JPH0744025Y2 - リードの半田メッキ装置 - Google Patents
リードの半田メッキ装置Info
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- JPH0744025Y2 JPH0744025Y2 JP1990119689U JP11968990U JPH0744025Y2 JP H0744025 Y2 JPH0744025 Y2 JP H0744025Y2 JP 1990119689 U JP1990119689 U JP 1990119689U JP 11968990 U JP11968990 U JP 11968990U JP H0744025 Y2 JPH0744025 Y2 JP H0744025Y2
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Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この考案は、IC（半導体集積回路）等の半導体装置のリ
ード（接続用端子）に半田メッキを施すリードの半田メ
ッキ装置に関する。
ード（接続用端子）に半田メッキを施すリードの半田メ
ッキ装置に関する。
「従来の技術」 従来より、第３図に示すようなクワッドフラットパッケ
ージ（QFP;Quad Flat Package）タイプの半導体装置を
はじめとする各種半導体装置には、基板への半田付けに
よる実装作業の効率化を図るために、各リードに半田層
の形成を行っている（例えば実開昭63−67261号公報参
照）。
ージ（QFP;Quad Flat Package）タイプの半導体装置を
はじめとする各種半導体装置には、基板への半田付けに
よる実装作業の効率化を図るために、各リードに半田層
の形成を行っている（例えば実開昭63−67261号公報参
照）。
第４図は従来のリードの半田メッキ装置の概略構成を示
す正断面図であり、この図に示すように半田メッキ装置
は、半導体装置１の各リード1b,1b…の基部の上面に当
接させるチタン材による陰極２と、該基部の下面に当接
させるPEEK材、セラミック等による絶縁材３と、これら
を浸す半田メッキ液４と、半田メッキ液４の中の半導体
装置１の両側に配設される板状（あるいは棒状）の陽極
5,5と、これら陰極２と陽極5,5の間に電圧を印加するバ
ッテリ６とを有して構成されている。
す正断面図であり、この図に示すように半田メッキ装置
は、半導体装置１の各リード1b,1b…の基部の上面に当
接させるチタン材による陰極２と、該基部の下面に当接
させるPEEK材、セラミック等による絶縁材３と、これら
を浸す半田メッキ液４と、半田メッキ液４の中の半導体
装置１の両側に配設される板状（あるいは棒状）の陽極
5,5と、これら陰極２と陽極5,5の間に電圧を印加するバ
ッテリ６とを有して構成されている。
「考案が解決しようとする課題」 ところで、上述した従来の半田メッキ装置においては、
陽極5,5の配置に注意を払っていないために、各リード1
b,1b,…に対する電流分布が一定しておらず、このため
各リード1b,1b,…の半田メッキの膜厚が均一化しないと
いう問題があった。
陽極5,5の配置に注意を払っていないために、各リード1
b,1b,…に対する電流分布が一定しておらず、このため
各リード1b,1b,…の半田メッキの膜厚が均一化しないと
いう問題があった。
この考案は上述した事情に鑑みてなされたもので、半導
体装置の各リードに対して均一な膜厚を形成することが
できるリードの半田メッキ装置を提供すること目的とし
ている。
体装置の各リードに対して均一な膜厚を形成することが
できるリードの半田メッキ装置を提供すること目的とし
ている。
「課題を解決するための手段」 この考案は、半導体装置の本体部の周囲に配設された複
数のリードに当接する陰極と、前記各リードと離間して
配設された陽極と、を用いて半田メッキ液中にて前記各
リードに実装用の半田メッキを施すリードの半田メッキ
装置において、メッキ液を流動させる流動手段と、流動
するメッキ液を複数のリードに向けてそれぞれ供給する
複数の供給手段と、前記陰極との間に半導体装置を挾持
する下受台と、を有するとともに、前記陽極は前記各リ
ードの配設に沿った対向面を有しており、しかも前記各
リードに対して前記陰極と反対側に配設され、下受台と
陰極との間に前記半導体装置を挾持した状態で実装用の
半田メッキを施すことを特徴とする。
数のリードに当接する陰極と、前記各リードと離間して
配設された陽極と、を用いて半田メッキ液中にて前記各
リードに実装用の半田メッキを施すリードの半田メッキ
装置において、メッキ液を流動させる流動手段と、流動
するメッキ液を複数のリードに向けてそれぞれ供給する
複数の供給手段と、前記陰極との間に半導体装置を挾持
する下受台と、を有するとともに、前記陽極は前記各リ
