JPH0373962B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0373962B2 JPH0373962B2 JP58147115A JP14711583A JPH0373962B2 JP H0373962 B2 JPH0373962 B2 JP H0373962B2 JP 58147115 A JP58147115 A JP 58147115A JP 14711583 A JP14711583 A JP 14711583A JP H0373962 B2 JPH0373962 B2 JP H0373962B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- intermediate layer
- layer
- thickness
- temperature
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Contacts (AREA)
Description
本発明はCu系基体の表面の一部又は全部にAg
又はAg合金を被覆した電子部品材料に関するも
ので、特に部品材料に要求される諸特性を満足す
る経済的な材料提供するものである。 一般にAg又はAg合金、例えばAg−In、Ag−
Pd、Ag−Au等の合金は耐食性の良導電体で半田
付け性や電気的接続が優れており、これ等をCu
又はCu合金、例えばCu−Zn、Cu−Sn、Cu−
Be、Cu−Ti、Cu−Fe等の合金からなる基体の
表面の一部又は全部に被覆したものが電子部品材
料に用いられている。電子部品としてのスイツ
チ、コネクター等の接点、又は半導体、集積回路
等の基板、或いはリード材等は何れも半田付けや
ろう付けにより組立てられ、それ自身プリント回
路等に半田付けにより取付けられており、電子部
品材料には半田付け性が不可欠の条件になつてい
る。 Cu及びCu合金は常温で保管しても強固な酸化
皮膜を生成し、電子部品の組立工程における樹脂
モールド、キユアー、半田付け、性能調整のエー
ジング等の高温環境において厚い酸化スケールを
生成し、半田付け性を著しく阻害する。Cu及び
Cu合金の半田付けに活性フラツクスを使用する
ことを知らているが、残留フラツクスは致命的な
腐食障害の原因となるため、入念な洗浄が必要と
なり電子部品等には適用できない。また大気を遮
断して還元性雰囲気中で部品を組立てることも考
えられるが、この方法は設備的にも経済的にも実
用的でない。 電子部品材料にAg被覆Cu系材料を用いる理由
はAg又はAg合金の前記特性を利用し、高温環境
において良好な半田付け性を得るためであり、も
う一つの理由は表面に酸化皮膜が生成し難く、接
点等に要求される電気接続性が良好なことであ
る。このようなAgによる効果はAu、Pt等の貴金
属でも得ることができるが、何れもAgの10〜100
倍、或いはそれ以上高価なため、工業的には不経
済であり、通常はAg又はAg合金を２〜3μ又はそ
れ以上の厚さに被覆している。 最近電子機器の飛躍的な発展と共に、経済性の
みならず省資源の立場からもAgの節約が望まれ
ている。しかるにAgの被覆厚さを薄くすると次
のような欠陥が発生する。 (1) 製造方法及び条件にもよるが、Ag層がポー
ラスとなり、所謂ピンホールを通して基材であ
るCu又はCu合金が露出する。 (2) 固相反応により基材の卑金属成分が表面に到
達し蓄積し、Agの前記特性を劣化する。特に
この反応の進行は温度の指数函数の関係にあり
高温条件で顕著となる。 高価なAuを被覆したものでも全く同様な問題
が起り、これを防止するため基体とAu層間にNi
中間層を設けたものが実用化されており、前記欠
陥を実質的に軽減するために、通常１〜2μ又は
それ以上の厚さに中間層を設け、その上に用途に
応じて厚さ0.2〜数μのAuをメツキなどにより被
