JPH0457637B2 - - Google Patents
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- JPH0457637B2 JPH0457637B2 JP59055787A JP5578784A JPH0457637B2 JP H0457637 B2 JPH0457637 B2 JP H0457637B2 JP 59055787 A JP59055787 A JP 59055787A JP 5578784 A JP5578784 A JP 5578784A JP H0457637 B2 JPH0457637 B2 JP H0457637B2
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- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
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- H01F10/20—Ferrites
- H01F10/24—Garnets
- H01F10/245—Modifications for enhancing interaction with electromagnetic wave energy
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/08—Oxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- G—PHYSICS
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Description
【発明の詳細な説明】
ａ 産業上の利用分野
本発明は、磁性薄膜の製造方法に関し、より詳
細には磁気記録及び光熱磁気記録材料として用い
て好適な希土類鉄ガーネツト薄膜の製造方法に関
する。
細には磁気記録及び光熱磁気記録材料として用い
て好適な希土類鉄ガーネツト薄膜の製造方法に関
する。
ｂ 従来技術
近年、希土類鉄ガーネツトR3（Fe，Ｍ）5o12
（Ｒ：希土類元素、Ｍ：Al3+、Ga3+、Sc3+、
Tl3+、（Co2+＋Tl4+）など）のＲの一部をBiで置
換した鉄ガーネツトR3-X Bix（Fe，Ｍ）5O12が光
熱磁気記録材料として注目されている。このBi
置換希土類鉄ガーネツトは、希土類元素の一部を
Biで置換することにより、吸収係数αをあまり
大きくすることなくフアラデー回転角θFを大き
くすることができるという性質を有し、一般的に
言つて光熱磁気記録材料として優れたものであ
る。
（Ｒ：希土類元素、Ｍ：Al3+、Ga3+、Sc3+、
Tl3+、（Co2+＋Tl4+）など）のＲの一部をBiで置
換した鉄ガーネツトR3-X Bix（Fe，Ｍ）5O12が光
熱磁気記録材料として注目されている。このBi
置換希土類鉄ガーネツトは、希土類元素の一部を
Biで置換することにより、吸収係数αをあまり
大きくすることなくフアラデー回転角θFを大き
くすることができるという性質を有し、一般的に
言つて光熱磁気記録材料として優れたものであ
る。
このような性質を有するBi置換希土類鉄ガー
ネツトの光熱磁気記録材料としての性能を高める
ためには、Bi置換量Ｘを大きくしてフアラデー
回転角θFを大きくすればよいが、従来の液相エピ
タキシヤル法等の製造方法ではBi置換量Ｘが大
きいBi置換希土類鉄ガーネツト薄膜を製造する
ことは困難であつた。
ネツトの光熱磁気記録材料としての性能を高める
ためには、Bi置換量Ｘを大きくしてフアラデー
回転角θFを大きくすればよいが、従来の液相エピ
タキシヤル法等の製造方法ではBi置換量Ｘが大
きいBi置換希土類鉄ガーネツト薄膜を製造する
ことは困難であつた。
本発明者等は、特願昭58−216750号において、
固溶限界（十二面体位置の50％）までBiが固溶
している高濃度Bi置換希土類鉄ガーネツト単結
晶薄膜をスパツタリング法によりGGG基板上に
エピタキシヤル成長させることのできる磁性薄膜
