JPH0375657A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は、複写機等の画像形成装置に使用される電子
写真感光体に関するものである。

〈従来の技術〉 近時、いわゆるカールソンプロセスを利用した、複写機
等の画像形成装置においては、光照射により電荷を発生
させる電荷発生材料と、発生した電荷を輸送する電荷輸
送材料とを併用することにより、電荷発生機能と電荷発
生機能とを分離した、いわゆる機能分離型のものが、高
感度化が容易でアルため、多用されている。この機能分
離型の感光体としては、上記電荷発生材料を含Ｈしたｆ
Ｊｉ　４ｉｊ発生層と、電荷輸送材料を含有した電荷輸
送層とを備えた積層型の感光層を、導電性基体の表面に
形成した積層型のものと、電荷発生材料および電荷輸送
材料を含有した単層型の感光層を、導電性基体の表面に
形成した単層型のものとがある。

また、上記機能分離型の感光体においては、導電性基体
の表面に形成された単層型または積層型の感光層の全体
を、上記電荷発生材料や電ｎｅｉ輸送材料等の機能成分
を結着樹脂中に含有させた有機の層とした有機感光体や
、上記積層型の感光層の一部を、上記有機の層とした複
合型感光体が、材料の選択幅が広く、生産性に優れ、且
つ機能設計の自由度が高いために好適に用いられている
。

また、最近では、帯電、露光、除電等の画像形成プロセ
スを繰り返し行った際に、上記有機感光体や複合型感光
体中の有機の層が疲労して帯電量低下や感度低下等を生
じることを防止するため、通常の電荷輸送材料に加えて
、上記帯電量低下や感度低下等の防止作用に優れたｍ−
フェニレンジアミン系化合物を電荷輸送材料として含有
させた感光体が提案されている。

〈発明が解決しようとする課題〉 ところが、上記ｍ−フェニレンジアミン系化合物を含有
する感光体は、特に、画像形成装置の運転時等、感光体
が加熱された状態において、蛍光灯やキセノンランプ、
或いは太陽光等が照射されると、これらの光の中に含ま
れる紫外線により、感度低下を起こすという問題があっ
た。

上記紫外線照射による感度低下（紫外線劣化）は、ｍ−
フェニレンジアミン系化合物が、自身の紫外線吸収、或
いは、電荷発生材料等の紫外線吸収物質からのエネルギ
ー伝達によって励起し、三量化反応もしくは分解反応を
生じて、感光体の感度を低下させるキャリアトラップと
なる物質に変化することが原因であると考えられる。

この発明は、以上の事情に鑑みてなされたちのであって
、画像形成プロセスを繰り返し行った際の、帯電量低下
や感度低下等の防止作用に優れたｍ−フェニレンジアミ
ン系化合物を含有し、しかも紫外線劣化を起しにくい電
子写真感光体を捉供することを目的としている。

く課題を解決するための手段および作用〉上記課題を解
決するための、この発明の電子写真感光体は、ｍ−フェ
ニレンジアミン系化合物を電荷輸送材料として含有する
有機の層を備えた電子写真感光体において、上記有機の
層中に、三重項励起エネルギーが６０〜６８　ｋｃａｌ
？　／　ａｏＤの範囲内の化合物を含有することを特徴
としている。

なお、ここでいう三重項励起エネルギーの値は、例えば
飽和炭化水素やベンゼンのような無極性溶媒中での測定
値を示す。

上記構成からなる、この発明の電子写真感光体によれば
、上記三重項励起エネルギーの範囲は、ｍ−フェニレン
ジアミン系化合物の予想される励起状態におけるエネル
ギーレベル（約６８．５±０、　５　ｋｃａＩ／１ａｏ
ｆｌ　）よりも低い値であるので、三重項励起エネルギ
ーか上記範囲内の化合物（以下「特定化合物」という）
は、紫外線照射により励起したｍ−フェニレンジアミン
系化合物から励起エネルギーを奪い、当該ｍ−フェニレ
ンジアミン系化合物が三量化、或いは分解により、感光
体の感度を低下させるキャリアトラップとなる物質に変
化することを防止する。

