JPH0377158B2 - - Google Patents
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- JPH0377158B2 JPH0377158B2 JP59253928A JP25392884A JPH0377158B2 JP H0377158 B2 JPH0377158 B2 JP H0377158B2 JP 59253928 A JP59253928 A JP 59253928A JP 25392884 A JP25392884 A JP 25392884A JP H0377158 B2 JPH0377158 B2 JP H0377158B2
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- Japan
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- layer
- substrate
- target
- composition
- electrode
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は陰極スパツタによつて堆積させた層を
焼もどし処理により結晶化することにより基板上
に薄いフエリ磁性単結晶ガーネツト層を製造する
方法に関するものである。
焼もどし処理により結晶化することにより基板上
に薄いフエリ磁性単結晶ガーネツト層を製造する
方法に関するものである。
かかる方法は、例えば、米国特許第3607698号
から既知である。
から既知である。
薄いフエリ磁性ガーネツト層を製造することの
重要性は、かかるガーネツト層を磁気分野および
磁気光学分野のそれぞれにおいて、例えば、表示
装置として、光プリンタ用に、磁気バルブドメイ
ン装置用に、ジヤイロ・レーザーにおいてまた光
通信分野の構成部品、例えば、電磁放射によつて
アドレスすることができるメモリー装置における
能動素子用に使用できる可能性があるため、最近
数年間に増大してきた。
重要性は、かかるガーネツト層を磁気分野および
磁気光学分野のそれぞれにおいて、例えば、表示
装置として、光プリンタ用に、磁気バルブドメイ
ン装置用に、ジヤイロ・レーザーにおいてまた光
通信分野の構成部品、例えば、電磁放射によつて
アドレスすることができるメモリー装置における
能動素子用に使用できる可能性があるため、最近
数年間に増大してきた。
ガーネツト層の製造に際し、陰極スパツタ（高
周波（HF）プラズマスパツタまたはRFダイオー
ドスパツタ）による堆積法が工業的生産において
関心が持たれており、この理由は比較的広い面積
にわたる誘電層の均一な堆積を達成する困難をこ
の方法によつて最も良く克服できるからである。
周波（HF）プラズマスパツタまたはRFダイオー
ドスパツタ）による堆積法が工業的生産において
関心が持たれており、この理由は比較的広い面積
にわたる誘電層の均一な堆積を達成する困難をこ
の方法によつて最も良く克服できるからである。
ほぼ適合した格子定数を有する単結晶基板上に
液相エピタキシヤル（LPE）法によつて単結晶
ガーネツト層を堆積させる従来法は費用が高くな
るので、再現性のある結果が得られるように多量
生産を実施することができる程度までは従来開発
されていない。難点は例えば単結晶基板にあり、
かかる基板はこれから切出される単結晶の寸法に
左右されるので任意の大きさに製造することがで
きない。
液相エピタキシヤル（LPE）法によつて単結晶
ガーネツト層を堆積させる従来法は費用が高くな
るので、再現性のある結果が得られるように多量
生産を実施することができる程度までは従来開発
されていない。難点は例えば単結晶基板にあり、
かかる基板はこれから切出される単結晶の寸法に
左右されるので任意の大きさに製造することがで
きない。
液相エピタキシヤル法と比較すると、HFプラ
ズマスパツタ法はガーネツト層を製造する場合に
一連の利点を提供し、使用装置に貴金属を必要と
せず、単結晶基板の製造に伴う大きな工程費用を
省くことができ、また連続法も可能である。しか
も、HFプラズマスパツタ法は極めて多方面にわ
たる利点を提供する。この理由は基板と層との多
種多用の組合せが可能になりかつ寸法の比較的大
きい層を製造できるからである。しかし、今日ま
で、液相エピタキシヤル法によるのが有利である
ことが知られていたガーネツト層を、HFプラズ
マスパツタ法によつて化学量論的な層が再現でき
るように生成し、しかもこの層が例えば変調器用
に必要であるような厚いフエリ磁性ガーネツト層
を工業的製造法にとつても有用である短時間内に
堆積させることができるような速いスパツタ速度
で得られるように、製造することは不可能であつ
