JPH0373355B2 - - Google Patents
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- JPH0373355B2 JPH0373355B2 JP58094487A JP9448783A JPH0373355B2 JP H0373355 B2 JPH0373355 B2 JP H0373355B2 JP 58094487 A JP58094487 A JP 58094487A JP 9448783 A JP9448783 A JP 9448783A JP H0373355 B2 JPH0373355 B2 JP H0373355B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultrapure water
- carbon dioxide
- resistivity
- filter
- dioxide gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ウエーハ面上を超純水で洗浄中に静
電気による放電破壊現象が生じるのを阻止すべ
く、この超純水中による炭酸ガスを吹き込み溶解
させ、比抵抗値を低下させるもので、炭酸ガスの
超純水中への吹き込こみ量を電磁弁で調節し、均
一に炭酸ガスを溶解するフイルターの出口に配し
た比抵抗値センサでこの電磁弁を制御し、ウエー
ハ面上に噴出される超純水の比抵抗値を常に一定
範囲に保つ超純水の製法並びにその装置に関す
る。
電気による放電破壊現象が生じるのを阻止すべ
く、この超純水中による炭酸ガスを吹き込み溶解
させ、比抵抗値を低下させるもので、炭酸ガスの
超純水中への吹き込こみ量を電磁弁で調節し、均
一に炭酸ガスを溶解するフイルターの出口に配し
た比抵抗値センサでこの電磁弁を制御し、ウエー
ハ面上に噴出される超純水の比抵抗値を常に一定
範囲に保つ超純水の製法並びにその装置に関す
る。
ICウエーハなどの製造には超純水が使用され
る。この超純水とは、微粒子、微生物、イオン性
化合物質は全んど含まず、比抵抗値は16〜
18MΩ・cm（25℃）と高く絶縁性を呈する。超薄
板の砥石でウエーハを細断する行程において、そ
の摩擦によりウエーハ面には静電気が発生し、ス
ピンナー洗浄（高圧水ジエツト方式）の際にこの
面に超純水を噴出すると、誘電体でもある超純水
を通して静電気による放電破壊が生じ、ウエーハ
面上の微細回路は一部溶断し短絡する。放電破壊
を防ぐには超純水の比抵抗を低げれば良いが、自
由電子をもつ金属イオンの混入は拡散によりIC
ウエーハ自体を毀損するので採用できず、ウエー
ハ面に噴出させる超純水の水圧や噴射角度の調節
により可及的に放電破壊を阻止している。しか
し、噴射角度の調節等では歩留りはさほどに向上
せず別途の放電対策が考えられてきた。本発明
は、純度が高く水に可溶な炭酸ガスを超純水に吹
きこみ比抵抗を著しく低下する方法を採択し、あ
る程度の導電性を有する超純水で静電気による放
電を阻止するもので、以下図面に基づいて詳しく
説明する。
る。この超純水とは、微粒子、微生物、イオン性
化合物質は全んど含まず、比抵抗値は16〜
18MΩ・cm（25℃）と高く絶縁性を呈する。超薄
板の砥石でウエーハを細断する行程において、そ
の摩擦によりウエーハ面には静電気が発生し、ス
ピンナー洗浄（高圧水ジエツト方式）の際にこの
面に超純水を噴出すると、誘電体でもある超純水
を通して静電気による放電破壊が生じ、ウエーハ
面上の微細回路は一部溶断し短絡する。放電破壊
を防ぐには超純水の比抵抗を低げれば良いが、自
由電子をもつ金属イオンの混入は拡散によりIC
ウエーハ自体を毀損するので採用できず、ウエー
ハ面に噴出させる超純水の水圧や噴射角度の調節
により可及的に放電破壊を阻止している。しか
し、噴射角度の調節等では歩留りはさほどに向上
せず別途の放電対策が考えられてきた。本発明
は、純度が高く水に可溶な炭酸ガスを超純水に吹
きこみ比抵抗を著しく低下する方法を採択し、あ
る程度の導電性を有する超純水で静電気による放
電を阻止するもので、以下図面に基づいて詳しく
説明する。
１は純度の高い炭酸ガスを充填したボンベ、２
は減圧弁、３は電磁弁で比抵抗調節器４により開
閉を繰り返す。５はフイルターでガスの中の不純
分を除去する。６は手動調節弁、８は電磁弁、９
は逆止弁でこれら炭酸ガス供給手段からの炭酸ガ
スはガス流路１０で超純水流路１１に吹きこまれ
る。超純水流路１１の手前に炭酸ガスの逆流を阻
止する逆止弁１２を配し、ガス流路１０との交差
部の下流側に気泡状の炭酸ガスの微細化と超純水
中の微粒子や微生物を除去するフイルター１３を
配する。超純水流路１１の更に下流に比抵抗調節
器４の入力となる比抵抗値センサ１４と比抵抗警
報器１５の入力となる比抵抗値センサ１６を配置
する。比抵抗値センサ１４の出力が一定範囲の上
限値をこえた時に電磁弁３は開成し、下限値以下
になつた時に閉成するようになつている。１７は
ノズル、１８は洗浄されるウエーハである。
は減圧弁、３は電磁弁で比抵抗調節器４により開
閉を繰り返す。５はフイルターでガスの中の不純
分を除去する。６は手動調節弁、８は電磁弁、９
は逆止弁でこれら炭酸ガス供給手段からの炭酸ガ
