JPH0375658A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は、複写機等の画像形成装置に使用される電子
写真感光体に関するものである。

〈従来の技術〉 近時、いわゆるカールソンプロセスを利用した、複写機
等の画像形成装置においては、光照射により電荷を発生
させる電荷発生材料と、発生した電荷を輸送する電荷輸
送材料とを併用することにより、電荷発生機能と電荷輸
送機能とを分離した、いわゆる機能分離型のものが、高
感度化が容易であるため、多用されている。

また、上記機能分離型の感光体においては、導電性基体
の表面に形成された感光層を、結着樹脂中に、上記電荷
発生材料や電荷輸送材料等の＃！能酸成分含有させた有
機の層とした有機感光体が、材料の選択幅が広く、生産
性に優れ、且つ機能設計の自由度が高いために好適に用
いられている。

上記有機感光体としては、電荷発生材料を含有した電荷
発生層と、電荷輸送材料を含有した電荷輸送層とを積層
した多層型の有機感光層を有するものと、電荷発生材料
および電荷輸送材料を結着樹脂中に含有させた単層型の
感光層を有するものとがあり、中でも、歩留まり良く容
易に製造できることや、正帯電特性に優れ、製造が容易
な負帯電型のトナーを使用できることなどから、単層型
の有機感光層を有する有機感光体が好ましく使用されて
いる。

また、最近では、帯電、露光、除電等の画像形成プロセ
スを繰り返し行った際に、上記単層型の感光層が疲労し
て帯電量低下や感度低下等を生じることを防止するため
、電荷発生材料および電荷輸送材料として、上記−ｉ１
シ電量低下や感度低下等の防止作用に優れたペリレン系
化合物（電荷発生材料）、および、ｍ−フェニレンジア
ミン系化合物（電荷輸送材料）を用いた有機感光体が提
案されている。

〈発明が解決しようとする課題〉 ところが、上記ペリレン系化合物とｍ−フェニレンジア
ミン系化合物とを含有する単層型の有機感光層は、特に
、画像形成装置の運転時等、感光体が加熱された状態に
おいて、ハロゲンランプや太陽光等が照射されると、こ
れらの光の中に含まれる可視光線により、感度低下を起
こすという問題があった。

上記可視光線照射による感度低下（可視光劣化）は、ｍ
−フェニレンジアミン系化合物が、自身の可視光線吸収
、或いは、ペリレン系化合物等の可視光線吸収物質から
のエネルギー伝達によって励起し、三量化反応もしくは
分解反応を生して、感光体の感度を低下させるキャリア
トラップとなる物質に変化することが原因であると考え
られる。

この発明は、以上の小情に鑑みてなされたものであって
、画像形成プロセスを繰り返し行った際の、帯電量低下
や感度低下等の防止作用に優れた、電荷発生材料として
のペリレン系化合物と、電荷輸送材料としてのｍ−フェ
ニレンジアミン系化合物とを含有し、しかも、可視光劣
化を起しにくい電子写真感光体を提供することを目的と
している。

〈課題を解決するための手段および作用〉上記課題を解
決するための、この発明の電子写真感光体は、結着樹脂
中に、電荷発生材料としてのペリレン系化合物と、電荷
輸送材料としてのｍ−フェニレンジアミン系化合物とを
含有する感光層を備えた電子写真感光体において、上記
感光層中に、三重項励起エネルギーが６０〜６８ｋｃａ
Ｊ７／　ｍａｒ！の範囲内の化合物を含有することを特
徴としている。なお、ここでいう三重項励起エネルギー
の値は、例えば飽和炭化水素やベンゼンのような無極性
溶媒中での測定値を示す。

上記構成からなる、この発明の電子写真感光体によれば
、上記三重項励起エネルギーの範囲は、ｍ−フェニレン
ジアミン系化合物の予想される励起状態におけるエネル
ギーレベル（約６８．５±０、　５　　ｋｃａＪ２　／
ｎｏｆｌ）よりも低い値であるので、三重項励起エネル
ギーが上記範囲内の化合物（以下「特定化合物」という
）は、可視光線照射により励起したｍ−フェニレンジア
ミン系化合物から励起エネルギーを奪い、当該ｍ−フェ
ニレンジアミン系化合物が三量化、或いは分解により、
感光体の感度を低下させるキャリアトラップとなる物質
に変化することを防止する。