覆したものが接点等に用いられている。Agを被
覆したものでも基体とAg層間にNi中間層を設け
たものが、半導体リードフレーム、各種接点、端
子等に実用化され、通常0.5〜3μの厚さにNi中間
層を設け、ピンホール腐食を防止してAg表面を
清浄に保つと共に、基体からの卑金属の高温拡散
を防止している。しかしながら高温環境において
半田付け性を低下し、時にはAg層の剥離が報告
されている。 本発明者等はこれに鑑み種々検討の結果Au被
覆では全く起り得ないAg被覆特有の現象である
ことを知見した。即ち180℃前後の温度からAg層
中を大気中の酸素が透過し易くなり、透過酸素は
原子状のためか、特に活性でAg層下のNi表面を
酸化し、Ag層とNi層の界面の金属結合を断ち切
り、密着力を激減させる。 またAg層は半田浴に迅速に溶解し、実用条件
で１秒間に厚さ２〜3μの溶解が起る。従つて半
田付けにおいて薄いAg層が溶解し、半田と全く
濡れない硬い酸化Ni表面が露出し、半田付け性
を著しく阻害する。更にNi中間層を設けたもの
では、機械的変形に際し、AgやCuに比べて硬質
のNi層に外力が集中し、Ni層を起点にAg層の表
面に達する微小のクラツクが発生し易い。電子機
器部品では精密加工によつて造られるため、曲げ
や絞り加工において、微小のクラツクを発生し、
これが基体の露出部となつて腐食の原因となるば
かりか、腐食物の体積膨張によりクラツクが拡大
し、重大な欠陥となる。 本発明はこのような知見に基づき、これを解消
するため種々研究の結果、部品材料として要求さ
れる諸特性を満足し得る経済的なAg被覆Cu系電
子部品材料を開発したもので、Cu系基体の少な
くとも一部表面にAg又はAg合金を被覆した材料
において、基体とAg又はAg合金層間に厚さ0.01
〜0.25μのPd又はRuからなる中間層を設けたこと
を特徴とするものである。 即ち本発明はCu又はCu合金からなる線、棒、
条、板等を基体とするか又はその一部又は全部を
部品形状に加工して基体とし、その表面の一部又
は全部に厚さ0.01〜0.25μのPd又はRuからなる中
間層（以下Pd、Ru中間層と略記）を形成し、そ
の上にAg又はAg合金層（以下Ag層と略記）を
被覆したものである。 Pd又はRuはCu系基体と拡散反応し難く、かつ
耐酸化性に優れており、Ag又はAg合金被覆によ
る前記(1)及び(2)の欠陥を有効に防止する。同じ貴
金属であるAuは基体やAg層と反応し易いため前
記拡散防止の効果は期待できない。またPtやIrは
PdやRuと同様耐酸化性で拡散防止に有効である
がPdやRuに比べて10〜100倍も高価であり、か
つ電気メツキ等により薄い中間層を実用的に形成
することが困難なため非実用的でる。これに比べ
てPd又はRuはAgの５〜10倍程度の価格でAgに
次いで最も安価な貴金属であり、しかも厚さ0.1μ
の中間層としてAg層の厚さを1μ以上薄くするこ
とができることと合わせて実用的である。 しかしてPd、Ru中間層の厚さは上記経済的理
由から可及的に薄く形成することが望ましいが、
実用上は0.01〜0.25μとする。このような薄い中
間層はCu系基体成分、例えばCu、Zn、Sn等を微
量透過し、Ag中に拡散し、半田付け性を実用上
阻害することなく耐硫化性、耐摩耗性を向上し、
更に電子機器の高密化と共に重大視されていると
ころの直流回路に使用した場合に起るAgの＋側
から−側へ電解的に移行して短絡を起す致命的欠
陥を抑制することができる。しかしてPdやRuは
CuやAgより硬質の金属であり、特に電気メツキ
されたPdは、メツキ時にH2を吸蔵し易く、硬質
脆化の傾向が強く、0.25μを越える過剰の厚さは
加工性を阻害し、表面の微細な割れの原因とな
り、Cu系基体の露出、酸化を起す。また0.01μ未
満と薄い場合は、前記Cu系基体成分のAg層への
拡散が過大となり、Ag層の表面に蓄積して半田
付け性を劣化する。 本発明電子部品材料は以上の構成からなり、電