の製造方法を提案した。しかし、この製造方法
は、用いることのできる基板がGGG基板に限定
されてしまう点で不利であるため、例えばガラス
基板等の非晶質基板上に高濃度Bi置換希土類鉄
ガーネツト薄膜を形成することのできる製造方法
が望まれていた。
固溶限界（十二面体位置の50％）までBiが固溶
している高濃度Bi置換希土類鉄ガーネツト単結
晶薄膜をスパツタリング法によりGGG基板上に
エピタキシヤル成長させることのできる磁性薄膜
の製造方法を提案した。しかし、この製造方法
は、用いることのできる基板がGGG基板に限定
されてしまう点で不利であるため、例えばガラス
基板等の非晶質基板上に高濃度Bi置換希土類鉄
ガーネツト薄膜を形成することのできる製造方法
が望まれていた。
このような要求は上記以外の希土類鉄ガーネツ
ト薄膜についても従来からあり、種々の試みがな
されている。しかしながら、現在までに得られて
いる薄膜はその面と平行な方向に磁化が存在する
多結晶の面内磁化膜であり、磁気記録及び光熱磁
気記録材料として好ましい垂直磁化膜は未だ得ら
れていない。また特にBi置換希土類鉄ガーネツ
ト垂直磁化膜を非晶質基板上に形成する試みは全
くなされていないのが現状であつた。
ト薄膜についても従来からあり、種々の試みがな
されている。しかしながら、現在までに得られて
いる薄膜はその面と平行な方向に磁化が存在する
多結晶の面内磁化膜であり、磁気記録及び光熱磁
気記録材料として好ましい垂直磁化膜は未だ得ら
れていない。また特にBi置換希土類鉄ガーネツ
ト垂直磁化膜を非晶質基板上に形成する試みは全
くなされていないのが現状であつた。
本発明者らは上述の問題にかんがみ、良好な垂
直磁化特性を有するBi置換希土類鉄ガーネツト
薄膜等の希土類鉄ガーネツト薄膜を非晶質基板等
の種々の基板上に形成することのできる磁性薄膜
の製造方法を提供することを目的として気相成長
法によつて所定の基板上に非晶質の希土類鉄ガー
ネツト薄膜を形成し、該非晶質の希土類鉄ガーネ
ツト薄膜上に保護膜を形成し、次いで熱処理を行
うことにより上記非晶質の希土類鉄ガーネツト薄
膜を結晶化させる磁性薄膜の製造方法を先の特許
出願（特願昭59−6134）に示した。
直磁化特性を有するBi置換希土類鉄ガーネツト
薄膜等の希土類鉄ガーネツト薄膜を非晶質基板等
の種々の基板上に形成することのできる磁性薄膜
の製造方法を提供することを目的として気相成長
法によつて所定の基板上に非晶質の希土類鉄ガー
ネツト薄膜を形成し、該非晶質の希土類鉄ガーネ
ツト薄膜上に保護膜を形成し、次いで熱処理を行
うことにより上記非晶質の希土類鉄ガーネツト薄
膜を結晶化させる磁性薄膜の製造方法を先の特許
出願（特願昭59−6134）に示した。
上記方法は、保護膜を磁性薄膜上に設けること
により、磁性薄膜の結晶化による面荒れおよび磁
性薄膜中のBiの飛散防止など結晶化のための熱
処理の悪影響を防止して、垂直磁化膜が得られる
利点を有するが、保護膜を形成するという付加的
工程を有し、又通常磁性膜表面に設けられる反射
膜を利用した磁気書きこみの際、加熱された反射
膜の熱の磁性薄膜への伝導が保護膜の存在により
妨げられ、書きこみ時の応答が遅くなるという欠
点があつた。
により、磁性薄膜の結晶化による面荒れおよび磁
性薄膜中のBiの飛散防止など結晶化のための熱
処理の悪影響を防止して、垂直磁化膜が得られる
利点を有するが、保護膜を形成するという付加的
工程を有し、又通常磁性膜表面に設けられる反射
膜を利用した磁気書きこみの際、加熱された反射
膜の熱の磁性薄膜への伝導が保護膜の存在により
妨げられ、書きこみ時の応答が遅くなるという欠
点があつた。
ｃ 発明の目的
本発明は、スパツタリング法で極めて良好な垂
直磁化特性を有する希土類鉄ガーネツト薄膜を、
非晶質基板などの任意な基板上に製造する方法を
提供することをその目的とする。
直磁化特性を有する希土類鉄ガーネツト薄膜を、
非晶質基板などの任意な基板上に製造する方法を
提供することをその目的とする。
ｄ 発明の構成
本発明は、下記化学式で表される組成の酸化物
または下記化学式で表される組成となるように混
合された複数の酸化物からなるターゲツトを減圧
