JPH02143778A

JPH02143778A - 電荷潜像の読取り方式

Info

Publication number: JPH02143778A
Application number: JP63297538A
Authority: JP
Inventors: Ryoyu Takanashi; 高梨　稜雄; Shintaro Nakagaki; 中垣　新太郎; Hirohiko Shinonaga; 浩彦篠永; Tsutae Asakura; 浅倉　伝; Masato Furuya; 正人古屋; Hiromichi Tai; 裕通田井
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 1988-11-25
Filing date: 1988-11-25
Publication date: 1990-06-01
Also published as: US5046828A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は電荷潜像の読取り方式に関する。

（従来の技術）被写体を撮像して得た映像信号は、編集、トリミング、
その他の画像信号処理が容易であるとともに、記録再生
ならびに記録再生消去が容易であるという特徴を有して
いるために、放送の分野以外に多くの分野、例えば、印
刷、電子出版、計測などの多くの分野での利用も試みら
れるようになり、例えば動画のような複数の時間に対応
した光学像情報の撮像記録や、−枚の画像の撮像記録を
従来装置に比べて解像度が一層高い状態で行うことを可
能にする装置の出現が強く要望されるようになった。

ところで、従来から一般的に使用されて来ている撮像装
置では、被写体の光学像を撮像レンズにより撮像素子の
光ｉ変換部に結像させるようにしていて、撮像素子で一
前記の被写体の光学像を電気的な画像情報に変換し、そ
の電気的な画像情報を時間軸上で直列的な映像信号とし
て出力させるようにしており、撮像装置の構成に当って
使用されるべき撮像素子としては各種の撮像管や各種の
固体撮像素子が使用されていることは周知のとおりであ
る。

さて、高画質・高解像度の再生画像を得るためには、そ
れと対応した映像信号を発生させうる撮像装置が必要と
されるが、撮像素子として撮像管を使用した撮像装置で
は、撮像管における電子ビーム径の微小化に限界があっ
て電子ビーム径の微小化による高解像度化が望めないこ
と、及び、撮７像管のターゲット容量はターゲット面積
と対応して増大するものであるために、ターゲット面積
の増大による高解像度化も実現できないこと、また。

例えば動画の撮像装置の場合には高解像度化に伴って映
像信号の周波数帯域が数十ＭＨｚ〜数百ＭＨｚ以上にも
なるためにＳ／Ｎの点で問題になる。

等の理由によって、高画質・高解像度の再生画東を再生
させうるような映像信号を発生させることは困難である
。

このように、従来の撮像装置ではそれの構成に不可欠な
撮像素子の存在によって、高画質・高解像度の再生画像
を再生させつるような映像信号を良好に発生させること
ができなかった。ので、高画質・高解像度の再生画像を
再生させうるような映像信号を良好に発生させることが
できる撮像装置の出現が望まれており、また、編集、ト
リミング、その他の画像信号処理が容易である他に、可
逆性を有する記録部材を使用して高い解像度を有する画
像の記録再生も容易に行えるという利点を有する映像信
号を用いた機器を導入しようとしている。

例えば、印刷、電子出版、計測などの多くの分野では、
−枚の画像の撮像記録を従来の撮像装置に比べて一層解
像度の高い状態で実現させうる撮像装置の出現が強く要
望された。

前記のような問題点の解決のために、本出願人会社では
先に、被写体の光学像に対応した光学像情報を撮像レン
ズにより可逆性を有する電荷潜像記録媒体に結像させて
記録媒体に記録再生の対象にされている情報に電荷潜像
として記録し再生したり、時系列的な電気信号を電荷潜
像として記録再生したりできる撮像装置や記録再生装置
を提案している。

（発明が解決しようとする課題）そして、前記した既提案の撮像装置や記録再生装置の実
施により、前記したような従来の問題点が良好に解決で
き、高い精細度を有する画像情報が記録再生できる装置
を提供し得た。

ところで、電荷潜像記録媒体に記録されている電荷潜像
の読取りは、従来から電荷潜像に基づいて生じる電界の
強度を各種の手段によって検出することによって行われ
て来ているが、前記の電界強度の各種の検出手段の内で
、読取りの対象にされている電荷潜像によって生じてい
る電界の強さに応じて光の状態を変化させる光変調材を
含んで構成されている光学的な電荷量の読取り部材を用
いて行われる電荷潜像の読取り方式は、電荷量の検出時
に用いられる光学的な電荷量の読取り部材に入射させる
光束として断面積の小さなものを使７用することにより
容易に高い解像度で電荷量を読′取ることができるとい
う特徴がある。