ードの配設に沿った対向面を有しており、しかも前記各
リードに対して前記陰極と反対側に配設され、下受台と
陰極との間に前記半導体装置を挾持した状態で実装用の
半田メッキを施すことを特徴とする。
「作用」 上記構成によれば、半導体装置の各リードの配置に沿っ
た対向面を有する陽極を該各リードに対して陰極と反対
側に配設することにより、各リードに対して電流分布が
一定になり、このため各リードに均一な膜厚の実装用の
半田メッキが形成される。加えて、陰極と下受台との間
で半導体装置を挾持することができるため、リードを陽
極に対し正確に位置決めした状態で半田メッキを施すこ
とができる。しかも、複数設けられた供給手段がそれぞ
れリードに向いており、高速でメッキ液を流すことがで
きる。
た対向面を有する陽極を該各リードに対して陰極と反対
側に配設することにより、各リードに対して電流分布が
一定になり、このため各リードに均一な膜厚の実装用の
半田メッキが形成される。加えて、陰極と下受台との間
で半導体装置を挾持することができるため、リードを陽
極に対し正確に位置決めした状態で半田メッキを施すこ
とができる。しかも、複数設けられた供給手段がそれぞ
れリードに向いており、高速でメッキ液を流すことがで
きる。
「実施例」 以下、図面を参照してこの考案の実施例について説明す
る。
る。
第１図はこの考案の一実施例による半田メッキ装置の構
成を示す正断面図である。この図において、10はチタン
材によって構成され、四角形の枠状の陰極であり、その
下部には、半導体装置１の本体部1aを囲むように当接部
10aが形成されており、この当接部10aの下端面が、本体
部1aの四辺に配列されたすべてのリード1b,1b,…に当接
するようになっている。また、陰極10の周囲はエポキシ
等の絶縁カバー11によって覆われている。
成を示す正断面図である。この図において、10はチタン
材によって構成され、四角形の枠状の陰極であり、その
下部には、半導体装置１の本体部1aを囲むように当接部
10aが形成されており、この当接部10aの下端面が、本体
部1aの四辺に配列されたすべてのリード1b,1b,…に当接
するようになっている。また、陰極10の周囲はエポキシ
等の絶縁カバー11によって覆われている。
12はPEEK材、セラミックス等の絶縁材によって構成さ
れ、縦に長い直方体状の下受台であり、その上端面に
は、中央部が除去されることにより、本体部1aの各四辺
に配列されたリード1b,1b,…の各基部に当接する塀状部
12a,12a,…が形成されている。また、下受台12には、そ
の下方から注入された半田メッキ液を受ける大径管路12
bと、この大径管路12bに注入された半田メッキ液をさら
に上方へ導く小径管路12c,12c,…と、これら小径管路12
c,12c,…と各々連通して斜め上方へ延び、下受台12の四
側面上部おいて開口する噴出管路（供給手段）12d,12d,
…とが形成されている。この場合、噴出管路12d,12d,…
の開口部は、それらの開口部から噴出された半田メッキ
液が各リード1b,1b,…に達する位置に配置されており、
また、大径管路12b、小径管路12c,12c,…、噴出管路12
d,12d,…の順に管路断面積は除々に減少する。但し、各
小径管路12c…同志、噴出管路12d…同志の各部の流路断
面積はそれぞれ同一となるように設定されおり、これに
より、すべてのリード1b,1b,…に向かって、略同一流量
の半田メッキ液が連続的に噴出されるようになってい
る。
れ、縦に長い直方体状の下受台であり、その上端面に
は、中央部が除去されることにより、本体部1aの各四辺
に配列されたリード1b,1b,…の各基部に当接する塀状部
12a,12a,…が形成されている。また、下受台12には、そ
の下方から注入された半田メッキ液を受ける大径管路12
bと、この大径管路12bに注入された半田メッキ液をさら
に上方へ導く小径管路12c,12c,…と、これら小径管路12
c,12c,…と各々連通して斜め上方へ延び、下受台12の四
側面上部おいて開口する噴出管路（供給手段）12d,12d,
…とが形成されている。この場合、噴出管路12d,12d,…
の開口部は、それらの開口部から噴出された半田メッキ
液が各リード1b,1b,…に達する位置に配置されており、
また、大径管路12b、小径管路12c,12c,…、噴出管路12
d,12d,…の順に管路断面積は除々に減少する。但し、各
小径管路12c…同志、噴出管路12d…同志の各部の流路断
面積はそれぞれ同一となるように設定されおり、これに
より、すべてのリード1b,1b,…に向かって、略同一流量
の半田メッキ液が連続的に噴出されるようになってい
る。
下受台12の周囲には、チタン材によって構成された側面
が凸状で、かつ平面が四角形の枠状の陽極13が設けられ
ており、その上端面には、陰極10と各リード1b,1b,…を
介して対向する薄板状の白金電極14が設けられている。
