JPH0374652B2 - - Google Patents
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- JPH0374652B2 JPH0374652B2 JP59149316A JP14931684A JPH0374652B2 JP H0374652 B2 JPH0374652 B2 JP H0374652B2 JP 59149316 A JP59149316 A JP 59149316A JP 14931684 A JP14931684 A JP 14931684A JP H0374652 B2 JPH0374652 B2 JP H0374652B2
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、各種機能性ポリマーの出発原料とし
て有用な１，４−ジアルキルベンゼンを選択的に
製造する方法に関するものである。 （従来の技術） 結晶性クロモシリケートを用いる１，４−ジア
ルキルベンゼンの選択的製造法に関しては、近
年、結晶性アルミノシリケートZSM−５類似の
クロモシリケートを用いるトルエンとメタノール
からのパラキシレンの製造法（特開昭57−159726
号明細書参照）や、本発明者らが先に特許出願し
た結晶性クロモシリケートAZ−３を用いるアル
キル化法（特開昭60−226411号）などが知られて
いる。 （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、ZSM−５類似の結晶性クロモ
シリケートを用いる方法や、結晶性クロモシリケ
ートAZ−３を用いる方法は、確かに１，４−体
の選択率は、平衡組成の30％に比べてかなり高
く、90％に達するものもあるが、95％以上という
極めて高い選択率の実現は困難であつた。 （問題を解決するための手段） 本発明者らは、95％以上という極めて高い選択
率を有する触媒を開発すべく鋭意検討を重ねた結
果、結晶性クロモシリケートをケイ酸エステルで
処理した触媒を用いると、モノアルキルベンゼン
から95％以上という非常に高い選択率で１，４−
ジアルキルベンゼンが得られることを見い出し、
本発明を完成するに至つた。 すなわち、本発明は、モノアルキルベンゼンを
気相において１，４−ジアルキルベンゼンに転化
する際に、結晶性クロモシリケートをケイ酸エス
テル含有ガスで処理した後、酸素含有ガス中で焼
成することによつて少なくとも0.1重量％のシリ
カを担持した触媒を用いることを特徴とする１，
４−ジアルキルベンゼンの製造法を提供するもの
である。 本発明に用いられる結晶性クロモシリケートと
は、例えば特開昭57−7817号や特開昭57−169434
号に示されるZSM−５類似の結晶性クロモシリ
ケートや、本発明者らが先に見い出したＸ線回折
図において下表の回折パターンを有する結晶性ク
ロモシリケートAZ−３（特願昭59−81849号）な
どが挙げられるが、中でも特に好ましいのは結晶
性クロモシリケートAZ−３である。
て有用な１，４−ジアルキルベンゼンを選択的に
製造する方法に関するものである。 （従来の技術） 結晶性クロモシリケートを用いる１，４−ジア
ルキルベンゼンの選択的製造法に関しては、近
年、結晶性アルミノシリケートZSM−５類似の
クロモシリケートを用いるトルエンとメタノール
からのパラキシレンの製造法（特開昭57−159726
号明細書参照）や、本発明者らが先に特許出願し
た結晶性クロモシリケートAZ−３を用いるアル
キル化法（特開昭60−226411号）などが知られて
いる。 （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、ZSM−５類似の結晶性クロモ
シリケートを用いる方法や、結晶性クロモシリケ
ートAZ−３を用いる方法は、確かに１，４−体
の選択率は、平衡組成の30％に比べてかなり高
