JPH0375355A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
- Publication number
- JPH0375355A JPH0375355A JP21138889A JP21138889A JPH0375355A JP H0375355 A JPH0375355 A JP H0375355A JP 21138889 A JP21138889 A JP 21138889A JP 21138889 A JP21138889 A JP 21138889A JP H0375355 A JPH0375355 A JP H0375355A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- source
- film
- electron beam
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、主としてプラスチック材や絶縁材への基板へ
の成膜に適した蒸発源或はスパッタ源からなる成膜物質
放出源を備えた成膜装置に関する。
の成膜に適した蒸発源或はスパッタ源からなる成膜物質
放出源を備えた成膜装置に関する。
（従来の技術）
従来、成膜装置として、例えば第１図に見られるように
、真空室ａ内に成膜物質放出源を構成する蒸発源すと基
板ホルダＣに保持した基板ｄとを対向して設け、該蒸発
源すの側方に該基板ｄに向けてイオンビームｅを放射す
るイオン銃ｆを設けるようにしたものが知られている。
、真空室ａ内に成膜物質放出源を構成する蒸発源すと基
板ホルダＣに保持した基板ｄとを対向して設け、該蒸発
源すの側方に該基板ｄに向けてイオンビームｅを放射す
るイオン銃ｆを設けるようにしたものが知られている。
この成膜装置は、基板ｄを成膜に先立ちクリーニングし
、イオンビームを基板ｄに照射し乍らの成膜即ちイオン
アシスト成膜を行なうもので、真空室ａ内を排気口ｇか
ら１０−４〜１Ｏ−７Ｔｏｒｒの高真空に排気したのち
、イオン銃ｆへこれに接続したガス導入管りからガスを
導入すると共にイオン銃制御用電源ｉから電力を供給し
、該イオン銃ｆから基板ｄに向かうイオンビームを発生
させ、まず該基板ｄの表面をクリーニングし、次いで蒸
発用型ａｔＸｊから蒸発源すへ電力を供給してその内部
の蒸発材ｋを昇華又は溶解させて基板ｄに堆積させると
共に基板ｄにイオン銃ｆからイオンビームを照射する。
、イオンビームを基板ｄに照射し乍らの成膜即ちイオン
アシスト成膜を行なうもので、真空室ａ内を排気口ｇか
ら１０−４〜１Ｏ−７Ｔｏｒｒの高真空に排気したのち
、イオン銃ｆへこれに接続したガス導入管りからガスを
導入すると共にイオン銃制御用電源ｉから電力を供給し
、該イオン銃ｆから基板ｄに向かうイオンビームを発生
させ、まず該基板ｄの表面をクリーニングし、次いで蒸
発用型ａｔＸｊから蒸発源すへ電力を供給してその内部
の蒸発材ｋを昇華又は溶解させて基板ｄに堆積させると
共に基板ｄにイオン銃ｆからイオンビームを照射する。
これによれば、基板ｄがイオンビームによりクリーニン
グされるので密着性の良い膜を基板ｄに形成出来、また
膜中の不足する成分をイオン銃ｆのガス導入管りに導入
するガスのイオンにより補充して膜質を改善することが
出来る。
グされるので密着性の良い膜を基板ｄに形成出来、また
膜中の不足する成分をイオン銃ｆのガス導入管りに導入
するガスのイオンにより補充して膜質を改善することが
出来る。
（発明が解決しようとする課題）
前記イオンアシスト式の成膜装置では、アシスト用にイ
オンビームを使用しているので、基板の堆積によっては
イオン（質量が大きい）の突入するエネルギーでダメー
ジを生じ、特にプラスチック等の軟らかい基板では表面
の組成が破壊される不都合があった。また、絶縁材の基
板では、イオンによるチャージが生じ、基板面での異常
放電を誘発するので逆に膜質を低下させてしまう欠点が
あった。例えば、基板がアクリル、ポリカーボネート等
のプラスチック材である場合、イオンのエネルギーが大
きすぎるため、基板のＣＨ２核が分解し、Ｃが基板表面
に析出して蒸発材との密着性が悪化する不都合を生じ、
絶縁基板ではイオンが基板面に集まり、基板内の放電が
発生して基板が損傷する不都合があった。
オンビームを使用しているので、基板の堆積によっては
イオン（質量が大きい）の突入するエネルギーでダメー
ジを生じ、特にプラスチック等の軟らかい基板では表面
の組成が破壊される不都合があった。また、絶縁材の基
板では、イオンによるチャージが生じ、基板面での異常
放電を誘発するので逆に膜質を低下させてしまう欠点が
あった。例えば、基板がアクリル、ポリカーボネート等
