JPH0558251B2 - - Google Patents
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- JPH0558251B2 JPH0558251B2 JP58216750A JP21675083A JPH0558251B2 JP H0558251 B2 JPH0558251 B2 JP H0558251B2 JP 58216750 A JP58216750 A JP 58216750A JP 21675083 A JP21675083 A JP 21675083A JP H0558251 B2 JPH0558251 B2 JP H0558251B2
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- thin film
- rotation angle
- faraday rotation
- single crystal
- atoms
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁性薄膜の製造方法、より詳細には
光熱磁気記録材料として用いて好適なBi置換鉄
ガーネツト単結晶薄膜の製造方法に関する。
光熱磁気記録材料として用いて好適なBi置換鉄
ガーネツト単結晶薄膜の製造方法に関する。
近年、この種のBi置換鉄ガーネツトとして、
希土類鉄ガーネツトR3（Fe，Ｍ）5O12（Ｒ：希土類
元素，Ｍ：Al3+，Ga3+，Sc3+，Tl3+，（Co2+＋
Ti4+等）のＲの一部をBiで置換した鉄ガーネツ
トR3-xBix（Fe，Ｍ）5O12が注目されている。この
Bi置換希土類鉄ガーネツトは、Ｒの一部をBiで
置換することにより、吸収係数αをあまり大きく
することなくフアラデー回転角θFを大きくするこ
とができるという性質を有し、光熱磁気記録材料
として一般に優れたものである。このような性質
を有するBi置換希土類鉄ガーネツトの光熱磁気
記録材料としての性能を高めるためには、Bi置
換量ｘを大きくしてフアラデー回転角θFを大きく
すればよい。従来、焼結体について、Biの固溶
限界は希土類鉄ガーネツトの結晶構造の十二面体
位置の50％であることが知られており、Bi置換
量ｘの大きな単結晶薄膜を得ることが試みられて
きた。しかし、Bi置換希土類鉄ガーネツトの単
結晶薄膜の成長に通常用いられている方法では、
Bi置換量ｘが十分大きい単結晶薄膜、つまり上
記固溶限界程度までBiが置換された単結晶薄膜
は次に述べる理由により実際には実現困難であつ
た。
希土類鉄ガーネツトR3（Fe，Ｍ）5O12（Ｒ：希土類
元素，Ｍ：Al3+，Ga3+，Sc3+，Tl3+，（Co2+＋
Ti4+等）のＲの一部をBiで置換した鉄ガーネツ
トR3-xBix（Fe，Ｍ）5O12が注目されている。この
Bi置換希土類鉄ガーネツトは、Ｒの一部をBiで
置換することにより、吸収係数αをあまり大きく
することなくフアラデー回転角θFを大きくするこ
とができるという性質を有し、光熱磁気記録材料
として一般に優れたものである。このような性質
を有するBi置換希土類鉄ガーネツトの光熱磁気
記録材料としての性能を高めるためには、Bi置
換量ｘを大きくしてフアラデー回転角θFを大きく
すればよい。従来、焼結体について、Biの固溶
限界は希土類鉄ガーネツトの結晶構造の十二面体
位置の50％であることが知られており、Bi置換
量ｘの大きな単結晶薄膜を得ることが試みられて
きた。しかし、Bi置換希土類鉄ガーネツトの単
結晶薄膜の成長に通常用いられている方法では、
Bi置換量ｘが十分大きい単結晶薄膜、つまり上
記固溶限界程度までBiが置換された単結晶薄膜
は次に述べる理由により実際には実現困難であつ
た。
即ち、上述のBi置換希土類鉄ガーネツト薄膜
は、通常液相エピタキシヤル法（LPE法）によ
つて製造されるが、このLPE法においては、800
℃程度の高温で薄膜の成長を行う必要がある。と
ころが、Biの蒸気圧は800℃においては1Torr程
度と極めて高いので、薄膜の成長中にBiが選択
