JPH04187594A - 気相エピタキシャル成長装置 - Google Patents
気相エピタキシャル成長装置Info
- Publication number
- JPH04187594A JPH04187594A JP31152290A JP31152290A JPH04187594A JP H04187594 A JPH04187594 A JP H04187594A JP 31152290 A JP31152290 A JP 31152290A JP 31152290 A JP31152290 A JP 31152290A JP H04187594 A JPH04187594 A JP H04187594A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- outlet
- phase epitaxial
- reaction tube
- epitaxial growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＭＯＣＶＤ法のような、特に大面積で均一な膜
をエピタキシャル成長させる気相エピタキシャル成長装
置に関するものである。
をエピタキシャル成長させる気相エピタキシャル成長装
置に関するものである。
〔従来の技術］
Ｍ ＯＣＶ Ｄ法のような気相エピタキシャル成長装置
において、大面積に均一な組成、膜厚をもつエピタキシ
ャル層を成長させるためにはガスの流速、フローパター
ンの最適化を行う必要がある。
において、大面積に均一な組成、膜厚をもつエピタキシ
ャル層を成長させるためにはガスの流速、フローパター
ンの最適化を行う必要がある。
一般に基板近くのフローパターンは層流であることが望
ましい。第１図に従来の気相エピタキシャル装置の概略
図を示す。層流を反応管内で実現するためには第１図の
θの広げ角が非常に重要となる。広げ角が広くなりすぎ
ると管壁からの剥離が起こりうすが発生して層流が達成
できない。また広げ角をせまくすると大面積へのエピタ
キシャル成長を考えた場合、長さが必要となり反応管上
部のデッドボリュームか大きくなって、ガスの切れが悪
くなる。
ましい。第１図に従来の気相エピタキシャル装置の概略
図を示す。層流を反応管内で実現するためには第１図の
θの広げ角が非常に重要となる。広げ角が広くなりすぎ
ると管壁からの剥離が起こりうすが発生して層流が達成
できない。また広げ角をせまくすると大面積へのエピタ
キシャル成長を考えた場合、長さが必要となり反応管上
部のデッドボリュームか大きくなって、ガスの切れが悪
くなる。
［発明か解決しようとする問題点］
本発明は上記欠点を除去したものであり、本発明の目的
は大面積に均一な組成、膜厚をもつエピタキシャル層を
成長させる二とにある。
は大面積に均一な組成、膜厚をもつエピタキシャル層を
成長させる二とにある。
［問題点を解決するための手段及び作用］本発明は、原
料ガスを反応管内ｆ＼導入するガス導入部かゾーン分割
されていることを特徴とする気相エピタキシャル成長装
置、さらに上記のゾーン分割されたガス導入口に、それ
ぞれ独立に制御可能なマスフローコントローラーを備え
ることを特徴とした気相エピタキシャル成長装置を提供
するものである。
料ガスを反応管内ｆ＼導入するガス導入部かゾーン分割
されていることを特徴とする気相エピタキシャル成長装
置、さらに上記のゾーン分割されたガス導入口に、それ
ぞれ独立に制御可能なマスフローコントローラーを備え
ることを特徴とした気相エピタキシャル成長装置を提供
するものである。
第２図に本発明のガス導入部の例を示す。ガス導入部は
複数（図では１３個）のゾーンに区切られており、各ゾ
ーンにはガス吹出口が設けられている。各吹出口からの
ガスの流量は少なくなり容易に層流とすることができ、
また広げ角も狭くできて吹出口と基板との距離を短くし
て反応管上流部のデッドボリュームを小さくできるため
、膜厚及び組成の均一なエピタキシャル膜を成長させる
ことが可能となり、ガスの切れも良くなる。さらに各々
のゾーンにはそれぞれ独立に制御可能なマスフローコン
トローラーが設置されている。このガス導入部を用い、
マスフローコントローラーを制御することによって、各
吹出口からのガスの流量をその対応する領域の大きさに
合わせることができる。
複数（図では１３個）のゾーンに区切られており、各ゾ
ーンにはガス吹出口が設けられている。各吹出口からの
ガスの流量は少なくなり容易に層流とすることができ、
また広げ角も狭くできて吹出口と基板との距離を短くし
て反応管上流部のデッドボリュームを小さくできるため
、膜厚及び組成の均一なエピタキシャル膜を成長させる
ことが可能となり、ガスの切れも良くなる。さらに各々
のゾーンにはそれぞれ独立に制御可能なマスフローコン
トローラーが設置されている。このガス導入部を用い、
マスフローコントローラーを制御することによって、各
吹出口からのガスの流量をその対応する領域の大きさに
合わせることができる。
［実施例］
表１に第１図に示す従来のガス導入部と第２図に示す本
発明のガス導入部を用いてＮ１０ＣＶ Ｄ法によってＩ
ｎＰ基板上にＧａｌｎＡｓＰ層をエピタキシャル成長さ
せた場合の組成及び膜厚の均一性（２インチウェハー内
）を示す。この時の成長条件は、成長温度６５０℃、成
長圧カフ ６ ｔｏｒｒ、総ガス流量１０ Ｑ ／ｍｉ
ｎ、 Ｖ／ ′ｆｆＪ比３００である。
発明のガス導入部を用いてＮ１０ＣＶ Ｄ法によってＩ
ｎＰ基板上にＧａｌｎＡｓＰ層をエピタキシャル成長さ
せた場合の組成及び膜厚の均一性（２インチウェハー内
）を示す。この時の成長条件は、成長温度６５０℃、成
長圧カフ ６ ｔｏｒｒ、総ガス流量１０ Ｑ ／ｍｉ
ｎ、 Ｖ／ ′ｆｆＪ比３００である。
表より本発明のガス導入部を用いることにより組成及び
膜厚の均一性が向上していることかわかる。
膜厚の均一性が向上していることかわかる。
表１ エピタキシャルウェハーの均一性の比較（２イン
チウェハー内） 〔発明の効果ｊ 以上説明したように１本発明のガス導入部を用いること