ここで、第２図は陽極13と半導体装置１の各リード1b,1
b,…との位置関係を示す平面図であり、この図に示すよ
うに陽極13の上端面に沿って各リード1b,1b,…が配置し
ている。
が凸状で、かつ平面が四角形の枠状の陽極13が設けられ
ており、その上端面には、陰極10と各リード1b,1b,…を
介して対向する薄板状の白金電極14が設けられている。
ここで、第２図は陽極13と半導体装置１の各リード1b,1
b,…との位置関係を示す平面図であり、この図に示すよ
うに陽極13の上端面に沿って各リード1b,1b,…が配置し
ている。
次に、上述した一実施例による半田メッキ装置を用いて
半田メッキを施す場合、以下のようにして行なう。
半田メッキを施す場合、以下のようにして行なう。
まず、リードフォーミングの完了した半導体装置１が下
受台12上に載置され、その本体部1aの四辺の各リード1
b,1b,…の基部が塀状部12a,12a,…によって下方から支
えられる。次いで、陰極10が半導体装置１の上に載置さ
れ、陰極10の当接部10a,10a,…と、下受台12の塀状部12
a,12a,…とによってリード1b,1b,…が挾み込まれ、リー
ド1b,1b,…と白金電極14との間隔が数mm〜数十mmのうち
適切な間隔、例えば約5mmになるように調整される。こ
れにより、半導体装置１の装着が完了する。
受台12上に載置され、その本体部1aの四辺の各リード1
b,1b,…の基部が塀状部12a,12a,…によって下方から支
えられる。次いで、陰極10が半導体装置１の上に載置さ
れ、陰極10の当接部10a,10a,…と、下受台12の塀状部12
a,12a,…とによってリード1b,1b,…が挾み込まれ、リー
ド1b,1b,…と白金電極14との間隔が数mm〜数十mmのうち
適切な間隔、例えば約5mmになるように調整される。こ
れにより、半導体装置１の装着が完了する。
次に、陰極10と陽極13間に電流が流されると共に、図示
せぬポンプ（流動手段）によって半田メッキ液が圧送さ
れて、大径管路12bに注入される。すると、この半田メ
ッキ液が、図に矢印で示すように小径管路12c,12c,…に
よって噴出管路12d,12d,…に導かれ、さらに、これら噴
出管路12d,12d,…によって斜め上方へ導かれて、それら
の開口部から各リード1b,1b,…に向けて半田メッキ液が
噴出される。この場合、半導体装置１の各リード1b,1b
…に対して電流分布が一定していることから、各リード
1b,1b…に形成される半田メッキの膜厚が均一になる。
せぬポンプ（流動手段）によって半田メッキ液が圧送さ
れて、大径管路12bに注入される。すると、この半田メ
ッキ液が、図に矢印で示すように小径管路12c,12c,…に
よって噴出管路12d,12d,…に導かれ、さらに、これら噴
出管路12d,12d,…によって斜め上方へ導かれて、それら
の開口部から各リード1b,1b,…に向けて半田メッキ液が
噴出される。この場合、半導体装置１の各リード1b,1b
…に対して電流分布が一定していることから、各リード
1b,1b…に形成される半田メッキの膜厚が均一になる。
なお、上記実施例においては、半田メッキ液を大径管路
12b、小径管路12c,12cおよび噴出管路12d,12dを介して
各リード1b,1b,……に吹き掛けるようにしたが、第４図
に示す従来技術のように半田メッキ液４の中に浸すよう
にしても良い。
12b、小径管路12c,12cおよび噴出管路12d,12dを介して
各リード1b,1b,……に吹き掛けるようにしたが、第４図
に示す従来技術のように半田メッキ液４の中に浸すよう
にしても良い。
「考案の効果」 以上説明したようにこの考案のリードの半田メッキ装置
によれば、半導体装置の各リードの配設に沿った対向面
を有する陽極を各リードに対して陰極と反対側に配設し
たので、各リードに対する電流分布が一定になり、この
ため各リードに対して均一な膜厚の半田メッキを施すこ
とができるという効果が得られる。加えて、陰極と下受
台との間で半導体装置を挾持することができるため、リ
ードを陽極に対し正確に位置決めした状態で半田メッキ
を施すことができる。これにより、各リードにさらに均
一な電流とメッキ液流とが供給でき、実装用の半田がさ
らに均一な膜厚でメッキされるため、安定した品質の半
導体装置の実装が可能になる。しかも、複数設けられた
供給手段がそれぞれリードに向いており、高速でメッキ
液を流すことができるため、迅速にメッキ処理を施すこ
とができる。
によれば、半導体装置の各リードの配設に沿った対向面
を有する陽極を各リードに対して陰極と反対側に配設し
たので、各リードに対する電流分布が一定になり、この
ため各リードに対して均一な膜厚の半田メッキを施すこ
とができるという効果が得られる。加えて、陰極と下受
台との間で半導体装置を挾持することができるため、リ
ードを陽極に対し正確に位置決めした状態で半田メッキ