く、90％に達するものもあるが、95％以上という
極めて高い選択率の実現は困難であつた。 （問題を解決するための手段） 本発明者らは、95％以上という極めて高い選択
率を有する触媒を開発すべく鋭意検討を重ねた結
果、結晶性クロモシリケートをケイ酸エステルで
処理した触媒を用いると、モノアルキルベンゼン
から95％以上という非常に高い選択率で１，４−
ジアルキルベンゼンが得られることを見い出し、
本発明を完成するに至つた。 すなわち、本発明は、モノアルキルベンゼンを
気相において１，４−ジアルキルベンゼンに転化
する際に、結晶性クロモシリケートをケイ酸エス
テル含有ガスで処理した後、酸素含有ガス中で焼
成することによつて少なくとも0.1重量％のシリ
カを担持した触媒を用いることを特徴とする１，
４−ジアルキルベンゼンの製造法を提供するもの
である。 本発明に用いられる結晶性クロモシリケートと
は、例えば特開昭57−7817号や特開昭57−169434
号に示されるZSM−５類似の結晶性クロモシリ
ケートや、本発明者らが先に見い出したＸ線回折
図において下表の回折パターンを有する結晶性ク
ロモシリケートAZ−３（特願昭59−81849号）な
どが挙げられるが、中でも特に好ましいのは結晶
性クロモシリケートAZ−３である。
【表】
【表】
Ｘ線回折分析はCuKα線を用いて測定する。た
だし、8.8±0.2と8.9±0.2の回折線のどちらかを
相対強度100とする。 本発明に用いられるケイ酸エステルとは、ケイ
酸メチル、ケイ酸エチル、ケイ酸ｎ−プロピル、
ケイ酸iso−プロピル、ケイ酸ｎ−ブチル、ケイ
酸tert−ブチルなどが挙げられるが、特に好まし
いのはケイ酸メチル、ケイ酸エチルである。これ
らのケイ酸エステルはそのまま、または適当な希
釈剤を用いてガス状で用いられるが、その際のケ
イ酸エステルの濃度は１〜100容量％、好ましく
は５〜100容量％である。また、希釈剤としては、
窒素、ヘリウム、アルゴン、空気、水蒸気等を用
いることができるが、好ましいのは窒素である。 これらのケイ酸エステル含有ガスで結晶性クロ
モシリケートを処理する温度は、ケイ酸エステル
を気相に保持できる温度であれば特に制限はない
が、通常100〜500℃、好ましくは200〜400℃の範
囲で行なわれる。さらに、これらのケイ酸エステ
ル含有ガスで処理する際の圧力も、ケイ酸エステ
ルを気相に保持できる圧力であれば特に制限はな
く、減圧、常圧、加圧いずれでもよい。 さらに、ケイ酸エステル含有ガスで処理した結
晶性クロモシリケートは、酸素含有ガス中で焼成
する必要があるが、その際のガス中の酸素濃度は
５〜100容量％、好ましくは10〜30容量％であり、
通常は空気が用いられる。また、この焼成時の温
度は300〜700℃、好ましくは350〜600℃の範囲で
ある。 このようにして結晶性クロモシリケートをケイ
酸エステルで処理することにより、担持されるシ
リカの量は、もとの結晶性クロモシリケートに対
して少なくとも0.1重量％であり、好ましくは0.5
〜10重量％である。担持量が非常に少ない場合に
は、１，４−体の選択率を向上させる効果が小さ
く、逆に多過ぎると１，４−体の選択率は極めて
高くなるが、活性が著しく低下する。 本発明に用いられるモノアルキルベンゼンと
は、炭素数が１〜３のアルキル基を有するモノア
ルキルベンゼンであり、具体的にはトルエン、エ
チルベンゼン、イソプロピルベンゼン等が挙げら
れる。 本発明における１，４−ジアルキルベンゼンと
は、パラキシレン、パラエチルトルエン、パラジ
エチルベンゼン、パラジイソプロピルベンゼン、
パラシメン等が挙げられる。 このモノアルキルベンゼンからの１，４−ジア
ルキルベンゼンの製造には、アルコールやオレフ
インを用いるアルキル化反応と、モノアルキルベ
ンゼン単独からの不均化反応がある。アルキル化
反応の場合に用いられるアルコールとしては、メ
タノール、エタノール、ｎ−またはiso−プロパ