した雰囲気中でスパツタリングして、前記ターゲ
ツト成分を含む非晶質磁性薄膜を300〜500℃に加
熱されている基板上に被覆するスパツタリング工
程と、その後前記非晶質磁性薄膜を500〜900℃に
加熱して結晶化する工程とからなる、基板上に垂
直磁化特性を有する希土類鉄ガーネツト薄膜の製
造方法である。
または下記化学式で表される組成となるように混
合された複数の酸化物からなるターゲツトを減圧
した雰囲気中でスパツタリングして、前記ターゲ
ツト成分を含む非晶質磁性薄膜を300〜500℃に加
熱されている基板上に被覆するスパツタリング工
程と、その後前記非晶質磁性薄膜を500〜900℃に
加熱して結晶化する工程とからなる、基板上に垂
直磁化特性を有する希土類鉄ガーネツト薄膜の製
造方法である。
化学式
（Bi2O3）X（R2O3）Y（F2O3）Z（M2O3）U
０＜ｘ≦３／２、０＜ｙ≦３／２、
０＜ｚ＜５／２、０≦ｕ≦５／２
Ｒは希土類元素、ＭはAl3+、Ga3+、Sc3+、
Tl3+、（Co2+＋Tl4+） 本発明に使用する基板としては、ガラス基板等
の非晶質基板、金属、半導体、絶縁体等の結晶性
基板等700℃程度の加熱に耐える基板であれば使
用出来る。
Tl3+、（Co2+＋Tl4+） 本発明に使用する基板としては、ガラス基板等
の非晶質基板、金属、半導体、絶縁体等の結晶性
基板等700℃程度の加熱に耐える基板であれば使
用出来る。
非晶質の希土類鉄ガーネツト薄膜を形成する気
相成長法としては、スパツタリング法が用いられ
る。（Bi2O3）X（R2O3）Y（Fe2O3）Z（M2O3）Uで表
されるような少なくともBi原子、Fe原子及び希
土類原子を含む酸化物又は酸化物の混合物から成
る材料をターゲツトとした高周波スパツタリング
方が好ましい。上記式中で０＜ｘ≦３／２、０＜
ｙ≦３／２、０＜ｚ＜５／２、０≦ｕ≦５／２で
あり、ＲはＹ，Sm等の希土類元素、ＭはAl3+、
Ga3+、Sc3+、Tl3+、（Co2+＋Tl4+）である。
相成長法としては、スパツタリング法が用いられ
る。（Bi2O3）X（R2O3）Y（Fe2O3）Z（M2O3）Uで表
されるような少なくともBi原子、Fe原子及び希
土類原子を含む酸化物又は酸化物の混合物から成
る材料をターゲツトとした高周波スパツタリング
方が好ましい。上記式中で０＜ｘ≦３／２、０＜
ｙ≦３／２、０＜ｚ＜５／２、０≦ｕ≦５／２で
あり、ＲはＹ，Sm等の希土類元素、ＭはAl3+、
Ga3+、Sc3+、Tl3+、（Co2+＋Tl4+）である。
上記気相成長法で形成された非晶質磁性薄膜
は、希土類鉄ガーネツトを作成する組成であれば
熱処理によつて磁性薄膜となるが、ガーネツト構
造の十二面体位置の20％以上がBiにより置換さ
れたBi置換希土類鉄ガーネツト相当の組成であ
れば、ガーネツト構造に結晶化した際に磁気異方
性が増すので好ましい。この様なBiを多く含有
する非晶質磁性薄膜は、Biを多く含んだターゲ
ツトを用いたスパツタリング法により製造され
る。
は、希土類鉄ガーネツトを作成する組成であれば
熱処理によつて磁性薄膜となるが、ガーネツト構
造の十二面体位置の20％以上がBiにより置換さ
れたBi置換希土類鉄ガーネツト相当の組成であ
れば、ガーネツト構造に結晶化した際に磁気異方
性が増すので好ましい。この様なBiを多く含有
する非晶質磁性薄膜は、Biを多く含んだターゲ
ツトを用いたスパツタリング法により製造され
る。
スパツタリング法により非晶質磁性薄膜を作成
する際には非晶質磁性薄膜を付着させる基板の温
度を300〜500℃に加熱することが必要である。さ
らに望ましくは400〜450℃と設定することが光磁
気記録材料を得るために好ましい。上記温度に基
板を設定することにより、その後の熱処理によつ
て磁化膜の面荒れが少ない光磁気記録材料として
も良好な垂直磁化薄膜を製造出来る。ここで300
℃未満の温度で作成した非晶質磁性薄膜は当初は
平滑な非晶質磁性膜であるが、熱処理を行うと面
荒れを起こした磁性膜しか得られず、又500℃よ
りも高い温度では基板上に非晶質の磁性薄膜が得
られずに直接面荒れを起こした結晶性の磁性薄膜
