JPH0376845B2 - - Google Patents
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- JPH0376845B2 JPH0376845B2 JP60167287A JP16728785A JPH0376845B2 JP H0376845 B2 JPH0376845 B2 JP H0376845B2 JP 60167287 A JP60167287 A JP 60167287A JP 16728785 A JP16728785 A JP 16728785A JP H0376845 B2 JPH0376845 B2 JP H0376845B2
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- Japan
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- light
- measured
- polarization
- electro
- optical fiber
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- Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は測定対象物に光を当ててその測定対象
物の移動変位量を光学的に測定する装置に係り、
特に光フアイバによつて光を被測定物まで導くよ
うにした光学的測定装置に関する。
物の移動変位量を光学的に測定する装置に係り、
特に光フアイバによつて光を被測定物まで導くよ
うにした光学的測定装置に関する。
この種の従来の技術は、第４図に示されてお
り、レーザ発振器１から出射したレーザ光ｂをビ
ームスプリツタ２によつて２つの光b1とb2とに分
け、光b1は反射面３で反射されて光検出器４に入
射し、一方ビームスプリツタ２を透過した光b2は
レンズ５、光フアイバ６、レンズ７を経て被測定
物８の表面で反射して再びレンズ７、光フアイバ
６、レンズ５を経てビームスプリツタ２によつて
光検出器４に入射されるようになつている。光検
出器４では光b1とb2とが干渉し、干渉光の明るさ
は被測定物８の変位量によつて変化するので、こ
の干渉光の明るさを光検出器４によつて電気信号
に変換したのち、測定回路９で測定し、これによ
つて被測定物８の変位量を知ることができるよう
になつている。なお符号１０はデイスプレーで、
第５図に示されるような信号が表示され、この信
号の波の数ｎから被測定物８の変位量δ（δ＝
nλ）が測定されるようになつている。
り、レーザ発振器１から出射したレーザ光ｂをビ
ームスプリツタ２によつて２つの光b1とb2とに分
け、光b1は反射面３で反射されて光検出器４に入
射し、一方ビームスプリツタ２を透過した光b2は
レンズ５、光フアイバ６、レンズ７を経て被測定
物８の表面で反射して再びレンズ７、光フアイバ
６、レンズ５を経てビームスプリツタ２によつて
光検出器４に入射されるようになつている。光検
出器４では光b1とb2とが干渉し、干渉光の明るさ
は被測定物８の変位量によつて変化するので、こ
の干渉光の明るさを光検出器４によつて電気信号
に変換したのち、測定回路９で測定し、これによ
つて被測定物８の変位量を知ることができるよう
になつている。なお符号１０はデイスプレーで、
第５図に示されるような信号が表示され、この信
号の波の数ｎから被測定物８の変位量δ（δ＝
nλ）が測定されるようになつている。
また特開昭58−151509号公報に示されるよう
に、表面粗さの光学的測定方法であつて、光路途
中に1/4波長板を複数備えた技術も知られている。
に、表面粗さの光学的測定方法であつて、光路途
中に1/4波長板を複数備えた技術も知られている。
前記した２つの従来の技術では、光路を異にす
る二つの光の一方の光だけが光フアイバ内を通る
ようになつている。そのため光フアイバの周囲の
温度変化、気圧変化あるいは光フアイバに与えら
れる振動などによつて光フアイバの屈折率が変化
し、このため測定回路９によつて検出される被測
定物８の変位量に測定誤差として表われるという
問題点があつた。