以下に、この発明の詳細な説明する。

感光層中に含有されるペリレン系化合物は下記一般式（
１］で、また、ｍ−フェニレンジアミン系化合物は下記
一般式（ＩＩ）で表される。（以下余白）（但し、上記
式（１）中Ｒ１−Ｒ４は、それぞれ、同一または異なる
アルキル基を表す） （但し、上記式（Ｉ）中Ｒ５−Ｒ９は、それぞれ、アル
キル基、アルコキシ基、ハロゲン原子および水素原子か
らなる群より選ばれた同一または異なる基を表す） 上記一般′式（１）で表されるペリレン系化合物として
は、式（１）中のＲ１−Ｒ４が、炭素数１〜６のアルキ
ル基、例えば、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル
基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基
、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基である
化合物が、好ましいものとして挙げられる。

具体的には、Ｎ、Ｎ’−ジ（３，５−ジメチルフェニル
）ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキシジイ
ミド、Ｎ、Ｎ’−ジ（３−メチル−５−エチルフェニル
）ペリレン−３，４，９゜１０−テトラカルボキシジイ
ミド、Ｎ、Ｎ’　−ジ（３，５−ジエチルフェニルノペ
リレンー３．４゜９．１０−テトラカルボキシジイミド
、Ｎ、Ｎ’−ジ（３，５−ジノルマルプロピルフェニル
）ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキシジイ
ミド、Ｎ、Ｎ’−ジ（３，５−ジイソプロピルフェニル
）ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキシジイ
ミド、Ｎ、Ｎ’−ジ（３−メチル−５−イソプロピルフ
ェニル）ペリレン−３，４１９，１０−テトラカルボキ
シジイミド、Ｎ、Ｎ’−ジ（３，５−ジノルマルブチル
フェニル）ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボ
キシジイミド、Ｎ、Ｎ’−ジ（３，５−ジーｔｅｒｔ−
ブチルフェニル）ペリレン−３，４，９，１０−テ！・
ラヵルボキシジイミド、Ｎ、Ｎ’−ジ（３，５−ジエチ
ルフェニル）ペリレン−３，４，９，１０−テトラカル
ボキシジイミド、Ｎ、Ｎ’−ジ（３゜５−ジエチルフェ
ニル）ペリレン−３，４，９゜１ｏ−テトラカルボキシ
ジイミド等が挙げられ、中でも、人手のし易さ等から、
Ｎ、Ｎ’−ジ（３゜５−ジメチルフェニル）ペリレン−
３，４，９゜１０−テトラカルボキシジイミドが好まし
いものとして挙げられる。

一方、前記一般式（Ｉ）で表されるｍ−フェニレンジア
ミン系化合物としては、Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラ
フェニル−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’
　、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−１，３−フェニ
レンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’Ｎ′−テトラフェニル−３
，５−）リレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テト
ラキス（３−１−リル）−３，５−）リレンジアミン、
Ｎ、Ｎ、Ｎ’Ｎ′−テトラキス（４−トリル）−１，３
−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’　−テト
ラキス（４−トリル）−３，５−トリレンジアミン、Ｎ
、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（３−エチルフェニル
）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ。

Ｎ’　　Ｎ’−テトラキス（４−プロピルフェニル）−
１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’Ｎ′−テト
ラフェニル−５−メトキシ−１，３−フェニレンジアミ
ン、Ｎ、Ｎ−ビス（３−トリル）−Ｎ’　　Ｎ’−ジフ
ェニル−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ’−ビス
（４−トリル）−Ｎ。

Ｎ′−ジフェニル−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、
Ｎ’−ビス（４−トリル）−Ｎ、Ｎ’　−ビス（３−ト
リル）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ’−ビス
（４−トリル）　−Ｎ、Ｎ’　−ビス（３−トリル）−
３，５−トリレンジアミン、Ｎ。

Ｎ′−ビス（４−エチルフェニル）−Ｎ、Ｎ’ビス（３
−エチルフェニル）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ
、Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）−Ｎ、Ｎ’−ビス
（３−エチルフェニル）３．５−）リレンジアミン、Ｎ
、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（２，４，６−）リメ
チルフェニル）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ
、Ｎ’Ｎ／−テトラキス（２，４，６−ドリメチルフエ
ニル）−３，５−）リレンジアミン、Ｎ、Ｎ。

