JPH0373871B2

JPH0373871B2 -

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Publication number: JPH0373871B2
Application number: JP57072369A
Authority: JP
Priority date: 1982-04-28
Filing date: 1982-04-28
Publication date: 1991-11-25
Also published as: JPS58189673A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、静電潜像の如く検出器に形成された
潜像を読み出し、適正な電気信号を得るための装
置に関する。

光導電層を含む多層型検出器に像露光して静電
潜像を形成し、検出器を光走査することにより静
電潜像を時系列電気信号として読出す方法は特開
昭54−31219号その他で既に知られている。

ここでは周知の方法の１つを説明した後、その
問題点を指摘しその解決を図る。

第１図は静電潜像読出し方法のブロツク図で１
０１は透明電極、１０２は光導電体層、１０３は
絶縁体層、１０４は１０２と１０３の境界面、１
０５は電極、１０６と１０７はスイツチ、１０８
は直流電源、１０９は出力端子、１１０は出力抵
抗、１１１は全面照射光、１１２，１１３，１１
４は電荷。１１５はネガフイルムで１１５−(1)は
透明部、１１５−(2)は不透明部。１１６は透過
光、１１７はレーザなどのビーム光、１１８は回
転鏡または振動鏡、１１７−(1)，１１７−(2)は１
１７の振動鏡１１８による反射光、Ｉ１０１は電
流、Ｖ１０１は出力電圧である。第１図Ａで、１
０６をオンし、１０７をオフして、１０８を１０
１と１０５の間に、図示のように印加して、層１
０２と１０３を充電する。この状態で光１１１に
より全面を照射すると、１０２の抵抗が低下し、
電荷の注入を生じ、１０１の電荷は図示のように
１０４に達し、電荷は１１２，１１３のように蓄
積される。これを１次帯電と言う。

次に、光１１１を除き、即ち暗状態にして、１
０６をオフし、１０７をオンすると、第１図Ｂに
示されるように、１０１に１１４が現われる。

この状態で、第１図Ｃのように、ネガフイルム
１１５を介して光１１１を全面に照射すると、１
１５−(1)の部分には光１１６が電極１０１に達
し、光導電層１０２の１１６が照射した部分の抵
抗が低下し、界面１０４の１１２と、電極１０１
の１１４と１０５の１１３の電荷は消滅する。従
つて、１１５−(2)の部分に相当する部分のみ電荷
が残る。これを像露光と言い、残つた電荷パター
ンを静電潜像と言う。

この後、第１図Ｄに示すように、スイツチ１０
６をオフ、１０７をオンにした状態で、１１８に
１１７を当て、その反射光１１７−(1)，１１７−
(2)で１０１を照射すれば、照射された部分の１０
２の抵抗が低下し、絶縁層１０３の電荷１１２が
出力抵抗１１０を介して放出され、Ｉ１０１が流
れて、１０９にＶ１０１が生じる。第１図Ｄは１
１７の反射光が１１７−(1)から１１７−(2)まで走
査した状態を示している。このようにして、静電
潜像は電流Ｉ１０１または電圧Ｖ１０１として読
出すことができる。

図からも明らかなように、電流Ｉ１０１は１１
６が照射した部分では流れず、１１６が照射され
なかつた部分のみ流れる。即ち、像の明部では電
流が流れず、像の暗部で電流が流れる。

上述の説明では、明部では電荷が完全に消滅
し、暗部では電荷が完全に保持されるものとした
が、この方法においては明暗に中間調がある場合
は、それに順じた静電潜像が形成され、その静電
潜像に順じた電流または電圧が得られるものであ
る。

第２図は第１図の方法による出力例で、横軸は
時間、即ちビーム光１１７の走査方向で、縦軸は
電流Ｉ１０１または電圧Ｖ１０１である。

２０１は明部の液形で、２０２は暗部の波形、
２０３は中間調の波形例を示している。

なお、上述の説明は光走査を１次元で行つた場
合のみを示したが、光走査を２次元に行えば、ビ
デオ信号と同様に、２次元画像の時系列電気信号
が得られる。

第３図は前述した従来例を２次元光走査して、
静電潜像を読出す様子を示す。３０１は第１図の
透明電極１０１を下方からみたのに相当する。３
０２〜３０６は光走査の軌跡である。光走査の主
走査は矢印の方向、即ち図上左より右へ走査す
る。副走査は図上、上より下に３０２，３０３，
３０４，３０５の順で走査し、図示していない
が、多数本走査して、最後３０６を走査して終わ
る。この時間経過をたどると、３０７，３０８，
３０９，３１０，３１１，３１２，３１３，３１
４の順で最後３１５，３１６で終わることは明ら
かである。