ところで、読取りの対象にされている電荷潜像によって
生じている電界の強さに応じて光の状態を変化させる光
変調材を含んで構成されている光学的な電荷量の読取り
部材において使用される光変調材として液晶が採用され
た場合には、光変調材として例えばニオブ酸リチウム単
結晶が用いられたような場合に比べて、着るしく高い検
出感度が得られるという利点を示すが、液晶を光変調材
として用いた場合には電荷量の読取り動作時に液晶に交
流電界を加えることが必要とされるために問題になった
。

また、光学的な電荷量の読取り部材の構成に際しては１
例えば誘電体ミラー、遮光膜、内部の反射防止膜などの
各種の部材が用いられることがあるが、前記した各種の
部材は一般に抵抗とコンデンサとによる回路網で示され
るような等価回路で示されるものであって有限な電気的
なインピーダンスを有しているために、これらの部材の
使用によって電荷量の読取り時における解像度が低下し
てしまうことも問題になった。

さらに、電荷潜像記録媒体に記録されている電荷潜像に
よって生じている電界は、光学的な電荷量の読取り部材
に対・して直流的な電界として加わることになるが、読
取りの対象にされている電荷潜像によって生じている電
界の強さに応じて光の状態を変化させる光変調材を含ん
で構成されている光学的な電荷量の読取り部材と、電荷
潜像記録媒体との間に空隙が存在している場合には、電
荷潜像記録媒体に記録されている電荷潜像によって生じ
ている電界が、非常に高い抵抗値を示す空隙と光学的な
電荷量の読取り部材とに分圧された状態で光学的な電荷
量の読取り部材に加えられるから、光学的な電荷量の読
取り部材における読取り感度が低いものになる。

（課題を解決するための手段）本発明は読取りの対象にされている電荷潜像によって生
じている電界の強さに応じて光の状態を変化させる光変
調材を含んで構成されている光学的な電荷量の読取り部
材と、前記の光学的な電荷量の読取り部材によって電荷
量が読取られるべき電荷潜像が記録されている電荷潜像
保持部材との間に、光導電体製の部材を配置し、前記の
光導電体製の部材に時間軸上で強度が変化する状態の光
を照射させた状態として前記の光学的な電荷量め読取り
部材によって電荷潜像の読取りを行うようにした電荷潜
像の読取り方式を提供するものである。

（作用）読取りの対象にされている電荷潜像によって生じている
電界の強さに応じて光の状態を変化させる光変調材を含
んで構成されている光学的な電荷量の読取り部材と、前
記の光学的な電荷量の読取り部材によって電荷量が読取
られるべき電荷潜像が記録されている電荷潜像保持部材
との間に、光導電体製の部材をｉｉ！′置し、前記の光
導電体製の部材に光源から時間軸上で強度が変化する状
態の光を照射させる。

光導電体製の部材に光源からの一様な強い光の照射によ
って光導電体製の部材の全体の電気抵抗が一様に低下し
た状態では、光学的な電荷量の読取り部材では電荷量の
読取りが行われず、また。

光導電体製の部材に光源から光導電体製の部材に照射す
る光を遮断、あるいは弱めて光導電体製の部材の全体の
電気抵抗を一様に高くした状態では、光学的な電荷量の
読取り部材で電荷量の読取り動作が行われる。

前記した光導電体製の部材に対する光源からの光の照射
量を時間軸上で変化させることにより。

光学的な電荷量の読取り部材において使用される光変調
材として液晶が採用されている場合でも、その液晶には
実質的に交流電界が加えられるために良好に動作するし
、また、光学的な電荷量の読取り部材の構成中に、例え
ば誘電体ミラー、遮光膜、内部の反射防止膜などの各種
の部材が用いられていても、電界が交流的なものとして
加わるために、それらの部材によって解像度が低下され
ることも防止でき、さらに、電荷潜像記録媒体に記録さ
れている電荷潜像によって生じている電界が交流的なも
のとして加わるために、光学的な電荷量の読取り部材と
、電荷潜像記録媒体との間に空隙が存在している場合で
も、電荷潜像記録媒体に記録されている電荷潜像によっ
て生じている電界が、空隙と光学的な電荷量の読取り部
材との静電容量の比で分圧された状態で光学的な電荷量
の読取り部材に加えられるから、光学的な電荷量の読取
り部材における読取り感度が向上される。

