JPH0377208A - 酸化スズ膜の低抵抗化方法 - Google Patents
酸化スズ膜の低抵抗化方法Info
- Publication number
- JPH0377208A JPH0377208A JP21395789A JP21395789A JPH0377208A JP H0377208 A JPH0377208 A JP H0377208A JP 21395789 A JP21395789 A JP 21395789A JP 21395789 A JP21395789 A JP 21395789A JP H0377208 A JPH0377208 A JP H0377208A
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- Japan
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- oxide film
- tin oxide
- resistance
- anode
- vessel
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- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光起電力素子専の透明導ｉ換として使用され
る酸化スズ膜を低抵抗化する酸化スズ膜の低抵抗化方法
に関する。
る酸化スズ膜を低抵抗化する酸化スズ膜の低抵抗化方法
に関する。
一般に、太陽電池等の光起電力素子の透明導電漠として
、例えば特開昭６２−２１３２８１号公報ＣＩ−Ｉ ０
１Ｌ３ｉ１０４）に記載のように酸化スズ膜がよく用い
られるが、この場合発生電力を効率よく外部に取り出す
には、酸化スズ膜を低抵抗化する必要がある。
、例えば特開昭６２−２１３２８１号公報ＣＩ−Ｉ ０
１Ｌ３ｉ１０４）に記載のように酸化スズ膜がよく用い
られるが、この場合発生電力を効率よく外部に取り出す
には、酸化スズ膜を低抵抗化する必要がある。
そして従来、酸化スズ膜を低抵抗化する手法として、ガ
ラス基板に酸化スズ膜をＣＶＤ法等により形成する際に
、低抵抗化用のアンチモン［Ｓｂ］やフッ素［Ｆ］など
の不純物を含む反応ガス金柑い、模形成の過程で不純物
音ドープし、膜形戊後約５００℃の高温熱処理を行うこ
とによって酸化スズ摸を低抵抗化している。
ラス基板に酸化スズ膜をＣＶＤ法等により形成する際に
、低抵抗化用のアンチモン［Ｓｂ］やフッ素［Ｆ］など
の不純物を含む反応ガス金柑い、模形成の過程で不純物
音ドープし、膜形戊後約５００℃の高温熱処理を行うこ
とによって酸化スズ摸を低抵抗化している。
従来の場合、酸化スズ膜の形成後に高温熱処理を行うた
め、約５００℃に加熱するための設備金要しこの設備が
２００〜３００℃の加熱設備に比べてかなり大１）かり
になり、しかも高温加熱によりガラス基板からのアルカ
リイオンが酸化スズ膜に入り込み、酸化スズ膜の膜抵抗
がアルカリイオンによって上昇し、酸化スズ膜を簡単に
かつ確実に低抵抗化できないという問題点がある。
め、約５００℃に加熱するための設備金要しこの設備が
２００〜３００℃の加熱設備に比べてかなり大１）かり
になり、しかも高温加熱によりガラス基板からのアルカ
リイオンが酸化スズ膜に入り込み、酸化スズ膜の膜抵抗
がアルカリイオンによって上昇し、酸化スズ膜を簡単に
かつ確実に低抵抗化できないという問題点がある。
本発明は、前記の点に留意してなされ、簡単な方法によ
り確実に酸化スズ膜を低抵抗化できるようにすることを
目的とする。
り確実に酸化スズ膜を低抵抗化できるようにすることを
目的とする。
前記目的を遠戚するために、本発明は、酸化スズ膜上形
成した基板を真空容器内に配設し、前記容器内に低抵抗
化用不純物金倉むガスのプラズマ金生戚して前記不純物
を前記酸化スズ膜にドープし、前記酸化スズ膜を低抵抗
化することを特徴としている。
成した基板を真空容器内に配設し、前記容器内に低抵抗
化用不純物金倉むガスのプラズマ金生戚して前記不純物
を前記酸化スズ膜にドープし、前記酸化スズ膜を低抵抗
化することを特徴としている。
以上のような構成において、低抵抗化用不純物を含むガ
スのプラズマ中に、酸化スズ膜上形成した基板ごと晒す