が作成されてしまう。300℃未満の基板温度で作
成した非晶質膜は熱処理により面荒れを起こした
磁性膜となり、300〜500℃の基板温度で作成した
非晶質膜が熱処理によつて平滑な垂直磁化薄膜と
なる理由ははつきりしないが、低い基板温度で作
成した非晶質薄膜中には非常に微細な結晶が多数
あり、これが熱処理によつて成長するために面荒
れを起こすが、比較的高い温度で作成した非晶質
薄膜ではこの微細な結晶の大きさが大きく、数が
少ないためではないかと考えられる。
する際には非晶質磁性薄膜を付着させる基板の温
度を300〜500℃に加熱することが必要である。さ
らに望ましくは400〜450℃と設定することが光磁
気記録材料を得るために好ましい。上記温度に基
板を設定することにより、その後の熱処理によつ
て磁化膜の面荒れが少ない光磁気記録材料として
も良好な垂直磁化薄膜を製造出来る。ここで300
℃未満の温度で作成した非晶質磁性薄膜は当初は
平滑な非晶質磁性膜であるが、熱処理を行うと面
荒れを起こした磁性膜しか得られず、又500℃よ
りも高い温度では基板上に非晶質の磁性薄膜が得
られずに直接面荒れを起こした結晶性の磁性薄膜
が作成されてしまう。300℃未満の基板温度で作
成した非晶質膜は熱処理により面荒れを起こした
磁性膜となり、300〜500℃の基板温度で作成した
非晶質膜が熱処理によつて平滑な垂直磁化薄膜と
なる理由ははつきりしないが、低い基板温度で作
成した非晶質薄膜中には非常に微細な結晶が多数
あり、これが熱処理によつて成長するために面荒
れを起こすが、比較的高い温度で作成した非晶質
薄膜ではこの微細な結晶の大きさが大きく、数が
少ないためではないかと考えられる。
面荒れを起こした磁性膜は光磁気記録材料とし
て使用する際、磁性膜の表面で光が乱反射を起こ
して使用出来ないなどの欠点がある。
て使用する際、磁性膜の表面で光が乱反射を起こ
して使用出来ないなどの欠点がある。
非晶質磁性膜の熱処理条件としては、500℃以
上の温度が必要である。500℃より低い温度では
結晶化が起こりにくく好ましくない。又900℃よ
りも高い温度とすると磁性膜中からBiの揮発が
起こるので、900℃以下とすることが必要である。
上の温度が必要である。500℃より低い温度では
結晶化が起こりにくく好ましくない。又900℃よ
りも高い温度とすると磁性膜中からBiの揮発が
起こるので、900℃以下とすることが必要である。
実施例
以下に本発明の磁性薄膜の製造方法を（Ｙ，
Bi）3（Fe，Al）5O12で表されるBi置換希土類鉄ガ
ーネツトの薄膜の製造に適用した一実施例につき
図面を参照しながら説明する。なおこの（Ｙ，
Bi）3（Fe，Al）5O12は、イツトリウム鉄ガーネツ
トY3Fe5O12（YIG）において、Ｙの一部をBiで置
換すると共にFeの一部をAlで置換したものであ
り、前者は吸収係数αをあまり増大することなく
フアラデー回転角θFを高め、後者は吸収係数αを
減少させると共に飽和磁化を小さくして垂直磁化
膜を得られやすくし、またキユリー温度も下げる
ことが知られている。
Bi）3（Fe，Al）5O12で表されるBi置換希土類鉄ガ
ーネツトの薄膜の製造に適用した一実施例につき
図面を参照しながら説明する。なおこの（Ｙ，
Bi）3（Fe，Al）5O12は、イツトリウム鉄ガーネツ
トY3Fe5O12（YIG）において、Ｙの一部をBiで置
換すると共にFeの一部をAlで置換したものであ
り、前者は吸収係数αをあまり増大することなく
フアラデー回転角θFを高め、後者は吸収係数αを
減少させると共に飽和磁化を小さくして垂直磁化
膜を得られやすくし、またキユリー温度も下げる
ことが知られている。
まず第１図に示すように、高周波（RF）スパ
ツタリング装置のステンレス製の電極板（試料
台）１の上に石英ガラス基板２を載置すると共
に、電極板３に第１のターゲツト４を取り付け
る。なおこの第１のターゲツト４は、組成式
Bi2・0Y1・0Fe3・8Al1・2O12で表される多結晶状
の鉄ガーネツトの円盤状の焼結体から成る。
ツタリング装置のステンレス製の電極板（試料
台）１の上に石英ガラス基板２を載置すると共