第４図は、第１図従来例で像露光を暗く全面一
様にして、第３図のごとく２次元光走査をした場
合の、理想的な電流波形を示している。横軸は時
間で、縦軸は電流である。４０２〜４０６は各々
３０２〜３０６の光走査に対応し、４０７〜４１
６は各々３０７〜３１６の位置に対応している。
また４１７は検出器外の所を光走査していて、信
号がない状態を表わしている。４１８はこの間に
多数本光走査がなされている時間を省略してい
る。第４図に示される理想的な状態では４０２〜
４０６の各光走査により得られる電流は皆等し
く、４０７〜４１６は全てＩ４０１となつてい
る。

第５図は、第１図Ｃの１１２の単位面積当りの
電荷量の時間的変化を示している。横軸は時間縦
軸は単位面積当りの電荷量で、単位面積当りの電
荷量は５０１のごとく時間が経過するとともに減
衰する。これは第１図の光電導層１０２の暗抵抗
が有限であるので、暗室中に放置しても、第１図
の１１２と１１４の電荷が時間の経過と共に中和
され、１１２の電荷量が減衰するためである。こ
れをダーク・デイケイと呼ぶ。

又、５０２は４１８に相当する時間的省略を示
している。ここで一例として検知器の大きさを
400×400mm、光走査を0.1mm間隔で行ない、各光
走査に於いて、0.1mm間隔を１画素とし、１画素
当り1μsecの時間がかかるとすれ、３０７〜３１
６又は４０７〜４１６までの時間Ｔは４１７の部
分を考慮に入れなくてもＴ＝400／0.1×400／0.1×1μsec ＝16sec となる。光走査を非常に速くすれば、第５図に示
されるようなダークデイケイは或る程度無視でき
るが、上述した常識的な計算から得られた数値は
ダークデイケイを無視し得ないことを示してい
る。

従つて、第３図に示された光走査によつて得ら
れる現実の電流波形は第４図と第５図を合成した
ものとなり、第６図に示されている。横軸は時
間、縦軸は電流を示している。部分波形６０２〜
６１６は各々３０２〜３４６，４０２〜４１６に
対応している。６１７は４１７と同様である。６
１８は４１８，５０２に相当する時間的省略を示
している。この図は第４図と同様に第１図従来例
の場合で、電流が大きい程、像が暗いと判断され
る。Ｉ６０１〜６０９は６０７〜６１６の部分に
対応する電流値で、Ｉ６０１〜６０９の順で小さ
くなつている。従つて、前述したように検出器全
面を同一の照度で像露光したにもかかわらず、第
６図で明らかなように、初めに光走査した部分よ
りも後から光走査した部分の方が、さも明るいご
とく認識されてしまう。即ち、第３図において上
部より下部の方が明るいと認識され、再生像に於
いてシエーデイング現像が起つてしまう。

これまで、ダークデイケイが生じることは予想
されたとは言え、現実の画像悪化に結びつけられ
ていない。と言うのは、実験機の場合、検出器の
寸法は例示した寸法に比べて遥かに小さく、また
走査速度を上げるため走査光のエネルギーを高め
ており、あるいはダークデイケイの少ない高価な
材料を選び得るからである。しかしながら、実施
の立場から見れば、画面寸法が大きい方が望まし
いし、また検出器の寿命を増加させるために走査
光のエネルギーは抑制されあるいは材料の使用は
低価格のものに限定されることになる。

本発明の目的は、潜像に関する情報が時間経過
で変化する現象に対処し、これを補償して所望の
信号を得ることになる。なお、先に従来技術とし
て説明した例は、潜像を与えるための原版として
ネガフイルムを使用する複写機の露光過程を使用
したが、原版を投影レンズで投影する装置、更に
は立体物の投影あるいは透過像を記録する装置の
露光過程にも適用できる。また、露光エネルギー
として可視光、または赤外光の如き不可視光もし
くはＸ線の如き放射線など、潜像を形成できるエ
ネルギーであればなんでも良い。殊に光導電体が
Ｘ線に感度を持つことはゼロラジオグラフイーに
よつて周知であり、Ｘ線検査機器、特に医用Ｘ線
検査機器に電子写真的手段を利用することは、記
録体に大版銀塩フイルムを使用しなくても済むこ
と、感度の向上によつてＸ線量を減らせること、
もしくは読み出した信号を直ちにビデオ画像とし
て観察しあるいは種々の電気的な操作を加えられ
る利点によつて要望が強い。また光導電体のＸ線
に対する感度が著しく低いか、ほとんどなかつた
としても螢光スクリーンのような像変換器を介在
させれば、潜像を形成することができる。

