JPH02156066A - 基材のクリーニング方法 - Google Patents
基材のクリーニング方法Info
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- JPH02156066A JPH02156066A JP30779188A JP30779188A JPH02156066A JP H02156066 A JPH02156066 A JP H02156066A JP 30779188 A JP30779188 A JP 30779188A JP 30779188 A JP30779188 A JP 30779188A JP H02156066 A JPH02156066 A JP H02156066A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、基材に成膜したり、イオン注入したりする前
に該基材表面をクリーニングする方法に関する。
に該基材表面をクリーニングする方法に関する。
［従来の技術］
例えば各種の金属、セラミックス等からなる基材表面を
硬質化したり、光沢性等を付与する目的で各種の金属被
膜を成膜する際には、該基材表面に対する被膜の密着性
を向上させるために基材表面をクリーニングすることが
行われている。
硬質化したり、光沢性等を付与する目的で各種の金属被
膜を成膜する際には、該基材表面に対する被膜の密着性
を向上させるために基材表面をクリーニングすることが
行われている。
上述した基材のクリーニングとしては、従来より次のよ
うな方法が知られている。
うな方法が知られている。
■、真空チャンバ内に基材を設置し、該チャンバ側壁に
設けた電子銃より電子ビームを該基材表面に照射して瞬
時に加熱し、表面の付着物を除去する方法。
設けた電子銃より電子ビームを該基材表面に照射して瞬
時に加熱し、表面の付着物を除去する方法。
■、基材に直流電圧を印加してグロー放電によるイオン
ボンバードによって該基材表面をエツチングし、同時に
基材を加熱して付着した水分等を蒸発、除去する方法。
ボンバードによって該基材表面をエツチングし、同時に
基材を加熱して付着した水分等を蒸発、除去する方法。
■、真空チャンバ内に基材を設置し、該基材を陽極とし
てチャンバ側壁に設けたホロカソード銃との間でプラズ
マを発生させ、該プラズマの熱により表面の付着物を除
去する方法。
てチャンバ側壁に設けたホロカソード銃との間でプラズ
マを発生させ、該プラズマの熱により表面の付着物を除
去する方法。
［発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、前記■の電子ビームによるクリーニング
法にあっては基材表面が平坦である場合、該基材表面の
付着物を比較的良好に蒸発除去できるものの、電子ビー
ムは直進性を有するために基材が複雑形状で表面に凹凸
があると付着物を良好に除去できない問題があった。ま
た、前記■のグロー放電によるイオンボンバードを利用
したクリーング方法にあってはほぼ基材全体から放電し
、スパッタ効果によりエツチングがなされ、クリーニン
グされるものの、プラズマ密度が低いため、プラズマ反
応による表面の付着物の除去を期待できない。更に、前
記■のプラズマのボンバードを利用したクリーニング方
法にあってはプラズマにより基材表面を加熱して付着物
の除去を行なうことができるものの、電子ビームに比べ
て若干基材表面に対する回り込み性が改善される程度で
あるため、複雑形状の基材表面を良好にクリーニングす
ることが困難となる。特に、コ字状、穴形状基材はグロ
ー放電によりイオンボンバードを行なうと、ホロカソー
ド放電現象を生じて基材電圧が下がるため、所定の基材
印加電圧を維持するにはグロー放電時の真空度を上げる
必要がある。しかし、真空度を高くするとプラズマ密度
が下がるため、イオンボンバードによるクリーニング効
果は低下する。
法にあっては基材表面が平坦である場合、該基材表面の
付着物を比較的良好に蒸発除去できるものの、電子ビー
ムは直進性を有するために基材が複雑形状で表面に凹凸
があると付着物を良好に除去できない問題があった。ま
た、前記■のグロー放電によるイオンボンバードを利用
したクリーング方法にあってはほぼ基材全体から放電し
、スパッタ効果によりエツチングがなされ、クリーニン
グされるものの、プラズマ密度が低いため、プラズマ反
応による表面の付着物の除去を期待できない。更に、前
記■のプラズマのボンバードを利用したクリーニング方
法にあってはプラズマにより基材表面を加熱して付着物
の除去を行なうことができるものの、電子ビームに比べ
て若干基材表面に対する回り込み性が改善される程度で
あるため、複雑形状の基材表面を良好にクリーニングす
ることが困難となる。特に、コ字状、穴形状基材はグロ
ー放電によりイオンボンバードを行なうと、ホロカソー
ド放電現象を生じて基材電圧が下がるため、所定の基材
印加電圧を維持するにはグロー放電時の真空度を上げる
必要がある。しかし、真空度を高くするとプラズマ密度
が下がるため、イオンボンバードによるクリーニング効
果は低下する。