た。このことは例えばビスマスで置換された鉄ガ
ーネツト層に該当する。
ズマスパツタ法はガーネツト層を製造する場合に
一連の利点を提供し、使用装置に貴金属を必要と
せず、単結晶基板の製造に伴う大きな工程費用を
省くことができ、また連続法も可能である。しか
も、HFプラズマスパツタ法は極めて多方面にわ
たる利点を提供する。この理由は基板と層との多
種多用の組合せが可能になりかつ寸法の比較的大
きい層を製造できるからである。しかし、今日ま
で、液相エピタキシヤル法によるのが有利である
ことが知られていたガーネツト層を、HFプラズ
マスパツタ法によつて化学量論的な層が再現でき
るように生成し、しかもこの層が例えば変調器用
に必要であるような厚いフエリ磁性ガーネツト層
を工業的製造法にとつても有用である短時間内に
堆積させることができるような速いスパツタ速度
で得られるように、製造することは不可能であつ
た。このことは例えばビスマスで置換された鉄ガ
ーネツト層に該当する。
本発明の目的は、上述の欠点を回避すると共に
ビスマスがドーブされている鉄ガーネツト層を効
率よく製造することができる、陰極スパツタによ
つて堆積させた層を焼もどし処理によつて結晶化
することにより基板上に薄いフエリ磁性単結晶ガ
ーネツト層を製造する方法を提供することにあ
る。
ビスマスがドーブされている鉄ガーネツト層を効
率よく製造することができる、陰極スパツタによ
つて堆積させた層を焼もどし処理によつて結晶化
することにより基板上に薄いフエリ磁性単結晶ガ
ーネツト層を製造する方法を提供することにあ
る。
本発明においては、次の一般式：
R3-xBixFe5-yMyO12
（式中のＲはCaおよび少くとも１種の希土類
金属からなる群から選定した少くとも１種の元
素、ＭはＡ，Ga，SiおよびGeからなる群から
選定した少くとも１種の元素を示し、かつ０≦ｘ
≦1.8および０≦ｙ≦1.2である）で表わされる層
を堆積させ、この際前記層の構成に関与する前記
元素を酸化物形態において酸化ビスマスが過剰で
あるほか所望の層組成に対応する濃度で含有する
ターゲツトを使用し、高周波電圧をターゲツト電
極並びに基板電極に、高周波発生器から得たスパ
ツタ処理に必要な高周波電力の90％以上をプラズ
マに前記ターゲツト電極を経由して供給し、前記
スパツタ処理に必要な高周波電力の10％以下を前
記プラズマに前記基板電極を経由して供給するこ
とにより上述の目的を達成する。
金属からなる群から選定した少くとも１種の元
素、ＭはＡ，Ga，SiおよびGeからなる群から
選定した少くとも１種の元素を示し、かつ０≦ｘ
≦1.8および０≦ｙ≦1.2である）で表わされる層
を堆積させ、この際前記層の構成に関与する前記
元素を酸化物形態において酸化ビスマスが過剰で
あるほか所望の層組成に対応する濃度で含有する
ターゲツトを使用し、高周波電圧をターゲツト電
極並びに基板電極に、高周波発生器から得たスパ
ツタ処理に必要な高周波電力の90％以上をプラズ
マに前記ターゲツト電極を経由して供給し、前記
スパツタ処理に必要な高周波電力の10％以下を前
記プラズマに前記基板電極を経由して供給するこ
とにより上述の目的を達成する。
陰極スパツタ法によりビスマスで置換された鉄
ガーネツト層を堆積させる際の特殊な問題は、酸
化物結合をしているビスマスのスパツタ収率が層
の他の構成成分より著しく大きいことである。従
つて、普通使用されているパラメーターを用いて
従来のHFプラズマスパツタを行つた場合には、
バツクスパツタ処理および熱的処理、例えば強力
な二次電子による基板の加熱によつて、基板電極
に生成した層中においてビスマスの消耗が起る。
本発明においては、驚くべきことには、先ず過剰
の酸化ビスマスをターゲツト中に存在させ、次い
でHF電圧（いわゆる基板のバイアス電圧）を基
板電極に供給した（上述のように ）場合に、所
望の化学量論的組成の層を再現可能にスパツタで
きることを見い出した。
ガーネツト層を堆積させる際の特殊な問題は、酸
化物結合をしているビスマスのスパツタ収率が層
の他の構成成分より著しく大きいことである。従
つて、普通使用されているパラメーターを用いて
従来のHFプラズマスパツタを行つた場合には、
バツクスパツタ処理および熱的処理、例えば強力
な二次電子による基板の加熱によつて、基板電極
に生成した層中においてビスマスの消耗が起る。
本発明においては、驚くべきことには、先ず過剰
の酸化ビスマスをターゲツト中に存在させ、次い
でHF電圧（いわゆる基板のバイアス電圧）を基
板電極に供給した（上述のように ）場合に、所
望の化学量論的組成の層を再現可能にスパツタで
きることを見い出した。
しかも、基板電極の温度はスパツタしようとす
る層中のビスマス濃度に影響を与えるので、基板
