JPH0375975B2 - - Google Patents
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- JPH0375975B2 JPH0375975B2 JP60132138A JP13213885A JPH0375975B2 JP H0375975 B2 JPH0375975 B2 JP H0375975B2 JP 60132138 A JP60132138 A JP 60132138A JP 13213885 A JP13213885 A JP 13213885A JP H0375975 B2 JPH0375975 B2 JP H0375975B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- cathode
- ions
- acceleration
- plasma
- Prior art date
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は電子ビームによつてイオンを生成し、
生成されたイオンを引き出し放射する電子ビーム
励起イオン源に関する。
生成されたイオンを引き出し放射する電子ビーム
励起イオン源に関する。
（従来の技術）
核融合研究においては、プラズマ加熱法として
高エネルギー中性粒子ビーム入射法が最も有望な
方法として研究されている。このための正イオン
源としては、応用物理第51巻第９号（1982）P27
〜33に記載されるように改良型デユオピガトロン
源、磁気多極型イオン源、Periplasmatron型イ
オン源、LBNL型イオン源等が知られている。
高エネルギー中性粒子ビーム入射法が最も有望な
方法として研究されている。このための正イオン
源としては、応用物理第51巻第９号（1982）P27
〜33に記載されるように改良型デユオピガトロン
源、磁気多極型イオン源、Periplasmatron型イ
オン源、LBNL型イオン源等が知られている。
（発明が解決うようとする問題点）
有効な加熱を行うためにはイオンビーム電流は
100A必要とされると考えられるが、上記した従
来の装置では、この目標値を達成するためには少
なくとも100kwの大入力電力が必要である。
100A必要とされると考えられるが、上記した従
来の装置では、この目標値を達成するためには少
なくとも100kwの大入力電力が必要である。
本発明の目的は、入力電極力に対するイオン電
流値の比が大きく効率よく大電流イオンビームを
発生するイオン源を提供することにある。
流値の比が大きく効率よく大電流イオンビームを
発生するイオン源を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
上記目的は、プラズマ領域、加速陰極、電子ビ
ーム加速領域、加速陽極、イオン生成領域および
ターゲツト陰極がこの順で設けられており、前記
加速陽極に対して負の電位を前記ターゲツト陰極
に与える手段と、前記イオン生成領域いおいて生
成された正イオンまたは負イオンを吸引し、この
イオンを引き出すイオン引出電極とが備えられて
いる電子ビーム励起イオン源によつて達成され
る。
ーム加速領域、加速陽極、イオン生成領域および
ターゲツト陰極がこの順で設けられており、前記
加速陽極に対して負の電位を前記ターゲツト陰極
に与える手段と、前記イオン生成領域いおいて生
成された正イオンまたは負イオンを吸引し、この
イオンを引き出すイオン引出電極とが備えられて
いる電子ビーム励起イオン源によつて達成され
る。
本発明においては、イオン引出電極をターゲツ
ト陰極と別体に設けられていることもできるし、
ターゲツト陰極にその機能を兼ねさせることもで
きる。
ト陰極と別体に設けられていることもできるし、
ターゲツト陰極にその機能を兼ねさせることもで
きる。
（作用）
プラズマ領域中の電子が加速陽極によつて引き
出されたイオン生成領域内に突入する。突入した
電子はイオン生成領域内の不活性ガス（又は金属
蒸気）と衝突してイオンを生成するが、このイオ
ンの逆流によつて、加速陰極の出口付近に負のポ
テンシヤルバリヤが形成されることが防止され
る。従つて、プラズマ領域のプラズマ密度に比例
する大電流電子ビームがイオン生成領域に流入す
ることができる。イオン生成領域においては、流
入した電子ビームの電流値に比例した数のイオン
が発生するが、本発明の装置においては、第９図
に示されるように加速陰極、加速陽極およびター
ゲツト陰極によつて、ポテンシヤルの井戸が形成
され、このポテンシヤルの井戸内を電子が往復運
動して、プラズマが効率的に発生される。発生さ