のプラスチック材である場合、イオンのエネルギーが大
きすぎるため、基板のＣＨ２核が分解し、Ｃが基板表面
に析出して蒸発材との密着性が悪化する不都合を生じ、
絶縁基板ではイオンが基板面に集まり、基板内の放電が
発生して基板が損傷する不都合があった。
本発明はかかる不都合、欠点を解消することを目的とす
るものである。
るものである。
（課題を解決するための手段）
本発明では、真空室内に、蒸発源或はスパッタ源からな
る成膜物質放出源と該成膜物質放出源からの放出物の薄
膜が形成される基板とを互に対向して設けた成膜装置に
於て、該基板に向けて電子ビームを照射する電子ビーム
源を設けることにより、前記目的を達成するようにした
。
る成膜物質放出源と該成膜物質放出源からの放出物の薄
膜が形成される基板とを互に対向して設けた成膜装置に
於て、該基板に向けて電子ビームを照射する電子ビーム
源を設けることにより、前記目的を達成するようにした
。
（作 用）
真空室内を高真空に排気したのち、電子ビーム源に導入
したガスを電子ビーム化し、これを基板に向けて照射す
ることにより該基板の表面をクリーニングする。続いて
成膜物質放出源を作動させると共に該電子ビームを基板
に照射すると、該放出源からの放出物の一部が電子ビー
ムの照射を受けてイオン化するので基板面に強固に付着
堆積する。この場合、該基板の表面はイオンよりも重さ
が約１８００分の１と軽い電子の照射を受けてクリーニ
ングされるので、基板を損傷することなく、基板表面に
付着している汚れ（主に８２０ ＳＣＳＯ等のガス）を
除去し乍ら成膜することが出来、絶縁基板であってもそ
の表面にイオンが集まることがなく異常放電を生ずるこ
とがない。
したガスを電子ビーム化し、これを基板に向けて照射す
ることにより該基板の表面をクリーニングする。続いて
成膜物質放出源を作動させると共に該電子ビームを基板
に照射すると、該放出源からの放出物の一部が電子ビー
ムの照射を受けてイオン化するので基板面に強固に付着
堆積する。この場合、該基板の表面はイオンよりも重さ
が約１８００分の１と軽い電子の照射を受けてクリーニ
ングされるので、基板を損傷することなく、基板表面に
付着している汚れ（主に８２０ ＳＣＳＯ等のガス）を
除去し乍ら成膜することが出来、絶縁基板であってもそ
の表面にイオンが集まることがなく異常放電を生ずるこ
とがない。
（実施例）
本発明の実施例を図面第２図に基づき説明すると、同図
に於て符号（１）は真空排気口（２）を備えた真空室、
（３）は該真空室（１）の下方に設けた抵抗加熱式の蒸
発源からなる成膜物質放出源、（４）は該成膜物質放出
源（３）の上方にこれと対向して設けたプラスチック材
或は絶縁材等からなる基板、（５）は基板ホルダ、〈６
）は蒸発用電源、（７）は８１０２、ＭｇＦ２、ＴｌＯ
２、ＺｎＯ２等の成膜原料である。
に於て符号（１）は真空排気口（２）を備えた真空室、
（３）は該真空室（１）の下方に設けた抵抗加熱式の蒸
発源からなる成膜物質放出源、（４）は該成膜物質放出
源（３）の上方にこれと対向して設けたプラスチック材
或は絶縁材等からなる基板、（５）は基板ホルダ、〈６
）は蒸発用電源、（７）は８１０２、ＭｇＦ２、ＴｌＯ
２、ＺｎＯ２等の成膜原料である。
こうした構成は従来のものと変わりがないが、本発明の
ものでは、該真空室（１）内に該基板（４）に向けて電
子ビームを照射する自己加速型電子銃等からなる電子ビ
ーム源（８）を設けるようにしたもので、図示の例では
、該真空室（１）の外部からガス導入管（９）及び電子
ビーム用電源（１０からの配線を導入してこれらを電子
ビーム源（８）に接続するようにした。該ガス導入管（
９〉には、必要に応じて０２ガス、フロン系ガス、Ａｒ
ガス等が導入される。
ものでは、該真空室（１）内に該基板（４）に向けて電
子ビームを照射する自己加速型電子銃等からなる電子ビ
ーム源（８）を設けるようにしたもので、図示の例では
、該真空室（１）の外部からガス導入管（９）及び電子
ビーム用電源（１０からの配線を導入してこれらを電子
ビーム源（８）に接続するようにした。該ガス導入管（
９〉には、必要に応じて０２ガス、フロン系ガス、Ａｒ
ガス等が導入される。
該基板（４）に成膜を行なう場合、まず真空室（１）内
を排気口（２）から１０−’ 〜１０−’Ｔｏｒｒの高
真空に排気し、ガス導入口〈９〉から電子ビーム源（８
〉に例えばＡｒガスを導入すると共に電源（１０から電
力を供給し、電子ビーム源（８）から電子ビームを基板
（４）に向けて照射してその表面のＨ２Ｏ等の付着物を
クリーニングする。次で成膜物質放出源（３）に電源（
６）から電力を供給し、成膜原料（７）を昇華或は溶解
させて基板（４）に成膜物質を堆積させ乍ら再びガス導
入管（９）にＡｒガスを導入して電子ビーム源（８）か