によって大面積にわたっての膜厚及び組成の均一なエピ
タキシャル膜を成長させることができた。
チウェハー内） 〔発明の効果ｊ 以上説明したように１本発明のガス導入部を用いること
によって大面積にわたっての膜厚及び組成の均一なエピ
タキシャル膜を成長させることができた。
第１図は従来の気相エピタキシャル装置の概略図を示し
、 第２図は本発明のガス導入部を備えた気相エピタキシャ
ル装置を示す図である。
、 第２図は本発明のガス導入部を備えた気相エピタキシャ
ル装置を示す図である。
Claims (2)
- （１）原料ガスを反応管内へ導入するガス導入部がゾー
ン分割されていることを特徴とする気相エピタキシャル
成長装置。 - （２）請求項１において上記のゾーン分割されたガス導
入口に、それぞれ独立に制御可能なマスフローコントロ
ーラーを備えることを特徴とした気相エピタキシャル成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31152290A JPH04187594A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 気相エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31152290A JPH04187594A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 気相エピタキシャル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04187594A true JPH04187594A (ja) | 1992-07-06 |
Family
ID=18018253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31152290A Pending JPH04187594A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 気相エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04187594A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0854210A1 (en) * | 1996-12-19 | 1998-07-22 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Vapor deposition apparatus and method for forming thin film |
| JP2004327582A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Horiba Stec Co Ltd | 薄膜堆積装置 |
| RU2555018C2 (ru) * | 2010-12-23 | 2015-07-10 | Элемент Сикс Лимитед | Контролируемое легирование синтетического алмазного материала |
| US11371147B2 (en) | 2010-12-23 | 2022-06-28 | Element Six Technologies Limited | Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
-
1990
- 1990-11-19 JP JP31152290A patent/JPH04187594A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0854210A1 (en) * | 1996-12-19 | 1998-07-22 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Vapor deposition apparatus and method for forming thin film |
| US6059885A (en) * | 1996-12-19 | 2000-05-09 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Vapor deposition apparatus and method for forming thin film |
| JP2004327582A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Horiba Stec Co Ltd | 薄膜堆積装置 |
| RU2555018C2 (ru) * | 2010-12-23 | 2015-07-10 | Элемент Сикс Лимитед | Контролируемое легирование синтетического алмазного материала |
| US9637838B2 (en) | 2010-12-23 | 2017-05-02 | Element Six Limited | Methods of manufacturing synthetic diamond material by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition from a microwave generator and gas inlet(s) disposed opposite the growth surface area |
| US11371147B2 (en) | 2010-12-23 | 2022-06-28 | Element Six Technologies Limited | Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
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