的に蒸発してしまうという欠点がある。このた
め、薄膜にBiを高濃度に含ませてBi置換量ｘが
大きいBi置換希土類鉄ガーネツト薄膜を製造す
ることは難しい。なおLPE法により現在までに
得られているBi置換量ｘは、十二面体位置の
高々20％程度であると推定されている。
は、通常液相エピタキシヤル法（LPE法）によ
つて製造されるが、このLPE法においては、800
℃程度の高温で薄膜の成長を行う必要がある。と
ころが、Biの蒸気圧は800℃においては1Torr程
度と極めて高いので、薄膜の成長中にBiが選択
的に蒸発してしまうという欠点がある。このた
め、薄膜にBiを高濃度に含ませてBi置換量ｘが
大きいBi置換希土類鉄ガーネツト薄膜を製造す
ることは難しい。なおLPE法により現在までに
得られているBi置換量ｘは、十二面体位置の
高々20％程度であると推定されている。
本発明は、上述の問題にかんがみ、Bi置換量
ｘが大きく、このためフアラデー回転角θFが極め
て大きいと共に保磁力Hcが十分に大きく、また
吸収係数αが十分小さいBi置換希土類鉄ガーネ
ツト薄膜等の磁性薄膜の製造方法を提供すること
を目的とする。
ｘが大きく、このためフアラデー回転角θFが極め
て大きいと共に保磁力Hcが十分に大きく、また
吸収係数αが十分小さいBi置換希土類鉄ガーネ
ツト薄膜等の磁性薄膜の製造方法を提供すること
を目的とする。
即ち、本発明に係る磁性薄膜の製造方法は、少
なくともBi原子、Fe原子及び希土類原子を含む
酸化物から成るターゲツトをスパツタし、このス
パツタにより前記ターゲツトから離脱した前記酸
化物の構成原子を350〜700℃に加熱されたGGG
基板上に被着することによつて、このGGG基板
上に高濃度Bi置換鉄ガーネツト単結晶薄膜をエ
ピタキシヤル成長させ、しかるのちに前記単結晶
薄膜を大気中において640〜740℃でアニールする
ようにしている。このようにすることによつて、
Bi置換量ｘが大きく、このためフアラデー回転
角θFが極めて大きいと共に保磁力Hcが十分に大
きく、また吸収係数αが十分小さい磁性薄膜を得
ることができる。
なくともBi原子、Fe原子及び希土類原子を含む
酸化物から成るターゲツトをスパツタし、このス
パツタにより前記ターゲツトから離脱した前記酸
化物の構成原子を350〜700℃に加熱されたGGG
基板上に被着することによつて、このGGG基板
上に高濃度Bi置換鉄ガーネツト単結晶薄膜をエ
ピタキシヤル成長させ、しかるのちに前記単結晶
薄膜を大気中において640〜740℃でアニールする
ようにしている。このようにすることによつて、
Bi置換量ｘが大きく、このためフアラデー回転
角θFが極めて大きいと共に保磁力Hcが十分に大
きく、また吸収係数αが十分小さい磁性薄膜を得
ることができる。
なお、上記GGG基板の好ましい加熱温度範囲
は350〜700℃であるが、このように限定される理
由は350℃以下では薄膜が非晶質となつて単結晶
薄膜が得られず、700℃以上ではBiの蒸気圧が高
くなるために本発明の目的とするBi置換量ｘの
大きな薄膜を得ることができないためである。ま
た、前記単結晶薄膜の好ましいアニール温度範囲
は640〜740℃であるが、このように限定される理
由は、640℃以下では、単結晶薄膜中に存在する
欠陥（結晶格子点に原子がなく空孔になつている
状態）に帰因する残留歪が十分に除去されないた
めに、フアラデー回転角θFが極めて大きいと共に
保磁力Hcが十分に大きくかつ吸収係数αが十分
小さい単結晶薄膜が得られず、740℃以上では、
GGG基板が必要以上に加熱されてその耐久性に
とつて好ましくない恐れがあり、また、640〜740
℃の場合に較べて、フアラデー回転角θF、保磁力
Hc及び吸収係数αの向上の点で、実質的な差異
が生じないためである。
は350〜700℃であるが、このように限定される理
由は350℃以下では薄膜が非晶質となつて単結晶
薄膜が得られず、700℃以上ではBiの蒸気圧が高
くなるために本発明の目的とするBi置換量ｘの