ら電子ビームを照射すると該基板（４）に向かう成膜物
質の一部がイオン化され、基板（４）に密着性良く成膜
物質が堆積する。基板〈４〉がプラスチック材である場
合、電子ビームの照射でクリーニングされてもイオンビ
ームによるクリーニングのように基板（４）が損傷する
ことがなく、また８１０２等の光学膜を基板（４〉に成
膜する場合、ガス導入口（９）から０２ガスを導入すれ
ば膜組成中に不足し勝ちなＯ成分を電子ビーム源（８）
から基板面に補給し、成分比の良い膜を基板（４〉に形
成出来る。更に基板（４）が絶縁材の場合、多くのイオ
ンが基板面に集まることがなく、異常放電の発生が少な
くなる。
を排気口（２）から１０−’ 〜１０−’Ｔｏｒｒの高
真空に排気し、ガス導入口〈９〉から電子ビーム源（８
〉に例えばＡｒガスを導入すると共に電源（１０から電
力を供給し、電子ビーム源（８）から電子ビームを基板
（４）に向けて照射してその表面のＨ２Ｏ等の付着物を
クリーニングする。次で成膜物質放出源（３）に電源（
６）から電力を供給し、成膜原料（７）を昇華或は溶解
させて基板（４）に成膜物質を堆積させ乍ら再びガス導
入管（９）にＡｒガスを導入して電子ビーム源（８）か
ら電子ビームを照射すると該基板（４）に向かう成膜物
質の一部がイオン化され、基板（４）に密着性良く成膜
物質が堆積する。基板〈４〉がプラスチック材である場
合、電子ビームの照射でクリーニングされてもイオンビ
ームによるクリーニングのように基板（４）が損傷する
ことがなく、また８１０２等の光学膜を基板（４〉に成
膜する場合、ガス導入口（９）から０２ガスを導入すれ
ば膜組成中に不足し勝ちなＯ成分を電子ビーム源（８）
から基板面に補給し、成分比の良い膜を基板（４〉に形
成出来る。更に基板（４）が絶縁材の場合、多くのイオ
ンが基板面に集まることがなく、異常放電の発生が少な
くなる。
尚、成膜物質放出源（３）としてスパッタ源を使用する
ことも可能であり、電子ビーム源（８）としてホローカ
ソード電子銃を使用してもよい。
ことも可能であり、電子ビーム源（８）としてホローカ
ソード電子銃を使用してもよい。
（発明の効果）
以上のように本発明によるときは、蒸発源等の成膜物質
放出源により基板に成膜を行なう装置に於て、電子ビー
ム源を設けて基板に電子ビームを照射するようにしたの
で、基板を損傷させずにクリーニングすることが出来る
と共に密着性と膜質の良い成膜を行なえ、特にプラスチ
ック基板、絶縁基板の成膜に有効に適用出来る等の効果
がある。
放出源により基板に成膜を行なう装置に於て、電子ビー
ム源を設けて基板に電子ビームを照射するようにしたの
で、基板を損傷させずにクリーニングすることが出来る
と共に密着性と膜質の良い成膜を行なえ、特にプラスチ
ック基板、絶縁基板の成膜に有効に適用出来る等の効果
がある。
第１図は従来の成膜装置の概略断面図、第２図は本発明
の実施例の概略断面図である。 （１）・・・真空室 （３）・・・成膜物質放出源 （４〉・・・基 板 （８）・・・電子ビーム源
の実施例の概略断面図である。 （１）・・・真空室 （３）・・・成膜物質放出源 （４〉・・・基 板 （８）・・・電子ビーム源
Claims (1)
- 真空室内に、蒸発源或はスパッタ源からなる成膜物質
放出源と該成膜物質放出源からの放出物の薄膜が形成さ
れる基板とを互に対向して設けた成膜装置に於て、該基
板に向けて電子ビームを照射する電子ビーム源を設けた
ことを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21138889A JPH0375355A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21138889A JPH0375355A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0375355A true JPH0375355A (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=16605135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21138889A Pending JPH0375355A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0375355A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5650024A (en) * | 1993-12-28 | 1997-07-22 | Nippon Steel Corporation | Martensitic heat-resisting steel excellent in HAZ-softening resistance and process for producing the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5538425A (en) * | 1978-09-08 | 1980-03-17 | Kubota Ltd | Method for waste disposal |