（実施例）以下、添付図面を参照して本発明の電荷潜像の読取り方
式の具体的な内容について詳細に説明する。第１図は本
発明の電荷潜像記録媒体の構成原理及び動作原理を説明
するためのブロック図、第２図乃至第１４は本発明の電
荷潜像の読取り方式のブロック図、第１５図は電荷潜像
記録媒体に電荷潜像を記録するのに使用される記録系の
ブロック図である。

まず、電荷像が記録されている記録済み電荷潜像記録媒
体ＲＭがどのようにして作られるのかについて第１５図
を参−照して説明する。

第１５図の（ａ）〜（ａ）において、ＲＭは電荷潜像記
録媒体であり、ま−た、記録系を示している第１５図の
（ａ）〜（ｃ）において０は被写体、Ｌは撮像レンズ、
ＷＨは書込みヘッド、ｖｂは電源であり、記録系で使用
されている書込みヘッドＷＨは、透明電極Ｅｔｗと光導
電層部材ＰＣＬｗとを積層した構成態様のものである。

第１５図の（ａ）に示されている電荷潜像記録媒体ＲＭ
は電極Ｅと誘電体層部材ＩＬとを積層した構成５ｉｔｓ
のものであり、また、第１５図のＣｂ）に示されている
電荷潜像記録媒体ＲＭは電極Ｅと誘７電体層部材ＩＬと
電荷移動抑止層部材ＥＳＬとを積層した構成態様のもの
であり、さらに、第１５図の（ｃ）〜（ｅ）に示されて
いる電荷潜像記録媒体ＲＭは電極Ｅと光導電体の微粒子
ＰｃＧの層を内在させである誘電体層部材ＩＬと光導電
層部材ＰＣＬとを積層した構成態様のものである。

電荷潜像記録媒体ＲＭを構成するのに使用されている前
記の電荷移動抑止層部材ＥＳＬは、それに大きな電界が
加えられたときに、トンネル効果によりトンネル電流が
流れるような薄い誘電体膜で構成されているものであっ
て、この電荷移動抑止層部材ＥＳＬは、例えば、二酸化
シリコンの薄層、あるいはアルミナの薄層などを用いて
構成したものを使用できる。

また前記した電荷潜像記録媒体ＲＭにおける光導電体の
微粒子ＰＣＧの層は、高い絶縁抵抗値を有する誘電体層
部材ＩＬ上に適当な手段により光導電体の微粒子ＰＣＧ
を分布させた状態で付着して構成できる。

第１５図の（ａ）〜（ｃ）に例示されている記録系にお
いて、被写体０の光学像が撮像レンズＬによって書込み
ヘッドＷＨにおける光導電層部材ＰＣＬｗに結像される
。

前記した各記録系の構成例において、書込みヘッドＷＨ
における透明電極Ｅｔｗには電源ｖｂの負電極が接続さ
れており、また、電荷潜像記録媒体ＲＭの電極Ｅには電
源ｖｂの正極が接続されている。

まず、第１５図の（ａ）に例示されている記録系におい
て、被写体○の光学像が撮像レンズＬにより書込みヘッ
ドＷＨの光導電層部材ＰＣＬｗに結像されると、光導電
層部材ＰＣＬｗの電気抵抗値は、それに結像された被写
体０の光学像に従って変化する。

既述のように、前記した書込みヘッドＷＨにおける透明
電極Ｅｔｗと電荷潜像記録媒体ＲＭにおける電極Ｅとの
間には電源ｖｂが接続されているから、前記のように光
導電層部材ＰＣＬｗの電気抵抗値が、それに結像された
被写体０の光学像に、従って変化することにより、書込
みヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬｗと電荷潜像記録媒
体ＲＭにおける誘電体層部材ＩＬとの間の電圧が、前記
した被写体０の光学像に従って変化するから、書込みヘ
ッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬｗと電荷潜像記録媒体Ｒ
Ｍにおける誘電体層部材ＩＬとの間に生じる放電によっ
て電荷潜像記録媒体ＲＭにおける誘電体層部材ＩＬに形
成される電荷潜像は前記した被写体Ｏの光学像に対応し
ているものになる。