以下に、この発明の詳細な説明する。

ｍ−フェニレンジアミン系化合物は、下記一般（但し、
上記式（１）中Ｒｌ　、、、　Ｒ５は、それぞれ、アル
キル基、アルコキシ基、ハロゲン原子および水素原子か
らなる群より選ばれた同一または異なる基を表す） 上記ｍ−フェニレンジアミン系化合物としては、Ｎ、Ｎ
、Ｎ’　、Ｎ’−テトラフェニル−１，３−フェニレン
ジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’　　−テトラキス（３
−トリル）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ
’　、Ｎ’　−テトラフェニルー３゜５−トリレンジア
ミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’　　−テトラキス（３−ト
リル）−３，５−）リレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’　　
　Ｎ’−テトラキス（４−トリル）−１，３−フェニレ
ンジアミン、Ｎ、Ｎ。

Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（４−トリル）−３，５−ト
リレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’　　−テトラキ
ス（３−エチルフェニル）−１，３−フェニレンジアミ
ン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’　　−テトラキス（４−プロ
ピルフェニル）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ
、Ｎ’　、Ｎ’　−テトラフェニル−５−メトキシ−１
，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ−ビス（３−トリル
）−Ｎ’　、Ｎ’　−ジフェニル−１，３−フェニレン
ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ビス（４−トリル）−Ｎ、Ｎ’　
−ジフェニル−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ’
　　−ビス（４−トリル）−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−トリ
ル）−１３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ’　−ビス（
４−トリル）−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−トリル）３．５−
１リレンジアミン、Ｎ、Ｎ’　　−ビス（４−エチルフ
ェニル）−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−エチルフェニル）−１
，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ’−ビス（４−エチ
ルフェニル）−Ｎ１Ｎ′−ビス（３−エチルフェニル）
−３，５−トリレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’　　Ｎ’　
−テトラキス（２，４，６−１リメチルフエニル）−１
，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’　−
テトラキス（２，４，６−ドリメチルフエニル）３．５
−トリレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキ
ス（３，５−ジメチルフェニル）−１゜３−フェニレン
ジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’テトラキス（３，５−
ジメチルフェニル）−３゜５〜トリレンジアミン、Ｎ、
Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’　−テトラキス（３，５−ジエチルフ
ェニル）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’
　、Ｎ’　−テトラキス（３，５−ジエチルフェニル）
−３，５−トリレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’　
−テトラキス（３−１０ロフエニル）−１，３−フェニ
レンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’　−テトラキス（
３−ブロモフェニル）−１，３−フェニレンジアミン、
Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（３−ヨードフェニ
ル）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、
Ｎ’−テトラキス（３−フルオロフェニル）−１，３−
フェニレンジアミン等が挙げられる。そして、上記各化
合物の中でも、前記一般式（１）中の基Ｒ１−Ｒ５が、
各ベンゼン環のうち、チッ素原子が結合された炭素に対
してメタ位の炭素に結合した化合物、または、基Ｒ１，
Ｒ５が、ベンゼン環のうち、チッ素原子が結合された炭
素に対してバラ位の炭素に結合し、基Ｒ２Ｒ４が、ベン
ゼン環のうち、チッ素原子が結合された炭素に対してメ
タ位の炭素に結合した化合物は、分子の非対称性が大き
く、分子間の相互作用が小さくて結晶化し難いので、結
着樹脂中に容易に分散させることができ、この発明に、
より好ましいものとして挙げられる。具体的には、Ｎ、
Ｎ。

Ｎ’　　Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−１，：３−
フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ’−ビス（４−トリル）−
Ｎ、Ｎ’−ビス（３−トリル）−１，３フエニレンジア
ミン等の化合物が、より好ましいちのとして例示される
。

また、上記ｍ−フェニレンジアミンと共に層中に含有さ
れる、前記特定化合物としては、ナフタレン、フェナン
トレン、ｍ−ターフェニル、ビフェニル、フルオレン等
が挙げられる。

