JPH0372921B2 - - Google Patents
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- JPH0372921B2 JPH0372921B2 JP60071362A JP7136285A JPH0372921B2 JP H0372921 B2 JPH0372921 B2 JP H0372921B2 JP 60071362 A JP60071362 A JP 60071362A JP 7136285 A JP7136285 A JP 7136285A JP H0372921 B2 JPH0372921 B2 JP H0372921B2
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- Japan
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- arc
- electrode
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- spacing
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/14—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring distance or clearance between spaced objects or spaced apertures
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はアーク溶解させる対向配置した鋼等の
被溶解材間の間隔およびセンタ位置を測定する溶
解位置測定装置に関する。
被溶解材間の間隔およびセンタ位置を測定する溶
解位置測定装置に関する。
鋼や合金等に溶解にはアークを発生させこのア
ーク熱により溶解するアーク溶解法なる技術があ
る。この技術のうち特開昭55−165271号公報に開
示されているVADER（Vacuum Arc Double
Electrode Remelting）法と呼ばれるものがあ
る。これは第９図に示すように非水冷鋳型１上部
に一対の消耗電極２，３を水平方向に対向させて
設置し、これら電極２，３間に真空中でアークＡ
を発生させ、このアーク熱により電極２，３を溶
融するものである。
ーク熱により溶解するアーク溶解法なる技術があ
る。この技術のうち特開昭55−165271号公報に開
示されているVADER（Vacuum Arc Double
Electrode Remelting）法と呼ばれるものがあ
る。これは第９図に示すように非水冷鋳型１上部
に一対の消耗電極２，３を水平方向に対向させて
設置し、これら電極２，３間に真空中でアークＡ
を発生させ、このアーク熱により電極２，３を溶
融するものである。
また、他の溶解方法として第１０図に示す技術
もある。すなわち、消耗電極４，５を鋳型６上部
にその中心線が交わるように水平または下方向き
に対向させて設置し、真空下あるいは、不活性ガ
ス雰囲気中で各電極４，５間及び各電極４，５と
鋳型６及び再溶解インゴツト７間にアークＢを発
生させ、そのアーク熱により電極４，５を溶融さ
せるものである。
もある。すなわち、消耗電極４，５を鋳型６上部
にその中心線が交わるように水平または下方向き
に対向させて設置し、真空下あるいは、不活性ガ
ス雰囲気中で各電極４，５間及び各電極４，５と
鋳型６及び再溶解インゴツト７間にアークＢを発
生させ、そのアーク熱により電極４，５を溶融さ
せるものである。
なお、消耗電極４，５は長手方向イ，ロにスラ
イド可能であるとともにハ，ニ方向に移動可能な
構成となつており、溶解の進行に従つて消耗電極
４，５を送出させて各電極４，５間のギヤツプが
調整されている。このようにして溶融した溶融金
属は落下して鋳型６に入り、この鋳型６において
溶融プール８となり凝固してインゴツト７として
製造される。
イド可能であるとともにハ，ニ方向に移動可能な
構成となつており、溶解の進行に従つて消耗電極
４，５を送出させて各電極４，５間のギヤツプが
調整されている。このようにして溶融した溶融金