る二つの光の一方の光だけが光フアイバ内を通る
ようになつている。そのため光フアイバの周囲の
温度変化、気圧変化あるいは光フアイバに与えら
れる振動などによつて光フアイバの屈折率が変化
し、このため測定回路９によつて検出される被測
定物８の変位量に測定誤差として表われるという
問題点があつた。
また第４図に示す従来の技術では、被測定物８
の変位に応じて第５図に示すような信号が表われ
るが、被測定物８の変位方向までも判別できるよ
うにはなつておらず、これがため変位量は知れて
もどちらの方向に変位したかを検出することはで
きなかつた。
の変位に応じて第５図に示すような信号が表われ
るが、被測定物８の変位方向までも判別できるよ
うにはなつておらず、これがため変位量は知れて
もどちらの方向に変位したかを検出することはで
きなかつた。
この種の従来例を示すものとしては、さらに、
特開昭59−72005号および特開昭60−100002号が
ある。
特開昭59−72005号および特開昭60−100002号が
ある。
特開昭59−72005号においては、伝送用光フア
イバの種類を開示していない。かりにマルチモー
ドフアイバとすると、半透鏡に入射する光は可干
渉光ではなくなる。したがつて、半透鏡と反射鏡
とからの反射光同士は干渉しない。
イバの種類を開示していない。かりにマルチモー
ドフアイバとすると、半透鏡に入射する光は可干
渉光ではなくなる。したがつて、半透鏡と反射鏡
とからの反射光同士は干渉しない。
そこで、シングルモードフアイバとすれば、半
透鏡と反射鏡とからの反射光同士は干渉するが、
センサ用光フアイバ内で発生する位相変化の符号
を求めることはできず、変位の方向までも測定す
ることが不可能であつた。
透鏡と反射鏡とからの反射光同士は干渉するが、
センサ用光フアイバ内で発生する位相変化の符号
を求めることはできず、変位の方向までも測定す
ることが不可能であつた。
また、干渉光の強度は、半透鏡と反射鏡とから
の反射光強度によつても変化するから、測定精度
が低下する問題があつた。
の反射光強度によつても変化するから、測定精度
が低下する問題があつた。
さらに、伝送用光フアイバに温度変化や力等の
外乱が加わると、この伝送用光フアイバを伝播中
のレーザ光の偏波面が変化する。したがつて、セ
ンサ用フアイバ内で本来の検出対象の電流により
光の偏波面が変化したのか、伝送用フアイバ内で
外乱により偏波面が変化したのか、区別できなか
つた。
外乱が加わると、この伝送用光フアイバを伝播中
のレーザ光の偏波面が変化する。したがつて、セ
ンサ用フアイバ内で本来の検出対象の電流により
光の偏波面が変化したのか、伝送用フアイバ内で
外乱により偏波面が変化したのか、区別できなか
つた。
一方、特開昭60−100002号においては、伝送用
光フアイバの先端に設ける検出部が複雑になると
ともに、受光・表示器と検出部との間をさらに別
のフアイバで連結しなければならない欠点があつ
た。
光フアイバの先端に設ける検出部が複雑になると
ともに、受光・表示器と検出部との間をさらに別
のフアイバで連結しなければならない欠点があつ
た。
また、直線偏光の光を入射させても、光フアイ
バを伝播中にこの光フアイバに外乱が作用する
と、出射するときは楕円偏光となる。すなわち、
光フアイバからの出射光は、偏光面が直交し位相
差の異なる２つの直線偏光が合成された光とな
る。その後偏光ビームスプリツタで反射光と透過
光とに２分割されるが、反射光の中では前記２つ
の直線偏光の成分が干渉して光の強度が変化す
る。同様に、透過光の強度も変化する。したがつ
て、参照光と測定光とを干渉させても、その強度
は外乱によつても変化するから、測定精度が低下
する。
バを伝播中にこの光フアイバに外乱が作用する
と、出射するときは楕円偏光となる。すなわち、
光フアイバからの出射光は、偏光面が直交し位相
差の異なる２つの直線偏光が合成された光とな
る。その後偏光ビームスプリツタで反射光と透過
光とに２分割されるが、反射光の中では前記２つ
の直線偏光の成分が干渉して光の強度が変化す
る。同様に、透過光の強度も変化する。したがつ
て、参照光と測定光とを干渉させても、その強度
は外乱によつても変化するから、測定精度が低下
する。