Ｎ’　、　Ｎ’−テトラキス（３，５−ジメチルフェニ
ル）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ。

Ｎ’　　Ｎ’−テトラキス（３，５−ジメチルフェニル
）−３，５−トリレンジアミン、Ｎ、Ｎ。

Ｎ’　　Ｎ’−テトラキス（３，５−ジエチルフェニル
）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ。

Ｎ’　　Ｎ’−テトラキス（３，５−ジエチルフェニル
）−３，５−トリレンジアミン、Ｎ、Ｎ。

Ｎ’　　Ｎ’−テトラキス（３−クロロフェニル）−１
，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’Ｎ′−テトラ
キス（３−ブロモフェニル）−１゜３−フェニレンジア
ミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’テトラキス（３−ヨードフ
ェニル）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’
　、Ｎ’　−テトラキス（３−フルオロフェニル）−１
，３−フェニレンジアミン等が挙げられる。そして、上
記各化合物の中でも、前記一般式（Ｉ［）中の基Ｒ５−
Ｒ９が、各ベンゼン環のうち、チッ素原子が結合された
炭素に対してメタ位の炭素に粘合した化合物、または、
２Ｊ　Ｒ５、Ｒ９が、ベンゼン環のうち、チ・ｙｌＡ原
子か給金された炭素に対してバラ位の炭素に結合し、基
Ｒ’、Ｒ８が、ベンゼン環のうち、チ・ソ素原子が結合
された炭素に対してメタ位の炭素に結合した化合物は、
分子の非対称性が大きく、分子間の相互作用が小さくて
結晶化し難いので、結着樹脂中に容易に分散させること
ができ、この発明に、より好ましいものとして挙げられ
る。具体的には、Ｎ、Ｎ、Ｎ’−、Ｎ’−テトラキス（
３−トリル）−１，３−フェニレンジアミン’％ＮＩＮ
′−ビス（４−トリル）−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−トリル
）−１，３−フェニレンジアミン等の化合物が、より好
ましいものとして例示される。

上記ペリレン系化合物およびｍ−フェニレンジアミン系
化合物と共に感光層中に含有される特定化合物としては
、ナフタレン、フェナントレン、ｍ−ターフェニル、ビ
フェニル、フルオレン等が挙げられる。

なお、上記特定化合物の三重項励起エネルギーか６０　
ｋｃａｊ７　／　ｔａｏＱ未満では、ｍ−フェニレンジ
アミン系化合物の励起状態のエネルギーレベルとの間に
開きかあるため、可視光線照射によって励起したｍ−フ
ェニレンジアミン系化合物から励起エネルギーを奪うこ
とができない。一方、三重項励起エネルギーが６８　　
ｋｃａｊ７　／　ｌｌ１ａｉｌを超えた場合には、この
三重項励起エネルギーのレベルがｍ−フェニレンジアミ
ン系化合物の励起状態のエネルギーレベルよりも高くな
るため、逆に、ｍ−フェニレンジアミン系化合物に三量
化、分解のためのエネルギーを付与して、劣化を増長さ
せてしまうという問題がある。したがって、上記特定化
合物の三重項励起エネルギーは、６０〜６８ｋｃａＮ／
ＩＩｏｇの範囲内に限定されるのである。

上記特定化合物の、感光層中への含有量は、特に限定さ
れないが、前記ｍ−フェニレンジアミン系化合物１００
重量部に対し、２０〜１５０重量部の範囲内であるのが
好ましい。ｍ−フェニレンジアミン系化合物１００重量
部に対する特定化合物の含有量が、２０重量部未満では
、ｍ−フェニレンジアミン系化合物の可視光劣化を十分
に防止することができず、１５０重量部を超えると、感
光層のガラス転位温度が低下し、電子写真感光体の耐熱
性が劣化する虞がある。

なお、前記ペリレン系化合物は、長波長側に分光感度が
ないので、赤の分光エネルギーが大きいハロゲンランプ
と組み合わせた際に、感光体を高感度化するためには、
長波長側に感度を有する、Ｘ型メタルフリーフタロシア
ニン等の他の電荷発生材料を併用することが好ましい。