| JPS61183813A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | トヨタ自動車株式会社 | 導電膜の形成方法 |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP21138889A patent/JPH0375355A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5538425A (en) * | 1978-09-08 | 1980-03-17 | Kubota Ltd | Method for waste disposal |
| JPS61183813A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | トヨタ自動車株式会社 | 導電膜の形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5650024A (en) * | 1993-12-28 | 1997-07-22 | Nippon Steel Corporation | Martensitic heat-resisting steel excellent in HAZ-softening resistance and process for producing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3203249B2 (ja) | レーザープラズマ沈着によって製造される無定形ダイヤモンド材料 | |
| JPS58221271A (ja) | イオンプレ−テイング法による被膜形成方法 | |
| CN1158404C (zh) | 等离子体处理系统和方法 | |
| US4237183A (en) | Process for the surface treatment of a synthetic resin lens and the product thereof | |
| US4747922A (en) | Confined ion beam sputtering device and method | |
| JPH0645869B2 (ja) | 合成樹脂基板のコーティング法 | |
| JPH0661335A (ja) | 半導体製造装置用の基板保持プレート | |
| JPH0375355A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH02156066A (ja) | 基材のクリーニング方法 | |
| KR950009992B1 (ko) | 렌즈의 코팅방법 | |
| JPS5831078A (ja) | 被膜基体の前処理方法およびその装置 | |
| JPS58185417A (ja) | 厚いカ−ボン膜の成膜方法 | |
| JPS58185418A (ja) | 厚いカ−ボン膜の成膜方法 | |
| JPH04358058A (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
| JPH059725A (ja) | 硬質炭素膜の被覆方法 | |
| JPS63238266A (ja) | スパツタリング装置 | |
| RU2145362C1 (ru) | Способ вакуумно-плазменного нанесения покрытий | |
| JPH02107760A (ja) | 真空成膜装置 | |
| JP3364692B2 (ja) | 電磁波シールド用成膜方法と装置 | |
| JP2696987B2 (ja) | 薄膜製造方法 | |
| JPH0280556A (ja) | 複合材料膜の製造方法 | |
| JPH06116708A (ja) | レーザー用膜製造方法および装置 | |
| JPS61220415A (ja) | 薄膜製造方法 | |
| JPH0428861A (ja) | ホロカソード電子銃を用いた成膜装置 | |
| JPH04131366A (ja) | 基板のクリーニング方法 |