なお、上記特定化合物の三重項励起エネルギーが６０　
ｋｃａｌ　／ｍｏ１未満では、ｍ−フェニレンジアミン
系化合物の励起状態のエネルギーレベルとの間に開きが
あるため、紫外線照射によって励起したｍ−フェニレン
ジアミン系化合物から励起エネルギーを奪うことができ
ない。一方、三重項励起エネルギーが６８　ｋｃａｆｆ
　／　１ｏＪ７を超えた場合にハ、コの三重項励起エネ
ルギーのレベルがｍ−フェニレンジアミン系化合物の励
起状態のエネルギーレベルよりも高くなるため、逆に、
ｍ−フェニレンジアミン系化合物に三量化、分解のため
のエネルギーを付与して、劣化を増長させてしまうとい
う問題がある。したがって、上記特定化合物の三重項励
起エネルギーは、６０〜６８ｋｃａＲ／１ｘｏｆ）の範
囲内に限定されるのである。

ｍ−フェニレンジアミン系化合物に対する上記特定化合
物の配合量は特に限定されないが、前記ｍ−フェニレン
ジアミン系化合物１００重量部に対し、２０〜１５０重
量部の範囲内であるのが好ましい。ｍ−フェニレンジア
ミン系化合物１００重量部に対する特定化合物の配合量
が、２０重量部未満では、ｍ−フェニレンジアミン系化
合物の紫外線劣化を十分に防止することができず、１５
０重量部を超えると、感光層のガラス転位温度が低下し
、電子写真感光体の耐熱性が劣化する虞がある。

この発明の構成は、上記ｍ−フェニレンジアミン系化合
物および特定化合物を含有し得る有機の層（以下「特定
層」という）を備えた、種々のタイプの感光層を有する
電子写真感光体に適用することができ、上記特定層とし
ては、例えば下記の各層が挙げられる。

■　結着樹脂中に電荷発生材料と電荷輸送材料とを含有
する単層型の有機感光層。

■　有機の電荷発生層と有機の電荷輸送層とが積層され
た積層型の有機感光層における、当該電荷輸送層。

■　半導体材料の薄膜からなる電荷発生層と有機の電荷
輸送層とが積層された複合型の感光層における、当該電
荷輸送層。

上記特定層や、積層型の有機感光層のうちの電荷発生層
、並びに、上記各タイプの感光層の最表層に必要に応じ
て形成される表面保護層等の有機の層を構成する結着樹
脂としては、例えば熱硬化性シリコーン樹脂；エポキシ
樹脂；ウレタン樹脂：硬化性アクリル樹脂；アルキッド
樹脂；不飽和ポリエステル樹脂；ジアリルフタレート樹
脂；フェノール樹脂；尿素樹脂；ベンゾグアナミン樹脂
；メラミン樹脂；スチレン系重合体；アクリル系重合体
；スチレン−アクリル系共重合体；ポリエチレン、エチ
レン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン、ポリ
プロピレン、アイオノマー等のオレフィン系重合体；ポ
リ塩化ビニル；塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体；ポリ
酢酸ビニル；飽和ポリエステル；ポリアミド；熱可塑性
ウレタン樹脂；ポリカーボネート；ボリアリレート；ポ
リスルホン；ケトン樹脂；ポリビニルブチラール；ポリ
エーテル等が挙げられる。

前記各タイプの感光層のうち、複合型感光層において、
電荷発生層として用いられる薄膜を構成する半導体材料
としては、例えばα−繁、α−ＡＳ２　Ｓｅ３、ａ−Ｓ
ｅＡｓＴｅ等のアモルファスカルコゲン化物やアモルフ
ァスシリコン（α−５Ｌ）が挙げられる。上記半導体材
料からなる薄膜状の電荷発生層は、真空蒸着法、グロー
放電分解広等の公知の薄膜形成方法によって、導電性基
材の表面に形成することができる。