大きな薄膜を得ることができないためである。ま
た、前記単結晶薄膜の好ましいアニール温度範囲
は640〜740℃であるが、このように限定される理
由は、640℃以下では、単結晶薄膜中に存在する
欠陥（結晶格子点に原子がなく空孔になつている
状態）に帰因する残留歪が十分に除去されないた
めに、フアラデー回転角θFが極めて大きいと共に
保磁力Hcが十分に大きくかつ吸収係数αが十分
小さい単結晶薄膜が得られず、740℃以上では、
GGG基板が必要以上に加熱されてその耐久性に
とつて好ましくない恐れがあり、また、640〜740
℃の場合に較べて、フアラデー回転角θF、保磁力
Hc及び吸収係数αの向上の点で、実質的な差異
が生じないためである。
以下本発明に係る磁性薄膜の製造方法を（Ｙ，
Bi）3（Fe，Al）5O12で表される。Bi置換希土類鉄
ガーネツトの薄膜の製造に適用した一実施例につ
き図面を参照しながら説明する。なおこの（Ｙ，
Bi）3（Fe，Al）5O12は、イツトリウム鉄ガーネツ
トY3Fe5O12（YIG）において、Ｙの一部をBiで置
換すると共にFeの一部をAlで置換したものであ
り、前者は吸収係数αをあまり増大することなく
フアラデー回転角θFを高め、後者は吸収係数αを
減少させると共に飽和磁化を小さくして垂直磁化
膜を得られやすくし、またキユリー温度も下げる
ことが知られている。
Bi）3（Fe，Al）5O12で表される。Bi置換希土類鉄
ガーネツトの薄膜の製造に適用した一実施例につ
き図面を参照しながら説明する。なおこの（Ｙ，
Bi）3（Fe，Al）5O12は、イツトリウム鉄ガーネツ
トY3Fe5O12（YIG）において、Ｙの一部をBiで置
換すると共にFeの一部をAlで置換したものであ
り、前者は吸収係数αをあまり増大することなく
フアラデー回転角θFを高め、後者は吸収係数αを
減少させると共に飽和磁化を小さくして垂直磁化
膜を得られやすくし、またキユリー温度も下げる
ことが知られている。
なお本実施例においては、鉄ガーネツト薄膜を
成長させるべき基板として、Gd3Ga5O12の（111）
単結晶基板（以下GGG基板と称する）を用い、
またスパツタすべきターゲツトとしては、組成式
Bi2.0Y1.0Fe3.8Al1.2O12で表される多結晶状の鉄ガ
ーネツトの円盤状の焼結体を用いている。
成長させるべき基板として、Gd3Ga5O12の（111）
単結晶基板（以下GGG基板と称する）を用い、
またスパツタすべきターゲツトとしては、組成式
Bi2.0Y1.0Fe3.8Al1.2O12で表される多結晶状の鉄ガ
ーネツトの円盤状の焼結体を用いている。
第１図に示すように、高周波（RF）スパツタ
リング装置のステンレス製の電極板（試料台）１
の上に上記GGG基板２を載置すると共に、電極
板３に上記タゲーツト４を取り付ける。なお上記
電極板１を加熱するためのヒータ５が設けられて
いるので、上記GGG基板２も上記電極板１を介
して上記ヒータ５によつて所定温度に加熱され
る。
リング装置のステンレス製の電極板（試料台）１
の上に上記GGG基板２を載置すると共に、電極
板３に上記タゲーツト４を取り付ける。なお上記
電極板１を加熱するためのヒータ５が設けられて
いるので、上記GGG基板２も上記電極板１を介
して上記ヒータ５によつて所定温度に加熱され
る。
次にスパツタリング装置内を所定の真空度に排
気した後、このスパツタリング装置内にArとO2
との混合ガス（Ar：O2＝９：１）を7Pa程度ま
で導入する。真空度が安定した状態で、電極板１
と電極板３との間に所定の高周波電圧を印加して
グロー放電を開始させる。この放電で生じたAr+
イオンはタゲーツト４の表面をスパツタし、この
スパツタにより上記タゲーツト４からBi，Ｙ，
Fe，Al，Ｏ等の原子が離脱する。これらの離脱
した原子は、所定温度に加熱された上記GGG基
板２上に被着し、このGGG基板２上に（Ｙ，Bi）
3（Fe，Al）5O12の単結晶薄膜（以下薄膜と称す
る）６がエピタキシヤル成長する。なおスパツタ
に用いる電力を110Wとし、またスパツタ時間を
