JPH0377360A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0377360A
JPH0377360A JP1213839A JP21383989A JPH0377360A JP H0377360 A JPH0377360 A JP H0377360A JP 1213839 A JP1213839 A JP 1213839A JP 21383989 A JP21383989 A JP 21383989A JP H0377360 A JPH0377360 A JP H0377360A
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inductor
line
insulating film
interlayer insulating
spiral inductor
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Naoto Ando
直人 安藤
Akira Inoue
晃 井上
Yasuharu Nakajima
康晴 中島
Kazuhiko Nakahara
和彦 中原
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置に関し、特に、半導体集積回路を
構成する際に用いるインダクタあるいはトランスの構造
に関するものである。
〔従来の技術〕
第１５図は半導体基板の上にスパイラルインダクタを形
成した従来例のインダクタの一例を示しており、また第
１６図（ａ）は第１５図のスパイラルインダクタの部分
平面図、第１６図（ｂ）は同図（ａ）のｘｖｒｂ−ｘｖ
ｔｂ断面を示す図である。これらの図において、１はＧ
ａｐｓ等の半導体基板、２は半導体基板ｌの上へ金属薄
膜を蒸着又はメツキ等の方法を用いて形成したらせん状
導体からなるインダクタ線路、８は入力端子、９は出力
端子、７は接地導体、６はスパイラルインダクタ２の中
心部と出力端子９の外側電極とを結ぶように蒸着又はメ
ツキにより形成した引き出し線路としての配線金属で、
これにより、スパイラルインダクタ配線２を半導体集積
回路を構成する他の要素と接続している。この配線金属
６は例えば空気等からなる絶縁層４を介してエアーブリ
ッジにより、あるいはインダクタ線路２の上へレジスト
又はボリイξドなどの高分子絶縁膜を塗布することによ
り形成した絶縁層４を介して形成され、これと交差する
他のインダクタ配線２とは接触しないよう絶縁されてい
る。また、Ｈは基板１と垂直の方向の磁界を示している
。
次に動作について説明する。
第１６図（ａ）のインダクタ配線２のようなパターンに
高周波電流■が流れる場合、同図（ロ）に示したように
、半導体基板１の表面と垂直方向に時間的に変化する磁
界Ｈが発生し、前記の磁界Ｈの時間的な変化を妨げる方
向に、インダクタ配ｖＡ２のパターンの両端に高周波電
圧Ｖが生ずる。上記の現象は次式（１）で表わされる。
ここで、Ｌ、はインダクタ配線２のパターンにより得ら
れる自己インダクタンスである。また、スパイラルイン
ダクタ２は第１５図に示すように出力側の引き出し線路
６以外は同一・平面上に形成されており、同方向に電流
が流れている線路間では偶モードとなり、インダクタン
ス成分を増加する電磁界結合が起こる。また、逆方向に
電流が流れている線路間では奇モードとなり、インダク
タンス成分を減少させる電磁界結合が起こる。相互イン
ダクタンスはこのようなすべての線路間に起こるＷ４１
界結合の和となっている。スパイラルインダクタ２のイ
ンダクタ成分りは、このような自己インダクタンスＬ０
と隣接するインダクタ間に生ずる相互インダクタンスと
の和であり、これを弐で表すと、 Ｌ　＝　Ｌ　ｏ　＋ΣＭ、＋ΣＭ となる。上式において、Ｍ、は偶モード結合による相互
インダクタンス、Ｍ−は奇モード結合による相互インダ
クタンスである。このインダクタンスＬの値は、パター
ンの巻線回数や形状、あるいはインダクタンス配線によ
り囲まれる面積などを適宜調整することにより、所望の
大きさに形成することができる。
また、第１７図はスパイラルインダクタを用いたトラン