属は落下して鋳型６に入り、この鋳型６において
溶融プール８となり凝固してインゴツト７として
製造される。
ところで、以上のアーク熱溶解法の技術におい
てアークを安定して発生して効率良く溶解し高品
質で均一なインゴツトを製造するには、各電極
２，３および４，５間の間隔および電極間のセン
タ位置の情報を知ることが重要な事項である。つ
まり、間隔が長いとアークが発生しなくなり、ま
た間隔が短かく各電極が接触する状態となるとア
ークは発生しなくなり再点弧が困難となつてしま
う。また、断面積の小さいインゴツトやホローピ
ース等の製造に際しては、粒滴状の溶解金属を鋳
型内の所定位置に落下させる必要があり、このた
め電極の間隔およびそのセンタ位置を高精度に制
御しなければならない。
てアークを安定して発生して効率良く溶解し高品
質で均一なインゴツトを製造するには、各電極
２，３および４，５間の間隔および電極間のセン
タ位置の情報を知ることが重要な事項である。つ
まり、間隔が長いとアークが発生しなくなり、ま
た間隔が短かく各電極が接触する状態となるとア
ークは発生しなくなり再点弧が困難となつてしま
う。また、断面積の小さいインゴツトやホローピ
ース等の製造に際しては、粒滴状の溶解金属を鋳
型内の所定位置に落下させる必要があり、このた
め電極の間隔およびそのセンタ位置を高精度に制
御しなければならない。
しかしながら従来、各電極間の間隔、センタ位
置はオペレータの目視によりその情報を得、この
情報に基づいて電極間の間隔、センタ位置を制御
しているのが現状である。したがつてアーク発生
に適切な電極間隔およびセンタ位置が得られずそ
の制御装置の実現が要望されている。
置はオペレータの目視によりその情報を得、この
情報に基づいて電極間の間隔、センタ位置を制御
しているのが現状である。したがつてアーク発生
に適切な電極間隔およびセンタ位置が得られずそ
の制御装置の実現が要望されている。
本発明は上記実情に基づいてなされたもので、
その目的とするところは、オンラインで電極間隔
およびそのセンタ位置が測定できる溶解位置測定
装置を提供することにある。
その目的とするところは、オンラインで電極間隔
およびそのセンタ位置が測定できる溶解位置測定
装置を提供することにある。
本発明は、アーク光成分を除去して放射輝度成
分を通過させる光学フイルタが設けられた輝度検
出器により対向配置された被溶解材の輝度を検出
し、この検出信号から被溶解材の温度分布を求
め、さらにこの温度分布から間隔位置演算手段が
被溶解材の間隔およびセンタ位置を求める溶解位
置測定装置である。
分を通過させる光学フイルタが設けられた輝度検
出器により対向配置された被溶解材の輝度を検出
し、この検出信号から被溶解材の温度分布を求
め、さらにこの温度分布から間隔位置演算手段が
被溶解材の間隔およびセンタ位置を求める溶解位
置測定装置である。
以下、本発明の一実施例について図面を参照し
て説明する。第１図は溶解位置測定装置の全体構
成図である。同図において１０は溶解炉の真空容
器であり、１１，１２は被溶解材としての各電極
である。Ｃはアークであり、１３は落下している
粒滴状の溶解金属である。
て説明する。第１図は溶解位置測定装置の全体構
成図である。同図において１０は溶解炉の真空容
器であり、１１，１２は被溶解材としての各電極
である。Ｃはアークであり、１３は落下している
粒滴状の溶解金属である。
２０は輝度検出器としての撮像装置であつて、
これは電極１１，１２の放射輝度分布を真空容器
１０に設けられている測定窓を通して検出するも
ので、その視野５は各電極１１，１２が入るよう
な１次元となつている。
これは電極１１，１２の放射輝度分布を真空容器
１０に設けられている測定窓を通して検出するも
ので、その視野５は各電極１１，１２が入るよう
な１次元となつている。
３０はアーク位置演算装置であつて、これは撮
像装置２０からのビデオ信号を受けてこのビデオ
信号から各電極１１，１２の温度分布を求め、こ
の温度分布から電極間隔およびそのセンタ位置を
演算し求めるものである。
像装置２０からのビデオ信号を受けてこのビデオ
信号から各電極１１，１２の温度分布を求め、こ
の温度分布から電極間隔およびそのセンタ位置を