スはガス流路１０で超純水流路１１に吹きこまれ
る。超純水流路１１の手前に炭酸ガスの逆流を阻
止する逆止弁１２を配し、ガス流路１０との交差
部の下流側に気泡状の炭酸ガスの微細化と超純水
中の微粒子や微生物を除去するフイルター１３を
配する。超純水流路１１の更に下流に比抵抗調節
器４の入力となる比抵抗値センサ１４と比抵抗警
報器１５の入力となる比抵抗値センサ１６を配置
する。比抵抗値センサ１４の出力が一定範囲の上
限値をこえた時に電磁弁３は開成し、下限値以下
になつた時に閉成するようになつている。１７は
ノズル、１８は洗浄されるウエーハである。
次に作動について説明する。超純水は逆止弁１
２、フイルター１３、比抵抗値センサ１４，１
６、ノズル１７からなる流路系を一定の圧力で流
れており、ボンベ１内の炭酸ガスは減圧弁２で所
定圧に減圧され、閉成している電磁弁３に達して
いる。ノズル１７を通過する超純水の比抵抗値は
第２図のようにおよそ18MΩ・cm（25℃）であ
る。
２、フイルター１３、比抵抗値センサ１４，１
６、ノズル１７からなる流路系を一定の圧力で流
れており、ボンベ１内の炭酸ガスは減圧弁２で所
定圧に減圧され、閉成している電磁弁３に達して
いる。ノズル１７を通過する超純水の比抵抗値は
第２図のようにおよそ18MΩ・cm（25℃）であ
る。
比抵抗調節器４を調節しその上限値を
1.0MΩ・cm、下限値を0.1MΩ・cmにセツトし、
手動調節弁６を開成すると、比抵抗値センサ１４
は比抵抗調節器４を作動し電磁弁３を開成する。
炭酸ガスはフイルター５を通過し一層純度を高め
たのちガス流路１０を経て超純水流路１１に吹き
込まれる。圧入された気泡状の炭酸ガスはフイル
ター１３により微細化され均一に超純水中に溶解
する。このフイルター１３を通過した超純水は微
粒子等を一層除去されると共に溶けこんだ炭酸ガ
スが水分子と熱的平衡解離を生じ水素イオンを電
離させて比抵抗を低下させる。溶解する炭酸ガス
の割合に応じて比抵抗は低下する。比抵抗値が比
抵抗調節器４の設定下限値である0.1MΩ・cmに
近傍に達すると、比抵抗値センサ１４はこれを検
知し電磁弁３を閉成し炭酸ガスの吹きこみを停止
する。同時に、電磁弁８を数秒間ほぼ開成してガ
ス流路１０に混入した超純水を残留炭酸ガス圧に
より排出し再び閉じる。炭酸ガスの吹きこみ停止
により比抵抗値センサ１４を通過する超純水の比
抵抗は第２図の波形のように緩やかに上昇する。
上昇した比抵抗が設定上限値である1.0MΩ・cm
近傍に達すると、比抵抗調節器４は再び電磁弁３
を開成し、炭酸ガスを超純水流路１１内に圧入し
て超純水の比抵抗を低下させる。
1.0MΩ・cm、下限値を0.1MΩ・cmにセツトし、
手動調節弁６を開成すると、比抵抗値センサ１４
は比抵抗調節器４を作動し電磁弁３を開成する。
炭酸ガスはフイルター５を通過し一層純度を高め
たのちガス流路１０を経て超純水流路１１に吹き
込まれる。圧入された気泡状の炭酸ガスはフイル
ター１３により微細化され均一に超純水中に溶解
する。このフイルター１３を通過した超純水は微
粒子等を一層除去されると共に溶けこんだ炭酸ガ
スが水分子と熱的平衡解離を生じ水素イオンを電
離させて比抵抗を低下させる。溶解する炭酸ガス
の割合に応じて比抵抗は低下する。比抵抗値が比
抵抗調節器４の設定下限値である0.1MΩ・cmに
近傍に達すると、比抵抗値センサ１４はこれを検
知し電磁弁３を閉成し炭酸ガスの吹きこみを停止
する。同時に、電磁弁８を数秒間ほぼ開成してガ
ス流路１０に混入した超純水を残留炭酸ガス圧に
より排出し再び閉じる。炭酸ガスの吹きこみ停止
により比抵抗値センサ１４を通過する超純水の比
抵抗は第２図の波形のように緩やかに上昇する。
上昇した比抵抗が設定上限値である1.0MΩ・cm
近傍に達すると、比抵抗調節器４は再び電磁弁３
を開成し、炭酸ガスを超純水流路１１内に圧入し
て超純水の比抵抗を低下させる。
比抵抗値センサ１４がこの設定上限値と下限値
を検知し比抵抗調節器４により電磁弁３の開閉を
繰り返すことで、ノズル１７から噴出される超純
水の比抵抗は第２図のように繰り返し波形を採
り、常に一定範囲内の比抵抗値を有するように制
御される。噴出される超純水が設定許容範囲から
外れると、比抵抗値センサ１６を入力とすると比
抵抗警報器１５が警報を発する。
を検知し比抵抗調節器４により電磁弁３の開閉を
繰り返すことで、ノズル１７から噴出される超純
水の比抵抗は第２図のように繰り返し波形を採
り、常に一定範囲内の比抵抗値を有するように制
御される。噴出される超純水が設定許容範囲から
外れると、比抵抗値センサ１６を入力とすると比
抵抗警報器１５が警報を発する。
静電気を帯びたウエーハ１８に高圧の超純水が
噴射され洗浄されるが、この超純水の比抵抗が低
くある程度の導電性を有するために、表面の静電
気は流れる超純水を通して吸収され消滅する。従
来の超純水のように比抵抗が極めて高く誘電体
（絶縁体）として機能する時は、液中放電破壊が
生じやすく、ウエーハ１８は溶断損傷を受ける
が、本発明の比抵抗の低い超純水を使用する場合
には、このような静電気による放電は生じない。
炭酸ガスの吹きこみによる比抵抗値の許容範囲と
は、超純水のウエーハ１８面上への噴出時に、ウ
エーハ１８面上の静電気が、放電で逸散すること
