媒bを同容器aの内壁面a′に付着さ
せ、容器a内に供給管cからアセチレンガスを導
入することにより、上記内壁面a′に付着した触媒
bから、容器aの底部に貯留した同触媒bの気相
−液相境界面b′にわたつて、同ガスの重合により
得られるポリアセチレン膜dを形成するようにし
ている。
しかし、上記従来例の場合、底部の触媒bにお
ける上記面b′に生成されるポリアセチレン膜d
は、前記フイブリル網目構造内に多量の同上触媒
bが含浸されてしまうことによつて、当該製品自
体の品質も劣化してしまい、このため内壁面a′に
生成されたポリアセチレン膜dだけが、前記二次
電池の電極または他分野の材料として利用できる
に過ぎず、この結果、製造効率が悪い。
ける上記面b′に生成されるポリアセチレン膜d
は、前記フイブリル網目構造内に多量の同上触媒
bが含浸されてしまうことによつて、当該製品自
体の品質も劣化してしまい、このため内壁面a′に
生成されたポリアセチレン膜dだけが、前記二次
電池の電極または他分野の材料として利用できる
に過ぎず、この結果、製造効率が悪い。
さらに内壁面a′のポリアセチレン膜dにあつて
も、同面a′に付着する触媒が底面方向に流下し易
いため、底面部側が厚くなつて膜厚が一定せず、
また上記面a′の上部迄十分に触媒を付着させるの
が困難であり、このため多量の触媒を底部に貯留
しておき高速回転させる必要があり、従つて高品
質のものが得られず、また機械的安定性にも欠け
るものであつた。
も、同面a′に付着する触媒が底面方向に流下し易
いため、底面部側が厚くなつて膜厚が一定せず、
また上記面a′の上部迄十分に触媒を付着させるの
が困難であり、このため多量の触媒を底部に貯留
しておき高速回転させる必要があり、従つて高品
質のものが得られず、また機械的安定性にも欠け
るものであつた。
また、この方法では、連続的な製造は不可能で
ある。
ある。
本発明は、上記既応の導電性ポリアセチレンフ
イルムの製造方法がもつ難点に鑑み検討されたも
ので、金属微粉末を混入した触媒を用い、かつ、
これを金属メツシユに付着させた後に、アセチレ
ンガスを当該触媒面にて重合反応させることで、
膜厚が均一で機械的安定性に優れた導電性を有す
るポリアセチレンフイルムを効率的に製造し得る
ようにし、これにより、均一なドーピング処理を
可能として、エネルギ密度を飛躍的に改善し、エ
レクトロニクス技術領域において広汎な使用を可
能にしようとするのが、その目的である。
イルムの製造方法がもつ難点に鑑み検討されたも
ので、金属微粉末を混入した触媒を用い、かつ、
これを金属メツシユに付着させた後に、アセチレ
ンガスを当該触媒面にて重合反応させることで、
膜厚が均一で機械的安定性に優れた導電性を有す
るポリアセチレンフイルムを効率的に製造し得る
ようにし、これにより、均一なドーピング処理を
可能として、エネルギ密度を飛躍的に改善し、エ
レクトロニクス技術領域において広汎な使用を可
能にしようとするのが、その目的である。
本発明は、上記の目的を達成するため、金属微
粉末をチーグラーナツタ触媒の中に混入する混入
工程と、同触媒を閉成器体内で金属メツシユに付
着させる付着工程と、同器体内の上記触媒にアセ
チレンガスを供給することで重合反応を生じさせ
て、上記微粉末がポリアセチレンフイルム中に均
一に分散され、かつこれらと上記金属メツシユと
が一体化されたポリアセチレンフイルムを生成さ
せる反応工程とを施すようにしたことを特徴とす
る導電性ポリアセチレンフイルムの製造方法を提
供したものである。
粉末をチーグラーナツタ触媒の中に混入する混入
工程と、同触媒を閉成器体内で金属メツシユに付
着させる付着工程と、同器体内の上記触媒にアセ
チレンガスを供給することで重合反応を生じさせ
て、上記微粉末がポリアセチレンフイルム中に均
一に分散され、かつこれらと上記金属メツシユと
が一体化されたポリアセチレンフイルムを生成さ
せる反応工程とを施すようにしたことを特徴とす
る導電性ポリアセチレンフイルムの製造方法を提
供したものである。
本発明によるときは、金属メツシユに、チーグ
ラナツタ触媒が、当該メツシユによる毛細管現象
により付着され、当該触媒によりアセチレンガス
が重合反応してポリアセチレンフイルムが得られ
るから、当該フイルムは均一な膜厚で、しかも比
較的大きな面積に生成可能となる。
ラナツタ触媒が、当該メツシユによる毛細管現象
により付着され、当該触媒によりアセチレンガス
が重合反応してポリアセチレンフイルムが得られ
るから、当該フイルムは均一な膜厚で、しかも比