れたプラズマ中のイオンはイオン引出電極によつ
て吸引され、イオン生成領域外へ放射される。イ
オンのエネルギー（速度）はイオン引出電極と加
速陽極との間の電圧決定される。イオン生成領域
に荷電粒子の横方向に拡散を防ぐマルチポール磁
場、ミラー磁場あるいは電位の井戸を設けること
により効率良くプラズマの発生を行うことができ
る。
出されたイオン生成領域内に突入する。突入した
電子はイオン生成領域内の不活性ガス（又は金属
蒸気）と衝突してイオンを生成するが、このイオ
ンの逆流によつて、加速陰極の出口付近に負のポ
テンシヤルバリヤが形成されることが防止され
る。従つて、プラズマ領域のプラズマ密度に比例
する大電流電子ビームがイオン生成領域に流入す
ることができる。イオン生成領域においては、流
入した電子ビームの電流値に比例した数のイオン
が発生するが、本発明の装置においては、第９図
に示されるように加速陰極、加速陽極およびター
ゲツト陰極によつて、ポテンシヤルの井戸が形成
され、このポテンシヤルの井戸内を電子が往復運
動して、プラズマが効率的に発生される。発生さ
れたプラズマ中のイオンはイオン引出電極によつ
て吸引され、イオン生成領域外へ放射される。イ
オンのエネルギー（速度）はイオン引出電極と加
速陽極との間の電圧決定される。イオン生成領域
に荷電粒子の横方向に拡散を防ぐマルチポール磁
場、ミラー磁場あるいは電位の井戸を設けること
により効率良くプラズマの発生を行うことができ
る。
なお、本発明の装置はイオン注入装置のイオン
源として使用することができる。また、装置内に
アルゴン等の不活性ガス、CF4等の反応性エツチ
ング用ガスを充填することによりエツチング用イ
オン源として使用できる。さらに、SiF4等の成膜
用ガスを充填することにより成膜用イオン源とし
て使用できる。
源として使用することができる。また、装置内に
アルゴン等の不活性ガス、CF4等の反応性エツチ
ング用ガスを充填することによりエツチング用イ
オン源として使用できる。さらに、SiF4等の成膜
用ガスを充填することにより成膜用イオン源とし
て使用できる。
（実施例）
第１図は、本発明の電子ビーム励起イオン源の
一実施例の概略図である。カソード１、アノード
を兼ねる加速陽極２、加速陰極３、ターゲツト陰
極４ａおよびイオン引出電極４ｂがこの順で設け
られている。カソード１と加速陰極２との間はプ
ラズマが充填するプラズマ領域５となり、加速陽
極２と加速陰極３との間がプラズマ領域５から引
き出された電子を加速する電子ビーム加速領域６
となり、加速陰極３とターゲツト陰極４ａとの間
がイオン生成領域７となる。カソード１と加速陰
極２との間には放電用電源８によつて電圧が与え
られて、プラズマ領域５内においてプラズマ生成
放電が生じるようになつている。加速陰極２と加
速陰極３との間に電位差を生じせしめる加速電源
９は、プラズマ領域５内の電子を引き出し、かつ
１０ン生成領域７中のイオンを加速陰極２まで引
き出す。加速陰極２は直接アースされており、ま
た、イオン引出電極４ｂは電圧可変のイオンエネ
ルギー制御用電源１０を介して加速陽極３に接続
されている。ターゲツト陰極４ａも電源１０′に
よつて加速陽極３に対する電圧を制御しうるよう
にされている。通常アルゴンガス等の不活性ガス
が流入口１１ａ，１１ｂから装置内部に流入さ
れ、排出口１２ａ，１２ｂ，１２ｃから排出され
る。また、本実施例において電子およびイオンの
進行方向に沿つて磁場が与えられており、電子流
およびイオン流の横方向の拡がりが防止されてい
る。プラズマ領域５に設けられた仕切り１３ａ，
１３ｂはガスの圧力差をつけるためのものであ
る。
一実施例の概略図である。カソード１、アノード
を兼ねる加速陽極２、加速陰極３、ターゲツト陰
極４ａおよびイオン引出電極４ｂがこの順で設け
られている。カソード１と加速陰極２との間はプ
ラズマが充填するプラズマ領域５となり、加速陽
極２と加速陰極３との間がプラズマ領域５から引
き出された電子を加速する電子ビーム加速領域６
となり、加速陰極３とターゲツト陰極４ａとの間
がイオン生成領域７となる。カソード１と加速陰
極２との間には放電用電源８によつて電圧が与え
られて、プラズマ領域５内においてプラズマ生成
放電が生じるようになつている。加速陰極２と加
速陰極３との間に電位差を生じせしめる加速電源
９は、プラズマ領域５内の電子を引き出し、かつ
１０ン生成領域７中のイオンを加速陰極２まで引
き出す。加速陰極２は直接アースされており、ま
た、イオン引出電極４ｂは電圧可変のイオンエネ
ルギー制御用電源１０を介して加速陽極３に接続
されている。ターゲツト陰極４ａも電源１０′に