気メツキ法、イオンプレーテイング法、スパツタ
リング法、真空蒸着法、機械的クラツド法又はこ
れ等の組合せ法等により造られる。特に電気メツ
キ法は簡単な設備により任意の所望部分に正確な
厚さの被覆を迅速にメツキすることができる。即
ち常法によりCu系基体を清浄化した後、Pd又は
Ruメツキ浴中で電気メツキし、次いでAg又は
Ag合金メツキ浴中で電気メツキして造られる。
Pdメツキ浴としては、Pd（NH3）2（NO2）2又はPd
（NH3）4Cl2を主成分とする中性乃至アルカリ性浴
或いは亜硫酸錯体を含有する強硫酸浴などがあ
り、これに各種添加剤を配合した市販浴を利用す
ることもできる。Ruメツキ浴としてはニトロシ
ルスルフアミン酸浴やニトロソ塩化物浴などがあ
る。またAgメツキ浴としてはシアン浴、チオシ
アン浴、ピロリン酸浴、ヨウ化物浴などがある。 以下本発明を実施例について詳細に説明する。 実施例 １ 厚さ0.42mmの黄銅板（Zn35％）を常法により脱
脂、酸洗してから下記メツキ浴を用いて第１表に
示すダイオード用Agメツキリードフレーム材を
製造した。 Pdメツキ浴（田中貴金属製パラデイツクMS） Pd 10ｇ／ PH 8.5 浴 温 55℃ 電流密度 3.0A／ｄm2 Ruメツキ浴（田中貴金属製ルテネツクス） Ru 10ｇ／ PH 1.5 浴 温 60℃ 電流密度 3.0A／ｄm2 Niメツキ浴 Ni（SO3NH2）2 500ｇ／ NiCl 30ｇ／ H3BO3 30ｇ／ PH 2.5 浴 温 50℃ 電流密度 2.5A／ｄm2 Agストライクメツキ浴 AgCN ３ｇ／ KCN 30ｇ／ 浴 温 20℃ 電流密度 3A／ｄm2 Agメツキ浴 AgCN 30ｇ／ KCN 40ｇ／ K2CO3 20ｇ／ 浴 温 20℃ 電流密度 1.5A／ｄm2 ダイオード用Agメツキリードフレーム材は通
常短冊状（巾5.0mm、長さ、0.5mm）に打抜き、直
角に折曲げ（Ｒ＝0.5mm）、一端にSiチツプを半田
付け（95％Pb−５％Sn、温度320℃、１分間）し
た後、樹脂で封止キユアー（温度180℃、５時間、
大気中）し、しかる後プリント回路板に半田付け
される。この半田付けにおいて、温度235℃の共
晶半田浴中に５秒間デイツプしたときの濡れ面積
90％以上が要求される。 上記Agメツキリードフレーム材について保管
及び折曲げ加工による劣化を保証するため100℃
の温度で24時間加熱してから半田浴（95％Pb−
５％Sn、温度320℃）に一端を５秒間デイツプし
濡れ面積を測定した。次にこれを大気中180℃の
温度で５時間加熱してから他端を温度235℃の共
晶半田浴中に５秒間デイツプして濡れ面積を測定
した。また上記フレーム材を曲げ加工した後、端
面をラツカーでシールしてからJIS−Ｚ−2371に
基づいて５％塩水噴霧試験を24時間行ない、曲げ
部の青色銅腐食発生状況を調べた。更にこれを定
性瀘紙上に4.0mm間隔で２本対置し、温度60℃、
湿度95％の加湿槽内において100Vの電圧を印加
し48時間後の絶縁抵抗を測定した。これ等の結果
を第１表に示す。
又はAg合金を被覆した電子部品材料に関するも
ので、特に部品材料に要求される諸特性を満足す
る経済的な材料提供するものである。 一般にAg又はAg合金、例えばAg−In、Ag−
Pd、Ag−Au等の合金は耐食性の良導電体で半田
付け性や電気的接続が優れており、これ等をCu
又はCu合金、例えばCu−Zn、Cu−Sn、Cu−
Be、Cu−Ti、Cu−Fe等の合金からなる基体の
表面の一部又は全部に被覆したものが電子部品材
料に用いられている。電子部品としてのスイツ
チ、コネクター等の接点、又は半導体、集積回路
等の基板、或いはリード材等は何れも半田付けや
ろう付けにより組立てられ、それ自身プリント回
路等に半田付けにより取付けられており、電子部
品材料には半田付け性が不可欠の条件になつてい