５時間とした場合、得られた薄膜６の厚さは
1.5μmであつた。
気した後、このスパツタリング装置内にArとO2
との混合ガス（Ar：O2＝９：１）を7Pa程度ま
で導入する。真空度が安定した状態で、電極板１
と電極板３との間に所定の高周波電圧を印加して
グロー放電を開始させる。この放電で生じたAr+
イオンはタゲーツト４の表面をスパツタし、この
スパツタにより上記タゲーツト４からBi，Ｙ，
Fe，Al，Ｏ等の原子が離脱する。これらの離脱
した原子は、所定温度に加熱された上記GGG基
板２上に被着し、このGGG基板２上に（Ｙ，Bi）
3（Fe，Al）5O12の単結晶薄膜（以下薄膜と称す
る）６がエピタキシヤル成長する。なおスパツタ
に用いる電力を110Wとし、またスパツタ時間を
５時間とした場合、得られた薄膜６の厚さは
1.5μmであつた。
次に上記薄膜６をこの薄膜６が被着した上記
GGG基板２と共に所定条件でアニールして膜中
の歪みを除去する。なお上述のようにして得られ
た薄膜６が単結晶であることは、Ｘ線回折によつ
て確認された。
GGG基板２と共に所定条件でアニールして膜中
の歪みを除去する。なお上述のようにして得られ
た薄膜６が単結晶であることは、Ｘ線回折によつ
て確認された。
上述の実施例により製造された薄膜６は、光学
顕微鏡による観察の結果、唐草模様状の磁区構造
を有し、極めて良好な磁性薄膜であることが明ら
かにされ、また第２図〜第８図に示すような優れ
た特性を有することが測定によつて明らかにされ
た。以下順を追つてこれらの測定結果について述
べる。なお第２図及び第３図第５図〜第８図にお
いて、フアラデー回転角θF測定用の光源として
は、He−Neレーザー（波長6328Å）を用いた。
また測定は、上記薄膜６に光を透過させて行つ
た。なお第５図のキユリー点の測定は、薄膜６上
にAl膜を形成して成るGGG基板２の三層構造の
試料について行つた。
顕微鏡による観察の結果、唐草模様状の磁区構造
を有し、極めて良好な磁性薄膜であることが明ら
かにされ、また第２図〜第８図に示すような優れ
た特性を有することが測定によつて明らかにされ
た。以下順を追つてこれらの測定結果について述
べる。なお第２図及び第３図第５図〜第８図にお
いて、フアラデー回転角θF測定用の光源として
は、He−Neレーザー（波長6328Å）を用いた。
また測定は、上記薄膜６に光を透過させて行つ
た。なお第５図のキユリー点の測定は、薄膜６上
にAl膜を形成して成るGGG基板２の三層構造の
試料について行つた。
第２図は420℃，470℃，490℃，510℃，550℃，
620℃の各基板温度で製造した薄膜６（各々の試
料に１〜６の番号を付す）のフアラデー回転角θF
及び保磁力Hcを示したグラフであるが、この図
に示すように、GGG基板２の温度が420〜620℃
の場合に製造された薄膜６のフアラデー回転角θF
は、アニール後の値で１〜2.75度であつた。なお
アニールは空気中で行い、試料１，２については
640℃、５時間、試料３〜６については740℃、５
時間とした。このように、本実施例により製造さ
れた薄膜６のフアラデー回転角θFの値は既述の
LPE法により製造された磁性薄膜のフアラデー
回転角θFが例えば0.5度程度であるのに比べて極
めて大きい。
620℃の各基板温度で製造した薄膜６（各々の試
料に１〜６の番号を付す）のフアラデー回転角θF
及び保磁力Hcを示したグラフであるが、この図
に示すように、GGG基板２の温度が420〜620℃
の場合に製造された薄膜６のフアラデー回転角θF
は、アニール後の値で１〜2.75度であつた。なお
アニールは空気中で行い、試料１，２については
640℃、５時間、試料３〜６については740℃、５
時間とした。このように、本実施例により製造さ
れた薄膜６のフアラデー回転角θFの値は既述の
LPE法により製造された磁性薄膜のフアラデー
回転角θFが例えば0.5度程度であるのに比べて極
めて大きい。
またＸ線による薄膜６の結晶格子定数の測定結
果より、本実施例の薄膜６には固溶限界（十二面
体位置の50％）までBiが固溶していることが判