上記Ｘ型メタルフリーフタロシアニンとしては、種々の
ものが使用できるが、特に、ブラッグ角度（２θ±０．
２’）の、７．５”９．１゜１６．７°　１７．３°並
びに２２．３”に強い回折ピークを示すものが好ましい
。

上記Ｘ型メタルフリーフタロシアニンの添加量は、特に
限定されないが、ペリレン系化合物１００重量部に対し
、１．２５〜３．７５重量部の範囲内であることが好ま
しい。ペリレン系化合物１０ｏｆｒ＜０部に対するＸ型
メタルフリーフタロシアニンの添加量が、１．２５重量
部未満では、長波長側の感度を十分に向上することかて
きず、３．７５重量部を超えると、長波長側での分光感
度が高すぎて、赤色原稿の再現性が低下する虜があるＯ また、感光層には、上記ペリレン系化合物およびＸ型メ
タルフリーフタロシアニン以外にも、例えば、α−鵠、
ａ　−ＡＳ２５１１３　、ａ−３ｅＡｓＴｅ等のアモル
ファスカルコゲン化物やアモルファスシリコン（ａ−Ｓ
Ｌ）等の半導体材料の粉末；ｚｎＯＳＣｄＳ等の［１−
Ｖｌｌ機微結晶ピリリウム塩；アゾ系化合物；ビスアゾ
系化合物；α型、β型、γ型等の拮晶型を有するアルミ
ニウムフタロシアニン、銅フタロシアニン、チタニルフ
タロシアニン等のフタロシアニン系化合物；アンサンス
ロン系化合物：インジゴ系化合物；トリフェニルメタン
系化合物；スレン系化合物；トルイジン系化合物：ビラ
ゾリン系化合物；キナクリドン系化合物；ピロロピロー
ル系化合物等の電荷発生材料を、必要に応じて併用する
こともできる。

また、前記感光層中には、通常、前記ｍ−フェニレンジ
アミン系化合物と共に、従来公知の他の電荷輸送材料（
以下、ｑｌに「他の電荷輸送材料」という）が含有゛さ
れることが好ましい。ｍ−フェニレンジアミン系化合物
と共に感光層中に含有される他の電荷輸送材料としては
、テトラシアノエチレン；２．４．７−トリニトロ−９
−フルオレノン等のフルオレノン系化合物；９−カルバ
ゾリルイミノフルオレン等のフルオレン系化合物；ジニ
トロアントラセン等のニトロ化化合物；無水コハク酸；
無水マレイン酸；ジブロモ無水マレイン酸；トリフェニ
ルメタン系化合物；２５−ジ（４−ジメチルアミノフェ
ニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジア
ゾール系化合物；９−（４−ジエチルアミノスチリル）
アントラセン等のスチリル系化合物；ポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾール等のカルバゾール系化合物；１−フェニル
−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン等の
ビラプリン系化合物、４．４’　　４’トｌＪ７．（Ｎ
、Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン、３．３
′−ジメチル−Ｎ、Ｎ、Ｎ’Ｎ／−テトラキス−４−メ
チルフェニル（１゜１′−ヒ゛フェニルンー４．４′　
−ジアミン専のアミン誘導体；ｌ、１−ビス（４−ジエ
チルアミノフェニル）−４，４−ジフェニル−１，３−
ブタジェン等の共役不飽和化合物；４−　（Ｎ、Ｎ−ジ
エチルアミノ）ベンズアルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニル
ヒドラゾン等のヒドラゾン系化合物；インドール系化合
物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合物
、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、イミ
ダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、ピラゾリン系
化合物、トリアゾール系化合物等の含窒素環式化合物；
縮合多環族化合物等が挙げられる。なお、上記他の電荷
輸送材料の中でも、前記ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール
等の光導電性を有する高分子材ねは、感光層の結着樹脂
としても使用することができる。