に、電極板３に第１のターゲツト４を取り付け
る。なおこの第１のターゲツト４は、組成式
Bi2・0Y1・0Fe3・8Al1・2O12で表される多結晶状
の鉄ガーネツトの円盤状の焼結体から成る。
次にスパツタリング装置内を所定の真空度に排
気した後、このスパツタリング装置内にArとO2
との混合ガス（Ar：O2＝９：１）を7Pa程度ま
で導入する。真空度が安定した状態で、電極板１
と電極板３との間に所定の高周波電圧を印加して
グロー放電を開始させる。この放電で生じたAr+
イオンは第１のターゲツト４の表面をスパツタ
し、このスパツタにより上記第１のターゲツト４
からBi、Ｙ、Fe、Al、Ｏ等の原子が離脱する。
これらの離脱した原子は、電極板１を介してヒー
タ５により例えば440℃に加熱されている石英ガ
ラス基板２上に被着し、この石英ガラス基板２上
に（Ｙ、Bi）3（Fe、Al）5O12の非晶質薄膜（以下
薄膜と称する）６が形成される。なおスパツタに
用いる電力を110Wとし、またスパツタ時間を２
時間30分とした場合、得られた薄膜６の厚さは
0.8μmであつた。
気した後、このスパツタリング装置内にArとO2
との混合ガス（Ar：O2＝９：１）を7Pa程度ま
で導入する。真空度が安定した状態で、電極板１
と電極板３との間に所定の高周波電圧を印加して
グロー放電を開始させる。この放電で生じたAr+
イオンは第１のターゲツト４の表面をスパツタ
し、このスパツタにより上記第１のターゲツト４
からBi、Ｙ、Fe、Al、Ｏ等の原子が離脱する。
これらの離脱した原子は、電極板１を介してヒー
タ５により例えば440℃に加熱されている石英ガ
ラス基板２上に被着し、この石英ガラス基板２上
に（Ｙ、Bi）3（Fe、Al）5O12の非晶質薄膜（以下
薄膜と称する）６が形成される。なおスパツタに
用いる電力を110Wとし、またスパツタ時間を２
時間30分とした場合、得られた薄膜６の厚さは
0.8μmであつた。
次に上述のように形成された薄膜６つき石英ガ
ラス基板２を空気中において700℃、３時間熱処
理し、磁性薄膜の結晶化を行なつた。
ラス基板２を空気中において700℃、３時間熱処
理し、磁性薄膜の結晶化を行なつた。
こうして作成された磁性薄膜は比較的面荒れが
少なく光熱磁気記録材として、使用するに耐える
表面状態であつた。
少なく光熱磁気記録材として、使用するに耐える
表面状態であつた。
こうして製造された薄膜６の結晶性をＸ線回折
により調べたところ、優勢方位のない多結晶であ
ることが判明した。しかし、光学顕微鏡による観
察の結果、多結晶であるにもかかわらず薄膜６は
唐草模様状及びバブル状の磁区構造を有し、また
次のような優れた特性を有する極めて良好な垂直
磁化膜であることが測定によつて明らかにされ
た。
により調べたところ、優勢方位のない多結晶であ
ることが判明した。しかし、光学顕微鏡による観
察の結果、多結晶であるにもかかわらず薄膜６は
唐草模様状及びバブル状の磁区構造を有し、また
次のような優れた特性を有する極めて良好な垂直
磁化膜であることが測定によつて明らかにされ
た。
即ち、第２図に示すように、膜面に垂直な方向
に磁界Ｈに対する薄膜６のフアラデー回転角θFの
ヒステリシス特性を測定したところ、角形性が良
好なループが得られ、磁気トルク測定から垂直磁
化膜であることが判明した。またフアラデー回転
角θFは約1.5°と極めて大きく、また保磁力Hcも約
200Oeと十分に大きい。このように薄膜６は磁気
記録材料として極めて好ましい性質を有している
ことがわかる。なお第２図に示すような優れた特
性を有する垂直磁化膜が得られることから、薄膜
６中にはより大きな垂直磁気異方性を賦与する
Biが固溶限界程度まで固溶していることが推定
される。なお第２図において、フアラデー回転角
θF測定用の光源としては、He−Neレーザー（波
長6328Å）を用いた。また測定は、上記薄膜６に
光を透過させて行なつた。
に磁界Ｈに対する薄膜６のフアラデー回転角θFの
ヒステリシス特性を測定したところ、角形性が良
好なループが得られ、磁気トルク測定から垂直磁
化膜であることが判明した。またフアラデー回転