る。 Cu及びCu合金は常温で保管しても強固な酸化
皮膜を生成し、電子部品の組立工程における樹脂
モールド、キユアー、半田付け、性能調整のエー
ジング等の高温環境において厚い酸化スケールを
生成し、半田付け性を著しく阻害する。Cu及び
Cu合金の半田付けに活性フラツクスを使用する
ことを知らているが、残留フラツクスは致命的な
腐食障害の原因となるため、入念な洗浄が必要と
なり電子部品等には適用できない。また大気を遮
断して還元性雰囲気中で部品を組立てることも考
えられるが、この方法は設備的にも経済的にも実
用的でない。 電子部品材料にAg被覆Cu系材料を用いる理由
はAg又はAg合金の前記特性を利用し、高温環境
において良好な半田付け性を得るためであり、も
う一つの理由は表面に酸化皮膜が生成し難く、接
点等に要求される電気接続性が良好なことであ
る。このようなAgによる効果はAu、Pt等の貴金
属でも得ることができるが、何れもAgの10〜100
倍、或いはそれ以上高価なため、工業的には不経
済であり、通常はAg又はAg合金を２〜3μ又はそ
れ以上の厚さに被覆している。 最近電子機器の飛躍的な発展と共に、経済性の
みならず省資源の立場からもAgの節約が望まれ
ている。しかるにAgの被覆厚さを薄くすると次
のような欠陥が発生する。 (1) 製造方法及び条件にもよるが、Ag層がポー
ラスとなり、所謂ピンホールを通して基材であ
るCu又はCu合金が露出する。 (2) 固相反応により基材の卑金属成分が表面に到
達し蓄積し、Agの前記特性を劣化する。特に
この反応の進行は温度の指数函数の関係にあり
高温条件で顕著となる。 高価なAuを被覆したものでも全く同様な問題
が起り、これを防止するため基体とAu層間にNi
中間層を設けたものが実用化されており、前記欠
陥を実質的に軽減するために、通常１〜2μ又は
それ以上の厚さに中間層を設け、その上に用途に
応じて厚さ0.2〜数μのAuをメツキなどにより被
覆したものが接点等に用いられている。Agを被
覆したものでも基体とAg層間にNi中間層を設け
たものが、半導体リードフレーム、各種接点、端
子等に実用化され、通常0.5〜3μの厚さにNi中間
層を設け、ピンホール腐食を防止してAg表面を
清浄に保つと共に、基体からの卑金属の高温拡散
を防止している。しかしながら高温環境において
半田付け性を低下し、時にはAg層の剥離が報告
されている。 本発明者等はこれに鑑み種々検討の結果Au被
覆では全く起り得ないAg被覆特有の現象である
ことを知見した。即ち180℃前後の温度からAg層
中を大気中の酸素が透過し易くなり、透過酸素は
原子状のためか、特に活性でAg層下のNi表面を
酸化し、Ag層とNi層の界面の金属結合を断ち切
り、密着力を激減させる。 またAg層は半田浴に迅速に溶解し、実用条件
で１秒間に厚さ２〜3μの溶解が起る。従つて半
田付けにおいて薄いAg層が溶解し、半田と全く
濡れない硬い酸化Ni表面が露出し、半田付け性
を著しく阻害する。更にNi中間層を設けたもの
では、機械的変形に際し、AgやCuに比べて硬質
のNi層に外力が集中し、Ni層を起点にAg層の表
面に達する微小のクラツクが発生し易い。電子機
器部品では精密加工によつて造られるため、曲げ
や絞り加工において、微小のクラツクを発生し、
これが基体の露出部となつて腐食の原因となるば
かりか、腐食物の体積膨張によりクラツクが拡大
し、重大な欠陥となる。 本発明はこのような知見に基づき、これを解消
するため種々研究の結果、部品材料として要求さ
れる諸特性を満足し得る経済的なAg被覆Cu系電
子部品材料を開発したもので、Cu系基体の少な
くとも一部表面にAg又はAg合金を被覆した材料
において、基体とAg又はAg合金層間に厚さ0.01
〜0.25μのPd又はRuからなる中間層を設けたこと
を特徴とするものである。 即ち本発明はCu又はCu合金からなる線、棒、
条、板等を基体とするか又はその一部又は全部を