この場合も、被測定量の符号を求めることがで
きず、変位の方向までも測定することが不可能で
あつた。
きず、変位の方向までも測定することが不可能で
あつた。
本発明の目的は、光フアイバの屈折率が各種外
乱によつて変化したとしても、その影響を受ける
ことがなく、被測定物の変位量とともに変位の方
向も測定可能な変位の光学的測定装置を提供する
ことである。
乱によつて変化したとしても、その影響を受ける
ことがなく、被測定物の変位量とともに変位の方
向も測定可能な変位の光学的測定装置を提供する
ことである。
本発明は、上記目的を達成するために、直線偏
光を発するレーザ発振器と、電圧によつて駆動さ
れレーザ発振器から出た光の位相を変調する電気
光学結晶と、電気光学結晶から入射された光の偏
光面を保持しつつ被測定物側に出射するととも
に、被測定物側から戻つてきた反射光の偏光面を
保持しつつ電気光学結晶側に出射する偏光面保存
光フアイバと、偏光面保存光フアイバの被測定物
側端部と被測定物との間に位置し、測定基準面と
なる入射表面上で透過光と反射光とに分離し、透
過光が偏光方向を変えずに逆方向から入射すると
光の偏光方向を90゜変える1/4波長板と、偏光面保
存光フアイバの電気光学結晶側端部から出射され
た反射光を偏光面によつて２分割する偏光ビーム
スプリツタと、偏光ビームスプリツタで分割され
たそれぞれの光の明るさが最大又は最小となると
きの電気光学結晶への印加電圧を検出し、この印
加電圧およびその差から被測定物の変位方向およ
び変位量を算出する測定部とを備えた変位の光学
的測定装置を提案するものである。
光を発するレーザ発振器と、電圧によつて駆動さ
れレーザ発振器から出た光の位相を変調する電気
光学結晶と、電気光学結晶から入射された光の偏
光面を保持しつつ被測定物側に出射するととも
に、被測定物側から戻つてきた反射光の偏光面を
保持しつつ電気光学結晶側に出射する偏光面保存
光フアイバと、偏光面保存光フアイバの被測定物
側端部と被測定物との間に位置し、測定基準面と
なる入射表面上で透過光と反射光とに分離し、透
過光が偏光方向を変えずに逆方向から入射すると
光の偏光方向を90゜変える1/4波長板と、偏光面保
存光フアイバの電気光学結晶側端部から出射され
た反射光を偏光面によつて２分割する偏光ビーム
スプリツタと、偏光ビームスプリツタで分割され
たそれぞれの光の明るさが最大又は最小となると
きの電気光学結晶への印加電圧を検出し、この印
加電圧およびその差から被測定物の変位方向およ
び変位量を算出する測定部とを備えた変位の光学
的測定装置を提案するものである。
次に、本発明の実施例の全体構成を示す第１図
を参照して、本発明の作用を説明する。
を参照して、本発明の作用を説明する。
偏光面保存光フアイバ１６の出射端であるフア
イバ端部１６Ｆの前方に測定基準面２２を設け
る。この基準面２２での反射光も被測定物１８の
表面での反射光と同様に光フアイバ１６内を通る
ので、偏光ビームスプリツタ２６で分離された二
つの光I1、I2の光路差に光フアイバ１６の存在が
影響を与えなくなる。その結果、光フアイバ１６
の屈折率の変化によつて測定誤差が生ずることが
なくなる。
イバ端部１６Ｆの前方に測定基準面２２を設け
る。この基準面２２での反射光も被測定物１８の
表面での反射光と同様に光フアイバ１６内を通る
ので、偏光ビームスプリツタ２６で分離された二
つの光I1、I2の光路差に光フアイバ１６の存在が
影響を与えなくなる。その結果、光フアイバ１６
の屈折率の変化によつて測定誤差が生ずることが
なくなる。
また、測定部においては、偏光ビームスプリツ
タで分割されたそれぞれの光の明るさが最大又は
最小となるときの電気光学結晶への印加電圧を検
出し、この印加電圧およびその差から被測定物の
変位方向および変位量を算出することから、変位
量のみならず、変位の方向も正確に把握できる。
タで分割されたそれぞれの光の明るさが最大又は
最小となるときの電気光学結晶への印加電圧を検
出し、この印加電圧およびその差から被測定物の
変位方向および変位量を算出することから、変位
量のみならず、変位の方向も正確に把握できる。
次に本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明の実施例の全体概要図であり、
