JPS6039156B2 - 酸化インジウム膜のエツチング方法 - Google Patents

酸化インジウム膜のエツチング方法

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JPS6039156B2
JPS6039156B2 JP54125099A JP12509979A JPS6039156B2 JP S6039156 B2 JPS6039156 B2 JP S6039156B2 JP 54125099 A JP54125099 A JP 54125099A JP 12509979 A JP12509979 A JP 12509979A JP S6039156 B2 JPS6039156 B2 JP S6039156B2
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JP
Japan
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oxide film
indium oxide
etching
etching method
plasma
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JP54125099A
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昌宏 羽山
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/138—Manufacture of transparent electrodes, e.g. transparent conductive oxides [TCO] or indium tin oxide [ITO] electrodes

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  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、酸化インジウム膜のエッチング方法に関す
るものである。
酸化インジウムは、電子部品、光学部品として、特に液
晶やヱレクトロク。ミックの表示体に用いる透明導電性
膜として広く使われている。酸化インジウム膜は、抵抗
加熱法、スパッタリング法等により成膜できる。
酸化インジウム膜は、不純物を混入しないで使う場合も
あるし、酸化スズを不純物として混入して使う場合もあ
る。が、以後、これらを総称して酸化インジウム膜と呼
ぶ。従来、酸化インジウム膜のエッチングは塩酸水溶液
などを用いた湿式エッチング法が用いられていた。
この方法は、比較的容易にかつ簡易な設備で行なうこと
ができるが、高い精度でエッチング加工する場合にはサ
イドエッチングが大きいとか、フオトレジストの脱落、
酸化インジウム膜の断線等の問題があった。この発明は
、従来の欠陥を解消し、酸化インジウム膜を比較的簡単
にかつ高い精度で加工しようとするもので、アルコール
系ガスプラズマを用い平行平板電極型プラズマエッチン
グ装置を用いるものである。
すなわち、この発明は図面に示すような平行平板電極型
プラズマエッチング装置を用いて、酸化インジウム膜を
アルコール系ガスプラズマで処理することにより、簡単
に酸化インジウム膜をエッチングできる。
円筒型プラズマエッチング装置を用いて、アルコール系
ガスプラズマで処理した場合、酸化スス膜はエッチング
できたが、酸化インジウム膜は還元されて黒化しエッチ
ングできなかった。しかしながら、この発明のような平
行平板電極型プラズマエッチング装置を用いる酸化イン
ジウム膜はエッチングされた。この発明のアルコールに
よるガスプラズマによるエッチング法を図面を用いて説
明する。
図面はこの発明を実施するために使用した平行平板電極
型プラズマエッチング装置を示す断面図である。１はガ
ラス又は金属からなる真空容器である。
２は真空容器１中に配置され、絶縁物３で真空容器１と
絶縁された平板の上部電極、４は真空容器１中に配置さ
れた平板の下部電極で、上部電極２と平行に対向してい
る。
下部電極４をアース側としてリード線５，６間に、例え
ば１３．５８ＭＨＺの高周波電源が印加される。７は真
空容器１を真空にする真空ポンプで、導管８が下部電極
４を貫き真空容器１と蓮適している。
９は真空容器内にガスを導入するガス系路である。
１０，１１はガスの流量計である。
１２はアルコール液１３をバプリングする容器である。
１４は真空容器１中の上下部電極２，４間、例えば、下
部電極４上に置かれた酸化インジウム膜を有するエッチ
ング用基体である。アルコールは、例えばメチルアルコ
ール、エチルアルコールで、常温で液体であるので、キ
ャリアガスと共に導入するのが有利である。
キャリアガスしては、空気、窒素、アルゴン、ヘリウム
、などが用いられる。特に酸素ガスがよい。ガスの供給
中真空容器１内の真空度は、１０‐２〜１０‐ＩＴｏｎ
で維持される。例えば、膜厚７００Ａの酸化インジウム
膜は、メチルアルコールを酸素ガスでパブリングしたプ
ラズマ処理により１０分でエッチングされた。
プラズマ発生条件は、容器内真空度５×１０‐２Ｔｏｎ
、高周波電力１５０Ｗである。一方、マスクとしては、
ネガ型、ポジ型のいずれのフオトレジストも使用でき、
ＣＣ１４ガスプラズマに見られような変質は生じず、エ
ッチング後、酸素ガスプラズマにより容易に除去できた
。
以上説明したこの発明は、いわゆるドライエッチングべ
あるため、従来の湿式エッチング方法に比べ、サイドエ
ッチが少なく、かつフオトレジスタの脱落が少ないので
、酸化インジウム膜における高精度の微細エッチングが
可能となる。
【図面の簡単な説明】
図面は、この発明の一実施例に用いる平行平板電極極プ
ラズマエッチング装置の断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 酸化インジウム膜又は酸化スズを含有する酸化イン
    ジウム膜を有する基体を平行平板電極型プラズマエツチ
    ング装置中の平行平板電極間に配置し、アルコール系ガ
    スプラズマを用いて、上記基体の酸化インジウム膜をエ
    ツチングする酸化インジウム膜のエツチング方法。
JP54125099A 1979-09-27 1979-09-27 酸化インジウム膜のエツチング方法 Expired JPS6039156B2 (ja)

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