他方、潜像を読み出すための読出し走査につい
ても、後述の実施例では最も望ましい例としてレ
ーザー光による二次元走査を採用しているが、別
の放射エネルギーで照射しても良い。また走査の
際は、検出器を固定してエネルギー点の方を移動
させる代りに検出器を移送し、あるいはエネルギ
ー点の移動と検出器の移送を組合せても良い。

本発明の実施例は、第６図の出力波形を第７図
の波形の様に補正することを求められる。第７図
の信号部分７０２〜７０８は第６図の信号部分６
０２〜６０８に各々対応しており、第７図中に破
線で示した波形を実線の通り補正すれば適正な画
像が得られる。

ここに第６図と第７図は検出器の全面を同一の
照度で像露光した場合について説明しているが、
通常の使用状態では検出器全面が同一の照度であ
ることはほとんど無く、照度分布そして得られる
電気信号はランダムである。従つてこのままでは
補正の基準となるものが存在しないことになる。

以下、本発明の実施例を説明する。

第８図Ａ，Ｂ中、８０１はネサガラス等の層状
透明電極で、ここで透明とは使用放射エネルギー
を透過させることを意味するものとする。８０２
はSe系あるいはCds系等の光導電体層、８０３は
絶縁体層で、８０４は両層の境界面。８０５は層
状電極で、背面から読出し走査する場合は透明電
極とする。これら８０１乃至８０５の部材が一体
化されて検出器８００を構成する。また８０６と
８０７はそれぞれスイツチで、並列に接続されて
電極８０５に結合される一方、スイツチ８０６は
直流電源８０８の陰極に結合され、スイツチ８０
７は接地される。８０９は出力端子、８１０は出
力抵抗である。

更に８１１は露光々で、例えば不図示のハロゲ
ン電球から供給される。８１５はネガフイルム
で、８１５ａは透明領域、８１５ｂは不透明領域
である。８１６はネガフイルムを透過した透過光
で、ネガフイルムのパターンに対応した光分布を
持つ。そして検出器８００にはネガフイルムのパ
ターンに対応した静電潜像が形成されるわけで、
不透明領域８１５ｂで遮光された暗部には電荷８
１２〜８１４が蓄積され、明るくなる程単位面積
当りの電荷量は少なくなつている。

次に８２０は本発明で特徴的な遮蔽板で、静電
潜像の形成される範囲の外側で、検出器８００に
密接させた位置に配置するものとし、露光々の入
射を遮つて、検出器８００のこの領域（参照領
域）を常に暗状態に置く。従つて検出器８００の
遮蔽された領域には常に電荷８２１〜８２３が蓄
積される。以上の過程は、第１図のＣに相当す
る。

続いて遮蔽板８２０を取外し、検出器８００の
前方に光学走査器をセツトするか、検出器８００
を取外して読取り専用機の光学走査器の前にセツ
トし、あるいは裏側から第１図Ｄと第３図に描く
様にレーザー光点で二次元走査すると第９図に示
す様な電流波形例が得られる。なお、光学走査器
についてはガルバノミラーとポリゴンミラーを配
した普通の走査器を使用すれば良い。

第９図の波形は、潜像が任意の中間調の縦縞模
様の場合で、部分波形９０２〜９１８は第６図の
部分波形６０２〜６１８にそれぞれ対応する。９
２０，９２１，９２２，９２３，９２４は参照信
号で水平走査の初頭に現われ、遮蔽板８２０に遮
蔽された領域を光走査した時に得られる。そして
これら参照信号は、もし検出器にダークデイケイ
がなければ同じ大きさになるはずのものであるか
ら、信号９２０と９２１の比あるいは９２１と９
２２の比等々は潜像を形成した電荷がダークデイ
ケイして減少する比率を示す。部分波形９０２，
９０３…９０６が減少する比率と参照信号９２０
等が減少する比率は等しい。

即ち第１０図はダークデイケイを表わした図
で、第５図と同様、単位面積当りの電荷量に関し
ている。１００１ａは暗部に於けるダークデイケ
イ、１００１ｂは少し光が照射された領域のダー
クデイケイ、１００１ｃは強い光が照射された場
合のダークデイケイである。但し、１００２は時
間的に省略した部分を示す。１００１ａ，ｂ，ｃ
は時間に対して同じ比率で減少しており、また電
荷量と光走査して得られる電流値は比例している
ので、参照番号９２０〜９２４と部分波形９０２
〜９１６は時間に対し同じ比率で減少することが
わかる。

従つて参照番号９２０〜９２４を参照基準とし
て部分波形９０２〜９１６をあるべき強度に補正
すれば、第９図の電気波形は第１１図の波形の通
り補正できる。但し、第１１図の横軸は時間、縦
軸は電圧を表すものとし、図中、破線の波形は比
較のために第９図の電流波形を電圧波形に変換し
て示したものである。