よつて加速陽極３に対する電圧を制御しうるよう
にされている。通常アルゴンガス等の不活性ガス
が流入口１１ａ，１１ｂから装置内部に流入さ
れ、排出口１２ａ，１２ｂ，１２ｃから排出され
る。また、本実施例において電子およびイオンの
進行方向に沿つて磁場が与えられており、電子流
およびイオン流の横方向の拡がりが防止されてい
る。プラズマ領域５に設けられた仕切り１３ａ，
１３ｂはガスの圧力差をつけるためのものであ
る。
このように構成されたイオン源は以下の様に作
動する。カソード１と加速陰極２との間の放電に
よつてプラズマ領域５内にプラズマが発生する。
このプラズマを構成する電子は加速陰極３に引か
れてイオン生成領域７に突入して、イオンを生成
する。このイオンの一部は加速陰極２に引かれて
加速陰極２の開口付近に形成される負のポテンシ
ヤルバリアを引き下げる。従つて、プラズマ領域
内のプラズマ密度に比例した電流値の電子流がイ
オン生成領域７に流入する。イオン生成領域７に
おいては、流入した電子の電流値（数）に比例す
るイオンが生成される。このイオンはイオン引出
電極４ｂの電位によつてそのエネルギーを制御さ
れて引き出し加速される。
動する。カソード１と加速陰極２との間の放電に
よつてプラズマ領域５内にプラズマが発生する。
このプラズマを構成する電子は加速陰極３に引か
れてイオン生成領域７に突入して、イオンを生成
する。このイオンの一部は加速陰極２に引かれて
加速陰極２の開口付近に形成される負のポテンシ
ヤルバリアを引き下げる。従つて、プラズマ領域
内のプラズマ密度に比例した電流値の電子流がイ
オン生成領域７に流入する。イオン生成領域７に
おいては、流入した電子の電流値（数）に比例す
るイオンが生成される。このイオンはイオン引出
電極４ｂの電位によつてそのエネルギーを制御さ
れて引き出し加速される。
上述した本実施例において、装置内に充填する
ガスがアルゴンガスであり、加速陰極２と加速陽
極３との間の電圧が100V、イオン引出電極４ｂ
と加速陰極３との間の電圧が−400V、プラズマ
領域５の真空度が0.8Torr、電子ビーム加速領域
６の真空度が0.8×10-4Torr、イオン生成領域７
の真空度が2.0×10-3Toor、イオン引出電極の開
口径が１mmφである場合の引き出されたイオンビ
ームの電流密度Iiと放電電流（ほぼ電子ビーム電
流に等しい）との関係を第２図に示す。曲線Ａは
ターゲツト陰極４ａが加速陽極３と等電位の場
合、曲線Ｂはターゲツト陰極４ａの電位が加速陰
極３に対して−100Vの場合をそれぞれ示してい
る。この実験例から本発明によると大電流イオン
ビームを得ることができることが明確である。
ガスがアルゴンガスであり、加速陰極２と加速陽
極３との間の電圧が100V、イオン引出電極４ｂ
と加速陰極３との間の電圧が−400V、プラズマ
領域５の真空度が0.8Torr、電子ビーム加速領域
６の真空度が0.8×10-4Torr、イオン生成領域７
の真空度が2.0×10-3Toor、イオン引出電極の開
口径が１mmφである場合の引き出されたイオンビ
ームの電流密度Iiと放電電流（ほぼ電子ビーム電
流に等しい）との関係を第２図に示す。曲線Ａは
ターゲツト陰極４ａが加速陽極３と等電位の場
合、曲線Ｂはターゲツト陰極４ａの電位が加速陰
極３に対して−100Vの場合をそれぞれ示してい
る。この実験例から本発明によると大電流イオン
ビームを得ることができることが明確である。
イオン引出電極４ｂと加速陽極３との間の電圧
がそれほど大きくならない場合はイオン引出電極
４ｂをターゲツト陰極４ａと併合することができ
る。また、イオン引出電極４ｂと加速陽極３との
間の電圧は、イオンエネルギー制御用電源１０の
電圧を制御するのではなく、加速陰極２と加速陽
極３との間の加速電源９の電圧値を制御すること
によつても変えることができる。この場合の例を
第３図および第４図に示す。第３図および第４図
に示されたいずれの例においても、イオンエネル
ギー制御用電源１０は設けられておらず、イオン
引出電極４ｂは直接アースされておりイオンエネ
ルギーの制御は加速電源９の電圧を制御すること
により行われている。第４図に示された実施例に
おいては、加速陰極２ではなく、カソードがアー
スされており、放電電源の電圧を変化してもイオ
ン引出電極４ｂと加速陽極３との間の電圧を変化
することができる。
がそれほど大きくならない場合はイオン引出電極
４ｂをターゲツト陰極４ａと併合することができ
る。また、イオン引出電極４ｂと加速陽極３との
間の電圧は、イオンエネルギー制御用電源１０の
電圧を制御するのではなく、加速陰極２と加速陽
極３との間の加速電源９の電圧値を制御すること