なく、低い比抵抗値によるある程度の導電性で消
滅しえる範囲であり、第２図の範囲に限定される
ものでない。ウエーハ１８の電極パターンやその
表面の静電苛量などにより適宜この範囲は決めら
れる。
噴射され洗浄されるが、この超純水の比抵抗が低
くある程度の導電性を有するために、表面の静電
気は流れる超純水を通して吸収され消滅する。従
来の超純水のように比抵抗が極めて高く誘電体
（絶縁体）として機能する時は、液中放電破壊が
生じやすく、ウエーハ１８は溶断損傷を受ける
が、本発明の比抵抗の低い超純水を使用する場合
には、このような静電気による放電は生じない。
炭酸ガスの吹きこみによる比抵抗値の許容範囲と
は、超純水のウエーハ１８面上への噴出時に、ウ
エーハ１８面上の静電気が、放電で逸散すること
なく、低い比抵抗値によるある程度の導電性で消
滅しえる範囲であり、第２図の範囲に限定される
ものでない。ウエーハ１８の電極パターンやその
表面の静電苛量などにより適宜この範囲は決めら
れる。
また、炭酸ガスを均一に超純水中に溶解する手
段としてフイルター１３に代へて周知の渦流や乱
流発生機構を使用しても良い。洗浄される対象と
してウエーハ１８を説明してきたが、電子ビーム
描画によるマスク基板の洗浄に際しても当然に適
用される。
段としてフイルター１３に代へて周知の渦流や乱
流発生機構を使用しても良い。洗浄される対象と
してウエーハ１８を説明してきたが、電子ビーム
描画によるマスク基板の洗浄に際しても当然に適
用される。
要するに、本発明はウエーハ面上などに供給さ
れる超純水流路１１に、電磁弁３にて流量制御さ
れる炭酸ガスを直接吹き込み、この吹き込まれた
気泡をフイルター１３を微細化して超純水に溶解
し、フイルター１３の出口に配した比抵抗値セン
サー１４に基づく上記電磁弁制御により、ウエー
ハ面上に静電気による放電破壊が生じないよう
に、炭酸ガスの吹き込み量を定量的に制御するた
め、ウエーハ１８面を静電気による放電破壊を招
くことなく洗浄できる。
れる超純水流路１１に、電磁弁３にて流量制御さ
れる炭酸ガスを直接吹き込み、この吹き込まれた
気泡をフイルター１３を微細化して超純水に溶解
し、フイルター１３の出口に配した比抵抗値セン
サー１４に基づく上記電磁弁制御により、ウエー
ハ面上に静電気による放電破壊が生じないよう
に、炭酸ガスの吹き込み量を定量的に制御するた
め、ウエーハ１８面を静電気による放電破壊を招
くことなく洗浄できる。
図面は本発明実施の一例を示すもので、第１図
は炭酸ガスを超純水に吹きこむブロツク回路の説
明図、第２図は縦軸が超純水の比抵抗値を示す実
測結果のグラフ図である。 １……ボンベ、３……電磁弁、４……比抵抗調
節器、１０……ガス流路，１１……超純水流路、
１３……フイルター、１４……比抵抗値センサ。
は炭酸ガスを超純水に吹きこむブロツク回路の説
明図、第２図は縦軸が超純水の比抵抗値を示す実
測結果のグラフ図である。 １……ボンベ、３……電磁弁、４……比抵抗調
節器、１０……ガス流路，１１……超純水流路、
１３……フイルター、１４……比抵抗値センサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ウエーハ面上などに供給される超純水流路１
１に、電磁弁にて流量制御される炭酸ガスを直接
吹き込み、この吹き込まれた気泡をフイルターで
微細化して超純水に溶解し、フイルターの出口に
配した比抵抗値センサーに基づく上記電磁弁制御
により、ウエーハ面上に静電気による放電破壊が
生じないように、炭酸ガスの吹き込み量を定量的
に制御する、ウエーハの洗浄などに使用する比抵
抗の低い超純水の製法。 ２ 主流路の超純水に直接炭酸ガスを吹き込む炭
酸ガス供給源と、この吹き込み量を調整する電磁
弁と、主流路の超純水に吹き込まれた気泡状の炭
酸ガスを微細化するフイルターと、このフイルタ
ーの出口側に比抵抗値センサーとを配し、ウエー
ハ面上などに噴射される超純水が一定範囲の比抵
抗値を有するように比抵抗値センサーで上記電磁
弁を開閉する、ウエーハの洗浄などに使用する比
抵抗の低い超純水製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9448783A JPS60876A (ja) | 1983-05-27 | 1983-05-27 | ウェ−ハの洗浄などに使用する比抵抗の低い超純水の製法並びにその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9448783A JPS60876A (ja) | 1983-05-27 | 1983-05-27 | ウェ−ハの洗浄などに使用する比抵抗の低い超純水の製法並びにその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60876A JPS60876A (ja) | 1985-01-05 |
| JPH0373355B2 true JPH0373355B2 (ja) | 1991-11-21 |
Family