明し、Biの大量置換により大きなフアラデー回
転角が得られていることが明らかとなつた。
果より、本実施例の薄膜６には固溶限界（十二面
体位置の50％）までBiが固溶していることが判
明し、Biの大量置換により大きなフアラデー回
転角が得られていることが明らかとなつた。
また本実施例の薄膜６の保磁力Hcは、第２図
に示すように140〜3500eと十分に大きな値であつ
た。
に示すように140〜3500eと十分に大きな値であつ
た。
なお第２図には、アニール後の薄膜６のフアラ
デー回転角θFおよび保磁力Hcのデータの他に、
参考データとしてスパツタ直後の薄膜６のフアラ
デー回転角θF及び保磁力Hcの値も示してある。
なお図中の試料６（基板温度620℃）の膜厚は
2.0μm（スパツタ時間は７時間）であり、それ以
外の５つの試料（基板温度420〜550℃）の膜厚は
1.5μmである。
デー回転角θFおよび保磁力Hcのデータの他に、
参考データとしてスパツタ直後の薄膜６のフアラ
デー回転角θF及び保磁力Hcの値も示してある。
なお図中の試料６（基板温度620℃）の膜厚は
2.0μm（スパツタ時間は７時間）であり、それ以
外の５つの試料（基板温度420〜550℃）の膜厚は
1.5μmである。
第３図に試料５（基板温度550℃）のフアラデ
ー回転角θFの波長依存性を、また第８図に試料３
（基板温度490℃）のフアラデー回転角θFの波長依
存性を示す。これらの図に示すように、波長0.4
〜0.7μmの光に対するフアラデー回転角θFはアニ
ール後の値で、試料５は１〜10度、試料３で１〜
20度であり極めて大きい。また両試料とも、特に
0.5μm付近においてフアラデー回転角θFが著しく
大きくなつていることがわかる。なお第３図にお
いては、スパツタ直後の薄膜６についての測定結
果を参考データとして併せて示した。
ー回転角θFの波長依存性を、また第８図に試料３
（基板温度490℃）のフアラデー回転角θFの波長依
存性を示す。これらの図に示すように、波長0.4
〜0.7μmの光に対するフアラデー回転角θFはアニ
ール後の値で、試料５は１〜10度、試料３で１〜
20度であり極めて大きい。また両試料とも、特に
0.5μm付近においてフアラデー回転角θFが著しく
大きくなつていることがわかる。なお第３図にお
いては、スパツタ直後の薄膜６についての測定結
果を参考データとして併せて示した。
次に前記試料５について薄膜６の吸収係数αの
光の波長に対する依存性を第４図に示す。この図
より試料５の吸収係数αは波長0.55μm以上の可
視光に対して十分小さく、この波長領域の光に対
しては殆ど透明であること、及び0.5μm付近に吸
収端が存在することがわかる。
光の波長に対する依存性を第４図に示す。この図
より試料５の吸収係数αは波長0.55μm以上の可
視光に対して十分小さく、この波長領域の光に対
しては殆ど透明であること、及び0.5μm付近に吸
収端が存在することがわかる。
第５図に前記試料５のフアラデー回転角θFの温
度依存性のデータを示す。この図より試料５のフ
アラデー回転角θFは室温から170℃付近まで、温
度Ｔの増加と共に単調に減少することがわかる。
そしてこの第５図からキユリー温度Tcが164℃で
あることもわかる。なおＴ＝160〜200℃において
フアラデー回転角θFがなだらかに変化しているの
は、薄膜６の内部の残留歪やFe，Al原子の無秩
序配列等に起因する。
度依存性のデータを示す。この図より試料５のフ
アラデー回転角θFは室温から170℃付近まで、温
度Ｔの増加と共に単調に減少することがわかる。
そしてこの第５図からキユリー温度Tcが164℃で
あることもわかる。なおＴ＝160〜200℃において
フアラデー回転角θFがなだらかに変化しているの
は、薄膜６の内部の残留歪やFe，Al原子の無秩
序配列等に起因する。
第６図に試料４（基板温度510℃）のフアラデ
ー回転角θFの膜面に垂直な方向の磁界Ｈに対する
ヒステリシス特性を測定した結果を示す。この図
に示すように、ヒステリシス特性はアニール前後