電極の温度を絶えず適当な値に調節することが必
要である。
る層中のビスマス濃度に影響を与えるので、基板
電極の温度を絶えず適当な値に調節することが必
要である。
生成した層のビスマス含量は基板電極における
HF電圧によつて極めて大きく左右されるので、
基板電極におけるHF電圧を絶えず例えばコンピ
ユータにより制御する必要がある。
HF電圧によつて極めて大きく左右されるので、
基板電極におけるHF電圧を絶えず例えばコンピ
ユータにより制御する必要がある。
本発明の他の有利な例では式：Gd2Bi1Fe4.3Ａ
0.7O12で表わされる組成を有する層を製造する。
0.7O12で表わされる組成を有する層を製造する。
本発明方法によつて製造される（Gd，Bi）3
（Fe，Ａ）5O12層は、その光学特性および磁気
光学特性並びに飽和磁化の温度依存性が液相エピ
タキシヤル法によつて製造される対応する組成を
有する層の値とほぼ一致しているが、生成する層
が液相エピタキシヤル法によつて製造される層の
場合とは異なり層の厚さ全体にわたつて高い均一
性を有している、という利点を有する。層中のビ
スマス含量を決める基板のバイアス電圧はコンピ
ユータによつて極めて正確に制御できるので、所
望の層組成の良好な調節可能性および層の特性の
良好な再現性が達成される。他の利点は堆積速度
が比較的大きいことで、これは工業的生産にとつ
て決定的な利点である。以下に本発明を式：Gd2
Bi1Fe4.3Ａ0.7O12で表わされる組成を有するガ
ーネツト層を製造する例について説明する。
（Fe，Ａ）5O12層は、その光学特性および磁気
光学特性並びに飽和磁化の温度依存性が液相エピ
タキシヤル法によつて製造される対応する組成を
有する層の値とほぼ一致しているが、生成する層
が液相エピタキシヤル法によつて製造される層の
場合とは異なり層の厚さ全体にわたつて高い均一
性を有している、という利点を有する。層中のビ
スマス含量を決める基板のバイアス電圧はコンピ
ユータによつて極めて正確に制御できるので、所
望の層組成の良好な調節可能性および層の特性の
良好な再現性が達成される。他の利点は堆積速度
が比較的大きいことで、これは工業的生産にとつ
て決定的な利点である。以下に本発明を式：Gd2
Bi1Fe4.3Ａ0.7O12で表わされる組成を有するガ
ーネツト層を製造する例について説明する。
陰極スパツタにはHF電圧によつて動作するダ
イオード装置における市販の陰極スパツタ装置を
使用することができ、この装置には必要な補助装
置としてターゲツト電極および基板電極の両方に
おける実効高周波電圧を測定するための測定装置
を設ける必要がある。スパツタ処理に必要なHF
電力を供給して、HF電力の90％以上がプラズマ
にターゲツト電極を経由して与えられ、HF電力
の10％以下がプラズマに基板電極を経由して与え
られるようにする。基板は基板電極に接続されて
いる。電極におけるHF電圧を電極の背面側で測
定し、前記HF電圧を絶えずコンピユータにより
制御する。製造される層の組成は基板電極に供給
されたHF電圧によつて決定的に左右される。こ
の理由は層の構成成分のスパツタ収率が異なるか
らである。特に、製造される層のビスマス含量は
基板電圧によつて制御できるが、層の構成に関与
する残りの元素の酸化物の濃度は実質的にターゲ
ツトの組成によつて予め決められる筈である。ス
パツタ装置用エネルギー源としては出力≦2kW
の通常のHF発生器を使用する。動作電圧は
13.56MHzとする。ターゲツト（陰極スパツタ源）
としては、層の構成に関与する元素の酸化物から
熱間押出しによつて製造された次の組成（重量
％）： Gd2O3 19.9 Bi2O3 55.1 Fe2O3 22.5 Ａ2O3 2.5 を有する直径7.6cm、厚さ５mm、多孔度0.2％の部
材を使用する。
イオード装置における市販の陰極スパツタ装置を
使用することができ、この装置には必要な補助装
置としてターゲツト電極および基板電極の両方に
おける実効高周波電圧を測定するための測定装置
を設ける必要がある。スパツタ処理に必要なHF
電力を供給して、HF電力の90％以上がプラズマ
にターゲツト電極を経由して与えられ、HF電力
の10％以下がプラズマに基板電極を経由して与え
られるようにする。基板は基板電極に接続されて
いる。電極におけるHF電圧を電極の背面側で測
定し、前記HF電圧を絶えずコンピユータにより
制御する。製造される層の組成は基板電極に供給
されたHF電圧によつて決定的に左右される。こ
の理由は層の構成成分のスパツタ収率が異なるか
らである。特に、製造される層のビスマス含量は
基板電圧によつて制御できるが、層の構成に関与
する残りの元素の酸化物の濃度は実質的にターゲ
ツトの組成によつて予め決められる筈である。ス