また、単層型の有機感光層（前記特定層■）や、積層型
の有機感光層における電荷発生層に使用される、有機ま
たは無機の電荷発生材料としては、例えば前記半導体材
料の粉末；ＺｎＯ，ＣｄＳ等の■−Ｖｔ族微結晶；ビリ
リウム塩；アゾ系化合物；ビスアゾ系化合物；α型、β
型、γ型等の結晶型を有するアルミニウムフタロシアニ
ン、銅フタロシアニン、メタルフリーフタロシアニン、
チタニルフタロシアニン等のフタロシアニン系化合物；
アンサンスロン系化合物；インジゴ系化合物；トリフェ
ニルメタン系化合物；スレン系化合物；トルイジン系化
合物；ピラゾリン系化合物；キナクリドン系化合物；ピ
ロロピロール系化合物が挙げられる。これらの電荷発生
材料は、それぞれ単独で用いられる他、複数種を併用す
ることもできる。

なお、前記各特定層中には、通常、前記ｍ−フェニレン
ジアミン系化合物と共に、従来公知の他の電荷輸送材料
（以下、単に「他の電荷輸送材料」という）が含有され
ることが好ましい。ｍ−フ二二しンジアミン系化合物と
共に特定層中に含有される他の電荷輸送材料としては、
例えばテトラシアノエチレン、２，４．７−トリニトロ
−９−フルオレノン等のフルオレノン系化合物；９−カ
ルバゾリルイミノフルオレン等のフルオレン系化合物；
ジニトロアントラセン等のニトロ化化合物；無水コハク
酸；無水マレイン酸；ジブロモ無水マレイン酸；トリフ
ェニルメタン系化合物、２．５−ジ（４−ジメチルアミ
ノフェニル）−１，，３４−オキサジアゾール等のオキ
サジアゾール系化合物、９−Ｃ４−ジエチルアミノスチ
リル）アントラセン等のスチリル系化合物；ポリ−Ｎ−
ビニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物；１−フ
ェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン等のピラゾリン系化合物、４．４’４′−トリス（Ｎ
、Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン、３，３
′−ジメチル−Ｎ、Ｎ。

Ｎ’　　Ｎ’　−テトラキス−４−メチルフェニル（１
，１’−ビフェニル）−４，４’　−ジアミン等のアミ
ン誘導体；１，１−ビス（４−ジエチルアミノフェニル
）−４，４−ジフェニル−１，３−ブタジェン等の共役
不飽和化合物；４−（Ｎ。

Ｎ−ジエチルアミノ）ベンズアルデヒド−Ｎ、　　Ｎ−
ジフェニルヒドラゾン等のヒドラゾン系化合物；インド
ール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾー
ル系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化
合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、ピ
ラゾリン系化合物、トリアゾール系化合物等の含窒素環
式化合物；縮合多環族化合物等が挙げられる。なお、上
記他の電荷輸送材料の中でも、前記ポリ−Ｎ−ビニルカ
ルバゾール等の光導電性を有する高分子材料は、特定層
の粘着樹脂としても使用することができる。

上記他の電荷輸送材料とｍ−フェニレンジアミン系化合
物との、特定層中における配合比率は特に限定されない
が、重量比で９５＝５〜２５：７５の範囲内、特に、８
０：２ｏ〜５ｏ：５ｏの範囲内であることが好ましい。

他の電荷輸送材料とｍ−フェニレンジアミン系化合物と
の配合比率が９５：５を下回ると、画像形成プロセスを
繰り返し行った際の、帯電量低下や感度低下等の防止効
果が不十分になり、逆に、配合比率が２５＝７５を超え
ると、感光体の感度が不十分になる虞がある。

前述した各タイプの感光層のうち、単層型の有機感光層
における、結着樹脂１００重量部に対する電荷発生材料
の含有量は、２〜２０重量部の範ＩＪＢ　内、特に３〜
１５重量部の範囲内であることが奸ましい。また、結着
樹脂１００重量部に対する・他の電荷輸送材料の含有量
は、４０〜２００重量部の範囲内、特に５０〜１００重
量部の範囲内であることが好ましい。電荷発生材料の含
有量が２重量部未満、または、他の電荷輸送材料の含有
量が４０重量部未満では、感光体の感度が不十分になっ
たり、残留電位が大きくなったりする虞がある。一方、
電荷発生材料の含有量が２０重Ｑ部を超えた場合、また
は、他の電荷輸送材料の含有量が２００重量部を超えた
場合には、感光体の耐摩耗性が不足する虞がある。