次に、第１５図の（ｂ）に例示されている記録系におい
て、被写体Ｏの光学像が撮像レンズＬにより書込みヘッ
ドＷＨの光導電層部材ＰＣＬｗに結−像されると、光導
電層部材ＰＣＬＷの電気抵抗値は、それに結像された被
写体０の光学像に従って変化する。

前記した書込みヘッドＷＨにおける透明電極Ｅｔｗと電
荷潜像記録媒体ＲＭにおける電極Ｅとの間には電源ｖｂ
が接続されているから、前記のように光導電層部材ＰＣ
Ｌｗの電気抵抗値が、それに結像された被写体Ｏの光学
像に従って変化することにより、書込みヘッドＷＨの光
導電層部材ＰＣＬｗと電荷潜像記録媒体ＲＭにおける誘
電体層部材ＩＬとの間の電圧が、前記した被写体０の光
学像に従って変化するから、書込みヘッドＷＨの光導電
層部材ＰＣＬｗと電荷潜像記録媒体ＲＭにおける電荷移
動抑止層部材ＥＳＬとの間に生じる放電によって電荷潜
像記録媒体ＲＭにおける電荷移動抑止層部材ＥＳＬには
前記した被写体０の光学像に対応している電荷潜像が形
成されると、電荷移動抑止層部材ＥＳＬと電極Ｅとの間
の電界の大きさが、前記した被写体０の光学像に対応し
ているものになるために、電荷移動抑止層部材ＥＳＬに
トンネル効果による電流が流れて、電荷移動抑止層部材
ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとの境界に被写体０の光学像
に対応する電荷潜像が記録される。

次に第１５図の（Ｑ）に例示されている記録系において
、被写体０の光学像が撮像レンズＬにより書込みヘッド
ＷＨの光導電層部材ＰＣＬｗに結像されると、光導電層
部材ＰＣＬｗの電気抵抗値は、それに結像された被写体
０の光学像に従って変化する。

前記した書込みヘッドＷＨにおける透明電極Ｅｔｗと電
荷潜像記録媒体ＲＭにおける電極Ｅとの間には電源ｖｂ
が接続されているから、前記のように光導電層部材ＰＣ
Ｌｗの電気抵抗値が、それに結像された被写体０の光学
像に従って変化することにより、書込みヘッドＷＨの光
導電層部材ＰＣＬｗと電荷潜像記録媒体ＲＭにおける誘
電体層部材ＩＬとの間の電圧が、前記した被写体０の光
学像に従って変化するから、書込みヘッドＷＨの光導電
層部材ＰＣＬＷと電荷潜像記録媒体ＲＭ５おける誘電体
層部材ＩＬとの間に生じる放電によって電荷潜像記録媒
体ＲＭにおける誘電体層部材ＩＬに形成される電荷潜像
は前記した被写体０の、光学像に対応しているものにな
る。

前記のように電荷潜像記録媒体ＲＭにおける誘電体層部
材ＩＬに電荷潜像が形成された電荷潜像記録媒体ＲＭに
対して、第１５図の（ｄ）に例示しであるように電荷潜
像記録媒体ＲＭの電極Ｅ側から記憶用光源ＬＷの光を照
射すると、その光が誘電体層部材ＩＬ中に埋設されてい
る光導電体の微粒子の層における光導電体の微粒子ＰＣ
Ｇに与えられることにより光導電体の微粒子ＰＣＧには
電子−正孔対が発生する。

前記した光導電体の微粒子ＰＣＧ中に発生した電子−正
孔対と、光導電層部材ＰＣＬと誘電体層部材ＩＬとの境
界に形成されている電荷潜像の負電荷との間の電界によ
って、前記した光導電層部材ＰＣＬと誘電体層部材ＩＬ
との境界の負電荷は、トンネル効果によりトンネル電流
として誘電体層部材ＩＬにおける薄層の部分を突抜けて
、誘電体層部材ＩＬ中に内在している光導電体の微粒子
ＰＣＧの層の光導電体の微粒子ＰＣＧに達し、前記した
光導電体の微粒子ＰＣＧ中の電子−正孔対における正孔
と中和する力１ら、前記した光導電体の微粒子ＰＣＧは
負に帯電した状態となされて、被写体０の光学像に対応
する電荷潜像は第１５ｒｙｉの（ｅ）に例示しであるよ
うに電荷潜像記録媒体ＲＭにおける光導電体の微粒子Ｐ
ＣＧによって記録された状態になされる。