演算し求めるものである。
ここで、撮像装置２０およびアーク位置演算装
置３０の具体的な構成について第２図を参照して
説明する。
置３０の具体的な構成について第２図を参照して
説明する。
撮像装置２０は、その先端に光学フイルタ２１
が設けられ、この光学フイルタ２１を通つた輝度
光がレンズ２２を通つてセンサ２３上に結像され
るようになつている。このセンタ２３は光電変換
素子を１次元に多数配列した構成のもので、例え
ば光電変換素子としてシリコン・フオト・ダイオ
ード・アレイ（リニア・アレイ、CCD一次元セ
ンタ）を1024素子配列した構成となつている。
が設けられ、この光学フイルタ２１を通つた輝度
光がレンズ２２を通つてセンサ２３上に結像され
るようになつている。このセンタ２３は光電変換
素子を１次元に多数配列した構成のもので、例え
ば光電変換素子としてシリコン・フオト・ダイオ
ード・アレイ（リニア・アレイ、CCD一次元セ
ンタ）を1024素子配列した構成となつている。
ここで、光学フイルタ２１について説明する。
第３図は電極１１，１２間で発生するアークＣの
分光放射特性と黒体炉を用いて得られた黒体の分
光放射特性との相対的比較を示している。なお、
同図においてアーク・スペクトルは被溶解材とし
て数種ある中の一例であるが、他の被溶解材を用
いた場合でも、また不活性雰囲気、或は真空度を
変えた場合でもスペクトルは異なるが0.85μm以
上については黒体放射に比べ殆んど無視しうるこ
とが判明している。また同図はシリコン・フオ
ト・ダイオード・アレイを検出器としたマルチ・
チヤンネル分光器を用いて測定したもので、これ
に用いたレンズ、回析格子、フオト・ダイオー
ド・アレイの総合的な分光感度は第４図に示すよ
うになつていることが判明している。
第３図は電極１１，１２間で発生するアークＣの
分光放射特性と黒体炉を用いて得られた黒体の分
光放射特性との相対的比較を示している。なお、
同図においてアーク・スペクトルは被溶解材とし
て数種ある中の一例であるが、他の被溶解材を用
いた場合でも、また不活性雰囲気、或は真空度を
変えた場合でもスペクトルは異なるが0.85μm以
上については黒体放射に比べ殆んど無視しうるこ
とが判明している。また同図はシリコン・フオ
ト・ダイオード・アレイを検出器としたマルチ・
チヤンネル分光器を用いて測定したもので、これ
に用いたレンズ、回析格子、フオト・ダイオー
ド・アレイの総合的な分光感度は第４図に示すよ
うになつていることが判明している。
第３図に示すようにアーク光の放射分光特性
は、波長0.80μm付近まで強いスペクトルが存在
する。一方、波長0.80μm以下ではシリコン・フ
オト・ダイオード・アレイを用いたアーク光のス
ペクトルは、例えば1500℃Ｐ１、1650℃P2の黒
体放射と比較して非常に弱くほとんど無視しうる
ことがわかる。
は、波長0.80μm付近まで強いスペクトルが存在
する。一方、波長0.80μm以下ではシリコン・フ
オト・ダイオード・アレイを用いたアーク光のス
ペクトルは、例えば1500℃Ｐ１、1650℃P2の黒
体放射と比較して非常に弱くほとんど無視しうる
ことがわかる。
従つて、本実施例における光学フイルタ２１
は、Ｓ／Ｎを向上させるために波長0.90μm以上
の赤外線透過フイルタを用いてアーク光を除去
し、各電極１１，１２の放射輝度分布を検出する
ようになつている。この場合、第４図からわかる
ように波長0.90μm以上でもシリコン・フオト・
ダイオード・アレイは感度を持つておりしかも測
定対象温度が1400℃以上であつて十分は出力値が
得られる。
は、Ｓ／Ｎを向上させるために波長0.90μm以上
の赤外線透過フイルタを用いてアーク光を除去
し、各電極１１，１２の放射輝度分布を検出する
ようになつている。この場合、第４図からわかる
ように波長0.90μm以上でもシリコン・フオト・
ダイオード・アレイは感度を持つておりしかも測
定対象温度が1400℃以上であつて十分は出力値が
得られる。
また、レンズ２２は各電極１１，１２の移動範
囲領域を視野とするような焦点距離のものが選定
されて設けられている。さらに撮像装置２０に
は、センタ２３を駆動するドライバ回路２４およ