スの従来例の上面図であり、図において、２はスパイラ
ルインダクタ線路、６はインダクタ線路２の取り出し線
路である。木構成においては２ケのスパイラルインダク
タ２を内外に設けることにより相互インダクタンスを得
ている。
しかしながら、上記のような構成のインダクタンス素子
、及びトランスを有する半導体装置では、インダクタ線
路２の上部にエアーブリッジ等の方法により絶縁Ｎ４を
介して取り出し線路６をｈしているため、製造プロセス
の制約上、取り出し線路６とインダクタ線路２との間隔
を広く形成することが困難であり、従って、取り出し線
路６とインダクタ線路２との間には必然的に線間カップ
リングによる寄生容量が生じてしまい、特に高周波帯で
の動作が困難であった。
また、上記の構成の半導体装蓋においては、半導体集積
回路の設計上、大きな数値のインダクタンスを実現しよ
うとする場合、インダクタ配線２のパターンの巻線数を
多くしたり、インダクタ配線２により囲まれる面積を大
きくする必要があるが、これは半導体基板上でのスペー
スを多（とるため集積化の点で不利となると共に、製造
工程も複雑となり、さらには複雑な電磁界結合の影響に
より精度の高い設計が困難であるという欠点を有してい
る。
また、さらに、複数のインダクタ配線を用いてトランス
を構成しようとする場合には、第１のインダクタ配線に
より発生ずる磁界が他のインダクタ配線を有効に鎖交す
る必要があるため、その構造が極めて複雑となり、モノ
リシック化された半導体集積回路においてトランスを実
現することは不可能であった。
そこで、従来、上記の集積化の要望に応じるインダクタ
ンス素子として第１８図（ａ）〜（Ｃ）に示づ−ものが
ある。即ち、第１８図は実開昭６Ｏ−ｉ３６１５６号公
報に示された従来のインダクタンス素子の構成を示す図
であり、同図（ａ）はその要部斜視図、同図（ｂ）はそ
の平面図、同図（Ｃ）は同図（ｂ）のＸ■ｃ−Ｘ■Ｃ断
面を示す図である。図において、ｌは半導体基板、ｌａ
は回路素子、２は下層スパイラルインダクタ配線、５は
スルーホール、１２は上層スパイラルインダクタ配線、
６は上層１及び下層のインダクタ線路１２．２を電気的
に直列接続する直線状の中間金属層インダクタ配線、１
０は第１層絶縁膜、２０は第２Ｎ絶縁膜、３０は第３層
絶縁膜、４０は第４層絶縁膜である。上層インダクタ線
路１２と下層・インダクタ線路２は共に同一寸法、形状
のもので、下層インダクタ線路２の内側端部と上層イン
ダクタ線路１２の外側端部とがスルーホール５及び中間
金属Ｎ６で直列接続されており、これにより１つのイン
ダクタ素子が形成されている。このように形成されたイ
ンダクタ素子においては、インダクタ線路を多層構造と
したので小さな占有面積で大きなインダクタンス値が得
られる。
また、第１７図に示すトランスの改良例として第１９図
に多層構造のトランスを示す。図中、第１８図と同一符
号は同一部分を示し、基板１上の配線金属６をスルーホ
ール５を介して、第１ｒＭ絶縁膜面１０上のインダクタ
線路２の中心部と結線し、スパイラルインダクタを構成
している。又、第２層絶縁膜面２０上の配線６をスルー
ホール５を介して、第３層絶縁膜面３０上のインダクタ
線路２の中心部とを結線し、スパイラルインダクタを構
成している。各絶縁膜の膜厚は数μｍ〜数１００μｍの
範囲で、精密にコントロールできるため、上下のスパイ
ラルインダクタの相互インダクタンスを所望の値にコン
トールすることができ、小さな占有面積で大きな相互イ
ンダクタンスが得られる。
しかしながら、上記のような構成のインダクタンス素子
、及びトランスは、集積化の点では有利であるが、同一
層のインダクタ線路の線間に生じるカップリングによる
寄生容量、及び上層と下層のインダクタ線路間に生じる
カップリングによる寄生容量により、特に高周波帯域で
インダクタとして動作しなくなってしまうという恐れが
あり問題であった。
〔発明が解決しようとする課題〕
以上のように、従来例による半導体装置においては、取
り出し線路６とインダクタ線路２との線間カップリング
、同一層のインダクタ線路の隣接線間に生じる線間カッ
プリング、及び多層構造のインダクタを構成した場合に