ノールが、オレフインとしては、エチレン、プロ
ピレンなどが挙げられる。 本発明を実施するに当り、反応温度は反応原料
と反応の種類によつて異なるが、反応系を気相に
保つために、少なくとも200℃の温度が必要であ
り、また、700℃以上の温度では選択性が極めて
低くなるので、好ましい温度として通常300〜600
℃の範囲が用いられる。さらに、反応圧力は減
圧、常圧、加圧のいずれでもよく、反応方式とし
ては、固定床や流動床などの流通方式が好まし
い。 （発明の効果） 本発明の方法によれば、従来の結晶性クロモシ
リケートをそのまま触媒として用いる方法に比べ
て、１，４−体の選択率が極めて高くなる。この
ことは、工業的に実施する際に極めて有利にな
る。 （実施例） 実施例 １ １，８−ジアミノ−４−アミノメチルオクタン
200ｇ、硝酸クロム〔Cr（NO3）3・9H2O〕５ｇ、
水酸化ナトリウム10ｇを水340ｇにとかし、さら
に、シリカゾル（30重量％SiO2）400ｇを加えて
均質な溶液を得た。この溶液に、かきまぜながら
20％硫酸60ｇを滴下して、均質なゲルを得た。さ
らに、このゲルをホモジナイザー中で10000rpm
で高速撹拌した後、テフロン内張り耐圧容器中で
180℃、60時間静置して結晶化を行つた。 得られた生成物を過、洗浄した後、120℃で
10時間乾燥して、さらに500℃で６時間空気中で
焼成した後のＸ線回折パターンを第１図に示す。
このＸ線回折パターンより、この生成物は、結晶
性クロモシリケートAZ−３と同定された。 また、焼成後の生成物を0.5N塩酸中で24時間
イオン交換して過、洗浄した後、120℃で４時
間乾燥、500℃で４時間空気中で焼成した後、ケ
イ光Ｘ線分析でSiO2／Cr2O3モル比を測定した結
果、SiO2／Cr2O3モル比は20であつた。 この結晶性クロモシリケート10ｇを10〜20メツ
シユに成型したものを、ガラス製反応管に充填し
て、20容量％のケイ酸エチルを含む窒素ガスを
300℃、SV＝1000hr-1で20分間流した。その後、
温度を500℃に上げ、空気を流しながら２時間焼
成を行つた。 この結果、得られた触媒の重量分析から得られ
たシリカ担持量は1.0重量％であつた。 この触媒を用いて、エチルベンゼンとエチレン
からのジエチルベンゼンの合成反応を行つた。実
験条件は、エチルベンゼン／エチレンモル比
2.95、触媒量２ｇ、WHSV4.0hr-1、反応温度350
℃、常圧で行つた。 反応開始後２〜３時間の成績は、エチルベンゼ
ン転化率20％、ジエチルベンゼン選択率95％、ジ
エチルベンゼン中のパラ体の割合99.5％であつ
た。 実施例 ２ 実施例１で得られた触媒を用いて、トルエンと
エチレンからのエチルトルエンの合成反応を行つ
た。実験条件は、トルエン／エチレン／H2モル
比６／１／６、WHSV4.0hr-1、圧力3.0Kg／cm2、
反応温度400℃で行つた。 反応開始後、２〜３時間、20〜21時間の成績を
表１に示す。
だし、8.8±0.2と8.9±0.2の回折線のどちらかを
相対強度100とする。 本発明に用いられるケイ酸エステルとは、ケイ
酸メチル、ケイ酸エチル、ケイ酸ｎ−プロピル、
ケイ酸iso−プロピル、ケイ酸ｎ−ブチル、ケイ
酸tert−ブチルなどが挙げられるが、特に好まし
いのはケイ酸メチル、ケイ酸エチルである。これ
らのケイ酸エステルはそのまま、または適当な希
釈剤を用いてガス状で用いられるが、その際のケ
イ酸エステルの濃度は１〜100容量％、好ましく
は５〜100容量％である。また、希釈剤としては、
窒素、ヘリウム、アルゴン、空気、水蒸気等を用
いることができるが、好ましいのは窒素である。 これらのケイ酸エステル含有ガスで結晶性クロ
モシリケートを処理する温度は、ケイ酸エステル
を気相に保持できる温度であれば特に制限はない
が、通常100〜500℃、好ましくは200〜400℃の範
囲で行なわれる。さらに、これらのケイ酸エステ
