JPH0372585B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0372585B2 JPH0372585B2 JP58032838A JP3283883A JPH0372585B2 JP H0372585 B2 JPH0372585 B2 JP H0372585B2 JP 58032838 A JP58032838 A JP 58032838A JP 3283883 A JP3283883 A JP 3283883A JP H0372585 B2 JPH0372585 B2 JP H0372585B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz glass
- silicon carbide
- carbide film
- inert gas
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、石英ガラスの表面に炭化珪素膜を設
ける方法に関するものである。
ける方法に関するものである。
炭化珪素は、非常に硬く丈夫な物質として知ら
れ、その膜も緻密で化学的および物理的にも丈夫
なものなので、保護膜として利用される。
れ、その膜も緻密で化学的および物理的にも丈夫
なものなので、保護膜として利用される。
従来、この炭化珪素の膜の作り方はSiCl4と
CH4とを反応させ、物体表面上にSiCを蒸着させ
るものでいわゆる化学蒸気析出法（Chemical
Vapor Deposit＝CVD）と呼ばれる方法であつ
て、比較的均一な厚さの膜を作るのに適している
が、一般的には析出に時間がかゝることから1μ
ｍ以下の薄い膜の形成に利用されていた。
CH4とを反応させ、物体表面上にSiCを蒸着させ
るものでいわゆる化学蒸気析出法（Chemical
Vapor Deposit＝CVD）と呼ばれる方法であつ
て、比較的均一な厚さの膜を作るのに適している
が、一般的には析出に時間がかゝることから1μ
ｍ以下の薄い膜の形成に利用されていた。
そこで本発明の目的とするところは、膜厚の厚
い炭化珪素の膜を簡単かつ迅速に石英ガラスの表
面に設けることが可能な方法を提供することにあ
り、その特徴は1850℃以上に加熱された石英ガラ
スの表面にカーボン蒸気を含んだ不活性ガスを接
触させ、石英ガラスの表面に炭化珪素膜を生成さ
せる工程を含むことにある。
い炭化珪素の膜を簡単かつ迅速に石英ガラスの表
面に設けることが可能な方法を提供することにあ
り、その特徴は1850℃以上に加熱された石英ガラ
スの表面にカーボン蒸気を含んだ不活性ガスを接
触させ、石英ガラスの表面に炭化珪素膜を生成さ
せる工程を含むことにある。
以下図面を参照しながら本発明を説明する。
図において、１は黒鉛、モリブデンもしくはタ
ングステン製のルツボで、下部にノズル２を有
し、図示略のヒーターで、上記ルツボ１を約2000
℃まで昇温させ、内部に収納した石英ガラスの破
片クズ、もしくはそれらの類似物質を溶融し、ノ
ズル２から引出すよう構成する。ヒーターは、カ
ーボン、タングステンもしくはモリブデン等の抵
抗加熱器でも良いし、高周波加熱器でも良い。
ングステン製のルツボで、下部にノズル２を有
し、図示略のヒーターで、上記ルツボ１を約2000
℃まで昇温させ、内部に収納した石英ガラスの破
片クズ、もしくはそれらの類似物質を溶融し、ノ
ズル２から引出すよう構成する。ヒーターは、カ
ーボン、タングステンもしくはモリブデン等の抵
抗加熱器でも良いし、高周波加熱器でも良い。
他方、ルツボ１内には、ノズル２に向けて黒鉛
製の不活性ガス導入管３が配置され、その内部に
例えば１〜10／minの流量で窒素ガスを流す。
したがつて、溶融した石英ガラス４が、ノズル２
から流出する時、石英ガラス４はルツボ１の下方
において、中空のパイプ状に凝固した石英ガラス
４ａとなり中空部５は、ガス導入管３を構成する
カーボンの蒸気を含んだ窒素ガスが通過する。こ
の時石英ガラス４ａの内面はノズル２近傍で約
2000℃であり、こゝでカーボン蒸気と石英ガラス
を構成する珪素とが反応して、石英ガラスの表面
に炭化珪素を生成させる。したがつて、上記状態
で石英ガラス４ａをそのまゝ下方へ引出していく
と、その内面に炭化珪素の膜が形成された石英ガ
ラスの管が得られる。上記の状態で約5μｍ以上
の膜厚の炭化珪素が比較的簡単かつ迅速に得られ
る。また、炭化珪素の物性上、この膜を設けた石
英ガラスは非常に耐熱性が大きくなり、通常石英
ガラスの熱加工時に使用する酸水素炎で加熱して
も変形しない。
製の不活性ガス導入管３が配置され、その内部に
例えば１〜10／minの流量で窒素ガスを流す。
したがつて、溶融した石英ガラス４が、ノズル２
から流出する時、石英ガラス４はルツボ１の下方
において、中空のパイプ状に凝固した石英ガラス
４ａとなり中空部５は、ガス導入管３を構成する
カーボンの蒸気を含んだ窒素ガスが通過する。こ