次に第１図を参照して本発明の電荷潜像記録媒体の読取
り方式の構成原理及び動作原理を説明する。第１図にお
いてＲＭは第１５図を参照して説明したようにした電荷
潜像が記録されている記録済記録媒体である（なお、第
２図乃至第１４図中に示されているＲＭも記録済記録媒
体である）。

第１図においてＲＨは光学的な電荷量の読取り部材であ
り、ＰＣＬは光導電層部材、１は透明電極、２，３は配
向膜、４，５はスペーサ、６は光変調材層として使用さ
れている液晶層、７は記録済記録媒体ＲＭと読取りヘッ
ドＲＨとの間の距離を実質的に短縮して高分解能での読
取りを可能にするための高誘電率基板であり、またＬＰ
は照明用光源（光導電層部材ＰＣＬのインピーダンス変
化用照明用光源）、ＶＩ２は照明用光源、ＳＷはスイッ
チである。

第１図において、スイッチＳＷを投入して照明用電源Ｖ
１２から照明用光源ＬＰに動作用電力を供給すると、照
明用光源ＬＰからの光が透明電極１→配向１１［２→液
晶層゛６→配向膜３→高誘電率基板７の光路を介して光
導電層部材ＰＣＬの全面に与えられると、光導電層部材
ＰＣＬはそれの全面にわたって低抵抗の状態になる。そ
のために記録済記録媒体ＲＭにおける電荷潜像からの電
気力線が前記したように全体が低抵抗状態になされた光
導電層部材ＰＣＬによって遮蔽されてしまって液晶層６
は達することがない。

次に、スイッチＳＷをオフにして照明用型ｇｖ息から照
明用光源Ｌ−Ｐ−に行われていた動作用電力の供給を遮
断すると、照明用光源ＬＰからの光が無くなり、光導電
層部材ＰＣＬはそれの全面にわたって高抵抗の状態にな
る。それにより記録済記録媒体ＲＭの電荷潜像からの電
気力線は全体が高抵抗状態になされた光導電層部材ＰＣ
Ｌを通過した後に、高誘電率基板７→配向膜３→液晶層
６の経路により液晶Ｍ６に与えられる。

この状態において液晶層６に光を入射させると、その光
は記録済記録媒体ＲＭの電荷潜像に基づく電界が与えら
れている液晶層６を通過する際に電界の強度に応じて旋
光の程度が変化するから、その光を検出することにより
記録済記録媒体ＲＭの電荷潜像を読取ることができる。

前記のようにスイッチＳＷのオン、オフを繰返して照射
用光ｇｐｒ、からの光を断続し、照射用光源ＰＬからの
光が無い状態のときに液晶Ｍ６に読取り光を入射させて
液晶層６から出射した光を検出することにより、記録済
記録媒体ＲＭの電荷潜像を読取ることができるのである
が、前記のように照射用光源ＰＬからの光が断続されて
いる状態での液晶層６の動作は実質的に交流的な動作と
なっており、したがって、前記のように時間軸上で強度
が変化する光を用いて光導１１層部材ＰＣＬの抵抗値を
変化させて液晶層６が実質的に交流動作を行うようにさ
せることにより、既述した問題６ζは良好に解決できる
。

第２図乃至第】、４図は、第１図を参照して説明した本
発明の電荷潜像記−録媒体の読取り方式の構成原理及び
動作原理に従って構成、動作するようになされている読
取り部材を用いて記録済記録媒体ＲＭからの読取りを行
う場合の例を示しているブロック図である。

第２図においてＲＩＩは光学的な電荷量の読取り部材で
あり、１は透明電極、２，３は配向膜、４゜５はスペー
サ、６は光変調材層として使用されている液晶層、ＤＭ
Ｌは誘電体ミラー、７は記録済記録媒体ＲＭと読取り部
材ＲＨとの間の距離を実質的に短縮して高分解能での読
取りを可能にするための高誘電率基板、ＰＣＬは光導電
層部材であり、また、第３図は前記した第２図示の光学
的な電荷量の読取り部材ＲＨにおける誘電体ミラーＤＭ
Ｌと、高誘電率基板７との間に遮光膜８を設けた構成態
様の読取り部材ＲＨであり、第４図は第２図に示されて
いる光学的な電荷量の読取り部材ＲＨにおける高誘電率
基板７と光導電層部材ｐｃＬとの配列順序を逆にした場
合の構成例であり、第５図は第３図に示さハている光学
的な電荷量の読取り部材ＲＨにおける高誘電率基板７と
光導電層部材ＰＣＬとの配列順序を逆にした場合の構成
例である。