生じる上下層のインダクタ線路間のカップリングによる
寄生容量により、特に高周波帯での動作が難しくなると
いう問題があった。
この発明は、上述の問題点を解消するためになされたも
ので、種々の線路間の寄生容量を低減できるとともに、
少ない基板面積に大インダクタンスを有するスパイラル
インダクタパターンを容易に実現できる半導体装置、ま
た、スパイラルインダクタの形状を変えることなく主線
路のインダクタ成分を制御できる半導体装置、さらには
、少ない基板面積で大きな相互インダクタンスが可能と
なる半導体装置を提供することを目的とする・また、さ
らには従来のスパイラルインダクタ構造では構成するこ
とが不可能であった半導体装置を実現することも目的と
する。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、スパイラルインダクタ線
路の中心部、およびスパイラルインダクタ線路の外側に
設けた電極の下部に存在する基板又は層間絶縁膜あるい
はその両方に貫通孔をあけ、下層面に形成したその２点
間を接続する引き出し線路との間で上記スパイラルイン
ダクタと外部の電極を電気的に接続するようにしたもの
である。
また、この発明に係る半導体装置は、スパイラルインダ
クタを少なくとも２層以上の多層に設け、隣接する上下
２層のスパイラルインダクタの線路同士を平面から見て
互いに重ならないように互い違いに配置するようにした
ものである。
また、この発明に係る半導体装置は、同一平面上に形成
したスパイラルインダクタの下部に金属により恩威した
複数の脚部を設けてスパイラルインダクタの大部分を基
板面より離してなるものにおいて、上記スパイラルイン
ダクタの隣接する２線路の複数の脚部を、その脚部を該
線路に平行な方向に１＠次に結ぶとジグザグ状となるよ
うに交互に配置したものである。
また、この発明に係る半導体装置は、半導体基板の表面
上にインダクタ配線と絶縁層を交互に積層して形成した
多層構造のインダクタ配線を有するものにおいて、該イ
ンダクタ配線に囲まれ、かつ、絶縁層を貫通するように
磁性体材料を配設するようにしたものである。
また、この発明に係る半導体装置は、基板あるいは層間
絶縁膜又はその両方に貫通孔をあけ、その両面に線路を
つけて基板（絶縁膜）と垂直方向に線路を巻く第１のス
パイラルインダクタ線路を形成し、さらにこの第１のス
パイラルインダクタ線路の半導体基板又は層間絶縁膜の
表裏両面に形成され部分の上へ、さらに層間絶縁膜をか
ぶせ、その所要部分に貫通孔を設け、第１のスパイラル
インダクタ線路の外周にこれと相互インダクタンスを持
つように第２のスパイラルインダクタ線路を設けるよう
にしたものである。またさらには、このような構成のも
のにおいて、上記第１のスパイラルインダクタ線路群に
よって囲まれるように磁性体材料を配設するようにした
ものである。
また、さらにこの発明に係る半導体装置は、複数のスパ
イラルインダクタ線路を多層化したものにおいて、この
複数のスパイラルインダクタ線路の１つのスパイラルイ
ンダクタ線路のインダクタンス成分を、他のスパイラル
インダクタ線路に流れる信号の電流成分を可変とするこ
とで制御するようにしたものである。
［作用］ この発明においては、スパイラルインダクタの中心部、
およびスパイラルインダクタの外側に設けた電極の下部
に存在する基板又は層間絶！！膜あるいはその両方に貫
通孔をあけ、下層面に形成したその２点間を接続する引
き出し線路との間で線路を接合するようにしたので、引
き出し線路とスパイラルインダクタとの間の距離を十分
に広く形成することができ、引き出し線路とスパイラル
インダクタ線路との線間カップリングを防止できる。
また、この発明においては、スパイラルインダクタを少
な（とも２層以上の多層に設け、隣接層間のスパイラル
インダクタを互いに重ならないように配置するようにし
たので、上下層の配線間の距離を大きくとることができ
、多層にインダクタ配線を形成した場合に上下配線間に
生じる寄生容量を最小限に押さえることができる。
また、この発明においては、同一平面上に形成したスパ
イラルインダクタの下部に金属により形成した脚部を設
