JPH0756873B2 - プローブ針の研磨用チツプを有するウエハ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体のウエハテストにおいて、固定プロー
ブ針の研磨用チツプを有するウエハに関するものであ
る。

〔従来の技術〕

第３図は従来のウエハの平面図である。第４図はこのウ
エハ上のチップをテストする際に、固定プローブ針をチ
ツプのAl電極にコンタクトした時の拡大正面図を示す。

図において、（１）はウエハ、（３）は固定プローブ針
（タングステン）、（４）はAl電極、（５）はガラスコ
ース（SiO₂・SiN）、（６）はSiを示す。

通常のテストにおいてはAl電極（４）に固定プローブ針
（３）を70〜80μｍオーバーロードする事によつて、コ
ンタクトを取つている。この時、Al電極（４）はタング
ステンより柔かい為、タングステンがAlを削る形でコン
タクトをしている。

〔発明が解決しようとする課題） 従来のウエハテストは以上のように構成されていたの
で、１ピンあたりに流れる電流値が大きいICのウエハテ
ストをする場合、固定プローブ針の酸化によるコンタク
ト不良が発生するという問題点があつた。

この発明は上記のような問題点を解決する為になされた
もので、ウエハテストを実施すると同時に酸化した固定
プローブ針を研磨する事を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係るウエハはウエハ上のあるチツプが固定プ
ローブ研磨用のチツプとして、アルミ電極が無いチツプ
にしたものである。

〔作用〕

この発明におけるウエハはアルミ電極無しのチツプに固
定プローブ針をコンタクトすると、タングステンのプロ
ーブ針がガラスコートを直接たたく事になり針先が研磨
される。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例である固定プローブ針の研磨用
チツプを有するウエハの平面図である。

図において、（１）はウエハ、（２）は研磨用チツプで
ある。

第２図は第１図の研磨用チツプ（２）に固定プローブ針
をコンタクトした状態の拡大正面図を示す。

図において、（３）は固定プローブ針（タングステ
ン）、（４）はAl電極、（５）はガラスコート（SiO₂、
SiN）、（６）はSiである。

次に動作について説明する。歩留りに影響のないウエハ
（１）の周辺に欠けチツプでないチツプを研磨用チツプ
（２）として例えば第１図に示す如く有している。

通常のチツプではワイヤボンデイング用もしくはテスト
用にAl電極（４）が設けられているが、研磨用チツプ
（２）にはAl電極を無くしてある。

この研磨用チツプ（２）に第２図のように固定プローブ
針（３）がコンタクトした場合、70〜80μｍオーバーロ
ードする為固定プローブ針（３）がガラスコート（５）
に直接コンタクトする。

ガラスコート（SiO₂、SiN）（５）はAl電極よりも硬い
為ガラスコート（５）を固定プローブ針（３）がたたく
事によつて針先が研磨される。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、ウエハテストを実施す
ると同時に研磨用チツプによつて固定プローブ針先を研
磨できるので固定プローブ針の酸化によるコンタクト不
良を無くすることができ、また、ウエハは通常チツプの
アルミ電極を取り除くのみで作成できる為、容易に実施
が可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例であるプローブ針の研磨用
チツプを有するウエハの平面図、第２図は研磨用チツプ
に固定プローブ針をコンタクトした状態の拡大正面図、
第３図は従来のウエハの平面図、第４図はチツプに固定
プローブ針をコンタクトした状態の拡大正面図である。 図において、（１）はウエハ、（２）は研磨用チツプ、
（３）は固定プローブ針、（５）はガラスコート、
（６）はSiを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体のウエハテストにおいて、固定プロ
   ーブ針の酸化によるコンタクト不良を防ぐ為、ウエハ上
   に固定プローブ針の研磨用チツプを設けた事を特徴とす
   るプローブ針の研磨用チツプを有するウエハ。