上記他の電荷輸送材料とｍ−フェニレンジアミン系化合
物との、感光層中における配合比率は特に限定されない
が、重量比で９５：５〜２５：７５の範囲内、特に、８
０　：　２０〜５０　：　５０（７）範囲内であること
が好ましい。他の電荷輸送材料とｍ−フェニレンジアミ
ン系化合物との配合比率か９５：５を下回ると、画像形
成プロセスを繰り返し行った際の、帯電量低下や感度低
下等の防止効果が不十分になり、逆に、配合比率が２５
：７５を超えると、感光体の感度が不十分になる虞があ
る。

上記各機能成分を含有する、単層型の有機感光層を構成
する結着樹脂としては、例えば熱硬化性シリコーン樹脂
；エポキシ樹脂；ウレタン樹脂；硬化性アクリル樹脂；
アルキッド樹脂；不飽和ポリエステル樹脂；ジアリルフ
タレート樹脂；フェノール樹脂；尿素樹脂；ベンゾグア
ナミン樹脂；メラミン樹脂；スチレン系重合体；アクリ
ル系重合体；スチレン−アクリル系共重合体；ポリエチ
レン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチ
レン、ポリプロピレン、アイオノマー等のオレフィン系
重合体；ポリ塩化ビニル；塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体；ポリ酢酸ビニル；飽和ポリエステル；ポリアミド
；熱可塑性ウレタン樹脂、ポリカーボネート；ボリアリ
レート；ポリスルホン；ケトン樹脂；ポリビニルブチラ
ール；ポリエーテル等が挙げられる。

、上記各成分からなる感光層における、粘着樹脂１００
重量部に対する電荷発生材料の含有量は、２〜２０重量
部の範囲内、特に３〜１５重量部の範囲内であることが
好ましい。また、結着樹脂１００重量部に対する他の電
荷輸送材料の含有量は、４０〜２００重量部の範囲内、
特に５０〜１００重量部の範囲内であることが好ましい
。電荷発生材料の含有量が２重量部未満、または、他の
電荷輸送材料の含有量が４０重量部未満では、感光体の
感度が不十分になったり、残留電位が大きくなったりす
る虞がある。一方、電荷発生材料の含有量が２０重量部
を超えた場合、または、他の電荷輸送材料の含有量が２
００重量部を超えた場合には、感光体の耐摩耗性が不足
する虞がある。

上記感光層の厚みは特に限定されないが、従来のｌｉ層
型の有機感光層と同程度、すなわち、１０〜５０μｍ１
特に１５〜２５μｍの範囲内であることが好ましい。

また、上記感光層の上には、前記粘着樹脂を主成分とし
、その他必要に応じて、導電性付与材やベンゾキノン系
紫外線吸収剤等の添加剤を適宜量含有させた表面保護層
を積層することもできる。

表面保護層の厚みは、０．１〜１０μ、特に２〜５μｍ
の範囲内であることが好ましい。

なお、上記感光層や表面保護層に酸化防止剤を併用する
と、酸化の影響を受けやすい構造を持つ電荷輸送材料等
の機能成分の酸化による劣化を防止することができる。

上記酸化防止剤としては、２，６−ジーｔｅｒｔ　−ブ
チル−ｐ−クレゾール、トリエチレングリコール−ビス
［３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒド
ロキシフェニル）プロピオネ−トコ１．６−ヘキサンシ
オールービス［３−（３，５−ジーｔｅｒｔ−ブチルー
４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、ペンタエ
リスリチル−テトラキス［３−（３，５−ジーｔｃｒｔ
−ブチルー４−ヒドロキシフェニル）プロピオ早−ト］
、２．２チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジーｔ
ｃｒＬ−ブチルー４−ヒドロキシフェニルンプロビオネ
ート］、２．２−チオビス（４−メチル−６−１Ｃｒｔ
−ブチルフェノール）　、Ｎ、Ｎ’　　−へキサメチレ
ンビス（３，５−ジ〜ｔｃｒｔ−ブチルー４−ヒドロキ
シ−ヒドロシンナマミド）、１，３．５−トリメチル−
２，４，６〜トリス（３，５−ジーｔｅｒｔ−ブチルー
４〜ヒドロキシベンジル）ベンゼン等のフェノール系酸
化防止剤か挙げられる。

前記感光層が表面に形成される導電性基材は、電子写真
感光体が組み込まれる画像形成装置の機構、構造に対応
して、シート状あるいはドラム状等、適宜の形状に形成
される。