ル含有ガスで処理する際の圧力も、ケイ酸エステ
ルを気相に保持できる圧力であれば特に制限はな
く、減圧、常圧、加圧いずれでもよい。 さらに、ケイ酸エステル含有ガスで処理した結
晶性クロモシリケートは、酸素含有ガス中で焼成
する必要があるが、その際のガス中の酸素濃度は
５〜100容量％、好ましくは10〜30容量％であり、
通常は空気が用いられる。また、この焼成時の温
度は300〜700℃、好ましくは350〜600℃の範囲で
ある。 このようにして結晶性クロモシリケートをケイ
酸エステルで処理することにより、担持されるシ
リカの量は、もとの結晶性クロモシリケートに対
して少なくとも0.1重量％であり、好ましくは0.5
〜10重量％である。担持量が非常に少ない場合に
は、１，４−体の選択率を向上させる効果が小さ
く、逆に多過ぎると１，４−体の選択率は極めて
高くなるが、活性が著しく低下する。 本発明に用いられるモノアルキルベンゼンと
は、炭素数が１〜３のアルキル基を有するモノア
ルキルベンゼンであり、具体的にはトルエン、エ
チルベンゼン、イソプロピルベンゼン等が挙げら
れる。 本発明における１，４−ジアルキルベンゼンと
は、パラキシレン、パラエチルトルエン、パラジ
エチルベンゼン、パラジイソプロピルベンゼン、
パラシメン等が挙げられる。 このモノアルキルベンゼンからの１，４−ジア
ルキルベンゼンの製造には、アルコールやオレフ
インを用いるアルキル化反応と、モノアルキルベ
ンゼン単独からの不均化反応がある。アルキル化
反応の場合に用いられるアルコールとしては、メ
タノール、エタノール、ｎ−またはiso−プロパ
ノールが、オレフインとしては、エチレン、プロ
ピレンなどが挙げられる。 本発明を実施するに当り、反応温度は反応原料
と反応の種類によつて異なるが、反応系を気相に
保つために、少なくとも200℃の温度が必要であ
り、また、700℃以上の温度では選択性が極めて
低くなるので、好ましい温度として通常300〜600
℃の範囲が用いられる。さらに、反応圧力は減
圧、常圧、加圧のいずれでもよく、反応方式とし
ては、固定床や流動床などの流通方式が好まし
い。 （発明の効果） 本発明の方法によれば、従来の結晶性クロモシ
リケートをそのまま触媒として用いる方法に比べ
て、１，４−体の選択率が極めて高くなる。この
ことは、工業的に実施する際に極めて有利にな
る。 （実施例） 実施例 １ １，８−ジアミノ−４−アミノメチルオクタン
200ｇ、硝酸クロム〔Cr（NO3）3・9H2O〕５ｇ、
水酸化ナトリウム10ｇを水340ｇにとかし、さら
に、シリカゾル（30重量％SiO2）400ｇを加えて
均質な溶液を得た。この溶液に、かきまぜながら
20％硫酸60ｇを滴下して、均質なゲルを得た。さ
らに、このゲルをホモジナイザー中で10000rpm
で高速撹拌した後、テフロン内張り耐圧容器中で
180℃、60時間静置して結晶化を行つた。 得られた生成物を過、洗浄した後、120℃で
10時間乾燥して、さらに500℃で６時間空気中で
焼成した後のＸ線回折パターンを第１図に示す。
このＸ線回折パターンより、この生成物は、結晶
性クロモシリケートAZ−３と同定された。 また、焼成後の生成物を0.5N塩酸中で24時間
イオン交換して過、洗浄した後、120℃で４時
間乾燥、500℃で４時間空気中で焼成した後、ケ
イ光Ｘ線分析でSiO2／Cr2O3モル比を測定した結
果、SiO2／Cr2O3モル比は20であつた。 この結晶性クロモシリケート10ｇを10〜20メツ
シユに成型したものを、ガラス製反応管に充填し
て、20容量％のケイ酸エチルを含む窒素ガスを
300℃、SV＝1000hr-1で20分間流した。その後、
温度を500℃に上げ、空気を流しながら２時間焼
成を行つた。 この結果、得られた触媒の重量分析から得られ
たシリカ担持量は1.0重量％であつた。 この触媒を用いて、エチルベンゼンとエチレン
からのジエチルベンゼンの合成反応を行つた。実
