JPH0374399B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は圧電ブザーに関するものである。

従来、自励振型圧電ブザーは、第１図に示すよ
うに、共鳴器を構成するケース１の頂板２の中央
に放音孔３を有し、頂板２の下面にはノード支持
リング４が一体に形成されていた。

ノード支持リング４の下端には適宜の接着剤に
より発音体５が固定されており、この発音体５は
振動板６に圧電素子７を貼着したもので、ケース
１の下部は底板８により閉鎖されていた。

上記のような自励振型圧電ブザーにおいて、例
えば音声合成機器のシヤーシ内に取付けた場合、
放音孔３にシヤーシの一部が遮蔽物９として接近
する場合があるが、ケース１と遮蔽物９とが或る
距離程度に近づくと音響インピーダンスが変化し
高周波発振や発音停止が起り易いという問題があ
る。

第４図は上記の自励振型圧電ブザーの帰還電圧
特性を測定するための帰還電圧測定回路を示すも
ので、この図において、第１図に示す圧電素子７
の電極Ｍ，Ｇに入力回路１０を接続し、電極Ｍ側
に820Ωの抵抗器１１を挿入し、電極Ｆ，Ｇに接
続した出力回路１２には電極Ｆ，Ｇと並列に３，
9KΩの抵抗器１３を接続したものである。

第６図は上記の測定回路による第１図に示す圧
電ブザーの帰還電圧特性の測定結果を示すグラフ
で縦軸は減衰量（dB）を示し、横軸は周波数Hz
を示している。またこのグラフで実線は放音孔
３の付近に遮蔽物がない場合、点線は放音孔３
の近くに遮蔽物がある場合で、遮蔽物のある場合
は3KHz付近の基本共振周波数の電圧が低下し、
約７倍の高周波の帰還電圧が相対的に大きくなる
ことがわかる。

この発明は上記のような従来の圧電ブザーの問
題を解消するためになされたものであり、放音孔
に遮蔽物を接近させても帰還電圧が殆んど変化し
ない安定した圧電ブザーを提供することを目的と
する。

この発明の構成は、共鳴器としてのケース内に
ノード支持リングを設け、このノード支持リング
に圧電素子と振動板からなる発音体を固定した自
励振型圧電ブザーの該ノード支持リングにスリツ
トまたは小孔のような開口部を設けたものであ
る。

以下、この発明の圧電ブザーの一実施例を添付
図面の第２図、第３図にもとづいて説明する。

第２図において、第１図と同一符号を付けた部
分は、第１図と同じ構造であり、この発明の場合
はノード支持リング４に開口を設けた点が特徴で
ある。

この開口は第２図のノード支持リング４の左側
および第３図のａに示したようにスリツト１４と
する場合と、第２図のリング４の右側および第３
図のｂに示すように小孔１４′とする場合がある。

第２図ではスリツト１４と小孔１４′と共に設
けてあるが、通常はスリツト１４のみ、あるいは
小孔１４′のみとし、それぞれ１個ないし数個設
ける。

また、このスリツト１４や小孔１４′の大きさ
は適度の大きさが必要で、あまり大きすぎてはい
けない。

この発明の圧電ブザーは上記のようにケース内
のノード支持リング４にスリツト１４または小孔
１４′のような開口を設けたから支持リング４の
内側に構成される共鳴器内と支持リングの外側に
構成される共鳴器外とに空気が移動して良好な結
果が得られる。

第７図はこの発明の圧電ブザーの帰還電圧特性
の測定結果を示すもので、測定回路は第４図と同
じであり、第７図の実線は遮蔽物のない場合、
点線は放音孔３の近くに遮蔽物がある場合であ
るが、この第７図で明らかなように3KHz付近の
帰還電圧は殆んど変化せず安定となつていること
がわかる。

また、第８図は従来の自励振型圧電ブザーのア
ドミツタンス特性を示すグラフ、第９図はこの発
明の自励振型圧電ブザーのアドミツタンス特性を
示すグラフで、何れも縦軸は減衰量dB（0bB＝
1mυ）を示し、横軸は周波数Hzを示し、実線は
遮蔽物がない場合、点線は遮蔽物を放音孔に接
近させた場合である。