角θFは約1.5°と極めて大きく、また保磁力Hcも約
200Oeと十分に大きい。このように薄膜６は磁気
記録材料として極めて好ましい性質を有している
ことがわかる。なお第２図に示すような優れた特
性を有する垂直磁化膜が得られることから、薄膜
６中にはより大きな垂直磁気異方性を賦与する
Biが固溶限界程度まで固溶していることが推定
される。なお第２図において、フアラデー回転角
θF測定用の光源としては、He−Neレーザー（波
長6328Å）を用いた。また測定は、上記薄膜６に
光を透過させて行なつた。
ｆ 発明の効果
本発明によれば、実施例からも明らかな様に任
意の基板上にフアラデー回転角θF、保磁力Hcが
十分に大きく、面荒れの少ない磁性薄膜が保護膜
などを磁性薄膜上に付着させることなく作成出来
ている。
意の基板上にフアラデー回転角θF、保磁力Hcが
十分に大きく、面荒れの少ない磁性薄膜が保護膜
などを磁性薄膜上に付着させることなく作成出来
ている。
この様に保護膜を持たない磁性薄膜は光熱磁気
記録材料として使用する様、磁性薄膜上に直接反
射膜を形成することが出来るため比較的低い強度
の光で書きこむことが出来、非常に早い書きこみ
速度が得られる効果を持つている。
記録材料として使用する様、磁性薄膜上に直接反
射膜を形成することが出来るため比較的低い強度
の光で書きこむことが出来、非常に早い書きこみ
速度が得られる効果を持つている。
第１図は本発明の磁性薄膜の製造方法の実施例
に用いた高周波スパツタリング装置の概略を示す
断面図、第２図は本発明の磁性薄膜の製造方法の
実施例により製造された（Ｙ、Bi）3（Fe、Al）5
O12薄膜のヒステリシス特性を示すグラフであ
る。 なお図面に用いた符号において、１……電極板
（試料台）、２……石英ガラス基板、３……電極
板、４……第１のターゲツト、５……ヒータ、６
……（Ｙ、Bi）3（Fe、Al）5O12薄膜である。
に用いた高周波スパツタリング装置の概略を示す
断面図、第２図は本発明の磁性薄膜の製造方法の
実施例により製造された（Ｙ、Bi）3（Fe、Al）5
O12薄膜のヒステリシス特性を示すグラフであ
る。 なお図面に用いた符号において、１……電極板
（試料台）、２……石英ガラス基板、３……電極
板、４……第１のターゲツト、５……ヒータ、６
……（Ｙ、Bi）3（Fe、Al）5O12薄膜である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 下記化学式で表される組成の酸化物または下
記化学式で表される組成となるように混合された
複数の酸化物からなるターゲツトを減圧した雰囲
気中でスパツタリングして、前記ターゲツト成分
を含む非晶質磁性薄膜を300〜500℃に加熱されて
いる基板上に被覆するスパツタリング工程と、そ
の後前記非晶質磁性薄膜を500〜900℃に加熱する
結晶化工程とからなる、基板上に垂直磁化特性を
有する希土類鉄ガーネツト薄膜の製造方法。 化学式 （Bi2O3）X（R2O3）Y（F2O3）Z（M2O3）U ０＜ｘ≦３／２、０＜ｙ≦３／２、 ０＜ｚ＜５／２、０≦ｕ≦５／２ Ｒは希土類元素、ＭはAl3+、Ga3+、Sc3+、
Tl3+、（Co2+＋Tl4+）
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5578784A JPS60200887A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 磁性薄膜の製造方法 |
| EP19840904169 EP0196332B1 (en) | 1983-11-17 | 1984-11-15 | Method of manufacturing photothermomagnetic recording film |
| PCT/JP1984/000547 WO1985002292A1 (fr) | 1983-11-17 | 1984-11-15 | Procede de fabrication d'un film d'enregistrement photothermomagnetique |