本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたも
ので、複雑形状の基材でもその表面全体の付着物等を良
好に除去し得るクリーニング方法を埒供しようとするも
のである。
ので、複雑形状の基材でもその表面全体の付着物等を良
好に除去し得るクリーニング方法を埒供しようとするも
のである。
［課題を解決するための手段］
本発明は、基材への成膜又はイオン注入の前にクリーニ
ングする方法において、前記基材を真空中にてグロー放
電によるイオンボン−バードと同時に同真空内にプラズ
マ銃より導入したアルゴン又は水素のプラズマを該基材
表面に照射することを特徴とする基材のクリーニング方
法である。
ングする方法において、前記基材を真空中にてグロー放
電によるイオンボン−バードと同時に同真空内にプラズ
マ銃より導入したアルゴン又は水素のプラズマを該基材
表面に照射することを特徴とする基材のクリーニング方
法である。
上記グロー放電によるイオンボンバードにおいては、−
５００Ｖ〜−２０００Ｖの範囲で、かつプラズマ銃より
低電圧とすることが望ましい。
５００Ｖ〜−２０００Ｖの範囲で、かつプラズマ銃より
低電圧とすることが望ましい。
上記プラズマ銃からプラズマを導入するのためのプラズ
マビーム電流は、基材電流当り４０〜２００に設定する
ことが望ましい。
マビーム電流は、基材電流当り４０〜２００に設定する
ことが望ましい。
本発明によれば、基材を真空中にてグロー放電によるイ
オンボンバードを行なうことによって、はぼ基材全体か
ら放電し、スパッタ効果によりエツチングがなされて基
材表面全体のクリーニングが可能となる。また、同時に
同真空内にプラズマ銃より導入したアルゴン又は水素の
プラズマを該基材表面に照射することによって、基材表
面の付着物と化学的に反応して該付着物が良好に除去さ
れる。特に、コ字状、穴形状基材に対してはホロカソー
ド放電現象を避けるためにグロー放電時の真空度を上げ
てもプラズマを外部より集めることができるため、イオ
ンボンバードによるクリーニング効果の低下を防止でき
る。従って、複雑形状の基材であっても該基材表面の付
着物を効果的に除去、クリーニングできるため、その後
の成膜により基材表面に密着性の高い被膜を形成するこ
とができる。
オンボンバードを行なうことによって、はぼ基材全体か
ら放電し、スパッタ効果によりエツチングがなされて基
材表面全体のクリーニングが可能となる。また、同時に
同真空内にプラズマ銃より導入したアルゴン又は水素の
プラズマを該基材表面に照射することによって、基材表
面の付着物と化学的に反応して該付着物が良好に除去さ
れる。特に、コ字状、穴形状基材に対してはホロカソー
ド放電現象を避けるためにグロー放電時の真空度を上げ
てもプラズマを外部より集めることができるため、イオ
ンボンバードによるクリーニング効果の低下を防止でき
る。従って、複雑形状の基材であっても該基材表面の付
着物を効果的に除去、クリーニングできるため、その後
の成膜により基材表面に密着性の高い被膜を形成するこ
とができる。
［実施例］
以下、本発明の実施例を第１図を参照して説明する。
実施例
第１図は、本発明の実施例で使用するクリーニング及び
イオンブレーティングを兼ねた装置の概略図である。図
中の１は、真空チャンバであり、このチャンバ１の下部
側壁には該チャンバｌ内を所定の真空度に維持するため
の図示しない真空ポンプと連通する排気管２が設けられ
ている。前記チャンバｌ内の外側壁には、プラズマ発生
源としてのプラズマ銃３が設けられており、該プラズマ
銃３の後部はアルゴンガス等の所定のガスを導入するた
めの導入管（図示せず）が設けられている。
イオンブレーティングを兼ねた装置の概略図である。図
中の１は、真空チャンバであり、このチャンバ１の下部
側壁には該チャンバｌ内を所定の真空度に維持するため
の図示しない真空ポンプと連通する排気管２が設けられ
ている。前記チャンバｌ内の外側壁には、プラズマ発生
源としてのプラズマ銃３が設けられており、該プラズマ
銃３の後部はアルゴンガス等の所定のガスを導入するた
めの導入管（図示せず）が設けられている。
なお、プラズマ銃３が設けられた前記チャンバｌの側壁
にはプラズマの絞り部４が設けられている。
にはプラズマの絞り部４が設けられている。
また、前記プラズマ銃３の前記チャンバｌとの連結付近
及び該プラズマ銃３と対向するチャンバｌの外側壁部分
には、プラズマ銃３から引出されたプラズマの拡散を防
ぐための円筒状磁石５ａ、 ５ｂが夫々設けられている
。前記プラズマ銃３の設置箇所とほぼ同一平面上に位置
するチャンバｌの側壁には電磁石を内蔵した３つの対向
電極６が該側壁を貫通してチャンバｌ内に挿着されてい
る。これら３つの対向電極６は、前記プラズマ銃３と対
向するチャンバ１の側壁及び該側壁位置を中心にして時
計回り方向と反時計回り方向に７０″の角度で離間した
チャンバ１側壁に夫々配置されている。
及び該プラズマ銃３と対向するチャンバｌの外側壁部分
には、プラズマ銃３から引出されたプラズマの拡散を防
ぐための円筒状磁石５ａ、 ５ｂが夫々設けられている