この図において、符号１１はレーザ発振器で、こ
のレーザ発振器１１によつて出射されるレーザ光
の光軸上には、高周波電源１３によつて駆動さ
れ、入射光の位相を変調するための電気光学結晶
１２が設置されている。電気光学結晶１２を経た
光の光軸上には光の一部を反射し、一部を透過さ
せるビームスプリツタ１４が配置されている。ビ
ームスプリツタ１４の透過光Ｂの光軸上には、入
射光の偏光面をそのままの状態で光を導く偏光面
保存光フアイバ１６の一端１６Ｅが配置され、透
過光Ｂはこの光フアイバ１６に導かれてフアイバ
他端部１６Ｆから被測定物１８に向つて出射され
るようになつている。偏光面保存光フアイバ１６
は、第３図に示されるように、中央のコア１６
Ａ、その外周にあるクラツド１６Ｂ、その外周の
楕円ジヤケツト１６Ｃ、最外周にあるサポート管
１６Ｄから構成されており、コア１６Ａに集光さ
れた光はクラツド１６Ｂとの境界面で全反射をく
り返しながらコア１６Ａの中を進行するようにな
つている。
この図において、符号１１はレーザ発振器で、こ
のレーザ発振器１１によつて出射されるレーザ光
の光軸上には、高周波電源１３によつて駆動さ
れ、入射光の位相を変調するための電気光学結晶
１２が設置されている。電気光学結晶１２を経た
光の光軸上には光の一部を反射し、一部を透過さ
せるビームスプリツタ１４が配置されている。ビ
ームスプリツタ１４の透過光Ｂの光軸上には、入
射光の偏光面をそのままの状態で光を導く偏光面
保存光フアイバ１６の一端１６Ｅが配置され、透
過光Ｂはこの光フアイバ１６に導かれてフアイバ
他端部１６Ｆから被測定物１８に向つて出射され
るようになつている。偏光面保存光フアイバ１６
は、第３図に示されるように、中央のコア１６
Ａ、その外周にあるクラツド１６Ｂ、その外周の
楕円ジヤケツト１６Ｃ、最外周にあるサポート管
１６Ｄから構成されており、コア１６Ａに集光さ
れた光はクラツド１６Ｂとの境界面で全反射をく
り返しながらコア１６Ａの中を進行するようにな
つている。
光フアイバ１６の両端部１６Ｅ，１６Ｆ近傍に
はレンズ２０（２０Ａ，２０Ｂ）が配置されてお
り、光フアイバ１６の入射端への集光および光フ
アイバ１６からの出射光の平行化をおこなうよう
になつている。レンズ２０Ｂの前方には測定基準
面２２となる表面上で入射光Ｂを反射光B1と透
過光B2とに分離し、透過光B2が偏光方向を変え
ずに逆方向から入射すると光の偏波面を入射した
時点と90゜変える作用のある1/4波長板２４が設置
されており、この1/4波長板２４表面の測定基準
面２２で反射した光B1および1/4波長板２４を透
過して被測定物１８表面で反射し、1/4波長板を
透過した光B2は光フアイバ１６を通つて再びビ
ームスプリツタ１４に入射されるようになつてい
る。
はレンズ２０（２０Ａ，２０Ｂ）が配置されてお
り、光フアイバ１６の入射端への集光および光フ
アイバ１６からの出射光の平行化をおこなうよう
になつている。レンズ２０Ｂの前方には測定基準
面２２となる表面上で入射光Ｂを反射光B1と透
過光B2とに分離し、透過光B2が偏光方向を変え
ずに逆方向から入射すると光の偏波面を入射した
時点と90゜変える作用のある1/4波長板２４が設置
されており、この1/4波長板２４表面の測定基準
面２２で反射した光B1および1/4波長板２４を透
過して被測定物１８表面で反射し、1/4波長板を
透過した光B2は光フアイバ１６を通つて再びビ
ームスプリツタ１４に入射されるようになつてい
る。
ビームスプリツタ１４によつて分離される反射
光Ｉの光軸上には偏光面の違いによつて二つの光
I1、I2に分離する偏光ビームスプリツタ２６が設
けられており、この偏光ビームスプリツタ２６で
分離された光I1、I2のそれぞれの光軸上には光電
変換によつて光を電気信号に変換する光検出器２
８，２９、これらの光検出器２８，２９によつて
検出される電気信号の最大値（又は最小値）を検
出する極大（又は極小）検出回路３０，３１、こ
れらの検出回路３０，３１によつて検出された極
大（又は極小）値を示すときの電気光学結晶１２
への印加電圧を捕捉し、そのときの電圧値を記憶
するサンプルホールド回路３２，３３が順次設け