びビデオ信号増幅回路２５が内設されている。
囲領域を視野とするような焦点距離のものが選定
されて設けられている。さらに撮像装置２０に
は、センタ２３を駆動するドライバ回路２４およ
びビデオ信号増幅回路２５が内設されている。
次にアーク位置演算装置３０の構成について説
明する。スタートパルス発生回路３１はドライバ
回路２４を起動するスタートパルスを発生するも
ので、このスタートパルスの周波数（センタ２３
での走査周波数）は一定輝度の対象を測定する場
合、出力電圧とは反比例の関係にあるので、黒体
炉校正を行う時に測定する温度範囲を満たすよう
な周波数をもつて発生する。３２はビデオ信号増
幅回路２５からのビデオ信号のレベルを判定して
溶解温度付近に達したかを判断してこの旨をシー
ケンス制御部３３に送出するとともにビデオ信号
を放射輝度分布記憶部３４に送出するものであ
る。なお、ビデオ信号は放射輝度分布記憶部３４
に記憶される前にデイジタル化されるようになつ
ている。３５は間隔位置演算部であつて、これは
放射輝度分布記憶部３４に記憶されたデイジタル
ビデオ信号を読み出して電極１１，１２の温度分
布を求め、この温度分布における各電極１１，１
２の各ピークレベル位置を求めてこれらピークレ
ベル位置をセンタ２３の光電変換素子の位置に換
算して電極１１，１２の間隔およびそのセンタ位
置を求める機能を持つたものである。初期値設定
部３６には、アーク溶解開始前の電極１１，１２
の間隔およびそのセンタ位置の情報が予め設定さ
れている。
明する。スタートパルス発生回路３１はドライバ
回路２４を起動するスタートパルスを発生するも
ので、このスタートパルスの周波数（センタ２３
での走査周波数）は一定輝度の対象を測定する場
合、出力電圧とは反比例の関係にあるので、黒体
炉校正を行う時に測定する温度範囲を満たすよう
な周波数をもつて発生する。３２はビデオ信号増
幅回路２５からのビデオ信号のレベルを判定して
溶解温度付近に達したかを判断してこの旨をシー
ケンス制御部３３に送出するとともにビデオ信号
を放射輝度分布記憶部３４に送出するものであ
る。なお、ビデオ信号は放射輝度分布記憶部３４
に記憶される前にデイジタル化されるようになつ
ている。３５は間隔位置演算部であつて、これは
放射輝度分布記憶部３４に記憶されたデイジタル
ビデオ信号を読み出して電極１１，１２の温度分
布を求め、この温度分布における各電極１１，１
２の各ピークレベル位置を求めてこれらピークレ
ベル位置をセンタ２３の光電変換素子の位置に換
算して電極１１，１２の間隔およびそのセンタ位
置を求める機能を持つたものである。初期値設定
部３６には、アーク溶解開始前の電極１１，１２
の間隔およびそのセンタ位置の情報が予め設定さ
れている。
次に上記の如く構成された装置の動作について
説明する。各電極１１，１２に電流が供給されて
アークＣが発生し、このアーク熱により溶解温度
に達すると各電極１１，１２は溶解して粒滴状の
溶解金属１３として鋳型内に向かつて落下する。
説明する。各電極１１，１２に電流が供給されて
アークＣが発生し、このアーク熱により溶解温度
に達すると各電極１１，１２は溶解して粒滴状の
溶解金属１３として鋳型内に向かつて落下する。
一方、シーケンス制御部３３の指令によりスタ
ートパルス発生回路３１からスタートパルスがド
ライバ回路２４に送出されると、センサ２３の各
光電変換素子（シリコン・フオト・ダイオード・
アレイ）が駆動走査される。ところで撮像装置２
０は、その視野５が各電極１１，１２を補えるよ
うに設置されているので、各電極１１，１２の像
は光学フイルタ２１、レンズ２２を通つてセンサ
２３上に結像される。ここで、光学フイルタ２１
は赤外線透過フイルタが用いられているためアー
ク光は除去され各電極１１，１２の放射輝度成分
のみがセンサ２３に達する。これによりセンサ２
３からは放射輝度分布に応じたビデオ信号がビデ
オ信号増幅回路２５を通つて走査周波数判定部３
２に送られる。この走査周波数判定部３２では入
力したビデオ信号のレベルを判定して溶解温度に
達したかを判断し、溶解温度に達していればその
旨をシーケンス制御部３３に送出する。ここで、
溶解温度に達していなければシーケンス制御部３