部品形状に加工して基体とし、その表面の一部又
は全部に厚さ0.01〜0.25μのPd又はRuからなる中
間層（以下Pd、Ru中間層と略記）を形成し、そ
の上にAg又はAg合金層（以下Ag層と略記）を
被覆したものである。 Pd又はRuはCu系基体と拡散反応し難く、かつ
耐酸化性に優れており、Ag又はAg合金被覆によ
る前記(1)及び(2)の欠陥を有効に防止する。同じ貴
金属であるAuは基体やAg層と反応し易いため前
記拡散防止の効果は期待できない。またPtやIrは
PdやRuと同様耐酸化性で拡散防止に有効である
がPdやRuに比べて10〜100倍も高価であり、か
つ電気メツキ等により薄い中間層を実用的に形成
することが困難なため非実用的でる。これに比べ
てPd又はRuはAgの５〜10倍程度の価格でAgに
次いで最も安価な貴金属であり、しかも厚さ0.1μ
の中間層としてAg層の厚さを1μ以上薄くするこ
とができることと合わせて実用的である。 しかしてPd、Ru中間層の厚さは上記経済的理
由から可及的に薄く形成することが望ましいが、
実用上は0.01〜0.25μとする。このような薄い中
間層はCu系基体成分、例えばCu、Zn、Sn等を微
量透過し、Ag中に拡散し、半田付け性を実用上
阻害することなく耐硫化性、耐摩耗性を向上し、
更に電子機器の高密化と共に重大視されていると
ころの直流回路に使用した場合に起るAgの＋側
から−側へ電解的に移行して短絡を起す致命的欠
陥を抑制することができる。しかしてPdやRuは
CuやAgより硬質の金属であり、特に電気メツキ
されたPdは、メツキ時にH2を吸蔵し易く、硬質
脆化の傾向が強く、0.25μを越える過剰の厚さは
加工性を阻害し、表面の微細な割れの原因とな
り、Cu系基体の露出、酸化を起す。また0.01μ未
満と薄い場合は、前記Cu系基体成分のAg層への
拡散が過大となり、Ag層の表面に蓄積して半田
付け性を劣化する。 本発明電子部品材料は以上の構成からなり、電
気メツキ法、イオンプレーテイング法、スパツタ
リング法、真空蒸着法、機械的クラツド法又はこ
れ等の組合せ法等により造られる。特に電気メツ
キ法は簡単な設備により任意の所望部分に正確な
厚さの被覆を迅速にメツキすることができる。即
ち常法によりCu系基体を清浄化した後、Pd又は
Ruメツキ浴中で電気メツキし、次いでAg又は
Ag合金メツキ浴中で電気メツキして造られる。
Pdメツキ浴としては、Pd（NH3）2（NO2）2又はPd
（NH3）4Cl2を主成分とする中性乃至アルカリ性浴
或いは亜硫酸錯体を含有する強硫酸浴などがあ
り、これに各種添加剤を配合した市販浴を利用す
ることもできる。Ruメツキ浴としてはニトロシ
ルスルフアミン酸浴やニトロソ塩化物浴などがあ
る。またAgメツキ浴としてはシアン浴、チオシ
アン浴、ピロリン酸浴、ヨウ化物浴などがある。 以下本発明を実施例について詳細に説明する。 実施例 １ 厚さ0.42mmの黄銅板（Zn35％）を常法により脱
脂、酸洗してから下記メツキ浴を用いて第１表に
示すダイオード用Agメツキリードフレーム材を
製造した。 Pdメツキ浴（田中貴金属製パラデイツクMS） Pd 10ｇ／ PH 8.5 浴 温 55℃ 電流密度 3.0A／ｄm2 Ruメツキ浴（田中貴金属製ルテネツクス） Ru 10ｇ／ PH 1.5 浴 温 60℃ 電流密度 3.0A／ｄm2 Niメツキ浴 Ni（SO3NH2）2 500ｇ／ NiCl 30ｇ／ H3BO3 30ｇ／ PH 2.5 浴 温 50℃ 電流密度 2.5A／ｄm2 Agストライクメツキ浴 AgCN ３ｇ／ KCN 30ｇ／ 浴 温 20℃ 電流密度 3A／ｄm2 Agメツキ浴 AgCN 30ｇ／ KCN 40ｇ／ K2CO3 20ｇ／ 浴 温 20℃ 電流密度 1.5A／ｄm2 ダイオード用Agメツキリードフレーム材は通
常短冊状（巾5.0mm、長さ、0.5mm）に打抜き、直
角に折曲げ（Ｒ＝0.5mm）、一端にSiチツプを半田