を施すことができる。これにより、各リードにさらに均
一な電流とメッキ液流とが供給でき、実装用の半田がさ
らに均一な膜厚でメッキされるため、安定した品質の半
導体装置の実装が可能になる。しかも、複数設けられた
供給手段がそれぞれリードに向いており、高速でメッキ
液を流すことができるため、迅速にメッキ処理を施すこ
とができる。
第１図はこの考案の一実施例によるリードの半田メッキ
装置の構成を示す正断面図、第２図は同実施例における
陽極と半導体装置の各リードとの位置関係を平面図、第
３図はクワッドフラットパッケージタイプの半導体装置
を示す斜視図、第４図は従来のリードの半田メッキ装置
の概略構成を示す正断面図である。 １……半導体装置、1b,1b,……リード、10……陰極、13
……陽極。
装置の構成を示す正断面図、第２図は同実施例における
陽極と半導体装置の各リードとの位置関係を平面図、第
３図はクワッドフラットパッケージタイプの半導体装置
を示す斜視図、第４図は従来のリードの半田メッキ装置
の概略構成を示す正断面図である。 １……半導体装置、1b,1b,……リード、10……陰極、13
……陽極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 高林 正良 静岡県浜松市中沢町10番１号 ヤマハ株式 会社内 (72)考案者 前嶋 義久 静岡県浜松市中沢町10番１号 ヤマハ株式 会社内 (56)参考文献 特開 平２−111898（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−263752（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】半導体装置の本体部の周囲に配設された複
数のリードに当接する陰極と、 前記各リードと離間して配設された陽極と、 を用いて半田メッキ液中にて前記各リードに実装用の半
田メッキを施すリードの半田メッキ装置において、 メッキ液を流動させる流動手段と、 流動するメッキ液を複数のリードに向けてそれぞれ供給
する複数の供給手段と、 前記陰極との間に半導体装置を挾持する下受台と、 を有するとともに、 前記陽極は前記各リードの配設に沿った対向面を有して
おり、しかも前記各リードに対して前記陰極と反対側に
配設され、下受台と陰極との間に前記半導体装置を挾持
した状態で実装用の半田メッキを施すことを特徴とする
リードの半田メッキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990119689U JPH0744025Y2 (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | リードの半田メッキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990119689U JPH0744025Y2 (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | リードの半田メッキ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0476052U JPH0476052U (ja) | 1992-07-02 |
| JPH0744025Y2 true JPH0744025Y2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=31867632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990119689U Expired - Lifetime JPH0744025Y2 (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | リードの半田メッキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744025Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63263752A (ja) * | 1987-04-22 | 1988-10-31 | Nec Corp | 高速部分めつき装置 |
| JPH02111898A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子の製造装置 |
-
1990
- 1990-11-15 JP JP1990119689U patent/JPH0744025Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0476052U (ja) | 1992-07-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |