JPH0376219A - 気相結晶成長装置 - Google Patents
気相結晶成長装置Info
- Publication number
- JPH0376219A JPH0376219A JP21355889A JP21355889A JPH0376219A JP H0376219 A JPH0376219 A JP H0376219A JP 21355889 A JP21355889 A JP 21355889A JP 21355889 A JP21355889 A JP 21355889A JP H0376219 A JPH0376219 A JP H0376219A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- flow
- crystal
- wafer
- exhaust gas
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体の製造等に用いられる気相結晶成長
装置に関するものである。
装置に関するものである。
第３＠は例えば、Ｊ 、 ［！ｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、
Ｓｏｃ、＋ １１６゜１７２５ （１９６９）に示され
た従来の気相結晶成長装置の反応管周辺の構成を示す断
面正面図、第４図は第３図の断面平面図である。
Ｓｏｃ、＋ １１６゜１７２５ （１９６９）に示され
た従来の気相結晶成長装置の反応管周辺の構成を示す断
面正面図、第４図は第３図の断面平面図である。
図において、（１１は原料ガス入口、（３）は反応管、
（４）はウェハ、（５）はサセプタ、（６）は高周波コ
イル、（７１は排ガス出口である。
（４）はウェハ、（５）はサセプタ、（６）は高周波コ
イル、（７１は排ガス出口である。
次に、動作について説明する。原料ガス入口（１）より
反応管（３）に導入された原料ガスは、高周波コイル（
６）による誘導加熱によって加熱され、サセプタ（５）
及びその上に置かれ、サセプタホルダ（５）からの熱伝
導によって加熱されたウェハ（４）の付近で、加熱分解
及び反応することによって、ウェハ（４）の上に結晶と
して析出する。このとき、結晶として析出しなかった残
りの気体は、排ガス出口（８）を通って外部へ排出され
る。
反応管（３）に導入された原料ガスは、高周波コイル（
６）による誘導加熱によって加熱され、サセプタ（５）
及びその上に置かれ、サセプタホルダ（５）からの熱伝
導によって加熱されたウェハ（４）の付近で、加熱分解
及び反応することによって、ウェハ（４）の上に結晶と
して析出する。このとき、結晶として析出しなかった残
りの気体は、排ガス出口（８）を通って外部へ排出され
る。
〔発明が解決しようとする課題）
従来の気相結晶成長装置は以上の様に構成されていたの
で、ガスの流れを微妙に調整することが出来ず、従って
、反応管やサセプタ各々の形状や寸法、或いは相対的な
位置関係などの条件が微妙に変化し、その結果、ガスの
流れが微妙に変化してもそれを調整することは難しく、
成長した結晶の特性に変化を生じるなどの問題点があっ
た。
で、ガスの流れを微妙に調整することが出来ず、従って
、反応管やサセプタ各々の形状や寸法、或いは相対的な
位置関係などの条件が微妙に変化し、その結果、ガスの
流れが微妙に変化してもそれを調整することは難しく、
成長した結晶の特性に変化を生じるなどの問題点があっ
た。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ガスの流れの微少調整ができる気相結晶成長
装置を得ることを目的とする。
たもので、ガスの流れの微少調整ができる気相結晶成長
装置を得ることを目的とする。
この発明に係る気相結晶成長装置は、原料ガス入口及び
排ガス出口の一方又は両方が複数個設けられかつ各入口
出口に流量調整弁を設けたものである。
排ガス出口の一方又は両方が複数個設けられかつ各入口
出口に流量調整弁を設けたものである。
この発明における流量調整弁は、複数個の原料ガス入口
、排ガス出口の各々の流量を独立に制御することによっ
て、ガスの流れを微妙に変化することができ、所望の特
性を有する結晶成長をする。
、排ガス出口の各々の流量を独立に制御することによっ
て、ガスの流れを微妙に変化することができ、所望の特
性を有する結晶成長をする。
ための最適条件を容易に得ることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図、第２図において、（ｌａ）〜（１ｂ）は各々原料ガ
ス入口、（２ａ〉〜（２ｄ）は各々原料ガス人口弁、（
３）は反応管、（４）はウェハ、（５）はサセプタ、（
６）は高周波数コイル、（７ａ）〜（７ｄ〉は各々排ガ
ス出口弁、（８ａ）〜（８ｄ）は各々排ガス出口である
。
図、第２図において、（ｌａ）〜（１ｂ）は各々原料ガ
ス入口、（２ａ〉〜（２ｄ）は各々原料ガス人口弁、（
３）は反応管、（４）はウェハ、（５）はサセプタ、（
６）は高周波数コイル、（７ａ）〜（７ｄ〉は各々排ガ
ス出口弁、（８ａ）〜（８ｄ）は各々排ガス出口である
。
次に動作について説明する。原料ガス入口（ｌａ）〜（
１ｄ）より反応管（３）内に導入された原料ガスは、高
周波コイル（６）により加熱されたサセプタによって加
熱され、熱分解、反応を起し、ウェハ（４）上に結晶と