け、上記スパイラルインダクタの大部分を基板面より離
してなるものにおいて、上記隣接するスパイラルインダ
クタの脚部を、互いの距離が最大になるように交互に設
けるようにしたので、同一平面上で隣接するするスパイ
ラルインダクタ間に生じる寄生容量を低減できる。
また、この発明においては、半導体基板の表面上にイン
ダクタ配線と絶縁層を交互に積層して形成した多層構造
のインダクタにおいて、インダクタ配線に囲まれ、絶縁
層を貰通ずるように磁性体材料を配設するようにしたの
で、少ない基板面積にて大きな相互インダクタンスが可
能となる。
また、この発明においては、基板あるいは層間絶縁膜又
はその両方に貫通孔をあけ、その両面に線路をつけて、
基板（絶縁膜）と垂直方向に線路を巻く第１のスパイラ
ルインダクタ線路の表裏両面の線路の上へ、さらに層間
絶縁膜をかぶせ、第１の線路と同一方向に巻く線路を設
けたので、基板表面と平行に磁界が発生する方向に相互
に結合を持つトランスを実現できる。また、さらにこれ
に磁性体材料を設けた構造では、少ない基板面積で大き
な相互コンダクタンスを実現できるトランスが得られる
。
また、さらにこの発明においては、スパイラルインダク
タを多層化し、各スパイラルインダクタへ流れる電流を
変化させることにより、相互インダクタンスを変化させ
て主線路のインダクタンス成分を変化させるようにした
ので、インダクタ成分に対して設計の変更が必要な場合
でも容易にインダクタ成分を調整することができるよう
になり、試作をしなおす必要がなくなり、装置を安価に
できる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は、特許請求の範囲（１）記載の半導体装置の一
実施例によるインダクタの斜視図である。図において、
２はらせん状のインダクタ線路、５は半導体基板又は層
間絶縁膜１にあけた貫通孔（以下、バイアホールと略す
）を、１１は半導体基板又は層間絶縁膜の裏側に形成し
た取り出し線路（以下裏面線路と略す）を示す。
このインダクタの形成方法は、スパイラルインダクタ線
路２を半導体基板又は層間絶縁［１の上に設けた後、ス
パイラルインダクタ線路２の中心部及びスパイラルイン
ダクタ線路２の外側に設けた電極の下部にバイアホール
５を形成し、このバイアホール５の中に導体線路を設け
、裏面線路ｌ１により基板又は層間絶縁１］＃１の裏面
で各線路間を接合するようにしたものである。
このような構成では、スパイラルインダクタ２の中心部
からの引き出し線路を基板の裏面に設けた裏面線路１１
としたので、従来例で示したインダクタ線路２の上部へ
引き出し線路を設けていた構造のものと比較して、引き
出し線路（この場合は裏面線路１１）とインダクタ線路
２との間の距離を必要に応じて十分に広く形成すること
ができ、取り出し線路とインダクタ線路間の寄生容量を
大幅に低減できるという利点がある。
なお上記実施例では半導体基板又は層間絶縁膜１にバイ
アホール５をあけたのち、裏面線路１１を形成したが、
裏面線路１１を形成したのち、半導体基板又は層間絶縁
膜ｌを形成し、バイアホール５をあけてその中に導体線
路を形成したのち、インダクタ線路２等を形成するよう
にしてもよい。
また、第２、特許請求の範囲（２）記載の半導体装置の
一実施例によるインダクタを示すものであり、同図（ａ
）はその斜視図、同図（ｂ）、　（Ｃ）はそれぞれ（ａ
）図のｎ　ｂ−ｎ　ｂ断面、及びｌ１ｃ−Ｉｎｃ断面を
示す図である。図において第１図と同一符号は同一部分
を示す。
このインダクタの形成方法は、インダクタ線路２を半導
体基板又は層間絶縁膜１の上に形成した後バイアホール
５をあけ、バイアホール５の中に導体線路を形成し、そ
の後、基板の裏面に裏面線路１１を同図（ｂ）、　（Ｃ
）に示すように、インダクタ線路２と平面から見て重な
らないよう交互に配置するようにするものである。
本実施例では、多層構造のスパイラルインダクタ配線を
各層の配線が互いに重ならないように交互に配置するよ
うにしたので、上下層の配線間の距離を大きくとること
ができ、多層にインダクタ配線を形成した場合に上下配
線間の容量結合により生じる寄生容量を最小限に押さえ