。前記プラズマ銃３の設置箇所とほぼ同一平面上に位置
するチャンバｌの側壁には電磁石を内蔵した３つの対向
電極６が該側壁を貫通してチャンバｌ内に挿着されてい
る。これら３つの対向電極６は、前記プラズマ銃３と対
向するチャンバ１の側壁及び該側壁位置を中心にして時
計回り方向と反時計回り方向に７０″の角度で離間した
チャンバ１側壁に夫々配置されている。
前記各対向電極６に内蔵された電磁石は、電源７とは別
の図示しない電源により磁力を発生するようになってい
る。
の図示しない電源により磁力を発生するようになってい
る。
また、前記チャンバｌ内のプラズマ生成領域近傍には基
材を保持するためのホルダ８が配設されており、かつ該
ホルダ８の周囲には図示しないヒータが配置されている
。前記ホルダ８は、前記型Ｒ７に接続されて負電圧が印
加されるようになっている。更に、前記チャンバ１内の
底部付近には図示しない電子銃からの電子ビームにより
蒸着物質が蒸発されるルツボ９が配置されている。
材を保持するためのホルダ８が配設されており、かつ該
ホルダ８の周囲には図示しないヒータが配置されている
。前記ホルダ８は、前記型Ｒ７に接続されて負電圧が印
加されるようになっている。更に、前記チャンバ１内の
底部付近には図示しない電子銃からの電子ビームにより
蒸着物質が蒸発されるルツボ９が配置されている。
次に、前述した装置を用いて基材のクリーニング方法及
びクリーニング後の基材への成膜方法について説明する
。
びクリーニング後の基材への成膜方法について説明する
。
まず、ホルダ８に５ＵＳ３０４からなる複雑形状の基材
１０を保持し、ルツボ９内にチタンチップ１１を収容し
た後、図示しない真空ポンプを作動してチャンバ１内の
ガスを排気管２を通して排気して２、ＯＸ １０’ ｔ
ｏｒｒまで排気した後、Ａｒガス、を導入してチャンバ
１内を２．３ Ｘ １Ｇ−２ｔｏｒｒとした。つづいて
、ホルダ８周辺の図示しないヒータにより基材１０を２
００℃に加熱しながら電源７から一１ｏｏｏｖの電圧を
ホルダ８を通して基材１０に印加してグロー放電による
ボンバードを行なった。同時に、プラズマ銃３にプラズ
マ発生ガスとしてのアルゴンを供給し、ビーム出力８Ｋ
Ｗの条件とすることにより、該プラズマ銃３よりプラズ
マを生成し、絞り部４を通してチャンバ１内にプラズマ
１２を引出すと共、に、３つの対向電極６に内蔵した電
磁石に図示しない電源から所定の電流を印加することに
より各対向電極６表面から磁界を発生させてチャンバｌ
内に引き出されたプラズマ１２を基材１０に対して高密
度で集束させた。なお、チャンバ１の外側に配置した円
筒状磁石５ａ、 ５ｂの磁界により広いチャンバｌ内で
の拡散が防止される。こうした基材１０のグロー放電に
よるイオンボンバードと同時にプラズマ銃３より導入し
たアルゴンプラズマ１２をホルダ８の基材表面に照射す
ることによりクリニングを行なった。
１０を保持し、ルツボ９内にチタンチップ１１を収容し
た後、図示しない真空ポンプを作動してチャンバ１内の
ガスを排気管２を通して排気して２、ＯＸ １０’ ｔ
ｏｒｒまで排気した後、Ａｒガス、を導入してチャンバ
１内を２．３ Ｘ １Ｇ−２ｔｏｒｒとした。つづいて
、ホルダ８周辺の図示しないヒータにより基材１０を２
００℃に加熱しながら電源７から一１ｏｏｏｖの電圧を
ホルダ８を通して基材１０に印加してグロー放電による
ボンバードを行なった。同時に、プラズマ銃３にプラズ
マ発生ガスとしてのアルゴンを供給し、ビーム出力８Ｋ
Ｗの条件とすることにより、該プラズマ銃３よりプラズ
マを生成し、絞り部４を通してチャンバ１内にプラズマ
１２を引出すと共、に、３つの対向電極６に内蔵した電
磁石に図示しない電源から所定の電流を印加することに
より各対向電極６表面から磁界を発生させてチャンバｌ
内に引き出されたプラズマ１２を基材１０に対して高密
度で集束させた。なお、チャンバ１の外側に配置した円
筒状磁石５ａ、 ５ｂの磁界により広いチャンバｌ内で
の拡散が防止される。こうした基材１０のグロー放電に
よるイオンボンバードと同時にプラズマ銃３より導入し
たアルゴンプラズマ１２をホルダ８の基材表面に照射す
ることによりクリニングを行なった。
次いで、真空ポンプによる排気力を高めてチャンバｌ内
を５．ＯＸ １０−’ ｔｏｒｒとした後、電子銃から
放出された電子ビームをルツボ９内に収容したチタンチ
ップ１１に照射して溶融、蒸発させた。同時に、プラズ
マ銃３から窒素プラズマをチャンバ１内に引出し、クリ
ーニング処゛理した５Ｏ８３０４の基材表面にＴＩＮを
４０人／ｓｅｅの速度で成膜して厚さ４μｍのＴＩＮ被
膜を形成した。
を５．ＯＸ １０−’ ｔｏｒｒとした後、電子銃から
放出された電子ビームをルツボ９内に収容したチタンチ
ップ１１に照射して溶融、蒸発させた。同時に、プラズ
マ銃３から窒素プラズマをチャンバ１内に引出し、クリ
ーニング処゛理した５Ｏ８３０４の基材表面にＴＩＮを
４０人／ｓｅｅの速度で成膜して厚さ４μｍのＴＩＮ被
膜を形成した。
比較例
まず、ホルダ８１：：５Ｕｓ３０４からなる複雑形状の
基材１０を保持し、ルツボ９内にチタンチップ１１を収