られており、サンプルホールド回路３２，３３は
引算回路３４に続されて、サンプルホールド回路
３２，３３でそれぞれ記憶された電圧V1，V2の
差を算出するようになつている。すなわち光検出
器２８，２９、極大（又は極小）検出回路３０，
３１、サンプルホールド回路３２，３３、引算回
路３４によつて偏光ビームスプリツタ２６で分離
された２つの光I1、I2の明るさの最大（又は最
小）値の差から被測定物１８の変位量を測定する
測定部４０が構成されている。
光Ｉの光軸上には偏光面の違いによつて二つの光
I1、I2に分離する偏光ビームスプリツタ２６が設
けられており、この偏光ビームスプリツタ２６で
分離された光I1、I2のそれぞれの光軸上には光電
変換によつて光を電気信号に変換する光検出器２
８，２９、これらの光検出器２８，２９によつて
検出される電気信号の最大値（又は最小値）を検
出する極大（又は極小）検出回路３０，３１、こ
れらの検出回路３０，３１によつて検出された極
大（又は極小）値を示すときの電気光学結晶１２
への印加電圧を捕捉し、そのときの電圧値を記憶
するサンプルホールド回路３２，３３が順次設け
られており、サンプルホールド回路３２，３３は
引算回路３４に続されて、サンプルホールド回路
３２，３３でそれぞれ記憶された電圧V1，V2の
差を算出するようになつている。すなわち光検出
器２８，２９、極大（又は極小）検出回路３０，
３１、サンプルホールド回路３２，３３、引算回
路３４によつて偏光ビームスプリツタ２６で分離
された２つの光I1、I2の明るさの最大（又は最
小）値の差から被測定物１８の変位量を測定する
測定部４０が構成されている。
さらに、本実施例による被測定物１８の変位測
定について説明する。
定について説明する。
電気光学結晶１２は第２図に示すような直交３
軸Ｘ、Ｙ、Ｚを有し、光Ｉの入射方向にlcなる長
さを有している。いまXZ平面に平行な面を偏光
面とする直線偏光IxがＺ方向に進行するときの結
晶の屈折率をnx、同様にYZ面に平行な面を偏光
面とする直線偏光IyがＺ方向に進行するときの結
晶の屈折率をnyとすると、nx、nyは次式で示され
る。
軸Ｘ、Ｙ、Ｚを有し、光Ｉの入射方向にlcなる長
さを有している。いまXZ平面に平行な面を偏光
面とする直線偏光IxがＺ方向に進行するときの結
晶の屈折率をnx、同様にYZ面に平行な面を偏光
面とする直線偏光IyがＺ方向に進行するときの結
晶の屈折率をnyとすると、nx、nyは次式で示され
る。
nx＝nx0＋KxＶ ……(1)
ny＝ny0＋KyＶ ……(2)
但し、Ｖは電気光学結晶１２への印加電圧、
Kx、Kyは電気光学結晶の種類によつて定まる定
数、nx0、ny0は結晶への印加電圧が０のときの屈
折率である。
Kx、Kyは電気光学結晶の種類によつて定まる定
数、nx0、ny0は結晶への印加電圧が０のときの屈
折率である。
屈折率nxとnyとの差をΔnとすると、
Δn＝ny−nx
＝ny0−nx0＋（Ky−Kx）Ｖ ……(3)
レーザ光の偏光面は電気光学結晶１２のＸ軸に
対して45゜傾斜したX′Z面に平行となるように電気
光学結晶が設置されており、レーザ光は電気光学
結晶のXZ面に平行な偏光面を持つ光IxとYZ面に
平行な偏光面を持つ光Iyとに分解される。ここで
IX、IYがそれぞれ電気光学結晶１２を出射すると
きの位相をφXC、φYCとすると次式が得られる。
対して45゜傾斜したX′Z面に平行となるように電気
光学結晶が設置されており、レーザ光は電気光学
結晶のXZ面に平行な偏光面を持つ光IxとYZ面に
平行な偏光面を持つ光Iyとに分解される。ここで
IX、IYがそれぞれ電気光学結晶１２を出射すると
きの位相をφXC、φYCとすると次式が得られる。
φXC＝2π／λnxlc ……(4)
φYC＝2π／λnylc ……(5)
但し、lcは電気光学結晶の長さ、λはレーザ発
振器１１から発せられるレーザ光の波長である。
振器１１から発せられるレーザ光の波長である。
ビームスプリツタ１２を通過した光IX、IYは偏
光面保存光フアイバ１６に集光（符号Ｂで示す）
されるが、光フアイバ１６は、第３図に示される
ように、第２図に示す電気光学結晶１２のＸ軸と
光フアイバ１６のＸ軸とが一致するように配置さ