で変化し、またアニールによりフアラデー回転角
θFが増加していることがわかる。
ー回転角θFの膜面に垂直な方向の磁界Ｈに対する
ヒステリシス特性を測定した結果を示す。この図
に示すように、ヒステリシス特性はアニール前後
で変化し、またアニールによりフアラデー回転角
θFが増加していることがわかる。
次に第７Ａ図〜第７Ｃ図は、試料５の中央部
（膜厚1.5μm）と試料周辺の膜厚の低下部分（膜
厚1.2μm及び0.9μm）の３種の異なる膜厚、即ち
膜厚1.5，1.2，0.9μmのアニール後の薄膜６につ
いてそれぞれのヒステリシス特性を測定した結果
であり、これらの図から膜厚が小さい程ループの
角形性が良くなり、特に膜厚が1μm以下の場合に
は磁気記録材料として極めて好ましいヒステリシ
ス特性を示すことがわかる。
（膜厚1.5μm）と試料周辺の膜厚の低下部分（膜
厚1.2μm及び0.9μm）の３種の異なる膜厚、即ち
膜厚1.5，1.2，0.9μmのアニール後の薄膜６につ
いてそれぞれのヒステリシス特性を測定した結果
であり、これらの図から膜厚が小さい程ループの
角形性が良くなり、特に膜厚が1μm以下の場合に
は磁気記録材料として極めて好ましいヒステリシ
ス特性を示すことがわかる。
以上の種々の測定データから明らかなように、
上述の実施例により製造された（Ｙ，Bi）3（Fe，
Al）5O12単結晶薄膜６はフアラデー回転角θFが極
めて大きいと共に保磁力Hcも十分大きく、また
吸収係数αも十分小さく、光熱磁気記録材料とし
て極めて好ましい性質を有している。
上述の実施例により製造された（Ｙ，Bi）3（Fe，
Al）5O12単結晶薄膜６はフアラデー回転角θFが極
めて大きいと共に保磁力Hcも十分大きく、また
吸収係数αも十分小さく、光熱磁気記録材料とし
て極めて好ましい性質を有している。
なお上述の実施例においては、スパツタすべき
タゲーツトの材料として組成式Bi2.0Y1.0Fe3.8Al1.2
O12で表される多結晶状の鉄ガーネツトを用いた
が、これに限定されるものではなく、例えば上述
の組成式に含まれる元素をそれぞれ含む混合物で
あつてもよい。より一般的には、（Bi2O3）x（R2
O3）y（Fe2O3）z（M2O3）uで表されるような少なく
ともBi原子、Ｙ原子及び希土類原子を含む酸化
物から成る材料を用いることができる。ここで、
０＜ｘ≦３／２，０＜ｙ≦３／２，０＜ｚ＜５／
２，０≦ｕ≦５／２である。またＲはＹ，Sm等
の希土類元素であり、ＭはAl3+，Ga3+，Sc3+，
Tl3+，（Co2+＋Ti4+）等である。
タゲーツトの材料として組成式Bi2.0Y1.0Fe3.8Al1.2
O12で表される多結晶状の鉄ガーネツトを用いた
が、これに限定されるものではなく、例えば上述
の組成式に含まれる元素をそれぞれ含む混合物で
あつてもよい。より一般的には、（Bi2O3）x（R2
O3）y（Fe2O3）z（M2O3）uで表されるような少なく
ともBi原子、Ｙ原子及び希土類原子を含む酸化
物から成る材料を用いることができる。ここで、
０＜ｘ≦３／２，０＜ｙ≦３／２，０＜ｚ＜５／
２，０≦ｕ≦５／２である。またＲはＹ，Sm等
の希土類元素であり、ＭはAl3+，Ga3+，Sc3+，
Tl3+，（Co2+＋Ti4+）等である。
以上述べたように、本発明に係る磁性薄膜の製
造方法によれば、フアラデー回転角θFが極めて大
きいと共に保磁力Hcも十分大きく、また吸収係
数αも十分小さい磁性薄膜を製造することができ
る。
造方法によれば、フアラデー回転角θFが極めて大
きいと共に保磁力Hcも十分大きく、また吸収係
数αも十分小さい磁性薄膜を製造することができ
る。
第１図は本発明に係る磁性薄膜の製造方法の一
実施例を示す高周波スパツタリング装置の電極付
近の構造を示す断面図、第２図は本発明に係る磁
性薄膜の製造方法の一実施例により製造された
（Ｙ，Bi）3（Fe，Al）5O12単結晶薄膜のフアラデ
ー回転角θF及び保磁力Hcの基板温度依存性を示
すグラフ、第３図は本発明に係る磁性薄膜の製造
方法の一実施例により製造された（Ｙ，Bi）3