ることができる。特に、厚い半導体基板１等の表面と裏
面にそれぞれインダクタ線路２と裏面線路１１を形成し
た場合には、両者の間の距離を大きくとることができ、
線間の寄生容量をほとんど問題のない程度に防止できる
。
なお上記実施例では、半導体基板又は層間絶縁膜１にバ
イアホール５をあけたのち、裏面線路工ｌを形成したが
、裏面線路１１を形成したのち、半導体基板又は層間絶
縁膜１を形成し、バイアホール５をあけてその中に導体
線路を形成したのち−、インダクタ線路２を形成するよ
うにしてもよい。
一方、同一面に形成したスパイラルインダクタ配線にお
いて、隣接するインダクタ線路間の寄生容量を低減する
ためには、従来から第２０図に示す構造が考えられてお
り、同図（ａ）にその平面図、同図（ｂ）に（ａ）図の
ｘｘ　ｂ−ｘｘ　ｂ断面を示す。図中、１は半導体基板
、２はインダクタ線路、２１はインダクタ線路２の下に
金属等の導体により形成された脚部であり、本構成は脚
部２１を設けてインダクタ線路２の大部分を半導体基板
１より浮かすようにしたものである。このような構成に
おいては隣接するインダクタ路２間の大部分には空気が
介在するようになり、空気の比誘電率（＝１）が半導体
基板１の比誘電率（ＧａＡｓで１２）より格段に小さい
ため、インダクタ線路２間の線間容量は格段に小さくな
る。しかしながら、第２０図に示すような構成のものに
おいては、インダクタ２の線間の間隔を狭くした際の線
間のカップリング容量は小さくすることができるが、導
体からなる脚部２１どうしの間には空気と半導体基板１
が半々程度に介在することとなるため、ここで容量が生
じてしまうという問題点があった。
そこで、本発明による第２０図の構成の改良例を第３図
に示す。即ち、第３図は特許請求の範囲（３）記載の半
導体装置の一実施例によるインダクタの構成を示す平面
図であり、図において、第２０図と同一符号は同一部分
を示している。本実施例では同図に示すように、隣接す
るインダクタ線路２の脚部２１どおしの距離が最大にな
るように交互に設けたため、従来のもの（第２０図）と
比べて隣接する脚部２１の間に生じる線間のカップリン
グを小さくでき、隣接するインダクタ線路２の間の寄生
容量を少なくできる。このため、従来のものより、より
高周波帯までインダクタとして使用可能となる。
また、第４図は特許請求の範囲（４）記載の半導体装置
の第工の実施例を示す図であり、同図（ａ）はその平面
図、同図中）は（ａ）図の■ｂ−ＩＶｂ断面１回図（Ｃ
）はその斜視図を示す図である。本実施例の半導体装置
は、例えばＧ　ａ　Ａ　ｓなどの半導体基板１の表面部
にあって、インダクタとして作用するパターンを有し、
金属薄膜で形威した第１インダクタ配線２と前記第１イ
ンダクタ配線２に積層させて、ＳｉＮあるいは５ｉＯＮ
などにより形威した絶縁層４と、前記絶縁層４に積層さ
せて、金属薄膜により形威した第２インダクタ配線１２
と、これらのインダクタ配線２．１２ならびに絶縁層４
によって囲まれ、かつ、これらを貫通して配設された透
磁率μが半導体基板１の透磁率μよりも大きい例えばフ
ェライトなどの磁性材料３とから成るものである。
第１インダクタ配線２に高周波信号電流が流れた場合、
本発明の従来技術の頁で述べたように、半導体基板１の
表面と垂直方向に時間的に変化する磁界Ｈが発生し、前
記第１インダクタ配線２のパターンの両端に磁界Ｈの時
間的変化を妨げる方向に高周波電圧が発生する。更に、
第１インダクタ配線２により発生した磁界Ｈは、磁性材
料３の内部を通過し、第２インダクタ配線１２を鎖交す
るため、前記第２インダクタ配線１２のパターンの両端
にも高周波電圧が発生し、この実施例の半導体装置はト
ランスとして動作する。
ここで、磁性材料の挿入による効果を説明するために第
８図に一般的なループ形状の金属配線パターンを有する
インダクタ配線の概略図を示す。
ループ形状の金属線パターンにおいて、その自己インダ
クタンスＬはループ形状の半径をａとして次式（２）で
表わされる。インダクタ配線のパターンがループ形状を
なしていない場合でも、インダクタ配線により囲まれる
面積Ｓを用いて次式で表わすことができる。
ＬｏｃπＢ　ａ”　＝Ｂ　Ｓ　　　　　　　＝１２）こ