によつても変えることができる。この場合の例を
第３図および第４図に示す。第３図および第４図
に示されたいずれの例においても、イオンエネル
ギー制御用電源１０は設けられておらず、イオン
引出電極４ｂは直接アースされておりイオンエネ
ルギーの制御は加速電源９の電圧を制御すること
により行われている。第４図に示された実施例に
おいては、加速陰極２ではなく、カソードがアー
スされており、放電電源の電圧を変化してもイオ
ン引出電極４ｂと加速陽極３との間の電圧を変化
することができる。
第１図および第４図に示された実施例のよう
に、電子ビームガイド用磁場として一様磁場を用
いても直径15mm程度の均一なイオンビームの照射
が行なえることが確認されているが、第５図に示
されるようにイオン生成領域７の外周部に永久磁
石２０を配してマルチポール磁場を形成すると、
イオンビームをさらに拡大することができ、大面
積引き出しが可能となる。
に、電子ビームガイド用磁場として一様磁場を用
いても直径15mm程度の均一なイオンビームの照射
が行なえることが確認されているが、第５図に示
されるようにイオン生成領域７の外周部に永久磁
石２０を配してマルチポール磁場を形成すると、
イオンビームをさらに拡大することができ、大面
積引き出しが可能となる。
本発明においては、種々の変形実施例が考えら
れるが、加速陽極を２つに分け、第１イオン生成
領域と第２イオン生成領域の分離するようにして
もよいし、また、第６図に示されているように、
イオン引出電極４ｂの電位はターゲツト陰極４ａ
に対して電源１０によつて制御するようにしても
よい。他の変形例としてターゲツト陰極とイオン
引出電極との間に位置してさらに別の電極を設置
し、この電極には大きな引き出し電圧を印加し、
イオン引出電極の電位によつてイオンビームのエ
ネルギーを制御するようにすると、底エネルギー
の大電イオンビームを引き出すことができる。
れるが、加速陽極を２つに分け、第１イオン生成
領域と第２イオン生成領域の分離するようにして
もよいし、また、第６図に示されているように、
イオン引出電極４ｂの電位はターゲツト陰極４ａ
に対して電源１０によつて制御するようにしても
よい。他の変形例としてターゲツト陰極とイオン
引出電極との間に位置してさらに別の電極を設置
し、この電極には大きな引き出し電圧を印加し、
イオン引出電極の電位によつてイオンビームのエ
ネルギーを制御するようにすると、底エネルギー
の大電イオンビームを引き出すことができる。
第７図は、本発明をスパツタ型イオン源として
使用した場合の実施例を示す。イオン生成領域７
において生成さてたイオンは、導電性設置部１７
上のターゲツト２５に衝突する。イオンの衝突に
よつてターゲツト材料はガス状に飛散し、さらに
この後電子ビームの照射によつてイオン化された
ターゲツト原子は電極４ｂによつて外方に引出さ
れる。
使用した場合の実施例を示す。イオン生成領域７
において生成さてたイオンは、導電性設置部１７
上のターゲツト２５に衝突する。イオンの衝突に
よつてターゲツト材料はガス状に飛散し、さらに
この後電子ビームの照射によつてイオン化された
ターゲツト原子は電極４ｂによつて外方に引出さ
れる。
第８図は負イオンを放出することのできる実施
例を示す概略図である。イオンと電子とではラー
マー半径が大きく異なる。このため、外部磁場が
印加されている場合、プラズマから磁力線を横切
る方向で電子のラーマー半径以上に遠く離れた空
間ではイオンのみが存在することになる。本実施
例はこのことに基いている。即ち、イオン引出電
極４ｂは、電子通路部分１８から離れて設けられ
ている。このイオン引出電極４ｂがプラズマ電位
（ほぼ加速陽極３の電位と同じ）に対して負の電
位のときは、正イオンが引き出される。逆に、プ
ラズマ電位に対して正の電位を有するときは、負
イオンが引き出される。
例を示す概略図である。イオンと電子とではラー
マー半径が大きく異なる。このため、外部磁場が
印加されている場合、プラズマから磁力線を横切
る方向で電子のラーマー半径以上に遠く離れた空
間ではイオンのみが存在することになる。本実施
例はこのことに基いている。即ち、イオン引出電
極４ｂは、電子通路部分１８から離れて設けられ
ている。このイオン引出電極４ｂがプラズマ電位
（ほぼ加速陽極３の電位と同じ）に対して負の電
位のときは、正イオンが引き出される。逆に、プ
ラズマ電位に対して正の電位を有するときは、負
イオンが引き出される。
なお、上述した各実施例において特開昭61−
153937号に従つてカソードと加速陰極の間にプラ
ズマ電位分布成形用電極を配することは極めて有
効である。