（Fe，Al）5O12単結晶薄膜のフアラデー回転角θF
の光の波長依存性を示すグラフ、第４図は本発明
に係る磁性薄膜の製造方法の一実施例により製造
された（Ｙ，Bi）3（Fe，Al）5O12単結晶薄膜の吸
収係数αの波長依存性を示すグラフ、第５図は本
発明に係る磁性薄膜の製造方法の一実施例により
製造された（Ｙ，Bi）3（Fe，Al）5O12単結晶薄膜
のフアラデー回転角θFの温度依存性を示すグラ
フ、第６図は本発明に係る磁性薄膜の製造方法の
一実施例により製造された（Ｙ，Bi）3（Fe，Al）
5O12単結晶薄膜のヒステリシス特性を示すグラ
フ、第７Ａ図〜第７Ｃ図は本発明に係る磁性薄膜
の製造方法の一実施例により製造された３つの異
なる膜厚の（Ｙ，Bi）3（Fe，Al）5O12単結晶薄膜
のヒステリシス特性を示すグラフ、第８図は本発
明に係る磁性薄膜の製造方法の一実施例により製
造された（Ｙ，Bi）3（Fe，Al）5O12単結晶薄膜の
フアラデー回転角θFの光の波長依存性を示す第３
図と同様なグラフである。 なお図面に用いた符号において、１……電極板
（試料台）、２……GGG基板、３……電極板、４
……ターゲツト、５……ヒータ、６……（Ｙ，
Bi）3（Fe，Al）5O12単結晶薄膜、である。
実施例を示す高周波スパツタリング装置の電極付
近の構造を示す断面図、第２図は本発明に係る磁
性薄膜の製造方法の一実施例により製造された
（Ｙ，Bi）3（Fe，Al）5O12単結晶薄膜のフアラデ
ー回転角θF及び保磁力Hcの基板温度依存性を示
すグラフ、第３図は本発明に係る磁性薄膜の製造
方法の一実施例により製造された（Ｙ，Bi）3
（Fe，Al）5O12単結晶薄膜のフアラデー回転角θF
の光の波長依存性を示すグラフ、第４図は本発明
に係る磁性薄膜の製造方法の一実施例により製造
された（Ｙ，Bi）3（Fe，Al）5O12単結晶薄膜の吸
収係数αの波長依存性を示すグラフ、第５図は本
発明に係る磁性薄膜の製造方法の一実施例により
製造された（Ｙ，Bi）3（Fe，Al）5O12単結晶薄膜
のフアラデー回転角θFの温度依存性を示すグラ
フ、第６図は本発明に係る磁性薄膜の製造方法の
一実施例により製造された（Ｙ，Bi）3（Fe，Al）
5O12単結晶薄膜のヒステリシス特性を示すグラ
フ、第７Ａ図〜第７Ｃ図は本発明に係る磁性薄膜
の製造方法の一実施例により製造された３つの異
なる膜厚の（Ｙ，Bi）3（Fe，Al）5O12単結晶薄膜
のヒステリシス特性を示すグラフ、第８図は本発
明に係る磁性薄膜の製造方法の一実施例により製
造された（Ｙ，Bi）3（Fe，Al）5O12単結晶薄膜の
フアラデー回転角θFの光の波長依存性を示す第３
図と同様なグラフである。 なお図面に用いた符号において、１……電極板
（試料台）、２……GGG基板、３……電極板、４
……ターゲツト、５……ヒータ、６……（Ｙ，
Bi）3（Fe，Al）5O12単結晶薄膜、である。
Claims (1)
- １ 少なくともBi原子、Fe原子及び希土類原子
を含む酸化物から成るターゲツトをスパツタし、
このスパツタにより前記ターゲツトから離脱した
前記酸化物の構成原子を350〜700℃に加熱された
GGG基板上に被着することによつて、このGGG
基板上に高濃度Bi置換鉄ガーネツト単結晶薄膜
をエピタキシヤル成長させ、しかるのちに前記単
結晶薄膜を大気中において640〜740℃でアニール
することを特徴とする磁性薄膜の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21675083A JPS60107815A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | 磁性薄膜の製造方法 |
| DE8484904169T DE3482886D1 (de) | 1983-11-17 | 1984-11-15 | Verfahren zur herstellung photothermomagnetischer aufzeichnungsfilme. |