第１１図の信号１１２０，１１２１〜１１２４
は参照信号９２０〜９２４に相当しており、縦軸
に沿つて付けられたV₁₁₀₂〜V₁₁₀₆は各々信号１１
２０〜１１２４の電圧を示す。最も高電圧の
V₁₁₀₁は基準電圧で、暗状態の領域で発生すべき
電圧であるが、電圧V₁₁₀₂で代用することもあり
得る。

ここでは電圧V₁₁₀₁を基準電圧とし、V₁₁₀₁と
V₁₁₀₂〜V₁₁₀₆のそれぞれの差に相当する分だけ、
信号処理回路の増幅器の利得を逐次調整すれ実線
で示す補正された電圧波形が得られる。ネガフイ
ルム８１５の像が一様の縦縞模様であれば、上述
した理由から補正後の部分波形１１０２′〜１１
０６′は皆等しくなる。

第１２図は検出器からの出力信号を補正するた
めの電気回路例を示す。符番８００は前述した検
出器、８３０はガルバノミラーで、ガルバノミラ
ーは軸を中心に往復回転し、不図示のレーザー光
源からのビームを図面に垂直な方向へ走査するた
めに役立つ。８３１はポリゴンミラーで、軸を中
心に等速回転し、ビームを図面内で走査するため
に役立つ。なお、走査器は種々の変形が可能で、
音響偏向素子の採用、更にはLEDの二次元アレ
イを投影し、LEDを順次点滅させても良い。

Refは、像露光時に遮光した参照領域、OP₁〜
OP₄はオペレーシヨナルアンプ、OM₁とOM₂は
ワンシヨツトマルチバイブレータ、FET₁〜
FET₄はＮチヤンネル電界効果トランジスタ、R₁
〜R₇は抵抗、C₁〜C₆はコンデンサ、D₁〜D₄はダ
イオードを表わしている。また、この電気回路例
では、第８図Ａの出力抵抗８１０の替りに、オペ
レーシヨナルアンプOP₁と抵抗R₁から成る電流電
圧変換器を用いる。

今、検出器８００がレーザービームで走査され
たとすると、検出器の或る微小部分に蓄積された
電荷は矢印で示す電流I₁₂₀₁の如く抵抗R₁とオペ
レーシヨナルアンプOP₁を介して放出される。オ
ペレーシヨナルアンプOP₁の出力例は第１３図の
ａに示す通りとする。電圧ＶはＶ＝I₁₂₀₁×R₁と
なる。

第１３図の出力波形ａは第９図の第１番目と第
２番目の部分波形と対応するものとし、第３，４
番目に対応する信号は省略している。第９図の参
照信号に相当する信号１３２０〜１３２４の電圧
をV₁₃₀₁〜V₁₃₀₅とし、その走査時間をT₁とする。
また検出器の遮光領域Refを除いた、静電潜像の
記録された有効領域の走査時間をT₂，今回の水
平走査から次回の水平走査までの走査時間、即ち
画像信号のない部分の時間をT₃とする。この走
査は例えば等速走査レンズ（−θレンズ）８３
２を介して行えば検出器の表面を一定速度で走査
することになるから、各主走査（水平走査）にお
ける各時間T₁，T₂，T₃を等しくすることができ
る。仮に普通の結像レンズを介して走査したとす
れば、主走査、副走査共に電気的補正を要するこ
とがある。

ワンシヨツトマルチバイブレータOM₁は参照
信号１３２０〜１３２４の立上りからパルス幅が
T₁の負のパルス（第１３図ｂ及び第１２図の信
号線、他も同様）を発生させ、ワンシヨツトマル
チバイブレータOM₂は負のパルスｂの立上りか
らパルス幅T₂の正のパルスｃを発生させる。波
形信号ａはオペレーシヨナルアンプOP₂、電界効
果トランジスタFET₁、抵抗R₂とR₃、コンデンサ
C₃で構成されるサンプルホールド回路へ入力さ
れる。電界効果トランジスタFET₁のゲートはダ
イオードD₁、コンデンサC₁を介してワンシヨツ
トマルチバイブレータOM₁の出力ｂにつながつ
ており、パルスｂが負の時のみ導通し、正の時は
開放状態である。

