JPH0374859A - ウェーハハンドリング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 半導体装置製造時におけるウェーハのハンドリング方法
に関し、 真空中でも非接触でハンドリング可能とすることを目的
とし、 ウェーハには、そのチップ形成領域以外の領域の一直線
上にない少なくとも３個所に磁性体膜を設けておくと共
に、ウェーハハンドラには、前記磁性体膜を吸引してウ
ェーハを吊り上げる少なくとも３個の電磁石と、該電磁
石とウェーハ間の距離を検出する少なくとも３個の距離
センサとを具備せしめておき、該距離センサからの情報
により電磁石とウェーハ間の距離を一定に保つように各
電磁石のコイルに流す電流を制御してウェーハを非接触
でハンドリングするように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は半導体装置製造時におけるウェーハのハンドリ
ング方法に関する。

〔従来の技術〕

近年、半導体デバイスの高集積化に伴い、清浄な雰囲気
下において製造を行わなければならなくなってきている
。このため現在はクリーンルームにおいてその製造が行
われている。しかしこのクリーンルームは巨視的に見る
と清浄度が保たれているが、微視的に見ると、その清浄
度には疑問がある。

上記の問題の１つとして、ウェーハハンドリング時にお
けるダスト付着の問題がある。この問題に対処するため
、従来は■ウェーハとハンドラの接触を最小とするよう
に複数個の爪で支持する方法、■静電チャックを用いる
方法、■第４図に示すようにハンドラ１とウェーハ２と
の間に空気膜３を作ってウェーハを非接触でハンドリン
グする方法等が用いられている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来のウェーハハンドリングにおいて、■及び■の
方法は真空中でも用いることができるがウェーハとハン
ドラとの接触が避けられず、ダストの付着する問題が残
る。また■の方法は非接触でダスト付着の問題はないが
真空中では用いることができないという問題がある。

本発明は、上記従来の問題点に鑑み、真空中でも非接触
でハンドリングできるウェーハハンドリング方法を提供
することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、本考案のウェーハハンドリ
ング方法では、ウェーハ１３にはそのチップ形成領域１
４以外の領域の一直線上にない少なくとも３個所に磁性
体膜１５を設けておくと共に、ウェーハハンドラ１２に
は、前記磁性体膜１５を吸引してウェーハ１３を吊り上
げる少なくとも３個の電磁石１８と、該電磁石１８とウ
ェーハエ３間の距離を検出する少なくとも３個の距離セ
ンサ１９とを具備せしめておき、該距離センサ１９から
の情報により電磁石１８とウェーハ１３間の距離を一定
に保つように各電磁石１８のコイルに流す電流を制御し
てウェーハ１３を非接触でハンドリングすることを特徴
とする。

〔作　用〕

一直線上にない少なくとも３個所に磁性体膜１５を形威
したウェーハ１３をウェーハハンドラ１２に設けた電磁
石１８で吊り上げ、ウェーハ１３とウェーハハンドラ１
２間の距離が一定となるように距離センサ１９からの信
号をフィードバックして電磁石１８のコイルに流す電流
を制御することにより非接触でウェーハ１３をハンドリ
ングすることができる。

〔実施例〕

第１図は本発明方法を実施することができる装置を示す
図である。

同図において、１０は機構部、１１は制御回路部である
。機構部１０はウェーハハンドラ１２と該ウェーハハン
ドラによりハンドリングするウェーハ１３とよりなり、
該ウェーハ１３には第２図に示すようにチップ形成領域
１４以外の領域で且つ一直線上にない３個所以上の領域
に、例えばパーマロイ等の磁性体膜１５を形威しである
。なお該磁性体膜１５はパーティクルが発生し、デバイ
スに影響を与えないようにするため、パッシベーション
膜１６　、１６’でサンドインチ構造とすることが望ま
しい。

またウェーハハンドラ１２には第３図に示すように非磁
性体の枠１７に前記ウェーハ１３の磁性体膜１５に対向
して少なくとも３個の電磁石１８と該電磁石のそれぞれ
の近傍に例えば光又はレーザによる距離センサ１９が設
けられている。