験条件は、エチルベンゼン／エチレンモル比
2.95、触媒量２ｇ、WHSV4.0hr-1、反応温度350
℃、常圧で行つた。 反応開始後２〜３時間の成績は、エチルベンゼ
ン転化率20％、ジエチルベンゼン選択率95％、ジ
エチルベンゼン中のパラ体の割合99.5％であつ
た。 実施例 ２ 実施例１で得られた触媒を用いて、トルエンと
エチレンからのエチルトルエンの合成反応を行つ
た。実験条件は、トルエン／エチレン／H2モル
比６／１／６、WHSV4.0hr-1、圧力3.0Kg／cm2、
反応温度400℃で行つた。 反応開始後、２〜３時間、20〜21時間の成績を
表１に示す。
【表】
実施例 ３
実施例１で得られた触媒を用いて、トルエンの
不均化反応を行つた。実験条件は、H2／トルエ
ンモル比2.5、WHSV2.0hr-1、反応温度500℃、
圧力10Kg／cm2で行つた。 反応開始後、２〜３時間と20〜21時間の成績を
表２に示す。
不均化反応を行つた。実験条件は、H2／トルエ
ンモル比2.5、WHSV2.0hr-1、反応温度500℃、
圧力10Kg／cm2で行つた。 反応開始後、２〜３時間と20〜21時間の成績を
表２に示す。
【表】
実施例 ４
実施例１で得られた触媒を用いて、トルエンと
メタノールからのキシレン合成反応を行つた。実
験条件は、トルエン／メタノールモル比＝２、
WHSV4.0hr-1、反応温度450℃、常圧で行つた。 反応開始後、２〜３時間の成績は、トルエン転
化率＝35％、キシレン選択率＝95％、キシレン中
の異性体組成は、ｐ−体97％、ｍ−体２％、ｏ−
体１％であつた。 実施例 ５ 実施例１で得られたイオン交換後の結晶性クロ
モシリケートAZ−３ 10ｇを10〜20メツシユに
成型したものを、ガラス製反応管に充填して、25
容量％のケイ酸メチルを含む窒素ガスを320℃、
SV1500hr-1で20分間流した。その後、温度を500
℃に上げ、空気を流しながら２時間焼成を行つ
た。 この結果、得られた触媒の重量分析から得られ
たシリカ担持量は1.0重量％であつた。 この触媒を用いて、エチルベンゼンとエチレン
からのジエチルベンゼンの合成反応を行つた。実
験条件は、エチルベンゼン／エチレン／H2モル
比＝５／１／４、WHSV4.0hr-1、反応温度350
℃、圧力３Kg／cm2で行つた。 反応開始後、２〜３時間、20〜21時間の成績を
表３に示す。
メタノールからのキシレン合成反応を行つた。実
験条件は、トルエン／メタノールモル比＝２、
WHSV4.0hr-1、反応温度450℃、常圧で行つた。 反応開始後、２〜３時間の成績は、トルエン転
化率＝35％、キシレン選択率＝95％、キシレン中
の異性体組成は、ｐ−体97％、ｍ−体２％、ｏ−
体１％であつた。 実施例 ５ 実施例１で得られたイオン交換後の結晶性クロ
モシリケートAZ−３ 10ｇを10〜20メツシユに
成型したものを、ガラス製反応管に充填して、25
容量％のケイ酸メチルを含む窒素ガスを320℃、
SV1500hr-1で20分間流した。その後、温度を500
℃に上げ、空気を流しながら２時間焼成を行つ
た。 この結果、得られた触媒の重量分析から得られ
たシリカ担持量は1.0重量％であつた。 この触媒を用いて、エチルベンゼンとエチレン
からのジエチルベンゼンの合成反応を行つた。実
験条件は、エチルベンゼン／エチレン／H2モル
比＝５／１／４、WHSV4.0hr-1、反応温度350
℃、圧力３Kg／cm2で行つた。 反応開始後、２〜３時間、20〜21時間の成績を
表３に示す。
【表】
実施例 ６
実施例５で得られた触媒を用いて、トルエンの
不均化反応を行つた。実験条件は、H2／トルエ
ンモル比3.0、WHSV3.0hr-1、反応温度480℃、
圧力8.0Kg／cm2で行つた。 反応開始後、２〜３時間、20〜21時間の成績を
表４に示す。
不均化反応を行つた。実験条件は、H2／トルエ
ンモル比3.0、WHSV3.0hr-1、反応温度480℃、