容した後、図示しない真空ポンプを作動してチャンバｌ
内のガスを排気管２を通して２、ＯＸ １Ｏ−５ｔｏｒ
ｒまで排気した後、Ａｒガスを導入してチャンバｌ内を
２．３ Ｘ １Ｏ−２ｔｏｒｒとした。つづいて、ホル
ダ８周辺の図示しないヒータにより基材１０を２００℃
に加熱しなからず源７から一１０００Ｖの電圧をホルダ
８を通して基材１０に印加してグロー放電によるイオン
ボンバードを行なって基材１０表面のクリーニングを行
なった。なお、この比較例では実施例のようなプラズマ
のチャンバ内への導入は行なわなかった。
基材１０を保持し、ルツボ９内にチタンチップ１１を収
容した後、図示しない真空ポンプを作動してチャンバｌ
内のガスを排気管２を通して２、ＯＸ １Ｏ−５ｔｏｒ
ｒまで排気した後、Ａｒガスを導入してチャンバｌ内を
２．３ Ｘ １Ｏ−２ｔｏｒｒとした。つづいて、ホル
ダ８周辺の図示しないヒータにより基材１０を２００℃
に加熱しなからず源７から一１０００Ｖの電圧をホルダ
８を通して基材１０に印加してグロー放電によるイオン
ボンバードを行なって基材１０表面のクリーニングを行
なった。なお、この比較例では実施例のようなプラズマ
のチャンバ内への導入は行なわなかった。
次いで、真空ポンプによる排気力を高めてチャンバｌ内
を５．ＯＸ １０−’ ｔｏｒｒとした後、電子銃から
放出された電子ビームをルツボ９内に収容したチタンチ
ップ１１に照射して溶融、蒸発させた。同時に、プラズ
マ銃３から窒素プラズマをチャンバ１内に引出し、クリ
ーニング処理した５ＵＳ３０４の基材表面にＴＩＮを３
９人／ｓｅｅの速度で成膜して厚さ３．９μｍのＴＩ
Ｎ被膜を形成した。
を５．ＯＸ １０−’ ｔｏｒｒとした後、電子銃から
放出された電子ビームをルツボ９内に収容したチタンチ
ップ１１に照射して溶融、蒸発させた。同時に、プラズ
マ銃３から窒素プラズマをチャンバ１内に引出し、クリ
ーニング処理した５ＵＳ３０４の基材表面にＴＩＮを３
９人／ｓｅｅの速度で成膜して厚さ３．９μｍのＴＩ
Ｎ被膜を形成した。
しかして、本実施例及び比較例の基材上に成膜されたＴ
ＩＮ被膜についてスクラッチ試験により剥離臨界荷重を
測定した。その結果、比較例では２ｋｇ ｆであったの
に対し、本実施例では４）ｃｇｆとなりＴＩ Ｎ被膜の
基材に対する密着力が極めて高いことが確認された。
ＩＮ被膜についてスクラッチ試験により剥離臨界荷重を
測定した。その結果、比較例では２ｋｇ ｆであったの
に対し、本実施例では４）ｃｇｆとなりＴＩ Ｎ被膜の
基材に対する密着力が極めて高いことが確認された。
【発明の効果］
以上詳述した如く、本発明のクリーニング方法によれば
複雑形状の基材表面全体を極めて良好にクリーニングで
き、その後の成膜により均一かつ均質な薄膜を高い密着
力で基材表面に形成できる等顕著な効果を奏する。
複雑形状の基材表面全体を極めて良好にクリーニングで
き、その後の成膜により均一かつ均質な薄膜を高い密着
力で基材表面に形成できる等顕著な効果を奏する。
第１図は、本発明の実施例で使用したクリーニングとイ
オンブレーティングを兼ねる装置を示す概略図である。 ■・・・真空チャンバ、３・・・プラズマ銃、Ｂ・・・
対向電極、８・・・ホルダ、９・・・ルツボ、ｌＯ・・
・基材、１１・・・チタンチップ、１２・・・プラズマ
。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
オンブレーティングを兼ねる装置を示す概略図である。 ■・・・真空チャンバ、３・・・プラズマ銃、Ｂ・・・
対向電極、８・・・ホルダ、９・・・ルツボ、ｌＯ・・
・基材、１１・・・チタンチップ、１２・・・プラズマ
。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (1)
- 基材への成膜又はイオン注入の前にクリーニングする方
法において、前記基材を真空中にてグロー放電によるイ
オンボンバードと同時に同真空内にプラズマ銃より導入
したアルゴン又は水素のプラズマを該基材表面に照射す
ることを特徴とする基材のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30779188A JPH02156066A (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | 基材のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30779188A JPH02156066A (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | 基材のクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02156066A true JPH02156066A (ja) | 1990-06-15 |
Family