こでμは、インダクタ配線によって囲まれる領域の透磁
率である。上式によると、例えばインダクタ配線によっ
て囲まれる領域の材質を例えばμ〜２５００程度を有す
るフェライトなどとすることによって同じ面積Ｓの構造
によっても、大きな数値の自己インダクタンスＬが得ら
れる。従って本実施例の構成のトランスにおいては小さ
な占有面積で大きな相互インダクタンスが得られる効果
がある。
また、第５図は特許請求の範囲（４）記載の半導体装置
の第２の実施例を示しており、同図（ａ）はその平面図
、同図（ハ）は（ａ）図のｖｂ−ｖｂ断面を示す図であ
り、第５図（Ｃ）はその斜視図である。本実施例の半導
体装置は例えばＧａＡｓなどの半導体基板１の表面部に
あって、インダクタとして作用するパターンを有し金属
薄膜で形威した第１．第２及び第３インダクタ配線２，
１２．２２とＳｉＮあるいは５ｉＯＮなどにより形威し
た絶縁層４と交互に積層させて形威し、これらのインダ
クタ配線２．１２．２２ならびに絶縁層４によって囲ま
れ、かつ、これらを貫通して配設された透磁率μが半導
体基板１の透磁率μよりも大きい、例えばフェライトな
どの磁性材料３とから成るものである。
この実施例に示す半導体装置の動作は、第４図に示す半
導体装置の動作と同様であり、３ボートを有するトラン
スとして動作する。
ここで、上記第４図及び第５図に示す第１及び第２の実
施例と同様の目的により多層構造のトランスに磁性材料
を使用したものとして従来から第２１図に示すものがあ
る。即ち、第２１図は特開昭６１−２９４８５０号に示
された従来の多層構造トランスの断面図であり、第１０
図と同一符号は同一部分を示す。本構成は半導体基板１
上に１層目配線２．絶縁ｊ１４．強磁性体層３．絶縁層
４゜及び２層目配線１２を順次積層した構造を有してお
り、強磁性体層３の上下の配線は強磁性体層を間にして
トランス結合となる位置関係となっている。しかしなが
ら、このような従来例では第１層配線２と第２Ｎｉ配線
１２との間の層に強磁性体層を有する構成となっている
ので、本発明の第４図及び第５図に示すように磁性体３
が積層した複数のスパイラルインダクタ配線を貫通する
ような構戒に比較して磁界の集中度が弱く、もれ磁束が
多くなり、大きな相互インダクタンスを得ることは難し
い。
また、第４図及び第５図に示す上記実施例では基ｖｉ１
上にスパイラルインダクタ配線を多層に設け、基板表面
と垂直な方向に相互に結合を持つトランスを実現するよ
うにしたが、以下、多層インダクタ配線により基板表面
と平行に磁界が発生する方向に相互に結合を持つトラン
スを実現した例を以下に示す、即ち、第６図は特許請求
の範囲（５）記載の半導体装置の一実施例を示す図であ
り、第６図（ａ）はその斜視図、第６図（ロ）、（Ｃ）
はそ゛れぞれ同図（ａ）の構造を■ｂ方向、及びＶＩｃ
方向から見た側面図である。これらの図において、同一
符号は同一のものを示し、１２はインダクタ線路２上に
層間絶縁膜１４を介して配線したインダクタ線路（以下
、第２Ｊｌ！インダクタ線路と称す）を指し、１３は裏
面線路１１の下に、層間絶縁膜１４を介して配線したイ
ンダクタ線路（以下、第２層裏面線路と称す）を示す。
次にインダクタの形成方法を示す。
インダクタ線路２を半導体基板又は層間絶縁膜１の上に
形成したのち、層関絶ｍｌ！＄１４を形成して、その上
に第２層インダクタ線路１２をインダクタ線路２を囲む
ように形成する０次に非等方性エツチング、例えばイオ
ン箋リング等の方法により半導体基板又は層間絶縁膜１
内にバイアホール５をあけ、バイアホール５中に導体線
路を形成したのち裏面線路１１を形成する。そしてその
下に層間絶縁膜１４を形成して、バイアホール５を層間
絶縁膜１４へあけたのち、第２層裏面線路１３を裏面線
路１１を囲むようにして形成する。
このような構成においては、図に示すように、インダク
タ線路２、バイアホール５、裏面線路１１で形成される
スパイラルインダクタを囲むように、第２層インダクタ
線路１２、バイアホール５、第２層裏面線路１３で形成
されるスパイラルインダクタを形成するようにしたので
、基板表面と平行に磁界が発生する方向に相互に結合を