ことにより、酸化スズ膜に不純物上ドープし、酸化スズ
膜を低抵抗化できるため、従来の如く高温熱処理を行う
場合のように大掛かりな設備が不要になり、膜抵抗が上
昇することもなく、簡単かつ確実に酸化スズ膜の低抵抗
化が図れる。
スのプラズマ中に、酸化スズ膜上形成した基板ごと晒す
ことにより、酸化スズ膜に不純物上ドープし、酸化スズ
膜を低抵抗化できるため、従来の如く高温熱処理を行う
場合のように大掛かりな設備が不要になり、膜抵抗が上
昇することもなく、簡単かつ確実に酸化スズ膜の低抵抗
化が図れる。
［実施例］
実施例について第１図を参照して説明する。
同図は、低抵抗化するための装置の概略構成を示し、同
図にむいて、（１）は真空容器、（２）は容器（１）に
形成され低抵抗化不純物であるＦ’に含む４フツ化炭素
［ＣＦ、］ガスが導入される導入口、（３）は容器（１
１に形成された排気口、（４）は容器（１）内の下部に
配設されアースされたアノード、（５）は容器（１）内
の上部にアノード（４）に平行に配設されたカソード、
（６）はアノード（４）上に載置され上面に酸化スズ膜
（７）が形成されたガラス基板、（８）はＲ，Ｆ電源で
あり、端がマツチングボックスを介してカソード（５）
に接続され、他端がアースされており、アノード（４）
。
図にむいて、（１）は真空容器、（２）は容器（１）に
形成され低抵抗化不純物であるＦ’に含む４フツ化炭素
［ＣＦ、］ガスが導入される導入口、（３）は容器（１
１に形成された排気口、（４）は容器（１）内の下部に
配設されアースされたアノード、（５）は容器（１）内
の上部にアノード（４）に平行に配設されたカソード、
（６）はアノード（４）上に載置され上面に酸化スズ膜
（７）が形成されたガラス基板、（８）はＲ，Ｆ電源で
あり、端がマツチングボックスを介してカソード（５）
に接続され、他端がアースされており、アノード（４）
。
カソード（５）間にＲＦ ’ｔｔ圧を印加し、アノード
（４）、カソード（５）間にＲＦグロー放電を発生させ
て導入口（２）からのＣＦ、ガスをプラズマ化する。
（４）、カソード（５）間にＲＦグロー放電を発生させ
て導入口（２）からのＣＦ、ガスをプラズマ化する。
ところで、酸化スズ膜（７）は、酸素雰囲気中で金属ス
ズを抵抗加熱にエリ基板（６）の表面に真空蒸着したの
ち、大気中において５５０℃で焼成して形成する。
ズを抵抗加熱にエリ基板（６）の表面に真空蒸着したの
ち、大気中において５５０℃で焼成して形成する。
そして、真空容器（１）内のアノード（４）に、酸化ス
ズ膜（７） ′に形成した基板（６）ヲセットし、容器
（１）内を１０−’ Ｔｏｒｒまで真空排気したのち、
容器＜１１内の圧力が０．４ Ｔｏｒｒで一定となるよ
うに導入口（２）からＣＦ。
ズ膜（７） ′に形成した基板（６）ヲセットし、容器
（１）内を１０−’ Ｔｏｒｒまで真空排気したのち、
容器＜１１内の圧力が０．４ Ｔｏｒｒで一定となるよ
うに導入口（２）からＣＦ。
ガスを導入すると共に、排気口（３）より調整排気し、
ＲＦ 電源（８１Ｋ ｊ ＩＪ ２００Ｗ（Ｄ ＲＦ電
力金供給し、アノード（４）、カソード（５）間でＲＦ
グロー放電を発生させ、ＣＦ、ガスをプラズマ化する。
ＲＦ 電源（８１Ｋ ｊ ＩＪ ２００Ｗ（Ｄ ＲＦ電
力金供給し、アノード（４）、カソード（５）間でＲＦ
グロー放電を発生させ、ＣＦ、ガスをプラズマ化する。
このようにして生成さ：／’ＬｆｃＣＦ４ガスのプラズ
マスズ膜（７）が低抵抗化され、従来のような高温処理
のための大掛かりな設備が不要になり、高温に起因した
ガラス基板（６）からのアルカリイオンの入り込みによ
る膜抵抗の上昇のかそれがない。
マスズ膜（７）が低抵抗化され、従来のような高温処理
のための大掛かりな設備が不要になり、高温に起因した
ガラス基板（６）からのアルカリイオンの入り込みによ
る膜抵抗の上昇のかそれがない。
例えば、前記した条件で１５分間ＲＦグロー放電金継続
したところ、放電開始前には酸化スズ膜（７）の比抵抗
は４ Ｘ １０−’Ω・備であったが、放電により１桁
以上小さくなることが確認できた。
したところ、放電開始前には酸化スズ膜（７）の比抵抗
は４ Ｘ １０−’Ω・備であったが、放電により１桁
以上小さくなることが確認できた。