153937号に従つてカソードと加速陰極の間にプラ
ズマ電位分布成形用電極を配することは極めて有
効である。
（発明の効果）
本発明のイオン源は入力電力に対するイオン電
流値の比が大きく、効率よく大電流イオンビーム
を得ることができる。また、高効率であるので、
フイラメントの寿命および電極等への熱負荷を改
善することができる。
流値の比が大きく、効率よく大電流イオンビーム
を得ることができる。また、高効率であるので、
フイラメントの寿命および電極等への熱負荷を改
善することができる。
第１図は、本発明の一実施例の概略図であり、
第２図は、第１図の実施例におけるイオン電流密
度と初期放電電流との関係を示すグラフ、第３図
および第４図は、本発明の別の実施例の概略図、
第５図は、電子ビームガイド用マルチポール磁場
を表わす側面図、第６図は、本発明の更に別の実
施例の概略図、第７図は、本発明をスパツタ型イ
オン源として使用した場合の実施例を示す概略
図、第８図は、負イオンを放出することのできる
実施例を示す概略図、第９図は本発明の作用を説
明する図である。 １……カソード、２……加速陰極、３……加速
陽極、４ａ……ターゲツト陰極、４ｂ……イオン
引出電極、５……プラズマ領域、６……電子ビー
ム加速領域、７……イオン生成領域、８……放電
用電源、９……加速電源、１０……イオンエネル
ギー制御用電源。
第２図は、第１図の実施例におけるイオン電流密
度と初期放電電流との関係を示すグラフ、第３図
および第４図は、本発明の別の実施例の概略図、
第５図は、電子ビームガイド用マルチポール磁場
を表わす側面図、第６図は、本発明の更に別の実
施例の概略図、第７図は、本発明をスパツタ型イ
オン源として使用した場合の実施例を示す概略
図、第８図は、負イオンを放出することのできる
実施例を示す概略図、第９図は本発明の作用を説
明する図である。 １……カソード、２……加速陰極、３……加速
陽極、４ａ……ターゲツト陰極、４ｂ……イオン
引出電極、５……プラズマ領域、６……電子ビー
ム加速領域、７……イオン生成領域、８……放電
用電源、９……加速電源、１０……イオンエネル
ギー制御用電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ プラズマ領域、加速陰極、電子ビーム加速領
域、加速陽極、イオン生成領域およびターゲツト
陰極がこの順で設けられており、前記加速陽極に
対して負の電位を前記ターゲツト陰極に与える手
段と、前記イオン生成領域において生成された正
イオンまたは負イオンを吸引し、このイオンを引
き出すイオン引出電極とが備えられている電子ビ
ーム励起イオン源。 ２ 前記ターゲツト陰極が前記イオン引出電極を
兼ねていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の電子ビーム励起イオン源。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60132138A JPS61290629A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 電子ビ−ム励起イオン源 |
| EP86107195A EP0203573B1 (en) | 1985-05-28 | 1986-05-27 | Electron beam-excited ion beam source |
| DE86107195T DE3688860T2 (de) | 1985-05-28 | 1986-05-27 | Mittels Elektronenstrahl angeregte Ionenstrahlquelle. |
| CA000510112A CA1252581A (en) | 1985-05-28 | 1986-05-27 | Electron beam-excited ion beam source |
| US06/868,350 US4749910A (en) | 1985-05-28 | 1986-05-28 | Electron beam-excited ion beam source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60132138A JPS61290629A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 電子ビ−ム励起イオン源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61290629A JPS61290629A (ja) | 1986-12-20 |