もつトランスを少ない面積で形成できるという利点があ
る。
なお、第６図（イ）に同図（ａ）中の第２インダクタ線
路１２．バイアホール５．及び第２層裏面線路１３で形
成されるスパイラルインダクタを、第６図（ｅ）にイン
ダクタ線路２．バイアホール５．及び裏面線路１１で形
成されるスパイラルインダクタを示す。
なお上記実施例では、半導体基板又は層間絶縁膜１の上
にインダクタ線路２１層間絶縁膜１４゜第２層インダク
タ線路１２を形成したのちに、バイアホール５をあけ、
裏面線路１１、層間絶縁膜１４、第２層裏面線路１３を
形成したが、基板と垂直な方向に巻くインダクタの外側
に、同じく基板と垂直に巻くインダクタを持つトランス
を形成できるならば、バイアホールを介さないで電気的
に接続したり、あるいは絶縁膜の代わりに空気層を設け
て層間の絶縁を行なう等、他のどの樺な方法を用いても
かまわない。
また上記トランスの相互結合を増すなどの目的で、イン
ダクタ２．バイアホール５．裏面線路ｌｌで構成される
スパイラルインダクタの中央部に、例えばフェライトな
どのように透磁率が半導体基板または層間絶縁膜の透磁
率よりも大きい磁性体材料を挿入してもよく、この場合
の一例を第７図（ａ）、　（ｂ）に示す０両図はそれぞ
れ上記第６図中）、及び（Ｃ）に相当するものであり、
同図において、第６図と同一符号は同一部分を示し、３
はフェライト等の磁性材料である。第７図（ａ）、　（
ｂ）に示す構造では、インダクタ配線２，１２によって
囲まれる領域に磁性材料３を配設しているので、より大
きな相互インダクタンスの値を実現することができ、素
子の集積化が可能となる。
なお、前記実施例では磁性材料としてフェライトを用い
る場合について述べたが、例えば鉄、ケイ素鉄、あるい
は鉄・ニッケル合金などその他の磁性材料を用いるよう
にしてもよい。
また前記実施例においては、ＧａＡｓ基板１を用いる場
合について述べたが、必ずしもこれに限定されるもので
はなく、インジウム、リン（ＩｎＰ）など、その他の半
導体基板を用いる場合にも適用できることは言うまでも
ない。
また、第９図（ａ）は特許請求の範囲（７）の半導体装
置の第１の実施例によるインダクタの構造を示す図であ
り、図において、７は半導体基板１の裏面に形成された
接地導体、２は主線路となるスパイラルインダクタ線路
、４はスパイラルインダクタを多層化するために設けた
層間絶縁膜、８は入力端子、９は出力端子、６はスパイ
ラルインダクタ配！２から出力端子９への引き出し線路
、１５は多層化したスパイラルインダクタ配線、１６は
スパイラルインダクタ１５の入力端子８と出力端子９と
の間に設けた信号源である。
また、第９図（１））は同図（ａ）の等価回路を示す図
であり、主線路となるスパイラルインダクタ２に印加さ
れる信号の電流成分を１１．多層化されたスパイラルイ
ンダクタ１５の入出力端子間に接続された信号源のイン
ピーダンスをＺｏ、電流成分をＩ２とし、主線絡となる
スパイラルインダクタ２のインダクタ成分をＬｌ、入出
力端子間の電圧を■１　とする。多層化されたインダク
タ１５に関しても同様にインダクタ成分をＬｚ、入出力
端子間電圧を■２とする。また、相互インダクタンスを
Ｍとすると、Ｖ、、Ｖ、は次の（３）〜（５）式で表わ
される。
Ｖ＋　　−ｊωＬ＋　　１１　　＋ｊωＭＩｚ　　　　
−（３）Ｖｚ＝ｊωＬｚｒｚ＋ｊωＭ！、　　　　・・
・（４）Ｖｔ　−Ｚｏｌｇ　　　　　　　　　　　　・
・・（５）よって、主線路のスパイラルインダクタ２の
入出力端子間のインピーダンスＺｌは上記（３）式より
、Ｉ Ｚ、　− ｉ 上記（６）式において、各スパイラルインダクタのイン
ダクタ成分り、、Ｌと信号源インピーダンスＺ０は定数
であるから、Ｚ、はｉ、、１．の関数であることがわか
る。従って、Ｉ２を制御すれば、ＺＩを変化させること
ができる。
このような本実施例においては、主線路２と多層化した
スパイラルインダクタ１５に流れる電流成分を同相とす
ると主線路のインダクタ成分を増加させる方向に制御で
き、また、電流成分を逆相にすると主線路のインダクタ
成分を減少させる方向で制御が可能となる。
なお、上記実施例においては、多層化したスパイラルイ