従つて電圧V₁₃₀₁〜V₁₃₀₅と予め設定した基準電
圧Vrefの差に相当する電圧がサンプルホールド
され、その反転電圧波形がオペレーシヨナルアン
プOP₂の出力ｄとなる。波形信号ａの他の一方
は、抵抗R₄と電界効果トランジスタFET₂で構成
される減衰器で減衰され、オペレーシヨナルアン
プOP₃と抵抗R₅R₆から成る反転増幅器で反転増
幅される。電界効果トランジスタFET₂のゲート
は並列されたダイオードD₂とコンデンサC₂を介
してオペレーシヨナルアンプOP₂の出力ｄにつな
がつている。この電界効果トランジスタFET₂は
ゲート電圧により等価的に可変インピーダンスと
して働き、ゲート電圧が高い程インピーダンスは
大きく、ゲート電圧が低い程インピーダンスは小
さい。よつて信号ｅは等価的に波形信号ａを抵抗
R₄と電界効果トランジスタFET₂で抵抗分割した
ものに相当し、電界効果トランジスタFET₂のゲ
ートにはｄの波形が加わるので、信号ｅは波形ａ
の参照信号１３２０〜１３２４の電圧が大きい程
大きく減衰し、小さい程小さく減衰した波形が得
られる。その結果、ダークデイケイによる参照信
号１３２０〜１３２４の電圧抵下を補正できる。

他方、信号ｅの反転増幅された信号ｆはコンデ
ンサC₅と電界効果トランジスタFET₃から成る同
期クランプ回路で直流再生される。電界効果トラ
ンジスタFET₃のゲートはダイオードD₃とコンデ
ンサC₃を介して信号線ｂにつながつており、電
界効果トランジスタFET₁の場合と同様にパルス
ｂが負のときのみ導通し、パルスｂが正の時は開
放状態である。従つて波形信号ｆはパルスｂが負
の時、即ち参照信号１３２０〜１３２４に対応す
る時間T₁の間ゼロボルトにクランプされ、波形
信号ｇとなる。波形信号ｇは抵抗R₇、電界効果
トランジスタFET₄でプランキング期間T₃を合成
される。

電界効果トランジスタFET₄のゲートはダイオ
ードD₄とコンデンサC₄の並列を介してワンシヨ
ツトマルチバイブレータOM₂の出力線ｃにつな
がつており、電界効果トランジスタFET₁，
FET₂の場合と同様に信号ｃが負のとき導通して
波形信号ｇの時間T₃をゼロボルトにした信号ｈ
を作る。この信号ｈは元の信号ａに比べて位相が
反転しており、像露光の際の明部は電圧が高く、
暗部は電圧が低くなつている。

また、この信号ｈはオペレーシヨナルアンプ
OP₄のバツフアを介してビデオ（VIDEO）信号
として時系列電気画像信号となる。信号ｂは同期
信号としてテレビジヨンなどの負の水平同期信号
などと同様の水平同期信号Ｈとして取扱え
る。

ビデオ信号VIDEOと水平同期信号Ｈは静
止画デイスフアイルへ記憶することができるし、
ビデオ信号をＡ／Ｄ変換して電子デジタルフアイ
ルなどへ記憶できる。また信号をそのまま、ある
いは記憶装置から読出し、陰極管や液晶デイスプ
レイパネル等の表示器へ表示したり、レーザープ
リンターなどの各種記録機器で画像再生できる。

なお、像露光の有効画面より前に即ち第８図Ｂ
に示す処の上部を遮蔽して、光走査の初めにその
遮蔽した部分の信号を垂直同期信号とすることが
できるし、第１番目の参照信号１３２０を垂直同
期信号にすることもできる。

本実施例では遮蔽した部分を主走査の初めに走
査する例を述べたが、各主走査の最後に走査して
も補正し得るし、読み出した信号を一旦記憶し、
その後補正する方法をとれば遮蔽した部分をどの
時点で走査しても補正処理は可能である。

また上例では遮蔽板８２０を着脱したが、第８
図の透明電極８０１の一端部を帯状に不透明電極
とするのも良く、この場合は透明電極８０５の側
から光走査するものとする。あるいは像露光を透
明電極８０５の側から行うのであれば、絶縁層８
０３の端部を不透明にすることで代用できる。

更に上述の検出器の画面は潜像の形成される領
域と参照領域を連続させていたが、分離した構造
とし、別々の信号線から出力を取出しても良い
し、あるいは撮影装置と読出し装置を別体とし、
読出し装置に参照部を固設して像露光を除いた他
の工程は並列して実施し、撮影装置で像露光が終
つた後、検出器を参照部に隣接配置して、これら
を続けて走査しても良い。他に検出器の材料、構
造そして寸法が定まれば一定の特性を示すから、
各主走査ごとのダークデイテイ特性を実験的手法
で検出してこれを記憶しておき、ほんの一部の遮
光領域からの信号と記憶した情報から全体を補正
することも可能である。

以上説明した例では像露光をする際に遮光する
ことで参照信号を得ていたが、潜像形成のプロセ
スが異なければ、即ち第１４図に従つて次に説明
するプロセスでは像露光時に参照領域を全面照射
することになる。第１４図のＡでスイツチ１０７
をオフし、スイツチ１０６をオンすると透明電極
１０１と１０５にはそれぞれ電荷１１２と１１３
が充電される。このプロセスでは第１図と違つ
て、全面照射しないから電荷１１２は光導電層１
０２に注入されることなく電極に止まる。