ID=14111644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9448783A Granted JPS60876A (ja) | 1983-05-27 | 1983-05-27 | ウェ−ハの洗浄などに使用する比抵抗の低い超純水の製法並びにその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60876A (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62188186A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-17 | 日産自動車株式会社 | 複合コネクタの端子の二重係止機構 |
| JPS62226632A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Taiyo Sanso Kk | 不純物原子のゲツタリングのための格子欠陥を半導体ウエハ背面に導入する方法 |
| JPS62226629A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Taiyo Sanso Kk | 半導体ウエハの洗浄方法 |
| JPS6386526A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | Taiyo Sanso Kk | 不純物原子のゲツタリングのための格子欠陥を半導体ウエハ背面に導入する方法 |
| US4954085A (en) * | 1987-07-24 | 1990-09-04 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Wiring structure |
| JPH02102529A (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-16 | Matsushita Electron Corp | マスク洗浄方法 |
| US5175124A (en) * | 1991-03-25 | 1992-12-29 | Motorola, Inc. | Process for fabricating a semiconductor device using re-ionized rinse water |
| JP3102721B2 (ja) * | 1993-03-23 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
| JP2662925B2 (ja) | 1993-04-09 | 1997-10-15 | 株式会社フロンテック | 高比抵抗液体の静電気除去方法及び装置 |
| JP3563789B2 (ja) | 1993-12-22 | 2004-09-08 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体の製造方法及び該製造方法に用いられる治具 |
| JPH0880393A (ja) * | 1994-09-14 | 1996-03-26 | Juki Corp | ２本針ミシン |
| JPH07312358A (ja) * | 1995-01-31 | 1995-11-28 | Sony Corp | 洗浄装置 |
| KR100527677B1 (ko) * | 1998-07-15 | 2006-02-01 | 삼성전자주식회사 | 비저항 측정부가 구비된 반도체소자 제조용 웨트스테이션 |
| CN105036284A (zh) * | 2006-10-17 | 2015-11-11 | Mks仪器股份有限公司 | 给去离子水充碳酸气的设备、系统和方法 |
| US8448925B2 (en) | 2006-10-17 | 2013-05-28 | Mks Instruments, Inc. | Devices, systems, and methods for carbonation of deionized water |
| JP2017204495A (ja) * | 2016-05-09 | 2017-11-16 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置 |
| TWI772294B (zh) | 2016-05-09 | 2022-08-01 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 基板清洗裝置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59166285A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-19 | Kurita Water Ind Ltd | 超純水の比抵抗制御装置 |
-
1983
- 1983-05-27 JP JP9448783A patent/JPS60876A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60876A (ja) | 1985-01-05 |
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