また、第６図は第３図に示されている光学的な電荷量の
読取り部材ＲＨにおける高誘電率基板７と光導電層部材
ＰＣＬどの代わりに、光導電特性を有するＢＳＯのＭ９
を設けた光学的な電荷量の読取り部材ＲＨであり、第７
図は前記した第６図に示されている光学的な電荷量の読
取り部材ＲＨにおけるＢＳＯの層９の面に誘電体ミラー
ＤＭＬを設けたものであり、第８図は第７図に示されて
いる光学的な電荷量の読取り部材ＲＨにおけるＢＳＯの
層９と誘電体ミラーＤＭＬとの配列順序を、逆にした場
合の構成例であり、第９図は第８図に示されている光学
的な電荷量の読取り部材ＲＨにおけるＢＳＯの層９と誘
電体ミラーＤ　Ｍ　Ｌとの間に遮光［１８を設けたもの
である４さらに第１０図は第２図示の光学的な電荷量の読取り部
材ＲＨにおける配向膜２，３、スペーサ４．５、液晶Ｍ
６の代わりに例えばニオブ酸リチウムシ鷺設けた構成の
光学的な電荷量の読取り部材ＲＨである。

第１１図は第１５図の（ｂ）を参照して説明した記録系
での記録動作に使用された記録媒体ＲＭからの読取り動
作を示している図であり、また、第１２図は第１５図の
（ｃ）を参照して説明した記録系での記録動作に使用さ
れた記録媒体Ｒ，Ｍからの読取り動作を示している図で
あり、第１１図及び第１２図（第１３図についても同じ
）において１１は電荷潜像を記録媒一体の内部に記憶さ
せうるような構成部分を示しており、また、第１２１図
及び第１．２図（第１．３図についても同じ）において
ＲＨは光学的な電荷量の読取り部材であり、この光学的
な電荷量の読取り部材ＲＨとしてはどのような構成態様
のものが使用されてもよいのである。

第１３図は記録済記録媒体ＲＭと光学的な電荷量の読取
り部材ＲＨとが一体化されているような場合の例を示し
ている。

第２図乃至第１２図中において矢印Ａと矢印Ｂとは、光
導電層部材ＰＣＬのインピーダンス変化用照明光源から
の照明光の方向と光学的な電荷量の読取り部材ＲＨに入
射させるべき読取り光の方向とを説明するために使用さ
れるものであり第２図乃至第１２図中において矢印Ａは
光導電層部材ＰＣＬのインピーダンス変化用照明光源か
らの照明光の方向を示しており、また、矢印Ｂは読取り
光の入射方向を示している。

光学的な電荷量の読取り部材ＲＨが読取り光を反射させ
るようにするための誘電体ミラーＤＭＬを備えて構成さ
れているものである場合には、反射光が検出されるよう
になされ、また、光学的な電荷量の読取り部材ＲＨが読
取り光を通過させるものである場合には１通過光が検出
されるようになされることはいうまでもない。

また、光学的な電荷量の読取り部材ＲＨの構成部材中に
遮光［８が設けられている実施例においては光導電層部
材ＰＣＬのインピーダンス変化用照明光源からの照明光
と光学的な電荷量の読取り部材ＲＨに入射させるべき読
取り光とが完全に分離されるために良好な動作が期待で
きる。

さらに、光学的な電荷量の読取り部材ＲＨの構成部材と
してＢＳＯが用いられている実施例においては、インピ
ーダンス変化用照明光源からの照明光としては青色光が
使用され、また、光学的な電荷量の読取り用の光として
は赤色光が使用される。

第１４図（ａ）〜（ｄ）においてＲＭは記録媒体、ＲＨ
は光学的な電荷量の読取り部材であり、また、図中にお
ける矢印Ｌｐｃは光導電層部材ＰＣＬのインピーダンス
変化用照明光の通過経路、Ｌｒは読取り光の通路である
。