上記導電性基材は、全体を金属等の導電性材料で構成し
ても良く、また、基材自体は導電性を有さない構造材料
で形成し、その表面に導電性を付与しても良い。

導電性基材の全体を導電性材料で構成する、前者の場合
に使用される導電性材料としては、表面がアルマイト処
理された、または未処理のアルミニウム、銅、スズ、白
金、金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミ
ウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ス
テンレス鋼、真鍮等の金属材料が好ましく、特に、硫酸
アルマイト法による陽極酸化を行い、酢酸ニッケルで封
孔処理したアルミニウムが好ましく用いられる。

一方、導電性を有さない構造材料からなる基材の表面に
導電性を付与する後者の場合には、合成樹脂製基材やガ
ラス基材の表面に、上記例示の金属や、ヨウ化アルミニ
ウム、酸化スズ、酸化インジウム等の導電性材料からな
る薄膜が、真空蒸着法、湿式めっき法等の公知の膜形成
方法によって形成された構造、上記合成樹脂成形品やガ
ラス基材の表面に上記金属材料等のフィルムがラミネー
トされた構造、または、上記合成樹脂製基材やガラス基
材の表面に、導電性を付与する物質が注入された構造等
を採用することができる。

なお、導電性基材は、必要に応じて、シランカップリン
グ剤やチタンカップリング剤等の表面処理剤で表面処理
を施し、感光層との密着性を高めても良い。

感光層や、この感光層の上に形成される表面保護層は、
前述した各成分を含有する塗布液を調整し、この塗布液
を、導電性基材上に塗布し、乾燥または硬化させること
で形成することができる。

なお、上記塗布液の調製に際しては、使用される粘着樹
脂等の種類に応じて種々の溶剤を使用することができる
。上記溶剤としては、ノルマルヘキサン、オクタン、シ
クロヘキサン等の脂肪族炭化水素；ベンゼン、キシレン
、トルエン等の芳香族炭化水素；ジクロロメタン、四塩
化炭素、クロロベンゼン、塩化メチレン等のハロゲン化
炭化水素；メチルアルコール、エチルアルコール、イソ
プロピルアルコール、アリルアルコール、シクロペンタ
ノール、ベンジルアルコール、フルフリルアルコール、
ジアセトンアルコール等のアルコール類；ジメチルエー
テル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレ
ングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジ
エチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル等のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類
：酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類；ジメチルホ
ルムアミド；ジメチルスルホキシド等、柾々の溶剤が挙
げられ、これらが−抽または二種以上混合して用いられ
る。また、上記塗布液を調整する際、分散性、塗工性等
を向上させるため、界面活性剤やレベリング剤等を併用
しても良い。

また、上記塗布液は従来慣用の方法、例えばミキサー、
ボールミル、ペイントシェーカー、サンドミル、アトラ
イター、超音波分散機等を用いて調製することができる
。

〈実施例〉 以下に、実施例に基づき、本発明をより詳細に説明する
。

実施例１〜４ 結着樹脂としてのポリ−（４，４’　−シクロヘキシリ
デンジフェニル）カーボネート（三菱瓦斯化学社製、商
品名ポリカーボネートＺ）１００重量部、電荷発生材料
としてのＮ、Ｎ’−ジ（３゜５−ジメチルフェニル）ペ
リレン−３，４，９゜１ｏ−テトラカルボキシジイミド
８重量部およびＸ型メタルフリーフタロシアニン（大日
本インキ社製）０．２重量部、電荷輸送材料としての３
゜３／−ジメチル−Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’　　−テトラ
キス−４−メチルフェニル（１，１’　−ビフェニル）
−４，４’　−ジアミン５６重量部およびＮ、　ＮＮ’
　　Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−１，３−フェニ
レンジアミン２４重量部、酸化防止剤としての２．６−
シーｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール（川口化学社製
、商品名アンテージＢＨＴ）５重量部、可塑剤としての
ポリジメチルシロキサン（シリコーンオイル）０．０１
重量部に、次表に示す、三重項励起エネルギーが６０〜
６８ｋｃａｊ）／１０１の範囲内の特定化合物１２重量
部を加え、所定量のテトラヒドロフランと共に超音波分
散器で混合分散させて単層型感光層用塗布液を調製した
。この塗布液を外径７８　ｍｍ　ｘ長さ３４０ｆｆ１１
１のアルミニウム素管上に塗布した後、暗所で１００℃
で３０分間加熱乾燥させて、厚み約２４μの単層型感光
層を形成し、ドラム型の電子写真感光体を作製した。