この状態でＢの様にネガフイルム１１５を通し
て像露光を行うと、透過光１１６が照射した範囲
は光導電層１０２の抵抗が低下して電荷の注入を
生じ、電荷１１２は境界面１０４へ移動し電荷３
１２−(1)になる。透過光１１６が照射されなかつ
た部分の電荷１１２はそのまま電極に止まる。

次に第１４図Ｃの様に暗状態でスイツチ１０６
をオフし、スイツチ１０７をオンすると、２つの
電極１０１と１０５は短絡されるから、電荷１１
２は出力抵抗を介して放出され、透過光１１６が
照射されなかつた範囲の電荷は消滅する。また照
射された所には負電荷１１４が現われる。その後
の読出し過程は既述のプロセスと同じであるが、
電荷の残つた部分は逆になつている。従つて、第
１５図の出力波形も逆転し、２０１′は明部、２
０２′は暗部、２０３′は中間調の波形である。

第１６図は本発明の別の実施例に関する像露光
過程を示す。図中、第８図と同一の部材には同じ
番号を付すものとする。但し、スイツチ８０６と
８０７のオン，オフは逆で、電荷の状態も異な
る。

新たに加入した８３４は参照信号用の露光ラン
プで、同図Ｂに示す様に棒状をしている。また８
３５は遮光板で、露光ランプ８３４からの光を潜
像形成領域へ侵入させないために設けている。露
光ランプ８３４の点燈は露光々８１１の照射と同
期して実施され、その結果、露光ランプ８３４に
照射された領域の電荷はネガフイルム８１５の透
明領域に対応する領域の電荷傾向と同じになる。

なお、棒状の露光ランプ８３４の代りに、キセ
ノン放電管からの光を光学フアイバー等の光伝送
部材で参照領域全体へ光伝送して全面露光するの
も良く、また露光ランプ８３４あるいは光伝送部
材の射光端と検出器透明電極８０１の間に拡散板
８３６を挿入する方が望ましい。

この様に静電潜像形成およ参照信号用露光が終
つた検知器は第１２図に示すと類似の構成で読み
出されるが、但し、電気回路の一部、オペレーシ
ヨナルアンプOP₃の近傍を第１７図の通り変更
し、オペレーシヨナルアンプOP₃を正転増幅器と
する。処理回路の作用説明は第１２図の場合と大
方同じなので省略するが、各出力信号は第１８図
の通りである。第１８図の波形信号は第１３図の
波形信号に対して明暗が逆転している。

第１９図は撮影装置に本発明を適用した実施例
である。図Ａは撮影機、Ｂは読取機の横断面を示
し、ここでは像露光時に、検出器の一部を成す参
照領域を遮光するプロセスを使用する。

８００は上述した多層型検出器、８２０は遮蔽
板である。１４０１は被写体で、図示の如く人体
の様な立体あるいは原稿の様な平面原版である。
１４０２は照明光源、１４０３は撮影レンズ、１
４０４はシヤツターである。照明光源１４０２を
キセノン放電管として、シヤツター１４０４の開
放と同期させて発光させても良い。１４０７はケ
ース、１４０７′はケースの蓋で、蓋１４０７′は
検出器８００を挿着、搬出するために設ける。な
お、静電潜像の形成された検出器を外光から守る
ためにカセツトを利用するのが実用的である。ま
た、電気系統等は省略した。１４０９は全面露光
用の光源で、ケース１４０７の内部に検出器へ向
けて配置する。

第１図を使つて既に説明した通り、スイツチを
操作し、光源１４０９を発光させて第１図Ａ，Ｂ
の過程を実現した後、被写体１４０１へ撮影レン
ズ１４０３をフオーカスするか、撮影レンズ１４
０３のフオーカス位置に被写体を配置し、照明光
源１４０２を発光させてシヤツター１４０４を開
放すると、被写体１４０１の像が撮影レンズ１４
０３の作用で検出器８００上に結像され、第１図
Ｃと第８図Ａで説明した過程が実現される。検出
器８００には被写体の静電潜像と、遮蔽板に対向
した領域に参照情報が蓄積される。

次に第１９図Ｂで、１４０９はケース、１４０
９′はケースの入出蓋である。１４１１はレーザ
ービームの発生器で、図面には描いていないがビ
ームを図面に垂直に下から上へ発生させる。この
ビームはビームエキスパンダへ入射させてビーム
径を若干拡大させておく。１４１２はガルバノミ
ラーで、レーザー発生器１４１１から来るビーム
が入射し、図面に垂直な面内で走査される（副走
査）。１４１３はポリゴンミラーで、等速回転し、
ガルバノミラー１４１２で反射したビームを図面
に平行な方向へ走査する（主走査）。１４１４は
走査用レンズである。