上記単層型の有機感光層の厚みは特に限定されないが、
従来の単層型の有機感光層と同程度、すなわち、１０〜
５０μｍ、特に１５〜２５μ偽の範囲内であることが好
ましい。

ＭＩＦｔＩ型の有機感光層を構成する各層のうち、有機
の電荷発生層における、結着樹脂１００重量部に対する
電荷発生材料の含有量は、５〜５００重量部の範囲内、
特に１０〜２５０重量部の範囲内であることが好ましい
。電荷発生材料の含有量が５重量部未満では、電荷発生
能が小さ過ぎ、５００重量　ｍｓを超えると、基材や隣
設する他の層との密着性が低下する虞がある。

上記電荷発生層の厚みは特に限定されないが、０．０１
〜３μｆｆｉ、特＋：０．１〜２μｍの範囲内であるこ
とが好ましい。

積層型の有機感光層または複合形感光層を構成する各層
のうち、電荷輸送層における、結着樹脂１００重量部に
対する他の電荷輸送材料の含有量は、１０〜５００重量
部の範囲内、特に２５〜２００重量部の範囲内であるこ
とが好ましい。他の電荷輸送材料の含有量が１０重量部
未満では、電荷輸送能が十分でなく、５００重量部を超
えると、電荷輸送層の機械的強度が低下する虞がある。

上記電荷輸送層の厚みは特に限定されないが、２〜１０
０μｍ、特１．：５〜３０ＩＩａの範囲内であることが
好ましい。

また、上記各タイプの感光層の最表層に形成することか
できる表面保護層は、前記粘着樹脂を主成分とし、その
他必要に応じて、導電仕付Ｌｊ、材やベンゾキノン系紫
外線吸収剤等の添加剤を適宜量含有させることができる
。

上記表面保護層の厚みは、０．１〜１０μｍ、特に２〜
５μの範囲内であることが好ましい。

なお、前記各タイプの感光層のうちの有機の層や、上記
表面保護層等に酸化防止剤を併用すると、酸化の影響を
受けやすい構造を持つ、電荷輸送材料等の機能成分の酸
化による劣化を防止することができる。

上記酸化防止剤としては、２，６−ジーｔｅｒｔ　−ブ
チル−ｐ−クレゾール、トリエチレングリコール−ビス
［３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒド
ロキシフェニル）プロピオネート］１．６−ヘキサンシ
オールービス［３−（３，５−ジーｔｅｒｔ−ブチルー
４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、ペンタエ
リスリチル−テトラキス［３−（３，５−ジーｔｅｒｔ
−ブチルー４〜ヒドロキシフェニル）プロピオネート］
、２．２チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジーｔ
ｅｒｔ−ブチルー４−ヒドロキシフェニル）プロピオネ
−＋−］２．２−チオビス（４−メチル−６−ｔａｒｔ
−ブチルフェノール）　、Ｎ、Ｎ’　−へキサメチレン
ビス（３，５−ジーｔｅｒｔ−ブチルー４−ヒドロキシ
−ヒドロシンナマミド）、１．３．５−トリメチル−２
，４，６−１リス（３，５−ジーｔｅｒｔ−ブチルー４
−ヒドロキシベンジル）ベンゼン等のフェノール系酸化
防止剤が挙げられる。

上記各タイプの感光層が表面に形成される導電性基材は
、電子写真感光体が組み込まれる画像形成装置の機構、
構造に対応して、シート状あるいはドラム状等、適宜の
形状に形成される。