較的大きな面積に生成可能となる。
また、上記チーグラナツタ触媒には、金属微粉
末が均一に混入され、該触媒が上記金属メツシユ
に付着した状態でアセチレンガスが重合反応する
ので、同微粉末がポリアセチレンフイルム中に均
一に分散されると共に、これらと金属メツシユと
が強固に一体化し、従つて、均一なドーピング処
理が可能となり、導電性に優れたポリアセチレン
フイルムの生成が可能となる。
末が均一に混入され、該触媒が上記金属メツシユ
に付着した状態でアセチレンガスが重合反応する
ので、同微粉末がポリアセチレンフイルム中に均
一に分散されると共に、これらと金属メツシユと
が強固に一体化し、従つて、均一なドーピング処
理が可能となり、導電性に優れたポリアセチレン
フイルムの生成が可能となる。
本発明は、混入工程(第1工程)と付着工程
(第2工程)、および反応工程(第3工程)の3工
程からなる。
(第2工程)、および反応工程(第3工程)の3工
程からなる。
上記混入工程においては、チーグラーナツタ触
媒の中に金属微粉末を混入する。
媒の中に金属微粉末を混入する。
この金属微粉末は、上記第2の付着工程で使用
する金属メツシユの素材と同一金属または同一金
属を含む合金で構成するのが好ましいが、これに
限定されるものではない。
する金属メツシユの素材と同一金属または同一金
属を含む合金で構成するのが好ましいが、これに
限定されるものではない。
また、金属微粉末の粒径は、5μm〜150μm程
度が最適である。
度が最適である。
さらに、第2工程である付着工程においては、
上記金属微粉末が混入された触媒を、閉成器体に
配設した金属メツシユに毛細管現象を利用して付
着させる。
上記金属微粉末が混入された触媒を、閉成器体に
配設した金属メツシユに毛細管現象を利用して付
着させる。
この金属メツシユは、Au、Pt、Pd、Rh、Ag、
Hg、Si、Tiやこれらの合金、またはCs、Rb、
K、Na、Ba、Li、St、Ca、Mg、Be、Al、Y、
Sc、Mn、Zn、Fe、Pbやこれらの合金を用いる
のが好ましい。
Hg、Si、Tiやこれらの合金、またはCs、Rb、
K、Na、Ba、Li、St、Ca、Mg、Be、Al、Y、
Sc、Mn、Zn、Fe、Pbやこれらの合金を用いる
のが好ましい。
この金属メツシユのサイズとしては、20メツシ
ユ以下、金属の厚みが50μm〜150μm程度が良好
であり、金属メツシユが大き過ぎると、毛細管現
象が充分に機能せず、同メツシユで触媒を保持す
ることが困難となる傾向があり、また金属の厚み
が50μm以下となると、同メツシユの強度を、取
扱上使い勝手が不充分となる程度に低下させるこ
ととなり、150μm以上になるとポリアセチレン
フイルムの膜厚より金属の厚みが大となり、同メ
ツシユとポリアセチレンフイルムとの密着性が低
下する。
ユ以下、金属の厚みが50μm〜150μm程度が良好
であり、金属メツシユが大き過ぎると、毛細管現
象が充分に機能せず、同メツシユで触媒を保持す
ることが困難となる傾向があり、また金属の厚み
が50μm以下となると、同メツシユの強度を、取
扱上使い勝手が不充分となる程度に低下させるこ
ととなり、150μm以上になるとポリアセチレン
フイルムの膜厚より金属の厚みが大となり、同メ
ツシユとポリアセチレンフイルムとの密着性が低
下する。
次に、第3工程である反応工程においては、上
記閉成器体内の触媒にアセチレンガスを供給し
て、重合反応を生じさせる。
記閉成器体内の触媒にアセチレンガスを供給し
て、重合反応を生じさせる。
上記の3工程を施すことにより、ポリアセチレ
ンフイルムの中に金属微粉末が均一に分散される
と共に、このポリアセチレンフイルムと金属メツ
シユが一体に結合された製品が得られる。
ンフイルムの中に金属微粉末が均一に分散される
と共に、このポリアセチレンフイルムと金属メツ
シユが一体に結合された製品が得られる。
次に、上記ポリアセチレンフイルムの製造方法
の具体例を第2図により説明する。
の具体例を第2図により説明する。
先ず、第1工程である混入工程においては、重
合用の触媒として、先ず精製したトルエン15.1ml
にトリエチルアルミニウム3.0mlとチタニウムテ
トラブトキサイド1.9mlを混合して均一化し、こ
れに、金属微粉末として粒径20μmのアルミニウ
ム微粉末2gを分散混合したものを用意する。
合用の触媒として、先ず精製したトルエン15.1ml
にトリエチルアルミニウム3.0mlとチタニウムテ
トラブトキサイド1.9mlを混合して均一化し、こ