付け（95％Pb−５％Sn、温度320℃、１分間）し
た後、樹脂で封止キユアー（温度180℃、５時間、
大気中）し、しかる後プリント回路板に半田付け
される。この半田付けにおいて、温度235℃の共
晶半田浴中に５秒間デイツプしたときの濡れ面積
90％以上が要求される。 上記Agメツキリードフレーム材について保管
及び折曲げ加工による劣化を保証するため100℃
の温度で24時間加熱してから半田浴（95％Pb−
５％Sn、温度320℃）に一端を５秒間デイツプし
濡れ面積を測定した。次にこれを大気中180℃の
温度で５時間加熱してから他端を温度235℃の共
晶半田浴中に５秒間デイツプして濡れ面積を測定
した。また上記フレーム材を曲げ加工した後、端
面をラツカーでシールしてからJIS−Ｚ−2371に
基づいて５％塩水噴霧試験を24時間行ない、曲げ
部の青色銅腐食発生状況を調べた。更にこれを定
性瀘紙上に4.0mm間隔で２本対置し、温度60℃、
湿度95％の加湿槽内において100Vの電圧を印加
し48時間後の絶縁抵抗を測定した。これ等の結果
を第１表に示す。
【表】
第１表から明らかなように、Pd又はRu中間層
の厚さが0.01〜0.25μである本発明材No.３〜No.６
は何れも両半田付け性が優れ、青色銅腐食物の発
生もなく、絶縁抵抗も良好であることが判る。 これに対し中間層を形成しない比較材No.１、No.
10及びPd中間層の厚さが0.005μである比較材No.
２では大気中加熱後の共晶半田付け性が著しく低
下し、Pd又はRu中間層の厚さが厚い比較材No.７
〜８及びNi中間層を設けた比較材No.９では大気
中加熱後共晶半田付け性が低下し、曲げ加工部に
は青色銅腐食物が発生し、特に本発明材料と同等
の性能を得るためにはNi中間層を設けることな
く、Agを4μ以上厚付けする必要があることが判
る。更にPd又はRu中間層を0.5μと厚くした比較
材No.７〜８、Ni中間層を設けた比較材No.９、12、
中間層を設けることなくAgを4μ以上厚付した比
較材No.11は何れも絶縁抵抗が低下し、回路短絡の
危険性が高くなつている。 このように本発明材料は半田付け性、耐食性、
加工性、マイグレーシヨン等の特性を高度に満足
すると共にPd又はRuの厚さ0.01〜0.25μの薄い中
間層を形成することにより、厚さ3μ以上のAgを
節約できるもので、経済的に優位である。 実施例 ２ 厚さ0.25mmのリン青銅条を用い、常法により脱
脂、酸洗してから実施例１と同様にしてPd又は
Ruメツキを行ない、その上に厚さ1.5μのAgメツ
キを行なつて第２表に示すコネクター用Agメツ
キ接点材を製造した。 この接点材は通常プレス成形後、端部を電線と
半田付けして接続し、接点部は約100ｇの荷重で
プリント基板上の回路ピンに接続するもので、長
期の使用に亘り接触抵抗が10ｍΩを越えないこと
が条件になつている。接点部は通常の接点と同様
相手側との接触を安定化させるため、凸状の張出
し加工が施されている。 この接点材について保管及び成形加工時の劣化
を防止するため、温度60℃、湿度95％の加湿条件
で1000時間保持した後、温度235℃の共晶半田浴
中に５秒間デイツプして半田濡れ性を調べた。ま
た上記加湿条件で1000時間保持した後、250℃の
温度に10分間加熱し、続いて大気中120℃の温度
で200時間保持してから先端に半径4.0mmの半球を
有するAg棒を100ｇの荷重で押し当て、電流100
ｍＡで接触抵抗を測定した。更にコネクターに成
形して同様の処理を施し、これにAgメツキした
ピン材（0.62mm角）を挿入して同様の接触抵抗を
測定した。これ等の結果を第２表に併記した。
の厚さが0.01〜0.25μである本発明材No.３〜No.６
は何れも両半田付け性が優れ、青色銅腐食物の発
生もなく、絶縁抵抗も良好であることが判る。 これに対し中間層を形成しない比較材No.１、No.