一方制御回路部１１は、第１図（図には１個の電磁石に
対してのみ示し、他は省略した）に示すように目標間隔
設定回路２０と、コンパレータ２１と、電磁石コイルコ
ントロール回路２２とよりなり、コンパレータ２１が距
離センサ１９からの信号を目標間隔設定回路２０からの
信号と比較して電磁石コイルコントロール回路２２を介
して電磁石１８のコイルに流す電流を制御するようにな
っている。

このように準備されたウェーハ及び装置を用いた本発明
方法は、先ず目標間隔設定回路２０によりつ羊−ハンド
リングとウェーハ１３間の距離を決める。これは例えば
可変抵抗で電圧値を決めることにより行うことができる
０次に電磁石コイルコントロール回路２２からウェーハ
ハンドラ１２の電磁石１８に電流を流し、ウェーハ１３
の磁性体膜１５を吸引しウェーハ１３を吊り上げる。ウ
ェーハハンドラ１２の距離センサ１９からの出力信号Ｂ
はコンパレータ２１に送られているが、ウェーハ１３が
ウェーハハンドラ１２に近ずくとその出力は大きくなる
。コンパレータ２１はこの距離センサ１９からの出力Ｂ
を目標間隔設定回路２０の設定値Ａと比較し、Ａ＞Ｂの
場合、即ちウェーハハンドラとウェーハ間の距離が目標
間隔より小さくなった場合は電磁石コイルコントロール
回路２２より電磁石１８のコイルに流す電流を少なくし
て！磁石１８の吸引力を弱くする。またＡ＞Ｂとなった
場合、即ちウェーハハンドラとウェーハ間の距離が目標
間隔より大きくなった場合は電磁石コイルコントロール
回路２２より電磁石１８のコイルに流す電流を多くして
電磁石１８の吸引力を強くする。このようにして残りの
電磁石も距離センサと制御回路部により制御することに
まりウェーハハンドラ１２とウェーハ１３間の距離を一
定に保持して非接触でウェーハをハンドリングすること
ができる。なお電磁石１８及び距離センサ１９を３個以
上とすることにまりウェーハを傾けることなく安定して
保持することができる。

〔発明の効果〕

以上説明した様に、本発明によれば、磁性体膜を形成し
たウェーハを少なくとも３個の電磁石及び距離センサを
有するウェーハハンドラと、該距離センサからの信号で
電磁石のコイルに流す電流を制御する制御回路部とを用
いることにより、ウェーハを非接触でハンドリングする
ことが可能となる。また磁力を利用しているので真空中
でのハンドリングも可能であり、且つ非接触であるので
塵埃の発生もない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法を実施するための装置を示す図、 第２図は本発明方法に用いるウェーハを示す図、第３図
は本発明方法に用いるウェーハハンドラを示す図、 第４図は従来のウェーハハンドラの１例を示す図である
。 図において、 １０は機構部、 １１は制御回路部、 １２はウェーハハンドラ、 １３はウェーハ、 １４はチップ形成領域、 １５は磁性体膜、 １６　、１６’は誘電体膜、 １７は枠、 １８は電磁石、 １９は距離センナ、 ２０は目標間隔設定回路、 ２１はコンパレータ、 ２２は電磁石コイルコントロール回路 を示す。 本発明方法１こ用いるウェーハを示す図第２（ｇ １６、　＋　６’・・・誘一体膜 （Ｑ）平面図 本発明方法に用いるウェハハンドラを示す図第 図 １９・・・距離センサ 従来のウェーハハンドラの１例を示す図第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、ウェーハ（１３）には、そのチップ形成領域（１４
   ）以外の領域の一直線上にない少なくとも３個所に磁性
   体膜（１５）を設けておくと共に、ウェーハハンドラ（
   １２）には、前記磁性体膜（１５）を吸引してウェーハ
   （１３）を吊り上げる少なくとも３個の電磁石（１８）
   と、該電磁石（１８）とウェーハ（１３）間の距離を検
   出する少なくとも３個の距離センサ（１９）とを具備せ
   しめておき、該距離センサ（１９）からの情報により電
   磁石（１８）とウェーハ（１３）間の距離を一定に保つ
   ように各電磁石（１８）のコイルに流す電流を制御して
   ウェーハ（１３）を非接触でハンドリングすることを特
   徴とするウェーハハンドリング方法。