圧力8.0Kg／cm2で行つた。 反応開始後、２〜３時間、20〜21時間の成績を
表４に示す。
【表】
実施例 ７
実施例５で得られた触媒を用いて、トルエンと
プロピレンからのシメンの合成反応を行つた。 実験条件は、トルエン／プロピレン／H2モル
比＝５／１／４、WHSV8.0hr-1、反応温度320
℃、圧力2.0Kg／cm2で行つた。 反応開始後、２〜３時間、10〜11時間の成績を
表５に示す。
プロピレンからのシメンの合成反応を行つた。 実験条件は、トルエン／プロピレン／H2モル
比＝５／１／４、WHSV8.0hr-1、反応温度320
℃、圧力2.0Kg／cm2で行つた。 反応開始後、２〜３時間、10〜11時間の成績を
表５に示す。
【表】
実施例 ８
１，８−ジアミノ−４−アミノメチルオクタン
250ｇ、硝酸クロム〔Cr（NO3）3・9H2O〕10ｇ、
水酸化ナトリウム10ｇを水400ｇにとかし、さら
にシリカゾル（30重量％SiO2）500ｇを加えて均
質な溶液を得た。この溶液に、かきまぜながら20
％硫酸50ｇを滴下して、均質なゲルを得た。さら
に、このゲルをホモジナイザー中で8000rpmで高
速撹拌した後、テフロン内張り耐圧容器中で160
℃、70時間静置して結晶化を行つた。 得られた生成物を過洗浄した後、120℃で８
時間焼成した後のＸ線回折パターンより、この生
成物は、結晶性クロモシリケートAZ−３と同定
された。 また、焼成後の生成物を0.5N塩酸中で24時間
イオン交換して過洗浄した後、120℃で４時間
乾燥、500℃で４時間空気中で焼成した後のケイ
光Ｘ線分析より求めたSiO2／Cr2O3モル比は40で
あつた。 この結晶性クロモシリケート20ｇを10〜20メツ
シユに成型したものを、ガラス製反応管に充填し
て、10容量％のケイ酸エチルを含む窒素ガスを
250℃、SV＝1000hr-1で15分間流した。その後、
温度を550℃に上げ、空気を流しながら４時間焼
成を行つた。 この結果、得られた触媒の重量分析から得られ
たシリカ担持量は1.5重量％であつた。 この触媒を用いて、エチルベンゼンの不均化反
応を行つた。実験条件は、H2／エチルベンゼン
モル比＝4.0、WHSV5.0hr-1、反応温度350℃、
圧力3.0Kg／cm2で行つた。 反応開始後、２〜３時間、20〜21時間の成績を
表６に示す。
250ｇ、硝酸クロム〔Cr（NO3）3・9H2O〕10ｇ、
水酸化ナトリウム10ｇを水400ｇにとかし、さら
にシリカゾル（30重量％SiO2）500ｇを加えて均
質な溶液を得た。この溶液に、かきまぜながら20
％硫酸50ｇを滴下して、均質なゲルを得た。さら
に、このゲルをホモジナイザー中で8000rpmで高
速撹拌した後、テフロン内張り耐圧容器中で160
℃、70時間静置して結晶化を行つた。 得られた生成物を過洗浄した後、120℃で８
時間焼成した後のＸ線回折パターンより、この生
成物は、結晶性クロモシリケートAZ−３と同定
された。 また、焼成後の生成物を0.5N塩酸中で24時間
イオン交換して過洗浄した後、120℃で４時間
乾燥、500℃で４時間空気中で焼成した後のケイ
光Ｘ線分析より求めたSiO2／Cr2O3モル比は40で
あつた。 この結晶性クロモシリケート20ｇを10〜20メツ
シユに成型したものを、ガラス製反応管に充填し
て、10容量％のケイ酸エチルを含む窒素ガスを
250℃、SV＝1000hr-1で15分間流した。その後、
温度を550℃に上げ、空気を流しながら４時間焼
成を行つた。 この結果、得られた触媒の重量分析から得られ
たシリカ担持量は1.5重量％であつた。 この触媒を用いて、エチルベンゼンの不均化反
応を行つた。実験条件は、H2／エチルベンゼン
モル比＝4.0、WHSV5.0hr-1、反応温度350℃、
圧力3.0Kg／cm2で行つた。 反応開始後、２〜３時間、20〜21時間の成績を
表６に示す。
【表】
実施例 ９
実施例８で得られた触媒を用いて、トルエンと