パツタ装置用エネルギー源としては出力≦2kW
の通常のHF発生器を使用する。動作電圧は
13.56MHzとする。ターゲツト（陰極スパツタ源）
としては、層の構成に関与する元素の酸化物から
熱間押出しによつて製造された次の組成（重量
％）： Gd2O3 19.9 Bi2O3 55.1 Fe2O3 22.5 Ａ2O3 2.5 を有する直径7.6cm、厚さ５mm、多孔度0.2％の部
材を使用する。
ターゲツト部材を熱伝動率の優れた接着剤によ
つて支持体に取付け、次いでこの結合部材をター
ゲツト電極に接続する。
つて支持体に取付け、次いでこの結合部材をター
ゲツト電極に接続する。
またターゲツト部材は層の構成に関与する元素
の酸化物を冷間押出しし、次いで焼結することに
より製造することができる。熱間押出しによつて
製造されたターゲツト部材と同一組成の冷間押出
しターゲツト部材は、成形した表面（みぞ構造お
よび通路構造）を有する板をキヤリヤとして使用
してキヤリヤに対するターゲツト材料の良好な結
合を達成することにより製造される。直径15.24
cm、厚さ１mmの冷間押出しターゲツトを使用す
る。
の酸化物を冷間押出しし、次いで焼結することに
より製造することができる。熱間押出しによつて
製造されたターゲツト部材と同一組成の冷間押出
しターゲツト部材は、成形した表面（みぞ構造お
よび通路構造）を有する板をキヤリヤとして使用
してキヤリヤに対するターゲツト材料の良好な結
合を達成することにより製造される。直径15.24
cm、厚さ１mmの冷間押出しターゲツトを使用す
る。
エネルギー損失に起因する熱を回避するには、
例えば、水冷ターゲツト電極を使用するのが有効
である。
例えば、水冷ターゲツト電極を使用するのが有効
である。
基板電極としては高周波に適した直径15.24cm
の電極を使用し、この電極を300℃の温度で加熱
する。基板としては（lll）配向面を有しCa／
Mg／Zrで置換されたガドリニウム−ガリウムガ
ーネツト単結晶デイスクまたは高い転移温度およ
び堆積させようとする層の材料に適合した熱膨脹
係数を有するガラス板を使用する。基板の選定は
製造した層の用途によつて左右される。面積の広
い層、例えば、表示装置用の層が必要である場合
には、ガラス基板が特に適当である。
の電極を使用し、この電極を300℃の温度で加熱
する。基板としては（lll）配向面を有しCa／
Mg／Zrで置換されたガドリニウム−ガリウムガ
ーネツト単結晶デイスクまたは高い転移温度およ
び堆積させようとする層の材料に適合した熱膨脹
係数を有するガラス板を使用する。基板の選定は
製造した層の用途によつて左右される。面積の広
い層、例えば、表示装置用の層が必要である場合
には、ガラス基板が特に適当である。
先ずスパツタ装置を真空ポンプにより約10-5ミ
リバールの圧力まで排気し、次いで純酸素を約２
×10-2ミリバールの圧力まで導入する。電極間隔
は35mmとする。堆積速度は冷間押出しターゲツト
部材を使用する場合には約0.3μm／ｈとし、熱間
押出しターゲツト部材を使用する場合には
0.2μm／ｈとする。電極の背面側におけるHF入
口で測定した高周波電圧はターゲツト電極の場合
には500Veffで、基板電極の場合には20Veffであ
り、電極におけるHF電圧はコンピユータにより
絶えず精度１％で制御される。かかる条件におけ
る層の組成の再現性における代表的な変動は約１
％である。
リバールの圧力まで排気し、次いで純酸素を約２
×10-2ミリバールの圧力まで導入する。電極間隔
は35mmとする。堆積速度は冷間押出しターゲツト
部材を使用する場合には約0.3μm／ｈとし、熱間
押出しターゲツト部材を使用する場合には
0.2μm／ｈとする。電極の背面側におけるHF入
口で測定した高周波電圧はターゲツト電極の場合
には500Veffで、基板電極の場合には20Veffであ
り、電極におけるHF電圧はコンピユータにより
絶えず精度１％で制御される。かかる条件におけ
る層の組成の再現性における代表的な変動は約１
％である。
層の堆積前に、ターゲツトおよび基板をそれぞ
れスパツタにより10分間エツチングし、この基板
を堆積温度で約30分間加熱する。この際前記処理
に先立つて基板をリン酸中で150℃において20秒
間エツチングし、脱イオンした流水中で洗浄し、
遠心分離機にかける。
れスパツタにより10分間エツチングし、この基板
を堆積温度で約30分間加熱する。この際前記処理
に先立つて基板をリン酸中で150℃において20秒
間エツチングし、脱イオンした流水中で洗浄し、
遠心分離機にかける。
陰極スパツタ装置で堆積させた後、層はＸ線ア
モルフアスである。単相単結晶ビスマス−鉄ガー
ネツト層への転移は、酸素雰囲気中で、単結晶ガ
ーネツト基板を使用する場合には約730℃の温度