| JPH0375975B2 true JPH0375975B2 (ja) | 1991-12-04 |
Family
ID=15074250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60132138A Granted JPS61290629A (ja) | 1985-05-28 | 1985-06-18 | 電子ビ−ム励起イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61290629A (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2526228B2 (ja) * | 1987-01-31 | 1996-08-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 電子ビ―ム式プラズマ装置 |
| JP2724461B2 (ja) * | 1987-12-30 | 1998-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 電子ビーム励起イオン源 |
| JPH01189838A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-31 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源 |
| US5252892A (en) * | 1989-02-16 | 1993-10-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| GB2230644B (en) * | 1989-02-16 | 1994-03-23 | Tokyo Electron Ltd | Electron beam excitation ion source |
| JP2794602B2 (ja) * | 1989-02-28 | 1998-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 電子ビーム励起イオン源 |
| JPH0340342A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-21 | Akira Oota | イオンビーム照射装置 |
| JP2704438B2 (ja) * | 1989-09-04 | 1998-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | イオン注入装置 |
| JP2733629B2 (ja) * | 1989-10-27 | 1998-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | イオン生成方法およびイオン生成装置 |
| JP2791911B2 (ja) * | 1989-11-14 | 1998-08-27 | 東京エレクトロン株式会社 | イオン源 |
| JP2822249B2 (ja) * | 1990-01-11 | 1998-11-11 | 東京エレクトロン株式会社 | イオン源 |
| US5326981A (en) * | 1991-09-27 | 1994-07-05 | Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha | Electron beam excited ion irradiation apparatus |
| EP2203928A1 (en) * | 2007-10-22 | 2010-07-07 | Axcelis Technologies, Inc. | Double plasma ion source |
| JP5520555B2 (ja) * | 2009-09-18 | 2014-06-11 | 株式会社アルバック | イオン照射方法 |
-
1985
- 1985-06-18 JP JP60132138A patent/JPS61290629A/ja active Granted
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ROV.SCI.INSTRUM=1977 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61290629A (ja) | 1986-12-20 |
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