図Ａの撮影機で潜像形成の行われた検出器８０
０は蓋１４０７′を開けてケース１４０７から取
出され、読取機の蓋１４０９′を開けて、ケース
１４０９内に挿着される。ここで、レーザー発生
器１４１１、ガルバノミラー１４１２、ポリンミ
ラー１４１３を作動させれば、レーザービームは
検出器８００上を二次元走査し、静電潜像を読出
すことができる。この信号読出しについては既に
第１２図で説明した通りである。

なお、図Ａの撮影機では検出器の中心と撮影機
の光軸は参照領域（遮蔽板）の幅の半分だけ変位
する。また遮蔽板８２０を特に設けなくても、ケ
ース１４０７の一部に凹みを作つて、そこへ検知
器を差込み遮光しても良い。

更に検知器８００をカセツトに収納する場合は
カセツトの側面に蓋を設け、像露光と読出し時に
はカセツトを撮影機と読取機に装着し、カセツト
から機内に検出器を挿入するか、あるいはカセツ
トの正面にスライド蓋を付け、このカセツトごと
機内へ挿着して像露光時に蓋を開くことで実現で
きる。また遮蔽板はカセツトのケースで代用する
こともできる。

第２０図は、参照情報を全面露光で入力するプ
ロセスを使用した場合の撮影機を示すもので、８
３４は参照信号用の露光ランプ、８３５は遮光板
である。露光ランプ８３４はシヤツターの開放に
同期して点燈するものとする。なお、全面照射用
の光源１４０８は検出器８００を裏側から照射す
る位置に移している。この場合の被写体１４０１
は反射型原稿である。

第２１図は、本発明を適用した装置に係る全シ
ステムの概要を示している。１５０１と１５０２
は前述した通りの撮影機と読取機で、８００は検
出器である。読取機１５０２で静電潜像を電気信
号に変換し、電気信号は、第１２図で説明した電
気信号処理系を含む電気信号処理部で処理された
後、１５０５の記憶部で記憶し、また１５０６の
テレビ受像器で表示されるか、１５０７のレーザ
ープリンターあるいはインクジエツト式記録装置
で画像として記録される。あるいは記憶部１５０
５に記憶された電気信号を所望の時点で電気信号
処理部１５０４を介して読出し、表示器１５０６
で表示し、あるいは記憶装置１５０７で記録する
こともできる。

第２２図は、医用Ｘ線撮影装置に本発明を適用
した例を示す。図中、１６０１は被検者である。
また１６０２はＸ線発生器で、被検者１６０１を
照射する機能を持つ。１６０３は前面パネルで、
Ｘ線を透過し光を遮断する材料で作られており、
被検者と接触する。１６０５は遮蔽板で、Ｘ線を
遮断するため鉛のような材料を選択する。遮蔽板
は前面パネル１６０３に固設する。１６０６は外
箱、１６０７は検出器８００を出し入れするため
の蓋である。１６０８は検出器８００を全面照射
するための照明光源である。

本例の場合も、第１図Ａ，Ｂで説明した過程は
予め実施するものとし、次いでＸ線発生器１６０
２を作動させてＸ線を被検者へ曝射する。被検者
１６０１を透過したＸ線は前面パネルを透過して
検出器８００にＸ線透視像に当る静電潜像を形成
する。以降の過程は第１９図のＢそして第１２図
で説明した通りであるから説明を省く。

第２３図は、第２２図の例を変形した例であ
る。ここで１６０９は参照領域を照明するための
光源で、Ｘ線発生器の駆動に同期させて点燈す
る。また１６０１は光散乱性の反射斜面で、光源
１６０９から来る光を検出器８００へ向けて反射
する。この例では検出器８００の前面に螢光層な
どのＸ線−光変換物質層１６０８を設けて、単に
Ｘ線が光導電層へ作用するだけでなく螢光々が作
用を高める様にしている。なお、このＸ線−光変
換物質層１６０８は検出器の反対側の面に設けて
も良い。

第２４図は、第２２図のＸ線直接撮影装置に信
号読取機を結合した例である。ここでは外箱１６
０６の内側にレーザー発生器１６１１、ポリゴン
ミラー１６１３を配置し、レーザービーム１６１
２で検知器８００を走査する。なお、レンズ系や
副走査器は省略した。