なお、前記実施例ではＲＦグロー放電によりプラ発生す
るようにしてもよい。
るようにしてもよい。
また、導入ガスはドープする不純物に応じて適宜選定す
ればよい。
ればよい。
本発明は、以上説明したように構成されているので、以
下に記載する効果金臭する。
下に記載する効果金臭する。
低抵抗化不純物七含むガスのプラズマ中に、酸化スズ膜
を形成した基板ごと晒すことにエリ、酸化スズ膜に不純
物をドープし、酸化スズ膜を低抵抗化できるため、従来
の如く高温熱処理を行う場合のように大掛かりな設備が
不要になり、膜抵抗が上昇することもなく、簡単かつ確
実に酸化スズ膜の低抵抗化を行うことができる。
を形成した基板ごと晒すことにエリ、酸化スズ膜に不純
物をドープし、酸化スズ膜を低抵抗化できるため、従来
の如く高温熱処理を行う場合のように大掛かりな設備が
不要になり、膜抵抗が上昇することもなく、簡単かつ確
実に酸化スズ膜の低抵抗化を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の酸化スズ膜の低抵抗化方法の１実施例
に訃ける低抵抗化装置の概略図である。 （１）・・・真空容器、（４）・・・アノード、（５）
・・・カソード、（６）・・・ガラス基板、（７）・−
・酸化スズ膜、（８）・・・ＲＦ電源。
に訃ける低抵抗化装置の概略図である。 （１）・・・真空容器、（４）・・・アノード、（５）
・・・カソード、（６）・・・ガラス基板、（７）・−
・酸化スズ膜、（８）・・・ＲＦ電源。
Claims (1)
- （１）酸化スズ膜を形成した基板を真空容器内に配設し
、前記容器内に低抵抗化用不純物を含むガスのプラズマ
を生成して前記不純物を前記酸化スズ膜にドープし、前
記酸化スズ膜を低抵抗化することを特徴とする酸化スズ
膜の低抵抗化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21395789A JPH0377208A (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 酸化スズ膜の低抵抗化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21395789A JPH0377208A (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 酸化スズ膜の低抵抗化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0377208A true JPH0377208A (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=16647859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21395789A Pending JPH0377208A (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 酸化スズ膜の低抵抗化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0377208A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007068252A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Chugoku Electric Power Co Inc:The | 腕金カバー |
-
1989
- 1989-08-19 JP JP21395789A patent/JPH0377208A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007068252A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Chugoku Electric Power Co Inc:The | 腕金カバー |
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