で、またガラス基板を使用する場合には約780℃
の温度で加熱することにより起る。結晶相に転移
させるための焼もどし処理は次の温度条件で行
う：加熱速度をガラス基板では30℃／時間とし単
結晶ガーネツト基板では100℃／時間とし；最高
温度に１〜２時間維持し；冷却速度をガラス基板
では30℃／時間とし単結晶ガーネツト基板では
100℃／時間とする。
モルフアスである。単相単結晶ビスマス−鉄ガー
ネツト層への転移は、酸素雰囲気中で、単結晶ガ
ーネツト基板を使用する場合には約730℃の温度
で、またガラス基板を使用する場合には約780℃
の温度で加熱することにより起る。結晶相に転移
させるための焼もどし処理は次の温度条件で行
う：加熱速度をガラス基板では30℃／時間とし単
結晶ガーネツト基板では100℃／時間とし；最高
温度に１〜２時間維持し；冷却速度をガラス基板
では30℃／時間とし単結晶ガーネツト基板では
100℃／時間とする。
磁気光学分光写真術およびＸ線構造分析によつ
て、（Gd，Bi）3（Fe，Ａ）5O12が層中に唯一の
相として存在していることを確認した。
て、（Gd，Bi）3（Fe，Ａ）5O12が層中に唯一の
相として存在していることを確認した。
上述のようにして得た単結晶層について測定し
た結果は次の性質を示した： − 300Kにおける飽和磁化の磁気補償点、 −約１×10-4エルグ／cm3における単軸磁気異方性 − 波長633nmにおける屈折率：2.34 −波長633nmにおける特定のフアラデー回転：層
の厚さに対して1.1°／μm − 波長633nmにおける光吸収係数：1000／cm、 − 堆積層の厚さ：１〜2μm。
た結果は次の性質を示した： − 300Kにおける飽和磁化の磁気補償点、 −約１×10-4エルグ／cm3における単軸磁気異方性 − 波長633nmにおける屈折率：2.34 −波長633nmにおける特定のフアラデー回転：層
の厚さに対して1.1°／μm − 波長633nmにおける光吸収係数：1000／cm、 − 堆積層の厚さ：１〜2μm。
本発明の特殊な利点は、堆積層における酸化ビ
スマスのスパツタ収率が層の他の構成成分より本
質的に大きいにもかかわらず、所定の層組成を再
現可能に得ることができ、堆積層が層の厚さ全体
にわたつて高い均一性を示すことである。本発明
方法において達成できる速い堆積速度は能率のよ
い製造に関して極めて有利である。
スマスのスパツタ収率が層の他の構成成分より本
質的に大きいにもかかわらず、所定の層組成を再
現可能に得ることができ、堆積層が層の厚さ全体
にわたつて高い均一性を示すことである。本発明
方法において達成できる速い堆積速度は能率のよ
い製造に関して極めて有利である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 陰極スパツタによつて堆積させた層を焼もど
し処理により結晶化することにより基板上に薄い
フエリ磁性単結晶ガーネツト層を製造するに当
り、 次の一般式： R3-xBixFe5-yMyO12 〓式中のＲはCaおよび少くとも１種の希土類
金属からなる群から選定した少くとも１種の元
素、ＭはＡ，Ga，SiおよびGeからなる群から
選定した少くとも１種の元素を示し、かつ０≦ｘ
≦1.8および０≦ｙ≦1.2である）で表わされる層
を堆積させ、この際前記層の構成に関与する前記
元素を酸化物形態において酸化ビスマスが過剰で
あるほか所望の層組成に対応する濃度で含有する
ターゲツトを使用し、 高周波電圧をターゲツト電極並びに基板電極
に、高周波発生器から得たスパツタ処理に必要な
高周波電力の90％以上をプラズマに前記ターゲツ
ト電極を経由して供給し、前記スパツタ処理に必
要な高周波電力の10％以下を前記プラズマに前記
基板電極を経由して供給することを特徴とする薄
いフエリ磁性単結晶ガーネツト層の製造方法。 ２ 前記層の組成が式：Gd2Bi1Fe4.3Ａ0.7O12に
相当する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３ 前記ターゲツトを前記層の構成に関与する元
素の酸化物からの熱間押出しにより製造する特許
請求の範囲第１項記載の方法。 ４ 前記ターゲツトを前記層の構成に関与する元
素の酸化物の冷間押出しおよび焼結により製造す
る特許請求の範囲第１項記載の方法。 ５ 前記ターゲツトが次の組成（重量％）： Gd2O3 19.9 Bi2O3 55.1 Fe2O3 22.5 Ａ2O3 2.5 を有する特許請求の範囲第２〜４項のいずれか一
つの項に記載の方法。 ６ （lll）配向面で切断した非磁性単結晶ガーネ
ツトデイスクを基板として使用する特許請求の範
囲第１項記載の方法。 ７ カルシウム／マグネシウム／ジルコニウムで