れに、金属微粉末として粒径20μmのアルミニウ
ム微粉末2gを分散混合したものを用意する。
つゞいて、金属メツシユとして上記金属微粉末
と同一金属であるアルミニウム製の金属メツシユ
4(厚さは100μm、20メツシユ)を閉成器体で
あるガラス製重合容器1の中に入れて、その内壁
1aに嵌装する。
と同一金属であるアルミニウム製の金属メツシユ
4(厚さは100μm、20メツシユ)を閉成器体で
あるガラス製重合容器1の中に入れて、その内壁
1aに嵌装する。
さらに、第2工程である付着工程においては、
上記重合容器1の中に、触媒調整弁2を介して触
媒導入管3から上記アルミニウム微粉末を均一混
合したチーグラナツタ触媒を入れ、軸杆Aを回転
中心として、駆動源により稼動される伝動機構B
により、同重合容器1を回転すると、同重合容器
1の内壁1aに上記アルミニウム製の金属メツシ
ユ4が密接すると共に、同メツシユに上記チーグ
ラナツタ触媒が付着する。
上記重合容器1の中に、触媒調整弁2を介して触
媒導入管3から上記アルミニウム微粉末を均一混
合したチーグラナツタ触媒を入れ、軸杆Aを回転
中心として、駆動源により稼動される伝動機構B
により、同重合容器1を回転すると、同重合容器
1の内壁1aに上記アルミニウム製の金属メツシ
ユ4が密接すると共に、同メツシユに上記チーグ
ラナツタ触媒が付着する。
次に、第3工程である反応工程においては、上
記重合容器1を低温恒温槽の中に入れ、液体窒素
等で−78℃に冷却すると共に、同容器1内に導入
しておいた不活性ガスを図示しない真空ポンプに
より、ガス調整弁7を具備した排出管8にて排気
する。
記重合容器1を低温恒温槽の中に入れ、液体窒素
等で−78℃に冷却すると共に、同容器1内に導入
しておいた不活性ガスを図示しない真空ポンプに
より、ガス調整弁7を具備した排出管8にて排気
する。
つづいて、同容器1の中に、原料ガス調整弁5
を開成して、導入配管6からアセチレンガスを導
入し、ガス圧を1気圧に保持した状態で10分間に
わたつて重合反応を行わせる。
を開成して、導入配管6からアセチレンガスを導
入し、ガス圧を1気圧に保持した状態で10分間に
わたつて重合反応を行わせる。
さらに、同重合反応終了後、同容器1内の未反
応のアセチレンガスを、ガス調整弁7を開いて排
出管8から外部へ排気すると共に、残留している
当該触媒を、5回程度トルエンにより繰返し洗浄
して除去する。
応のアセチレンガスを、ガス調整弁7を開いて排
出管8から外部へ排気すると共に、残留している
当該触媒を、5回程度トルエンにより繰返し洗浄
して除去する。
つづいて、重合により得られたポリアセチレン
フイルムを重合容器から取り出して、真空乾燥を
行い導電性を有するポリアセチレンフイルムであ
る製品が得られた。
フイルムを重合容器から取り出して、真空乾燥を
行い導電性を有するポリアセチレンフイルムであ
る製品が得られた。
このポリアセチレンフイルム11は、第1図に
示すように、電子顕微鏡による観察の結果アルミ
ニウムの微粉末12が均一に分散混合されると共
に、ポリアセチレンの200Å程度のフイブリル構
造13の中にアルミニウム製の金属メツシユ4が
絡み合うように取り込まれており、その膜厚
(t)は200μmであつた。
示すように、電子顕微鏡による観察の結果アルミ
ニウムの微粉末12が均一に分散混合されると共
に、ポリアセチレンの200Å程度のフイブリル構
造13の中にアルミニウム製の金属メツシユ4が
絡み合うように取り込まれており、その膜厚
(t)は200μmであつた。
尚、本発明は、上記実施例のように非連続的手
段によつて実施するだけでなく、金属メツシユが
駆動プーリーなどにより供給されるようにした連
続的手段によつて実施してもよいこと、もちろん
である。
段によつて実施するだけでなく、金属メツシユが
駆動プーリーなどにより供給されるようにした連
続的手段によつて実施してもよいこと、もちろん
である。
本発明は、前記のように構成され、かつ上記実
施例によつて具現されるものであるから、金属微
粉末が混在された触媒が金属メツシユに付着し、
アセチレンガスの重合反応時に、同微粉末が均一
に混一に混入され、かつ、当該金属メツシユと一
体化されたポリアセチレンフイルムが得られるの
で、同フイルムの製造に際して、金属メツシユに
よる毛細管現象により膜厚が均一化すると共に、
得られた同フイルムも機械的安定性に優れて取扱
い上至便であり、さらに導電性が良好で内部抵抗
が小さく、従つてドーピングに際し、低電圧充電