３の指令により初期値設定部３６からアーク溶解
開始前の間隔およびセンタ位置の情報が読み出さ
れ、この情報に基づいて各電極１１，１２の位置
が制御される。
ートパルス発生回路３１からスタートパルスがド
ライバ回路２４に送出されると、センサ２３の各
光電変換素子（シリコン・フオト・ダイオード・
アレイ）が駆動走査される。ところで撮像装置２
０は、その視野５が各電極１１，１２を補えるよ
うに設置されているので、各電極１１，１２の像
は光学フイルタ２１、レンズ２２を通つてセンサ
２３上に結像される。ここで、光学フイルタ２１
は赤外線透過フイルタが用いられているためアー
ク光は除去され各電極１１，１２の放射輝度成分
のみがセンサ２３に達する。これによりセンサ２
３からは放射輝度分布に応じたビデオ信号がビデ
オ信号増幅回路２５を通つて走査周波数判定部３
２に送られる。この走査周波数判定部３２では入
力したビデオ信号のレベルを判定して溶解温度に
達したかを判断し、溶解温度に達していればその
旨をシーケンス制御部３３に送出する。ここで、
溶解温度に達していなければシーケンス制御部３
３の指令により初期値設定部３６からアーク溶解
開始前の間隔およびセンタ位置の情報が読み出さ
れ、この情報に基づいて各電極１１，１２の位置
が制御される。
さて、溶解温度に達するとビデオ信号は走査周
波数判定部３２を通つてデイジタルビデオ信号に
変換されて放射輝度分布記憶部３４に記憶され
る。そこで、間隔位置演算部３５はこの記憶部３
４に記憶されたデイジタルビデオ信号を読み出し
て各電極１１，１２の間隔およびそのセンタ位置
を演算し求める。すなわち、デイジタルビデオ信
号から各電極１１，１２の温度分布が求められ
る。ここで、温度分布が第５図に示す如くとする
と、ピークレベルVnax（Va）は電極１１の先端部
分、またピークレベルVnax（Vb）は電極１２の先
端部分に相当している。なお、このピークレベル
Va，Vbは各電極１１，１２の最高温度部分に相
当する。そこで、これらピークレベルVa，Vbの
位置をセンサ２３の各シリコン・フオト・ダイオ
ード・アレイの素子位置に換算するがこの換算処
理について第６図を参照して説明する。出力電圧
の各ピークレベルVa，Vbに対してVnax・α（０＜
α＜１）の閾値を設定して１番目の素子から順次
次式を満足する素子naを検索する。
波数判定部３２を通つてデイジタルビデオ信号に
変換されて放射輝度分布記憶部３４に記憶され
る。そこで、間隔位置演算部３５はこの記憶部３
４に記憶されたデイジタルビデオ信号を読み出し
て各電極１１，１２の間隔およびそのセンタ位置
を演算し求める。すなわち、デイジタルビデオ信
号から各電極１１，１２の温度分布が求められ
る。ここで、温度分布が第５図に示す如くとする
と、ピークレベルVnax（Va）は電極１１の先端部
分、またピークレベルVnax（Vb）は電極１２の先
端部分に相当している。なお、このピークレベル
Va，Vbは各電極１１，１２の最高温度部分に相
当する。そこで、これらピークレベルVa，Vbの
位置をセンサ２３の各シリコン・フオト・ダイオ
ード・アレイの素子位置に換算するがこの換算処
理について第６図を参照して説明する。出力電圧
の各ピークレベルVa，Vbに対してVnax・α（０＜
α＜１）の閾値を設定して１番目の素子から順次
次式を満足する素子naを検索する。
V(oa)＞αVa＞V(oa+1) …(1)
次にｎ（1024）番目の素子に向つて順次検索し
て次式を満足する素子nbを検出する。
て次式を満足する素子nbを検出する。
V(ob)＜αVb＜V(ob+1) …(2)
このようにして求められた各電極１１，１２の
先端部分に相当する素子位置na，nbから各電極１
１，１２の間隔が求められる。すなわち、間隔
Ncは、 Nc＝nb−na …(3) を演算して求められる。
先端部分に相当する素子位置na，nbから各電極１
１，１２の間隔が求められる。すなわち、間隔
Ncは、 Nc＝nb−na …(3) を演算して求められる。
次に電極１１，１２の間のセンタ位置ncは
nc＝（na＋nb）／２ …(4)
なる演算を行なつて求められる。なお、以上のよ
うに求められた間隔Ncおよびそのセンタ位置nc