10及びPd中間層の厚さが0.005μである比較材No.
２では大気中加熱後の共晶半田付け性が著しく低
下し、Pd又はRu中間層の厚さが厚い比較材No.７
〜８及びNi中間層を設けた比較材No.９では大気
中加熱後共晶半田付け性が低下し、曲げ加工部に
は青色銅腐食物が発生し、特に本発明材料と同等
の性能を得るためにはNi中間層を設けることな
く、Agを4μ以上厚付けする必要があることが判
る。更にPd又はRu中間層を0.5μと厚くした比較
材No.７〜８、Ni中間層を設けた比較材No.９、12、
中間層を設けることなくAgを4μ以上厚付した比
較材No.11は何れも絶縁抵抗が低下し、回路短絡の
危険性が高くなつている。 このように本発明材料は半田付け性、耐食性、
加工性、マイグレーシヨン等の特性を高度に満足
すると共にPd又はRuの厚さ0.01〜0.25μの薄い中
間層を形成することにより、厚さ3μ以上のAgを
節約できるもので、経済的に優位である。 実施例 ２ 厚さ0.25mmのリン青銅条を用い、常法により脱
脂、酸洗してから実施例１と同様にしてPd又は
Ruメツキを行ない、その上に厚さ1.5μのAgメツ
キを行なつて第２表に示すコネクター用Agメツ
キ接点材を製造した。 この接点材は通常プレス成形後、端部を電線と
半田付けして接続し、接点部は約100ｇの荷重で
プリント基板上の回路ピンに接続するもので、長
期の使用に亘り接触抵抗が10ｍΩを越えないこと
が条件になつている。接点部は通常の接点と同様
相手側との接触を安定化させるため、凸状の張出
し加工が施されている。 この接点材について保管及び成形加工時の劣化
を防止するため、温度60℃、湿度95％の加湿条件
で1000時間保持した後、温度235℃の共晶半田浴
中に５秒間デイツプして半田濡れ性を調べた。ま
た上記加湿条件で1000時間保持した後、250℃の
温度に10分間加熱し、続いて大気中120℃の温度
で200時間保持してから先端に半径4.0mmの半球を
有するAg棒を100ｇの荷重で押し当て、電流100
ｍＡで接触抵抗を測定した。更にコネクターに成
形して同様の処理を施し、これにAgメツキした
ピン材（0.62mm角）を挿入して同様の接触抵抗を
測定した。これ等の結果を第２表に併記した。
【表】
第２表から明らかなように本発明材No.15〜16は
半田付け性及び接触抵抗の何れも良好な特性を示
す。これに対し過剰の厚さのPd又はRu中間層を
形成した比較材No.17〜18では半田付け性の劣化は
認められないが、コネクター接触抵抗が著しく増
大し、また中間層を用いない比較材No.13、19、20
からAg層の厚さを4.5μ以上とする必要があるこ
とが判る。 このように本発明によればPd又はRu中間層を
従来の常識に反して薄くすることにより、基体で
あるCu及びCu合金と被覆材であるAg又はAg合
金との組合せにおいて、特異で有用な作用を発揮
せしめ、その特性を大幅に改善し得たものであ
る。特に高温に耐え、また加工性の改善も大き
く、精密で多様な機能を要求される電子部品材料
として好適で、経済的にも優れている等工業上顕
著な効果を奏するもである。
半田付け性及び接触抵抗の何れも良好な特性を示
す。これに対し過剰の厚さのPd又はRu中間層を
形成した比較材No.17〜18では半田付け性の劣化は
認められないが、コネクター接触抵抗が著しく増
大し、また中間層を用いない比較材No.13、19、20
からAg層の厚さを4.5μ以上とする必要があるこ
とが判る。 このように本発明によればPd又はRu中間層を
従来の常識に反して薄くすることにより、基体で
あるCu及びCu合金と被覆材であるAg又はAg合
金との組合せにおいて、特異で有用な作用を発揮
せしめ、その特性を大幅に改善し得たものであ
る。特に高温に耐え、また加工性の改善も大き
く、精密で多様な機能を要求される電子部品材料
として好適で、経済的にも優れている等工業上顕
著な効果を奏するもである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Cu系基体の少なくとも一部表面に、Ag又は
Ag合金を被覆した材料において、基体とAg又は
Ag合金層間に、厚さ0.01〜0.25μのPd又はRuか
らなる中間層を設けたことを特徴とするAg被覆
Cu系電子部品材料。 ２ Ag又はAg合金層の被覆厚さを0.2〜2μとす
る特許請求の範囲第１項記載のAg被覆Cu系電子
部品材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58147115A JPS6037605A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | Ａｇ被覆Ｃｕ系電子部品材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58147115A JPS6037605A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | Ａｇ被覆Ｃｕ系電子部品材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037605A JPS6037605A (ja) | 1985-02-27 |