ID=17973291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30779188A Pending JPH02156066A (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | 基材のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02156066A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0551726A (ja) * | 1991-08-20 | 1993-03-02 | Limes:Kk | 金属部材の表面硬化方法および硬質膜被覆金属部材の製造方法 |
| US5308950A (en) * | 1991-04-23 | 1994-05-03 | Balzers Aktiengesellschaft | Method of removing material from a surface in a vacuum chamber |
| WO1998017838A1 (fr) * | 1996-10-23 | 1998-04-30 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Materiau recouvert et son procede de fabrication |
| JP5892387B2 (ja) * | 2010-05-31 | 2016-03-23 | 株式会社ジェイテクト | 被覆部材の製造方法 |
| RU2607398C2 (ru) * | 2015-06-17 | 2017-01-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Плазма-Пактер" | Способ нанесения покрытий путем плазменного напыления и устройство для его осуществления |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5113471A (en) * | 1974-07-23 | 1976-02-02 | Mitsuboshi Belting Ltd | Kyoseikakuhanyopureedo |
| JPS6320450A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | 基板のクリ−ニング装置 |
-
1988
- 1988-12-07 JP JP30779188A patent/JPH02156066A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5113471A (en) * | 1974-07-23 | 1976-02-02 | Mitsuboshi Belting Ltd | Kyoseikakuhanyopureedo |
| JPS6320450A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | 基板のクリ−ニング装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5308950A (en) * | 1991-04-23 | 1994-05-03 | Balzers Aktiengesellschaft | Method of removing material from a surface in a vacuum chamber |
| JPH0551726A (ja) * | 1991-08-20 | 1993-03-02 | Limes:Kk | 金属部材の表面硬化方法および硬質膜被覆金属部材の製造方法 |
| WO1998017838A1 (fr) * | 1996-10-23 | 1998-04-30 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Materiau recouvert et son procede de fabrication |
| US6214479B1 (en) | 1996-10-23 | 2001-04-10 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Covered member and method of producing the same |
| JP5892387B2 (ja) * | 2010-05-31 | 2016-03-23 | 株式会社ジェイテクト | 被覆部材の製造方法 |
| RU2607398C2 (ru) * | 2015-06-17 | 2017-01-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Плазма-Пактер" | Способ нанесения покрытий путем плазменного напыления и устройство для его осуществления |
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