はセンサ２３の各素子位置に対応するセンタ位置
が求められる。そうして求められた間隔およびセ
ンタ位置の情報は、例えば各電極１１，１２に供
給する電流量や各電極１１，１２の位置制御を行
なう電極位置制御部に送られる。なお、電極位置
制御部４０，４１を加えた構成を第７図に示す。
うに求められた間隔Ncおよびそのセンタ位置nc
はセンサ２３の各素子位置に対応するセンタ位置
が求められる。そうして求められた間隔およびセ
ンタ位置の情報は、例えば各電極１１，１２に供
給する電流量や各電極１１，１２の位置制御を行
なう電極位置制御部に送られる。なお、電極位置
制御部４０，４１を加えた構成を第７図に示す。
このように上記一実施例においては、赤外線透
過フイルタが設けられた撮像装置２０からのビデ
オ信号を受けてアーク位置演算装置３０が、ビデ
オ信号から各電極１１，１２の温度分布を求め、
この温度分布におけるレベルのピークレベルに基
づいて各電極１１，１２の最高温度部分となる電
極の先端位置を求め、もつてこの先端位置から電
極間隔およびそのセンタ位置を求めるので、アー
ク溶解中に各電極１１，１２の先端位置およびそ
のセンタ位置が正確に測定でき、これらの情報に
基づいて各電極１１，１２の間隔および位置が制
御できる。したがつて、アークＣを安定して発生
して効率良く溶解でき高品質で均一なインゴツト
を常に製造できる。しかも、粒滴状の溶解金属の
落下位置も正確に制御できるので、断面積の小さ
いインゴツトやホローピース等も高品質で均一に
製造できる。
過フイルタが設けられた撮像装置２０からのビデ
オ信号を受けてアーク位置演算装置３０が、ビデ
オ信号から各電極１１，１２の温度分布を求め、
この温度分布におけるレベルのピークレベルに基
づいて各電極１１，１２の最高温度部分となる電
極の先端位置を求め、もつてこの先端位置から電
極間隔およびそのセンタ位置を求めるので、アー
ク溶解中に各電極１１，１２の先端位置およびそ
のセンタ位置が正確に測定でき、これらの情報に
基づいて各電極１１，１２の間隔および位置が制
御できる。したがつて、アークＣを安定して発生
して効率良く溶解でき高品質で均一なインゴツト
を常に製造できる。しかも、粒滴状の溶解金属の
落下位置も正確に制御できるので、断面積の小さ
いインゴツトやホローピース等も高品質で均一に
製造できる。
なお、本発明は上記一実施例に限定されるもの
ではない。例えば第８図に示すように撮像装置５
０は２次元像の撮像装置（シリコン・ビジコン・
二次元固体撮像装置等）を用いてセンタ位置演算
装置５１により各電極の温度分布を求めて間隔お
よびセンタ位置を求めるようにしてもよい。ま
た、VADER法によるアーク溶解装置に対して適
用してもよい。
ではない。例えば第８図に示すように撮像装置５
０は２次元像の撮像装置（シリコン・ビジコン・
二次元固体撮像装置等）を用いてセンタ位置演算
装置５１により各電極の温度分布を求めて間隔お
よびセンタ位置を求めるようにしてもよい。ま
た、VADER法によるアーク溶解装置に対して適
用してもよい。
以上詳記したように本発明によれば、オンライ
ンで電極間隔およびそのセンタ位置が測定できる
溶解位置測定装置を提供できる。
ンで電極間隔およびそのセンタ位置が測定できる
溶解位置測定装置を提供できる。
第１図は本発明に係る溶解位置測定装置の一実
施例を示す構成図、第２図は本発明装置の具体的
な構成図、第３図はアークおよび黒体の分光放射
特性の相対的比較を示す図、第４図はマルチチヤ
ンネル分光器の分光感度を示す図、第５図は本発
明装置による温度分布測定結果を示す図、第６図
は本発明装置の間隔およびセンタ位置の演算動作
を説明するための模式図、第７図および第８図は
本発明装置の変形例を示す図、第９図および第１
０図はアーク溶解法を用いた装置の構成図であ
る。 １０……真空容器、１１，１２……電極、２０
……撮像装置、２１……光学フイルタ、２２……
レンズ、２３……センサ、３０……アーク位置演
算装置、３２……走査周波数判定部、３４……放
射輝度分布記憶部、３５……間隔位置演算部、３
６……初期値設定部。
施例を示す構成図、第２図は本発明装置の具体的
な構成図、第３図はアークおよび黒体の分光放射