比較例】、２ 特定化合物に代えて、次表に示す、三重項励起エネルギ
ーが６０　　ｋｃａＩＪ／　ｔｒｒｏＤ未満の化合物１
２重量部を用いたこと以外は、上記実施例１〜４と同様
にして、電子写真感光体を作製した。

比較例３，４ 特定化合物に代えて、次表に示す、三重項励起エネルギ
ーが６８　ｋｃａ、Ｑ　／　ｍｏｂを超える化合物１２
重量部を用いたこと以外は、上記実施例１〜４と同様に
して、電子写真感光体を作製した。

比較例５ 特定化合物を配合しなかったこと以外は、上記実施例１
〜４と同様にして、電子写真感光体を作製した。

比較例６ 電荷発生材料として４，１０−ジブロモ−ジベンゾ［ｄ
　ｃ　ｌ　ｍ　ｎ　ｏ］　クリセン６．１２−ジオン（
２，７−ジブロモアンサンスロン）８重量部およびＸ型
メタルフリーフタロシアニン（大日本インキ社製）０，
２重量部、電荷輸送材料として３゜３′−ジメチル−Ｎ
、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’　−テトラキス−４−メチルフェニ
ル（１，１’　−ビフェニル）−４，４’　−ジアミン
１００ｆｆｌＱ部を配合したこと以外は、上記比較例５
と同様にして、電子写真感光体を作製した。

上記各実施例並びに比較例で作製した電子写真感光体に
ついて、下記の各試験を行った。

初期表面電位測定 上記各電子写真感光体を、静電複写試験装置（ジエンチ
ック社製、ジエンチックシンシア３０Ｍ）に装填し、そ
の表面を正に帯電させて表１Ｉｉｌｉ電位Ｖ　、　ｓ、
ｐ、　（Ｖ）を測定した。

半減露光量、残留電位測定 上記帯電状態の各電子写真感光体を、上記静電複写試験
装置の露光光源であるハロゲンランプを用いて露光し、
前記表面電位Ｖ　ｒ　ｓ、ｐ、　（Ｖ　）が半分となる
までの時間を求め、半減露光Ｑ　Ｅ　１／２（μＪ　／
　ｃｏｉ　）を算出した。

また、上記露光開始時から０．１５秒経過後の表面電位
を、残留電位Ｖ　ｌｒ、ｐ、　（Ｖ　）として測定した
。

上記各電子写真感光体上の２個所の地点で、上記各測定
と同様にして、表面電位ｖ１ｍｓ、ｐ０、ＶｌｂＳ、ｐ
、、並びに、残留電位Ｖ　＋ａｒ、ｐ、−Ｖ　１ｂｒ、
ｐ。

［以上、単位（Ｖ）］を測定した後、この電子写真感光
体を、暗所で６０”Ｃに予熱して２０分間保管し、次い
で、６０℃に保温しつつ、上記２個所の地点のうちのＶ
ｌ、側を遮光体でマスキングして、上記電子写真感光体
の表面に、黄色の蛍光灯（商品名ナショナルカラード蛍
光灯ＦＬ４０ＳＹ−Ｆ。

４１０Ｗ）を用いて、１５００１ｕｘの黄色光を２０分
間露光した。そして、露光後の電子写真感光体を、暗所
において、室温で３ｏ分間放置、冷却した後、静電複写
試験装置（ジエンチック社製、ジエンチックシンシア３
０Ｍ）に装填し、その表面を正に９１２電させて、上記
２個所の表面電位Ｖ　２ａＳ、ｐ−（露光側）　、ｖ２
．ｓ、ｐ、　（遮光側）、並びに、残留電位Ｖ　２ａｒ
、ｐ、　（露光側）　　Ｖ２ｂｒ、Ｄ、（遮光側）［以
上、単位（Ｖ）］を測定した。