が可能となつて、電流が充分に流れるのでドープ
が均一に進行し、例えば、電極活物質の全面的な
有効利用が可能となり、プラスチツク二次電池の
電極として用いる際にも、単なるポリアセチレン
フイルムに、金属の補助電極を添着してやるとい
つた手間も不要となる。
施例によつて具現されるものであるから、金属微
粉末が混在された触媒が金属メツシユに付着し、
アセチレンガスの重合反応時に、同微粉末が均一
に混一に混入され、かつ、当該金属メツシユと一
体化されたポリアセチレンフイルムが得られるの
で、同フイルムの製造に際して、金属メツシユに
よる毛細管現象により膜厚が均一化すると共に、
得られた同フイルムも機械的安定性に優れて取扱
い上至便であり、さらに導電性が良好で内部抵抗
が小さく、従つてドーピングに際し、低電圧充電
が可能となつて、電流が充分に流れるのでドープ
が均一に進行し、例えば、電極活物質の全面的な
有効利用が可能となり、プラスチツク二次電池の
電極として用いる際にも、単なるポリアセチレン
フイルムに、金属の補助電極を添着してやるとい
つた手間も不要となる。
第1図は本発明方法により製造されたポリアセ
チレンフイルムの一実施例を示す破断斜視説明
図、第2図は同方法の実施に使用される装置例を
示した縦断正面図、第3図は従来のポリアセチレ
ンフイルムの製造方法を実施するのに使用される
装置の縦断正面略示図である。 1…重合容器、4…金属メツシユ、11…ポリ
アセチレンフイルム、12…金属微粉末。
チレンフイルムの一実施例を示す破断斜視説明
図、第2図は同方法の実施に使用される装置例を
示した縦断正面図、第3図は従来のポリアセチレ
ンフイルムの製造方法を実施するのに使用される
装置の縦断正面略示図である。 1…重合容器、4…金属メツシユ、11…ポリ
アセチレンフイルム、12…金属微粉末。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 金属微粉末をチーグラーナツタ触媒の中に混
入する混入工程と、同触媒を閉成器体内で金属メ
ツシユに付着させる付着工程と、同器体内の上記
触媒にアセチレンガスを供給することで重合反応
を生じさせて、上記微粉末がポリアセチレンフイ
ルム中に均一に分散され、かつこれらと上記金属
メツシユとが一体化されたポリアセチレンフイル
ムを生成させる反応工程とを施すようにしたこと
を特徴とする導電性ポリアセチレンフイルムの製
造方法。 2 金属微粉末は、金属メツシユと同一金属また
は同一金属を含む合金からなる特許請求の範囲第
1項記載のポリアセチレンフイルムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59231479A JPS61108632A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 導電性ポリアセチレンフイルムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59231479A JPS61108632A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 導電性ポリアセチレンフイルムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61108632A JPS61108632A (ja) | 1986-05-27 |
| JPH037208B2 true JPH037208B2 (ja) | 1991-02-01 |
Family
ID=16924137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59231479A Granted JPS61108632A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 導電性ポリアセチレンフイルムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61108632A (ja) |
-
1984
- 1984-11-02 JP JP59231479A patent/JPS61108632A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61108632A (ja) | 1986-05-27 |
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