上記導電性基材は、全体を金属等の導電性材料で構成し
ても良く、また、基材自体は導電性を有さない構造材料
で形成して、その表面に導電性を付与しても良い。

導電性基材の全体を導電性材料で構成する、前者の場合
に使用される導電性材料としては、表面がアルマイト処
理された、または未処理のアルミニウム、銅、スズ、白
金、金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミ
ウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ス
テンレス鋼、真鍮等の金属材料が好ましく、特に、硫酸
アルマイト法による陽極酸化を行い、酢酸ニッケルて封
孔処理したアルミニウムが好ましく用いられる。

一方、導電性を有さない構造材料からなる基材の表面に
導電性を付与する後者の場合には、合成樹脂製基材やガ
ラス基材の表面に、上記例示の金属や、ヨウ化アルミニ
ウム、酸化スズ、酸化インジウム等の導電性材料からな
る薄膜が、真空蒸着法、湿式めっき法等の公知の膜形成
方法によって形成された構造、上記合成樹脂成形品やガ
ラス基材の表面に上記金属材料等のフィルムがラミネー
トされた構造、または、上記合成樹脂製基材やガラス基
材の表面に、導電性を付与する物質が注入された構造等
を採用することができる。

なお、導電性基材は、必要に応じて、シランカップリン
グ剤やチタンカップリング剤等の表面処理剤で表面処理
を施し、感光層との密着性を高めてち良い。

以上で説明した各タイプの感光層のうちの有機の各層お
よび表面保護層は、前述した各成分を含有する各層用の
塗７１ｉ液を調整し、これら塗布液を、前述した層構成
を形成し得るように、各層毎に順次導電性基材上に塗布
し、乾燥または硬化させることで積層形成することがで
きる。

なお、上記塗布液の調製に際しては、使用される結着樹
脂等の種類に応じて種々の溶剤を使用することができる
。上記溶剤としては、ｎ−へキサン、オクタン、シクロ
ヘキサン等の脂肪族炭化水素；ベンゼン、キシレン、ト
ルエン等の芳香族炭化水素；ジクロロメタン、四塩化炭
素、クロロベンゼン、塩化メチレン等のハロゲン化炭化
水素；メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロ
ピルアルコール、アリルアルコール、シクロペンタノー
ル、ベンジルアルコール、フルフリルアルコール、ジア
セトンアルコール等のアルコール類；ジメチルエーテル
、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレング
リコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチ
ルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等
のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢
酸エチル、酢酸メチル等のエステル類；ジメチルホルム
アミド；ジメチルスルホキシド等、種々の溶剤が挙げら
れ、これらは一種または二種以上を混合して用いられる
。また、上記塗布液を調整する際、分散性、塗工性等を
向上させるため、界面活性剤やレベリング剤等を併用し
ても良い。

また、上記塗布液は従来慣用の方法、例えばミキサー、
ボールミル、ペイントシェーカー、サンドミル、アトラ
イター、超音波分散機等を用いて調製することができる
。

〈実施例〉 以下に、実施例に基づき、本発明をより詳細に説明する
。

実施例１〜４ 結着樹脂としてのポリ−（４，４’　−シクロへキシリ
デンジフェニル）カーボネート（三菱瓦斯化学礼装、商
品名ポリカーボネートＺ）１００重量部、電荷発生材料
としての４．１０−ジブロモ−ジベンゾ［ｄｃｒ、　Ｉ
ｎｎｏｌｎｎ上ン６．１２−ジオン（２７−ジブロモア
ンサンスロン）８重量部およびＸ型メタルフリーフタロ
シアニン（大日本インキ社製）０．２重量部、電荷輸送
材料としての３．３′−ジメチル−Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ
’テトラキス−４−メチルフェニル（１，１’　−ビフ
ェニル）−４，４’　−ジアミン４０重量部およびＮ、
Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−１，３
−フェニレンジアミン４０重量部、酸化防止剤としての
２，６−シーｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール（川口
化学社製、商品名アンテージＢＨＴ）５重量部、可塑剤
としてのポリジメチルシロキサン（シリコーンオイル）
０．１重量部に、次表に示す、三重項励起エネルギーが
６０〜６８ｋｃａｌ　／ｍｏｆｆの範囲内の特定化合物
２０重量部を加え、所定量のテトラヒドロフランと共に
超音波分散器で混合分散させて単層型感光層用塗布液を
調製した。この塗布液を外径７８　ｗ　Ｘ長さ３４０關
のアルミニウム素管上に塗Ａ１シた後、暗所で１００℃
で３０分間加熱乾燥させて、厚み約２４μｍの単層型感
光層を形威し、ドラム型の電子写真感光体を作製した。