| PCT/JP1984/000547 WO1985002292A1 (fr) | 1983-11-17 | 1984-11-15 | Procede de fabrication d'un film d'enregistrement photothermomagnetique |
| US06/763,789 US4608142A (en) | 1983-11-17 | 1984-11-15 | Method of manufacturing magneto-optic recording film |
| EP19840904169 EP0196332B1 (en) | 1983-11-17 | 1984-11-15 | Method of manufacturing photothermomagnetic recording film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21675083A JPS60107815A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | 磁性薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60107815A JPS60107815A (ja) | 1985-06-13 |
| JPH0558251B2 true JPH0558251B2 (ja) | 1993-08-26 |
Family
ID=16693332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21675083A Granted JPS60107815A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | 磁性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60107815A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3424467A1 (de) * | 1984-07-03 | 1986-01-16 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zur herstellung wismut-substituierter ferrimagnetischer granatschichten |
| JP2598409B2 (ja) * | 1987-06-17 | 1997-04-09 | 株式会社リコー | 酸化物磁性体薄膜の製造方法 |
| WO2000013178A1 (en) | 1998-08-28 | 2000-03-09 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Opto-magnetic recording medium and its manufacturing method, and opto-magnetic information recording/reproducing device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5425635B2 (ja) * | 1972-05-16 | 1979-08-29 | ||
| JPS5613710A (en) * | 1979-07-13 | 1981-02-10 | Nec Corp | Material for magnetic element |
-
1983
- 1983-11-17 JP JP21675083A patent/JPS60107815A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60107815A (ja) | 1985-06-13 |
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