JPH0376242A - プローブ針の研磨用チツプを有するウエハ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体のウェハテストにおいて、固定プロー
ブ針の研磨用チップを有するウェハに関するものである
０ 〔従来の技術〕 第３図は従来のウェハの平面図である。第４図はこのウ
ェハ上のチップをテストする際に、固定プローブ針をチ
ップのＡ６［１ｉにコンタクトした時の拡大正面図を示
す０ 図において、（１）はウェハ、（３）は固定プローブ針
（タングステン）％（４）はＡｎ　ｔ＠　、　（５）は
ガラスコー）　（ＳｉＯ５ｉＮ）％（６）はＳｌを示す
〇！ 通常のテストにおいてはＡ４電ｇ７Ａ（４）に固定プロ
ーブ針（３）を７０〜８０μｍオーバーロードする事に
よって、コンタクトを取っている。この時、　Ａｆｆｌ
電ｆｆｌ　（４）はタングステンより柔かい為、タング
ステンがＭを削る形でコンタクトをしている。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のウェハテストは以上のように構成されていたので
、１ビンあたりに流れる電流値が大きいＩＣのウェハテ
ストをする場合、固定プローブ針の酸化によるコンタク
ト不良が発生するという問題点があった。

この発明は上記のような問題点を解決する為になされた
もので、ウェハテストを実施すると同時に酸化した固定
プローブ針を研磨する事を目的とする。

「課題を解決するための手段〕 この発明に係るウェハはウェハ上のあるチップが固定プ
ローブ研磨用のチップとして、アルミ電極が無いチップ
にしたものである。

〔作用〕

この発明におけるウェハはアルミ電極無しのチップに固
定プローブ針をコンタクトすると、タングステンのプロ
ーブ針がガラスコートを直接たたく事になり針先が研磨
される。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図擾こついて説明する。第
１図はこの発明の一実施例である固定１０−ブ針の研磨
用チップを有するウェハの平面図である。

図において、（１）はウェハ、（２）は研磨用チップで
ある○ 第２図は第１図の研磨用チップ（２）疹こ固定プローブ
針をコンタクトした状態の拡大正面図を示す。

図において、（３）は固定プローブ針（タングステン）
　、（４）はＡ＃［！、（５）はガラスコート（ＳｉＯ
，，５ＩＮ）、（６）はＳｔである〇 次に動作について説明する。歩留りに影響のないウェハ
（１）の周辺に欠はチップでないチップを研磨用チップ
（２）として例えば第１図に示す如く有している。

通常のチップではワイヤボンディング用もしくはテスト
用ｆｃ　Ａ６電極（４）が設けられているが、研磨用チ
ップ（２）には４６ｔｌｉを無くしである。

この研磨用チップ（２）にｓ２図のように固定プローブ
針（３）がコンタクトした場合、７０〜８０μｍオーバ
ーロードする為固定プローブ針（３）がガラスコート（
５）ｆζ直接コンタクトする。

ガラスコート（８１０！、　ＳｉＮ　）（５）はＡＡｔ
極よりも硬い為ガラスコート（５）を固定プローブ針（
３）がたたく事によって針先が研磨される。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、ウェハテストを実施す
ると同時に研磨用チッ１ｆこよって固定プローブ針先を
研磨できるので固定プローブ針の酸化によるコンタクト
不良を無くすることができ、また、ウェハは通常チップ
のアルミ電極を取り除くのみで作成できる為、容易に実
施が可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例であるプローブ針の研磨用
チップを有するウェハの平面図、第２図は研磨用チップ
に固定プローブ針をコンタクトした状態の拡大正面図、
第３図は従来のウェハの平面図、第４図はチップに固定
プローブ針をコンタクトした状態の拡大正面図である。 図において、（１）はウェハ、（２）は研磨用チップ、
（３）は固定プローブ針、（５）はガラスコー）、（６
）はＳｉを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体のウェハテストにおいて、固定プローブ針の酸化
   によるコンタクト不良を防ぐ為、ウェハ上に固定プロー
   ブ針の研磨用チップを設けた事を特徴とするプローブ針
   の研磨用チップを有するウェハ。