以上の各測定値を元に、下記式（ａｔを用いて可視光線
照射後の表面電位変化値ΔＶｓ、ｐ、（Ｖ）を算出し、
下記式山）を用いて可視光線照射後の残留電位変化値Δ
Ｖｒ、ｐ、（Ｖ）を算出した。

ΔＶｓ、ｐ、＝ （Ｖ　２ａＳ、ｐ、Ｖ　＋−５，ｐ、）　−（Ｖ　２ｈ
ｓ、ｐ、　　Ｖ　＋ｂＳ、ｐｊ・・・（ａｌ ΔＶｒ、ｐ、− （Ｖ　２ａｒ−ｐ、　　Ｖ　＋ａｒ、ｐ、）　　　　（
Ｖ　２ｂｒ、Ｌ　　　Ｖ　＋ｂｒ、Ｌ）・・・（ｂ＋ 繰返し露光後の表面電位測定 前記各電子写真感光体を複写機（三田工業社製、ＤＣ−
１１１電機）に装填して５００枚の複写処理を行った後
、静電複写試験装置（ジエンチック社製、ジエンチック
シンシア３０Ｍ）に装填し、その表面を正に帯電させて
、繰返し露光後の表面電位Ｖ３　ｓ、ｐ、　（Ｖ）を測
定した。

また、下記式（Ｃ）を用いて繰返し露光後の表面電位変
化値ΔＶｌ−３（Ｖ）を算出した。

ΔＶｌｉ　　（Ｖ）− Ｖ＋ｓ、ｐ、（Ｖ）−Ｖｑｓ、ｐ、（Ｖ）　　　・（Ｃ
）以上の結果を次表に示す。　　　（以下余白）上記表
の結果より、三重項励起エネルギーが６０　ｋｃａｌ　
／　ｍｏｆｆ未膚の化合物を用いた比較例１゜２の電子
写真感光体は、何れも、可視光線照射によって、特定化
合物を含有させなかった比較例５と同程度まで、表面電
位および残留電位が低下した。また、三重項励起エネル
ギーが６８ｋｃａｇ／ｍｏｂを超える化合物を用いた比
較例３，４の電子写真感光体は、何れも、可視光線照射
によって、」二記比較例５以上に、表面電位および残留
電位が大きく低下した。これに対し、三重項励起エネル
ギーが６０〜６８　ｋｃａＲ／ｍｏｇの範囲内である特
定化合物を用いた実施例１〜４の電子写真感光体は、何
れも、上記各比較例に比べて、可視光線照射による表面
電位および残留電位の変化量が小さく、このことから、
実施例１〜４の電子写真感光体は、可視光劣化し難いも
のであることが判明した。また、上記実施例１〜４、比
較例５の電子写真感光体は、何れも、電荷発生材料とし
てペリレン系化合物を使用せず、且つ、電荷輸送材料と
してｍ−フェニレンジアミン系化合物を併用しなかった
比較例６に比べて、繰返し露光による表面電位変化量が
小さく、このことから、上記特定化合物は、ペリレン系
化合物とｍ−フェニレンジアミン系化合物とを併用した
系における、帯ｔｒｆ５ｍ低下や感度低下等の防止作用
に影響を与えないことが判明した。

〈発明の効果〉 この発明の電子写真感光体は、以上のように構成されて
おり、画像形成プロセスを繰り返し行った際の、帯電量
低下や感度低下等の防止作用に優れたペリレン系化合物
およびｍ−フェニレンジアミン系化合物を含有する感光
層が、ｍ−フェニレンジアミン系化合物の可視光劣化を
防止する作用を有する特定化合物を含有しているので、
特に、画像形成装置の運転時等、感光体が加熱された状
態において、ハロゲンランプや太陽光等の光が照射され
ても、感度低下し難いものとなる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、結着樹脂中に、電荷発生材料としてのペリレン系化
   合物と、電荷輸送材料としてのｍ−フェニレンジアミン
   系化合物とを含有する感光層を備えた電子写真感光体に
   おいて、上記感光層中に、三重項励起エネルギーが６０
   〜６８ｋｃａｌ／ｍｏｌの範囲内の化合物を含有するこ
   とを特徴とする電子写真感光体。