上記の第８図、第９図のグラフでも明らかなよ
うに、この発明の圧電ブザーはアドミツタンス特
性も変化が少なく安定していることがわかる。

第５図は自励振型圧電ブザーの発振波形測定回
路を示すものである。この図において、前記第１
図、第２図に示す圧電素子７の電極Ｍ，Ｇ，Ｆに
トランジスタ１５を接続して820Ω，180Ω，２，
9KΩの抵抗器１６，１７，１８を図のように接
続し、Ｐ点とG′をシンクロスコープで測定する
ものである。

第１０図は従来の自励振型圧電ブザーを前記の
発振波形測定回路により測定した結果の発振波形
を示すもので、は遮蔽物のない場合、は遮蔽
物を放音孔に接近させた場合で高調波発振してい
ることがわかる。

第１１図、第１２図はこの発明の自励振型圧電
ブザーの場合では遮蔽板のない場合、は遮蔽
板を放音孔に接近させた場合であり、第１１図は
スリツトが２個の場合、第１２図はスリツトが３
個の場合で何れの場合も波形は殆んど変らないこ
とがわかる。

前記各測定結果は遮蔽物の有無についてのもの
であるが、第４図の測定回路を用い、圧電ブザー
と遮蔽物の間隔を変化させて従来の圧電ブザーと
この発明の圧電ブザーの基本共振周波数f₀を約７
倍の高調波f₇の帰還電圧のレベル差の変化を測定
した結果を第１３図と第１４図に示す。

何れのグラフも縦軸が帰還電圧dB、横軸がブ
ザーと遮蔽物の間隔Ｔmmであり、第１３図は従来
の圧電ブザー、第１４図はこの発明の圧電ブザー
である。

この両グラフでわかるように、従来の圧電ブザ
ーはこの発明の圧電ブザーに比較して、間隔が
０，２mmの付近で基本共振周波数の帰還電圧が著
しく低下することがわかる。

この発明は上記の各測定結果で明らかなように
自励振型圧電ブザーにおいて、発音体を固定する
ノード支持リングに適宜の大きさのスリツトまた
は小孔のような開口を１個ないし数個設けるだけ
の極めて簡単な手段により圧電ブザーに遮蔽物を
接近させてもその特性が殆んど変化しないという
効果が得られる。

このため、狭い場所でも取付けることができる
ので、取付け場所を選ばない安定したブザーが得
られるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の自励振型圧電ブザーの断面図、
第２図はこの発明の自励振型圧電ブザーの断面
図、第３図はこの発明の圧電ブザーの要部を示す
一部断面拡大図、第４図、第５図は自励振型圧電
ブザーの測定回路を示す回路図、第６図は従来の
自励振型圧電ブザーの帰還電圧特性を示すグラ
フ、第７図はこの発明の自励振型圧電ブザーの帰
還電圧特性を示すグラフ、第８図は従来の自励振
型圧電ブザーのアドミツタンス特性を示すグラ
フ、第９図はこの発明の自励振型圧電ブザーのア
ドミツタンス特性を示すグラフ、第１０図は従来
の自励振型圧電ブザーの発振波型、第１１図、第
１２図はこの発明の自励振型圧電ブザーの発振波
型、第１３図は従来の自励振型圧電ブザーと遮蔽
物の間隔を変化させて測定した帰還電圧特性のグ
ラフ、第１４図はこの発明の自励振型圧電ブザー
と遮蔽物の間隔を変化させて測定した帰還電圧特
性のグラフである。 １…ケース、２…頂板、３…放音孔、４…ノー
ド支持リング、５…発音体、６…振動板、７…圧
電素子、１４…スリツト、１４′…小孔。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 共鳴器を構成するケース内にノード支持リン
   グを設け、このノード支持リングに圧電素子と振
   動板からなる発音体を固定した自励振型圧電ブザ
   ーにおいて、該ノード支持リングに適宜の開口を
   設けたことを特徴とする圧電ブザー。 ２ ノード支持リングの一部に開口としてスリツ
   トを設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の圧電ブザー。 ３ ノード支持リングの一部に開口として小孔を
   設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の圧電ブザー。