前述した様にＸ線曝射によつて検出器８００の
有効領域には被検者１６０１のＸ線透過像相当の
静電潜像が形成されるが、検出器８００の参照領
域へ向うＸ線は鉛の遮蔽板１６０５で遮断される
から、この部分は暗状態に置かれ、検出器が光走
査された時には参照信号を提供し、ダークデイケ
イによる電気信号の劣化を補正することが可能に
なる。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは周知の静電潜像形成と
読出しプロセスを説明するための図。第２図は読
出した波形の図。第３図は検出器の二次元走査を
示す図。第４図は二次元走査した時の理想波形
図。第５図は単位面積当りの電荷量のダークデイ
ケイを示す図。第６図は二次元走査した時の実際
の出力波形図。第７図は補正を行つた後の出力波
形図。第８図Ａ，Ｂは本発明の実施例を示すプロ
セス説明図。第９図は出力電気信号の電流波形
図。第１０図は像露光の光量が異なる場合のダー
クデイケイを示す図。第１１図は補正を行つた後
の電圧波形図。第１２図は電気回路図。第１３図
ａ〜ｈは電気処理諸段階の電圧波形図。第１４図
Ａ，Ｂ，Ｃは周知の別の静電潜像形成プロセスを
示す図。第１５図は読出した波形の図。第１６図
Ａ，Ｂは別の実施例を示すプロセス説明図。第１
７図は要部電気回路図。第１８図ａ〜ｈは電気処
理諸段階の電圧波形図。第１９図Ａ，Ｂは、本発
明の適用例である撮影機と読取機の横断面図。第
２０図は別の適用例の横断面図。第２１図はシス
テム全体を示すブロツク図。第２２図は他の適用
例であるＸ線直接撮影装置の横断面図で、第２３
図と第２４図は各々変形例を示す横断面図であ
る。図中、１０１と８０１は透明電極、１０２と８
０２は光導電層、１０３と８０３は絶縁層、１０
４と８０４は境界面、１０５と８０５は透明電
極、１０６と１０７及び８０６と８０７はスイツ
チ、１０８と８０８は直流電源、１０９と８０９
は出力端子、１１０と８１０は出力抵抗、１１５
と８１５はネガフイルム、１１１と８１１は全面
照射光、１１８は走査器、８２０は遮蔽板、９２
０と９２１〜９２４は参照信号、８００は検出
器、８３０はガルバノミラー、８３１はポリゴン
ミラー、８３２は等速走査レンズ、OP₁〜OP₄は
オペレーシヨナルアンプ、OM₁とOM₂はワンシ
ヨツトマルチバイブレータ、FET₁〜FET₄は電
界効果トランジスタ、８３４は照明光源、８３５
は遮光板、１６０２はＸ線発生器である。

Claims

【特許請求の範囲】１画像情報が潜像として記録される画像検出器
を放射エネルギーで走査し、前記潜像に応じた画
像信号を読み出す潜像読出し装置において、前記検出器に記録される情報の時間経過による
変化に対応する参照信号を発生させる手段と、前
記参照信号を参照して前記画像信号を補正する手
段を有することを特徴とする潜像読出し装置。２前記参照信号を発生させる手段は、前記画像
検出器の像形成部と隣接し、均一潜像が記録され
る前記像形成部と同一構造の参照部であり、前記
放射エネルギーで走査することにより参照信号を
発生する特許請求の範囲第１項記載の潜像読出し
装置。３前記参照部は前記画像検出器の一部であり、
潜像記録時に遮蔽状態に置かれる特許請求の範囲
第２項記載の潜像読出し装置。４前記参照部は前記画像検出器の一部であり、
潜像読出し前に全面露光される特許請求の範囲第
２項記載の潜像読出し装置。５前記補正する手段は、前記参照信号に従つて
前記画像信号の増幅率を調整する手段を備える特
許請求の範囲第１項記載の潜像読出し装置。６被検物のＸ線画像情報を画像検出器に潜像と
して記録するＸ線撮影手段と、該画像検出器を光
ビームで二次元的に走査する走査手段と、前記潜
像に応じた画像信号を読み出す読出手段と、該読
出した画像信号を基に画像を形成して出力する出
力手段とを有する潜像読出し装置において、前記検出器に記録される情報の時間経過による
変化に対応する参照信号を発生させる手段と、前
記参照信号を参照して前記画像信号を補正する手
段を有することを特徴とする潜像読出し装置。７前記Ｘ線撮影手段は被検者のＸ線像を撮影す
る医用Ｘ線撮影装置である特許請求の範囲第６項
記載の潜像読出し装置。８前記走査手段は、レーザー光源と走査光学系
を有する特許請求の範囲第６項記載の潜像読出し
装置。９前記出力手段は画像を記録出力するプリンタ
を有する特許請求の範囲第６項記載の潜像読出し
装置。１０前記出力手段は画像を表示出力する表示装
置を有する特許請求の範囲第６項記載の潜像読出
し装置。