比較例１．２ 特定化合物に代えて、次表に示す、三重項励起エネルギ
ーが６０　ｋｃａｉ）　／　ｍａｇ未満の化合物２０重
量部を用いたこと以外は、上記実施例１〜４と同様にし
て、電子写真感光体を作製した。

比較例３．４ 特定化合物に代えて、次表に示す、三重項励起エネルギ
ーが６８　ｋｃａＮ　／ｌｌ１ｏ（ｌを超える化合物２
０重量部を用いたこと以外は、上記実施例１〜４と同様
にして、電子写真感光体を作製した。

比較例５ 特定化合物を配合しなかったこと以外は、上記実施例１
〜４と同様にして、電子写真感光体を作製した。

比較例６ Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−１
，３−フェニレンジアミンを配合せず、３゜３′−ジメ
チル−Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’　−テトラキス−４−メチ
ルフェニル（１，１”　−ビフェニル）−４，４’　−
ジアミン８０重量部を電荷輸送材料として配合したこと
以外は、上記比較例５と同様にして、電子写真感光体を
作製した。

上記各実施例並びに比較例で作製した電子写真感光体に
ついて、下記の各試験を行った。

初期表面電位測定 上記各電子写真感光体を、静電複写試験装置（ジエンチ
ック社製、ジエンチックシンシア３０Ｍ）に装填し、そ
の表面を正に帯電させて表面電位Ｖ　＋　ｓ、ｐ、　（
Ｖ　）を１１定した。

半減露光量、残留電位測定 上記帯電状態の各電子写真感光体を、上記静電複写試験
装置の露光光源であるハロゲンランプを用いて露光し、
前記表面電位Ｖ　＋　ｓ、ｐ、　（Ｖ　）が半分となる
までの時間を求め、半減露光ｆｉｔ　Ｅ　１／２（μＪ
／−）を算出した。

また、上記露光開始時から０．１５秒経過後の表面電位
を、残留電位Ｖ＋　ｒ、ｐ、　（Ｖ）としてδ１り定し
た。

上記各電子写真感光体上の２個所の地点て、上記各測定
と同様にして、表面電位Ｖ　、、ｓ、ｐ、、Ｖ　、ｓ、
ｐ、ｓ並びに＼残留電位Ｖ　＋、ｒ、ｐ、）Ｖ　＋ｂｒ
、Ｉ）。

［以上、単位（Ｖ）］を測定した後、この電子写真感光
体を、暗所で６０℃に予熱して２０分間保管し、次いで
、６０℃に保温しつつ、上記２個所の地点のうちのＶ、
ｂ側を遮光体でマスキングして、上記電子写真感光体の
表面に、白色蛍光灯を用いて、１５００１ｕｘの、紫外
線を含む白色光を２０分間露光した。そして、露光後の
電子写真感光体を、暗所において、室温で３０分間放置
、冷却した後、静電複写試験装置（ジエンチック社製、
ジエンチックシンシア３０Ｍ）に装填し、その表面を正
に帯電させて、上記２個所の表面電位Ｖ　２ａＳ−ｐ、
（露光側）　、Ｖ２ｂＳ、Ｉ）、　（遮光側）、並びに
、残留電位Ｖ２ａｒ−ｐ、（露光側）　、Ｖ　２ｂｒ、
ｐ、　（Ｊ先側）［以上、単位（Ｖ）］を測定した。