特性の相対的比較を示す図、第４図はマルチチヤ
ンネル分光器の分光感度を示す図、第５図は本発
明装置による温度分布測定結果を示す図、第６図
は本発明装置の間隔およびセンタ位置の演算動作
を説明するための模式図、第７図および第８図は
本発明装置の変形例を示す図、第９図および第１
０図はアーク溶解法を用いた装置の構成図であ
る。 １０……真空容器、１１，１２……電極、２０
……撮像装置、２１……光学フイルタ、２２……
レンズ、２３……センサ、３０……アーク位置演
算装置、３２……走査周波数判定部、３４……放
射輝度分布記憶部、３５……間隔位置演算部、３
６……初期値設定部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アークを発生しこのアーク熱により対向配置
した各被溶解材を溶解する装置において、前記各
被溶解材の各先端部分における輝度を検出する複
数の光電変換素子を配列した輝度検出器と、この
輝度検出器に設けられアーク光成分を除去する赤
外線透過フイルタと、前記輝度検出器から出力さ
れる検出信号から前記各被溶解材が溶解温度レベ
ル以上の信号により前記各被溶解材の先端部分の
温度分布を求める温度演算手段と、この温度演算
手段により求められた温度分布の各温度に対応す
る電圧とこの電圧のピークレベルに基づき決定し
た基準値とを比較して前記各被溶解材の各先端部
分に相当する位置にある前記光電変換素子を決定
するとともに、これらの光電変換素子の位置に基
づいて前記被溶解材の先端部分の間隔及びセンタ
位置を演算し求める間隔位置演算手段とを具備し
たことを特徴とする溶解位置測定装置。 ２ 赤外線透過フイルタは0.90μm以上の波長の
光を透過させる特許請求の範囲第１項記載の溶解
位置測定装置。 ３ 間隔位置演算手段は、各被溶解材の各先端部
分に相当する位置にある光電変換素子の位置をそ
れぞれna，nbとした場合、各被溶解材の各先端
部分の間隔Nc及びセンタ位置ncは Nc＝nb−na nc＝（na＋nb）／２ を演算して求める特許請求の範囲第１項記載の溶
解位置測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60071362A JPS61230019A (ja) | 1985-04-04 | 1985-04-04 | 溶解位置測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60071362A JPS61230019A (ja) | 1985-04-04 | 1985-04-04 | 溶解位置測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61230019A JPS61230019A (ja) | 1986-10-14 |
| JPH0372921B2 true JPH0372921B2 (ja) | 1991-11-20 |
Family
ID=13458309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60071362A Granted JPS61230019A (ja) | 1985-04-04 | 1985-04-04 | 溶解位置測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61230019A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016145846A (ja) * | 2016-05-19 | 2016-08-12 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 温度測定装置および温度測定方法 |
-
1985
- 1985-04-04 JP JP60071362A patent/JPS61230019A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61230019A (ja) | 1986-10-14 |
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