エチレンからのエチルトルエン合成反応を行つ
た。実験条件は、トルエン／エチレン／H2モル
比５／１／５、WHSV3.0hr-1、圧力4.0Kg／cm2、
反応温度420℃で行つた。 反応開始後、２〜３時間、12〜13時間の成績を
表７に示す。
エチレンからのエチルトルエン合成反応を行つ
た。実験条件は、トルエン／エチレン／H2モル
比５／１／５、WHSV3.0hr-1、圧力4.0Kg／cm2、
反応温度420℃で行つた。 反応開始後、２〜３時間、12〜13時間の成績を
表７に示す。
【表】
実施例 10
硝酸クロム〔Cr（NO3）3・9H2O〕2.0ｇ、モル
ホリン2.0ｇ、97％硫酸1.76ｇを水25ｇに加えた
溶液を、塩化ナトリウム7.9ｇを水12.2ｇに溶か
した溶液に徐々に滴下して、さらに水ガラス
（SiO237.6重量％、Na2O17.5重量％、水44.9重量
％）20ｇを水30ｇに溶かした溶液を滴下して、均
質な混合物を得た。 この混合物をテフロン内張りオートクレーブ中
で、170℃で24時間撹拌しながら結晶化させた。 得られた生成物を過洗浄、120℃で６時間乾
燥後、500℃で６時間空気中で焼成した後のＸ線
回折パターンを第２図に示す。この回折パターン
は、結晶性アルミノシリケートZSM−５とほと
んど一致した。 この結晶性クロモシリケート10ｇを10〜20メツ
シユに成型したものを、ガラス製反応管に充填し
て、ケイ酸エチルの蒸気と50mmHgの圧力下、250
℃で30分接触させた後、500℃で３時間空気を流
しながら焼成を行つた。 得られた触媒の重量分析より求めたシリカ担持
量は3.0重量％であつた。 この触媒を用いて、エチルベンゼンとエチレン
からのジエチルベンゼンの合成反応を行つた。実
験条件は、エチルベンゼン／エチレン／H2モル
比＝５／１／４、WHSV4.0hr-1、反応温度350
℃、圧力３Kg／cm2で行つた。 反応開始後、２〜３時間、20〜21時間の成績を
表８に示す。
ホリン2.0ｇ、97％硫酸1.76ｇを水25ｇに加えた
溶液を、塩化ナトリウム7.9ｇを水12.2ｇに溶か
した溶液に徐々に滴下して、さらに水ガラス
（SiO237.6重量％、Na2O17.5重量％、水44.9重量
％）20ｇを水30ｇに溶かした溶液を滴下して、均
質な混合物を得た。 この混合物をテフロン内張りオートクレーブ中
で、170℃で24時間撹拌しながら結晶化させた。 得られた生成物を過洗浄、120℃で６時間乾
燥後、500℃で６時間空気中で焼成した後のＸ線
回折パターンを第２図に示す。この回折パターン
は、結晶性アルミノシリケートZSM−５とほと
んど一致した。 この結晶性クロモシリケート10ｇを10〜20メツ
シユに成型したものを、ガラス製反応管に充填し
て、ケイ酸エチルの蒸気と50mmHgの圧力下、250
℃で30分接触させた後、500℃で３時間空気を流
しながら焼成を行つた。 得られた触媒の重量分析より求めたシリカ担持
量は3.0重量％であつた。 この触媒を用いて、エチルベンゼンとエチレン
からのジエチルベンゼンの合成反応を行つた。実
験条件は、エチルベンゼン／エチレン／H2モル
比＝５／１／４、WHSV4.0hr-1、反応温度350
℃、圧力３Kg／cm2で行つた。 反応開始後、２〜３時間、20〜21時間の成績を
表８に示す。
第１図は実施例１で得られた結晶性クロモシリ
ケートのＸ線回折パターン、第２図は実施例10で
得られた結晶性クロモシリケートのＸ線回折パタ
ーンである。
ケートのＸ線回折パターン、第２図は実施例10で
得られた結晶性クロモシリケートのＸ線回折パタ
ーンである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ モノアルキルベンゼンを気相において１，４
−ジアルキルベンゼンに転化する際に、結晶性ク
ロモシリケートをケイ酸エステル含有ガスで処理
した後、酸素含有ガス中で焼成することによつて