して析出する。このとき、余分なガスや気体状の反応生
成物は、排ガス出口（８ａ）〜（８ｄ）を通って外部へ
排出される。このとき、原料ガス人口弁（２ａ） 〜（
２ｄ）及び排ガス出口弁（７ａ） 〜（７ｄ）を調節す
ることによりガスのながれを微妙に変化させ、析出結晶
の特性或いはその特性のウェハ面内での分布をコントロ
ールする。
１ｄ）より反応管（３）内に導入された原料ガスは、高
周波コイル（６）により加熱されたサセプタによって加
熱され、熱分解、反応を起し、ウェハ（４）上に結晶と
して析出する。このとき、余分なガスや気体状の反応生
成物は、排ガス出口（８ａ）〜（８ｄ）を通って外部へ
排出される。このとき、原料ガス人口弁（２ａ） 〜（
２ｄ）及び排ガス出口弁（７ａ） 〜（７ｄ）を調節す
ることによりガスのながれを微妙に変化させ、析出結晶
の特性或いはその特性のウェハ面内での分布をコントロ
ールする。
以上のようにこの発明によれば、原料ガス入口、或いは
排ガス出口の双方又は一方を複数個設け、かつ各入口、
出口に流量調整弁を設けて流量を調整できるようにした
ので、結晶成長時のガスの流れを微妙に制御ができ、析
出結晶の特性、或いはその特性のウェハ面内分布をコン
トロールすることができる。
排ガス出口の双方又は一方を複数個設け、かつ各入口、
出口に流量調整弁を設けて流量を調整できるようにした
ので、結晶成長時のガスの流れを微妙に制御ができ、析
出結晶の特性、或いはその特性のウェハ面内分布をコン
トロールすることができる。
第１図この発明の一実施例による気相結晶成長装置を示
す断面正面図、第２図は第１図の断面正面図、第３図は
従来の気相結晶成長装置を示す断面正面図、第４図は第
３図の断面正面図である。 図において、（１ａ）〜（１ｄ）は原料ガス入口、（２
ａ）〜（２ｄ）は原料ガス人口弁、（３）は反応管、（
４）はウェハ、（５）はサセプタ、（６）は高周波コイ
ル、（７ａ） 〜（７ｄ）は排ガス出口弁、（８ａ）〜
（８ｄ）は排ガス出口である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 第１図
す断面正面図、第２図は第１図の断面正面図、第３図は
従来の気相結晶成長装置を示す断面正面図、第４図は第
３図の断面正面図である。 図において、（１ａ）〜（１ｄ）は原料ガス入口、（２
ａ）〜（２ｄ）は原料ガス人口弁、（３）は反応管、（
４）はウェハ、（５）はサセプタ、（６）は高周波コイ
ル、（７ａ） 〜（７ｄ）は排ガス出口弁、（８ａ）〜
（８ｄ）は排ガス出口である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 第１図
Claims (1)
- 気相法で結晶成長を行なうに際し、反応管への原料ガス
の入口、及び反応管からの排ガス出口の両方もしくは一
方を複数個設け、かつ各入口、出口において、気体の流
量を調節できる弁を設けたことを特徴とする気相結晶成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21355889A JPH0376219A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 気相結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21355889A JPH0376219A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 気相結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0376219A true JPH0376219A (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=16641200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21355889A Pending JPH0376219A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 気相結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0376219A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03284836A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-16 | Matsushita Electron Corp | 半導体製造装置及び気体供給方法 |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP21355889A patent/JPH0376219A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03284836A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-16 | Matsushita Electron Corp | 半導体製造装置及び気体供給方法 |
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