れており、光フアイバ１６に入射される光IXの偏
光面は第３図XZ面、光IYの偏光面は第３図YZ面
にそれぞれ平行な面となつている。このとき、光
IX、IYが光フアイバ１６中を進行することによる
位相の変化φxF、φyFは次式で示される。ここで
φxF、φyFはそれぞれ光IX、IYが受ける位相の変化
である。
光面保存光フアイバ１６に集光（符号Ｂで示す）
されるが、光フアイバ１６は、第３図に示される
ように、第２図に示す電気光学結晶１２のＸ軸と
光フアイバ１６のＸ軸とが一致するように配置さ
れており、光フアイバ１６に入射される光IXの偏
光面は第３図XZ面、光IYの偏光面は第３図YZ面
にそれぞれ平行な面となつている。このとき、光
IX、IYが光フアイバ１６中を進行することによる
位相の変化φxF、φyFは次式で示される。ここで
φxF、φyFはそれぞれ光IX、IYが受ける位相の変化
である。
φxF＝2πnxF／λlF ……(6)
φyF＝2πnyF／λlF ……(7)
但し、nxFは光フアイバ１６の光IYに対する屈
折率、nxFは光フアイバ１６の光IXに対する屈折
率、lFは光フアイバの長さである。
折率、nxFは光フアイバ１６の光IXに対する屈折
率、lFは光フアイバの長さである。
光フアイバ１６を出射した光はレンズ２０Ｂを
経て1/4波長板２４表面に形成されている測定基
準面２２に入射する。1/4波長板２４と光フアイ
バ１６の出射端１６Ａとの配置関係は、光フアイ
バ１６のＸ−Ｙ軸と1/4波長板２４の結晶軸Ｘ−
Ｙ軸とが相対的に45゜傾斜した状態となるように
配置されている。すなわち、光フアイバ１６から
の出射光IXの偏光面が1/4波長板の結晶軸Ｘと45゜
傾斜した状態となるように光フアイバ１６と1/4
波長板２４とが配置されている。レンズ２０Ｂを
出た光Ｂの一部は、第１図符号B1で示されるよ
うに、基準面２４で反射され、残りは符号B2で
示されるように1/4波長板２４を透過して被測定
物１８の表面で反射する。すなわち基準面２２へ
の２種類の入射光IXとIYがそれぞれ基準面２２と
被測定物１８の表面で反射し、基準面２２からレ
ンズ２０Ｂに向う光は４種類の反射光となつてい
る。この４種類の反射光の偏光面を考えると、 (1) 光IXの一部は基準面２２で反射するが、この
反射光の偏光面は変化せず、光IXの偏光面と同
じである。この光をI(X
経て1/4波長板２４表面に形成されている測定基
準面２２に入射する。1/4波長板２４と光フアイ
バ１６の出射端１６Ａとの配置関係は、光フアイ
バ１６のＸ−Ｙ軸と1/4波長板２４の結晶軸Ｘ−
Ｙ軸とが相対的に45゜傾斜した状態となるように
配置されている。すなわち、光フアイバ１６から
の出射光IXの偏光面が1/4波長板の結晶軸Ｘと45゜
傾斜した状態となるように光フアイバ１６と1/4
波長板２４とが配置されている。レンズ２０Ｂを
出た光Ｂの一部は、第１図符号B1で示されるよ
うに、基準面２４で反射され、残りは符号B2で
示されるように1/4波長板２４を透過して被測定
物１８の表面で反射する。すなわち基準面２２へ
の２種類の入射光IXとIYがそれぞれ基準面２２と
被測定物１８の表面で反射し、基準面２２からレ
ンズ２０Ｂに向う光は４種類の反射光となつてい
る。この４種類の反射光の偏光面を考えると、 (1) 光IXの一部は基準面２２で反射するが、この
反射光の偏光面は変化せず、光IXの偏光面と同
じである。この光をI(X
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 直線偏光を発するレーザ発振器と、 電圧によつて駆動され前記レーザ発振器から出
た光の位相を変調する電気光学結晶と、 前記電気光学結晶から入射された光の偏光面を
保持しつつ被測定物側に出射するとともに、被測
定物側から戻つてきた反射光の偏光面を保持しつ
つ前記電気光学結晶側に出射する偏光面保存光フ
アイバと、 前記偏光面保存光フアイバの被測定物側端部と
被測定物との間に位置し、測定基準面となる入射
表面上で透過光と反射光とに分離し、透過光が偏
光方向を変えずに逆方向から入射すると光の偏光
方向を90゜変える1/4波長板と、 前記偏光面保存光フアイバの前記電気光学結晶