（発明の効果）以上、詳細に説明したところから明らかなように、本発
明の電荷潜像の読取り方式は読取りの対象にされている
電荷潜像によって生じている電界の強さに応じて光の状
態を変化させる光変調材を含んで構成されている光学的
な電荷量の読取り部材と、前記の光学的な電荷量の読取
り部材によって電荷量が読取られるべき電荷潜像が記録
されている電荷潜像保持部材との間に、光導電体製の部
材を配置し、前記の光導電体製の部材に光源から時間軸
上で強度が変化する状態の光を照射させて、光導電体製
の部材に光源からの一様な強い光の照７射によって光導
電体製の部材の全体の電気抵抗が一様に低下した状態で
は、光学的な電荷量の読取り部材では電荷量の読取りが
行われず、また、光導電体製の部材に光源から光導電体
製の部材に照射する光を遮断、あるいは弱めて光導電体
製の部材の全体の電気抵抗を一様に高くした状態で、光
学的な電荷量の読取り部材で電荷量の読取り動作が行わ
れるようにし、前記した光導電体製の部材に対する光源
からの光の照射量を時間軸上で変化させることにより、
光学的な電荷量の読取り部材において使用される光変調
材として液晶が採用されている場合でも、その液晶には
実質的に交流電７、界が加えられるために良好に動作す
るし、また、光学的な電荷量の読取り部材の構成中に１
例えば７誘電体ミラー、遮光膜、内部の反射防止膜など
の各種の部材が用いられていても、電界が交流的なもの
として加わるために、それらの部材によって解像度が低
下されることも防止でき、さらに、電荷潜像記録媒体に
記録されている電荷潜像によって生じている電界が交流
的なものとして加わるために、光学的な電荷量の読取り
部材と、電荷潜像記録媒体との間に空隙が存在している
場合でも、電荷潜像記録媒体に記録されている電荷潜像
によって生じている電界が、空隙と光学的な電荷量の読
取り部材との静電容量の比で分圧された状態で光学的な
電荷量の読取り部材に加えられるから、光学的な電荷量
の読取り部材における読取り感度が向上されるのであり
、本発明によれば既述した従来の問題点はすべて良好に
解決できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電荷潜像記録媒体の構成原理及び動作
原理を説明するためのブロック図、第２図乃至第１４は
本発−明の電荷潜像の読取り方式のブロック図、第１５
図は電荷潜像記録媒体に電荷潜像を記録するのに使用さ
れる記録系のブロック図である。０・・・被写体、Ｌ・・・撮像レンズ、ＷＨ・・・書込
みヘッド、■ｂ・・・電源、Ｅｔｗ・・・透明電極、Ｐ
ＣＬＷ・・・光電層部材、ＲＭ・・・電荷潜像記録媒体
、Ｉ　Ｔ、・・・誘電体層部材、Ｅ・・・電極、ＥＳＬ
・・・電荷移動抑止層部材、ＰＣＧ・・・光導電体の微
粒子、１・・・透明電極、２，３・・・配向膜、４，５
・・・スペーサ、６・・・光変調材層として使用されて
いる液晶層、７・・・高誘電率基板、ＬＰ・・・照明用
光源（光導電層部材ＰＣＬのインピーダンス変化用照明
用光源）、ｖＱ・・・照明用光源、ＳＷ・・・スイッチ
、ｐｃｉ、・・・光導電層部材、８・・・遮光膜、９・
・・ＢＳＯの層、１０・・・ニオブ酸リチウム層、１、
】、・・・電荷潜像を記録媒体の内部に記憶させうるよ
うな構成部分、ＲＨ・・・光学的な電荷量の読取り部利ＲＭも３霞手続補正帯（方平成元年３月８日式）１、事件の表示昭和６３年特許願第２９７５３８号２、発明の名称電荷潜像の読取り方式補正をする者事件との関係　　　　特　許住　所　神奈川県横浜市神奈Ｊ名称（４３２）　　日本ビ

Claims

【特許請求の範囲】

読取りの対象にされている電荷潜像によって生じている
電界の強さに応じて光の状態を変化させる光変調材を含
んで構成されている光学的な電荷量の読取り部材と、前
記の光学的な電荷量の読取り部材によって電荷量が読取
られるべき電荷潜像が記録されている電荷潜像保持部材
との間に、光導電体製の部材を配置し、前記の光導電体
製の部材に時間軸上で強度が変化する状態の光を照射さ
、せた状態として前記の光学的な電荷量の読取り部材に
よって電荷潜像の読取りを行うようにした電荷潜像の読
取り方式