| DE8484904169T DE3482886D1 (de) | 1983-11-17 | 1984-11-15 | Verfahren zur herstellung photothermomagnetischer aufzeichnungsfilme. |
| US06/763,789 US4608142A (en) | 1983-11-17 | 1984-11-15 | Method of manufacturing magneto-optic recording film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5578784A JPS60200887A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 磁性薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200887A JPS60200887A (ja) | 1985-10-11 |
| JPH0457637B2 true JPH0457637B2 (ja) | 1992-09-14 |
Family
ID=13008613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5578784A Granted JPS60200887A (ja) | 1983-11-17 | 1984-03-23 | 磁性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60200887A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3424467A1 (de) * | 1984-07-03 | 1986-01-16 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zur herstellung wismut-substituierter ferrimagnetischer granatschichten |
| JPH07120596B2 (ja) * | 1987-10-23 | 1995-12-20 | 株式会社安川電機 | 強磁性薄膜の形成方法 |
| US6759137B1 (en) | 1998-08-28 | 2004-07-06 | Centre National De La Recherche Scientifique, Inc. | Opto-magnetic recording medium with a garnet ferrite recording layer, and opto-magnetic information recording/reproducing device |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS568000B2 (ja) * | 1973-07-27 | 1981-02-20 | ||
| JPS5613710A (en) * | 1979-07-13 | 1981-02-10 | Nec Corp | Material for magnetic element |
| JPS5659694A (en) * | 1979-10-18 | 1981-05-23 | Agency Of Ind Science & Technol | Manufacture of thin film |
| JPS58116739A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 膜多結晶体の粒子サイズの制御方法 |
-
1984
- 1984-03-23 JP JP5578784A patent/JPS60200887A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60200887A (ja) | 1985-10-11 |
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