の時石英ガラス４ａの内面はノズル２近傍で約
2000℃であり、こゝでカーボン蒸気と石英ガラス
を構成する珪素とが反応して、石英ガラスの表面
に炭化珪素を生成させる。したがつて、上記状態
で石英ガラス４ａをそのまゝ下方へ引出していく
と、その内面に炭化珪素の膜が形成された石英ガ
ラスの管が得られる。上記の状態で約5μｍ以上
の膜厚の炭化珪素が比較的簡単かつ迅速に得られ
る。また、炭化珪素の物性上、この膜を設けた石
英ガラスは非常に耐熱性が大きくなり、通常石英
ガラスの熱加工時に使用する酸水素炎で加熱して
も変形しない。
本発明は上記の通りであるが、他の実施例とし
て不活性ガス中に、予めカーボン蒸気を含有せし
めてもよく、このときは不活性ガス導入管３とし
てタングステンもしくはモリブデンを利用し、不
活性ガスとして、例えばCH4を含んだ窒素ガス、
ヘリウムもしくはアルゴン等を採用しても良い。
この結果、窒素ガスなどの不活性ガスは、含有す
るCH4が熱分解してカーボン蒸気を含んだ不活性
ガスとなり、前記の実施例と同様の炭化珪素膜を
得ることができる。また、石英ガラスの表面温度
は、実験によれば、1850℃以上あれば十分であ
る。
て不活性ガス中に、予めカーボン蒸気を含有せし
めてもよく、このときは不活性ガス導入管３とし
てタングステンもしくはモリブデンを利用し、不
活性ガスとして、例えばCH4を含んだ窒素ガス、
ヘリウムもしくはアルゴン等を採用しても良い。
この結果、窒素ガスなどの不活性ガスは、含有す
るCH4が熱分解してカーボン蒸気を含んだ不活性
ガスとなり、前記の実施例と同様の炭化珪素膜を
得ることができる。また、石英ガラスの表面温度
は、実験によれば、1850℃以上あれば十分であ
る。
図は、本発明方法の説明図である。
１……ルツボ、２……ノズル、３……ガラス導
入管、４……石英ガラス。
入管、４……石英ガラス。
Claims (1)
- １ 1850℃以上に加熱された石英ガラスの表面
に、カーボン蒸気を含んだ不活性ガスを接触さ
せ、石英ガラスの表面に炭化珪素膜を生成させる
工程を含むことを特徴とする石英ガラスの表面に
炭化珪素膜を設ける方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58032838A JPS59162149A (ja) | 1983-03-02 | 1983-03-02 | 石英ガラスの表面に炭化珪素膜を設ける方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58032838A JPS59162149A (ja) | 1983-03-02 | 1983-03-02 | 石英ガラスの表面に炭化珪素膜を設ける方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59162149A JPS59162149A (ja) | 1984-09-13 |
| JPH0372585B2 true JPH0372585B2 (ja) | 1991-11-19 |
Family
ID=12369959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58032838A Granted JPS59162149A (ja) | 1983-03-02 | 1983-03-02 | 石英ガラスの表面に炭化珪素膜を設ける方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59162149A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1184909B (it) * | 1985-03-18 | 1987-10-28 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Procedimento ed apparecchiatura per la riduzione dei difetti di volume e di superficie nelle fibre ottiche in silice |
| FR2638733B1 (fr) * | 1988-11-10 | 1991-12-20 | Pechiney Electrometallurgie | Procede de production de carbure de silicium micr onique |
-
1983
- 1983-03-02 JP JP58032838A patent/JPS59162149A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59162149A (ja) | 1984-09-13 |
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