少なくとも0.1重量％のシリカを担持した触媒を
用いることを特徴とする１，４−ジアルキルベン
ゼンの製造法。 ２ 結晶性クロモシリケートがＸ線回折図におい
て、下表の回折パターンを有するものである特許
請求の範囲第１項記載の製造法。 【表】 【表】 Ｘ線回折分析はCuKα線を用いて測定する。た
だし、8.8±0.2と8.9±0.2の回折線のどちらかを
相対強度100とする。 ３ モノアルキルベンゼンが炭素数１〜３のアル
キル基を有するモノアルキルベンゼンである特許
請求の範囲第１項または第２項記載の製造法。 ４ １，４−ジアルキルベンゼンがパラキシレ
ン、パラエチルトルエンまたはパラジエチルベン
ゼンである特許請求の範囲第１項または第２項記
載の製造法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59149316A JPS61126039A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | １，４−ジアルキルベンゼンの製法 |
| US06/741,629 US4613717A (en) | 1984-06-25 | 1985-06-04 | Process for producing a 1,4-dialkylbenzene |
| GB08515692A GB2163176B (en) | 1984-06-25 | 1985-06-20 | A process for producing a 1,4-dialkylbenzene |
| KR1019850004480A KR870001873B1 (ko) | 1984-06-25 | 1985-06-24 | 1,4-디알킬벤젠의 제조방법 |
| FR8509578A FR2566389B1 (fr) | 1984-06-25 | 1985-06-24 | Procede de production d'un 1,4-dialkylbenzene |
| DE19853522727 DE3522727A1 (de) | 1984-06-25 | 1985-06-25 | Verfahren zur herstellung eines 1,4-dialkylbenzols |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59149316A JPS61126039A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | １，４−ジアルキルベンゼンの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61126039A JPS61126039A (ja) | 1986-06-13 |
| JPH0374652B2 true JPH0374652B2 (ja) | 1991-11-27 |
Family
ID=15472453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59149316A Granted JPS61126039A (ja) | 1984-06-25 | 1984-07-20 | １，４−ジアルキルベンゼンの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61126039A (ja) |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP59149316A patent/JPS61126039A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61126039A (ja) | 1986-06-13 |
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