| JPH0373962B2 true JPH0373962B2 (ja) | 1991-11-25 |
Family
ID=15422864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58147115A Granted JPS6037605A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | Ａｇ被覆Ｃｕ系電子部品材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037605A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4834022B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2011-12-07 | 古河電気工業株式会社 | 可動接点部品用銀被覆材およびその製造方法 |
| JP4834023B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2011-12-07 | 古河電気工業株式会社 | 可動接点部品用銀被覆材およびその製造方法 |
| JP2014182976A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-29 | Enplas Corp | 電気接触子及び電気部品用ソケット |
| JP6079508B2 (ja) * | 2013-08-29 | 2017-02-15 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | めっき部材、コネクタ用めっき端子、めっき部材の製造方法、およびコネクタ用めっき端子の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59177817A (ja) * | 1983-03-26 | 1984-10-08 | 富士通株式会社 | 電気接触子 |
-
1983
- 1983-08-11 JP JP58147115A patent/JPS6037605A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6037605A (ja) | 1985-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3417395B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いた半導体装置 | |
| US4529667A (en) | Silver-coated electric composite materials | |
| US20040038072A1 (en) | Terminal with ruthenium layer and part having the same | |
| JPH01306574A (ja) | ＳｎまたはＳｎ合金被覆材料 | |
| JP2001107290A (ja) | 電子部品用錫系めっき条材とその製造法 | |
| JPS6116429B2 (ja) | ||
| JP2670348B2 (ja) | ＳｎまたはＳｎ合金被覆材料 | |
| JPH10284667A (ja) | 耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料、及びその製造方法 | |
| JPS6240361A (ja) | 耐食性銅系部材の製造法 | |
| JPH048883B2 (ja) | ||
| JP3402228B2 (ja) | 鉛を含まない錫ベース半田皮膜を有する半導体装置 | |
| JP2000030558A (ja) | 電気接触子用材料とその製造方法 | |
| TWI787896B (zh) | 含有鎳電鍍皮膜之鍍敷結構體及引線框架 | |
| JPS6037605A (ja) | Ａｇ被覆Ｃｕ系電子部品材料 | |
| JP3836257B2 (ja) | 耐食性に優れる電気電子機器用部品材料の製造方法 | |
| JPS61201762A (ja) | リードフレーム用Ｃｕ系条材の製造方法 | |
| JPS6150160B2 (ja) | ||
| JPH043041B2 (ja) | ||
| JPS6153434B2 (ja) | ||
| JP2628749B2 (ja) | 耐熱性に優れた電子・電機部品用ＳｎまたはＳｎ合金被覆材料 | |
| JPS6151038B2 (ja) | ||
| JPS60217693A (ja) | 電子部品用リ−ド線 | |
| KR910000841B1 (ko) | 은피복 전기재료 및 그의 제조방법 | |
| JPH09223771A (ja) | 電子部品用リード部材及びその製造方法 | |
| JPH08153843A (ja) | 半導体チップ実装用リードフレーム |