以上の各測定値を元に、下記式（ａ）を用いて紫外線車
Ｉ　ｎ、ｌ後の表面電位変化値ΔＶｓ、ｐ、（Ｖ）を算
出し、下記犬山）を用いて紫外線照射後の残留電位変化
値ΔＶｒ、ｐ、（Ｖ）を算出した。

Δｖｓ、ｐ、− （Ｖ　２＊ｓ、ｐ、　　Ｖ　＋＊５−１）、）　−（Ｖ
　２ｂｓ、ｐ、　　Ｖ　＋ｂＳ−ｐ、）ΔＶ＋−ｉ　　
（Ｖ）　　− Ｖ、ｓ、ｐ、（Ｖ）　　−Ｖ３　　ｓ、ｐ、（’ｌ　　
　　　・　（Ｃ１以上の粘果を次表に示す。　　　（以
下余白）・・・（ａｌ Δｖ　ｒ、ｐ、− （Ｖ２ａｒ−ｐ、　　Ｖ＋ｍｒ、ｐ、）　　　　（Ｖ２
ｂｒ、ｐ、　　　Ｖ＋ｂｒ、ｐ、）・・・（ｂ） 繰返し露光後の表面電位測定 前記各電子写真感光体を複写機（三田工業社製、ＤＣ−
１１１型機）に装填して５００枚の複写処理を行った後
、静電複写試験装置（ジエンチック社製、ジエンチック
シンシア３０Ｍ）に装填し、その表面を正に帯電させて
、繰返し露光後の表面電位Ｖ３　ｓ、ｐ、　（Ｖ）を測
定した。

また、下記式（Ｃ）を用いて繰返し露光後の表面電位変
化値ΔＶｌ−３（ｖ）を算出した。

上記衣の結果より、三重項励起エネルギーか６０　ｋｃ
ａｌ　／　ｍｏｐ未満の化合物を用いた比較例１゜２の
電子写真感光体は、何れも、紫外線照射によって、特定
化合物を含有させなかった比較例５と同程度まで、表面
電位および残留電位が低下した。

また、三重項励起エネルギーが６８　ｋｃａｌ　／　ｍ
ｏｌ）を超える化合物を用いた比較例３．４の電子写真
感光体は、何れも、紫外線照射によって、上記比較例５
以上に、表面電位および残留電位が大きく低下した。こ
れに対し、三重項励起エネルギーが６０〜６８　ｋｃａ
ＩＩ／１ｏｏｌの範囲内である特定化合物を用いた実施
例１〜４の電子写真感光体は、何れも、上記各比較例に
比べて、紫外線照射による表面電位および残留電位の変
化量が小さく、このことから、実施例１〜４の電子写真
感光体は、紫外線劣化し難いものであることが判明した
。また、上記実施例１〜４、比較例５の電子写真感光体
は、何れも、電荷輻送材料としてｍ−フェニレンジアミ
ン系化合物を併用しなかった比較例６に比べて、繰返し
露光による表面電位変化量が小さく、このことから、上
記特定化合物は、ｍ−フェニレンジアミン系化合物の持
つ、帯電量低下や感度低下等の防止作用に影響を与えな
いことが判明した。

〈発明の効果〉 この発明の電子写真感光体は、以上のように構成されて
おり、画像形成プロセスを繰り返し行った際の、帯電量
低下や感度低下等の防止作用に優れたｍ−フェニレンジ
アミン系化合物を含有する層が、当該ｍ−フェニレンジ
アミン系化合物の紫外線劣化を防止する作用を有する特
定化合物を含有しているので、特に、画像形成装置の運
転時等、感光体が加熱された状態において、蛍光灯やキ
セノンランプ、或いは太陽光等の紫外線を含む光が照射
されても、感度低下し難いものとなる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、結着樹脂中に、ｍ−フェニレンジアミン系化合物を
   電荷輸送材料として含有する層を備えた電子写真感光体
   において、 上記層中に、三重項励起エネルギーが６０〜６８ｋｃａ
   ｌ／ｍｏｌの範囲内の化合物を含有することを特徴とす
   る電子写真感光体。