置換されたガドリニウム／ガリウム／ガーネツト
（（Gd，Ca）2（Ga，Mg，Zr）5O12）を基板として
使用する特許請求の範囲第６項記載の方法。 ８ アモルフアス基板を使用する特許請求の範囲
第１項記載の方法。 ９ 高いガラス転移温度および堆積させようとす
る前記層に適合した熱膨脹係数を有するガラスを
基板として使用する特許請求の範囲第８項記載の
方法。 １０ 前記層を堆積させ、次いで純酸素雰囲気中
で焼もどす特許請求の範囲第１項記載の方法。 １１ 焼もどしを約730℃の温度で行う特許請求
の範囲第６項記載の方法。 １２ 焼もどしを約780℃の温度で行う特許請求
の範囲第９項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3343768.8 | 1983-12-03 | ||
| DE19833343768 DE3343768A1 (de) | 1983-12-03 | 1983-12-03 | Verfahren zur herstellung duenner einkristalliner ferrimagnetischer granatschichten durch kathodenzerstaeubung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60131898A JPS60131898A (ja) | 1985-07-13 |
| JPH0377158B2 true JPH0377158B2 (ja) | 1991-12-09 |
Family
ID=6215959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59253928A Granted JPS60131898A (ja) | 1983-12-03 | 1984-11-30 | 薄いフエリ磁性単結晶ガーネツト層の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0146985B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60131898A (ja) |
| DE (2) | DE3343768A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1985002292A1 (fr) * | 1983-11-17 | 1985-05-23 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Procede de fabrication d'un film d'enregistrement photothermomagnetique |
| DE3605793A1 (de) * | 1986-02-22 | 1987-08-27 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung von strukturierten epitaxialen schichten auf einem substrat |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3887451A (en) * | 1972-12-29 | 1975-06-03 | Ibm | Method for sputtering garnet compound layer |
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-
1984
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- 1984-11-28 EP EP84201733A patent/EP0146985B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1984-11-30 JP JP59253928A patent/JPS60131898A/ja active Granted
Also Published As
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| DE3484100D1 (de) | 1991-03-14 |
| JPS60131898A (ja) | 1985-07-13 |
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| EP0146985B1 (de) | 1991-02-06 |
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