側端部から出射された反射光を偏光面によつて２
分割する偏光ビームスプリツタと、 前記偏光ビームスプリツタで分割されたそれぞ
れの光の明るさが最大又は最小となるときの前記
電気光学結晶への印加電圧を検出し、この印加電
圧およびその差から被測定物の変位方向および変
位量を算出する測定部と を備えたことを特徴とする変位の光学的測定装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60167287A JPS6227603A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 変位の光学的測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60167287A JPS6227603A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 変位の光学的測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6227603A JPS6227603A (ja) | 1987-02-05 |
| JPH0376845B2 true JPH0376845B2 (ja) | 1991-12-06 |
Family
ID=15846955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60167287A Granted JPS6227603A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 変位の光学的測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6227603A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2792657B2 (ja) * | 1988-12-26 | 1998-09-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 走査型光学顕微鏡 |
| JP3044880B2 (ja) * | 1991-11-22 | 2000-05-22 | トヨタ自動車株式会社 | シリーズハイブリッド車の駆動制御装置 |
| JPH0829128A (ja) * | 1994-07-12 | 1996-02-02 | Hitachi Ltd | 物理量測定装置及びその測定器 |
| JP4939765B2 (ja) | 2005-03-28 | 2012-05-30 | 株式会社日立製作所 | 変位計測方法とその装置 |
| JP5093220B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2012-12-12 | 株式会社日立製作所 | 変位計測方法とその装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5972005A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-23 | Nec Corp | 光干渉型光フアイバセンサ |
| EP0112399B1 (de) * | 1982-12-20 | 1987-03-11 | Ibm Deutschland Gmbh | Interferometrisches Messverfahren für Oberflächen |
| JPS60100002A (ja) * | 1983-11-04 | 1985-06-03 | Hitachi Cable Ltd | 偏波面保存光フアイバを用いた光干渉計 |
-
1985
- 1985-07-29 JP JP60167287A patent/JPS6227603A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6227603A (ja) | 1987-02-05 |
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