ンダクタ１５の入出力端子間に信号源を接続しているが
、これは例えば、何も接続せずに入出力端子間をショー
ト状態にしてもよい、但し、この場合には、信号源イン
ピーダンス２．＝０より、上記（７）式から、 ３０Ｍ−−ｊωＬ２ これを上記の（３）式に代入すると、 １ Ｖ＋　　＝ｊωＬ、　　ｒｌ　　　ｊωＬ＋ｌ 従って、 Ｖ。
Ｚｌ　＝ Ｉ。
となり、主線路２のインダクタ成分は上式のように制御
されることとなる。
また、第１０図（ａ）は特許請求の範囲（７）の半導体
装置の第２の実施例によるインダクタの構成を示す図で
あり、図において、第９図と同一符号は同一部分を示し
、１７は電流量を減衰あるいは増幅する電流量可変回路
、１８は終端抵抗、１９は接地導体７へのスルーホール
である。
また、第１Ｏ図の）は同図（ａ）の等価回路を示す図で
あり、このインダクタは２個のスパイラルインダクタを
多層化し、スパイラルインダクタ１個を主線路２とし、
他のスパイラルインダクタ１５と電流量可変回路１７を
主線路２の入力端子８に接続し、電流量可変回路１７に
より主線路２とスパイラルインダクタ１５に流れる電流
成分の比（Ｉｔ／ｌ■）を制御することにより、主線路
２のインダクタ成分Ｚ１を変化させるようにしたもので
あり、Ｚ、を表す式は上記の（６）式と開式となる。
このような実施例においては、主線路２と多層化したス
パイラルインダクタ１５とに流れる電流成分は同相とな
るので主線路２のインダクタ成分を増加させる方向で制
御可能となる。また、主線路２のインダクタ成分を減少
させる方向に制御可能とするには、スパイラルインダク
タ１５の巻き方向を逆にし、主線路２とスパイラルイン
ダクタ１５の電流成分を逆相とすれば良い。
なお、上記実施例においは、スパイラルインダクタ１５
の電流量可変回路１７を主線路のスパイラルインダクタ
２の入力端子８に接続するようにしたが、これは出力端
子９に接続するようにしてもよく、この場合の等価回路
図を第１１図に示す。
この場合においても、上記実施例と同様に、主線路２と
多層化したスパイラルインダクタ１５に流れる電流成分
をコイルの巻き方により同相あるいは逆相にすることが
でき、主線路のインダクタ成分を目的に応じて容易に制
御可能となる。
なお、上記実施例においては、２個のスパイラルインダ
クタを多相化して主線路２のインダクタ成分を制御する
ようにしたが、これは２個以上のスパイラルインダクタ
を多層化して主線路２に多層化したスパイラルインダク
タを複数個接続するようにしてもよく、この場合におい
ては、上記第２、及び第３の実施例の場合に比較して大
きな力で制御することができるので、主線路２のインダ
クタ成分の可変領域幅を大きくすることができる。
以上のように、上記実施例によれば、主線路となるスパ
イラルインダクタ２のインダクタ成分を形状を変えずに
制御するような構成としたので、主線路のインダクタ成
分に対して設計の変更の必要が生じた場合においても、
試作をしなおさなくてよく、装置が安価にでき、また、
複雑な電磁界結合の影響により設計と誤差が生じた場合
においても簡単に調整することができる。
以下、上記実施例の応用例について説明する。
一般に数Ｇ）（ｚまで使用可能な広帯域アンプを設計す
る際には第１２図に示すようなピーキング回路を使用す
る。使用周波数帯域はこのピーキング回路で決定される
が、現在ピーキング回路に使用するインダクタの精度の
よいシミュレーションは困難とされている。そこでこの
ピーキング回路に上記実施例を適用し、第１３図のよう
な構成でピーキング回路のインダクタ成分を調整するよ
うにすると、第１４図に示すように使用周波数帯域を可
変にでき、使用周波数帯域毎にアンプを設けなくても容
易に所望の周波数帯域に正確に合わせ込むことができる
。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、スパイラルインダク
タの中心部からの引き出し線路を基板の裏面に設けた裏
面線路としたので、引き出し線路とインダクタ線路との
間の距離を十分に広く形成することができ、引き出し線
路とインダクタ線路間の寄生容量を大幅に低減できる効
果がある。また、多層構造のスパイラルインダクタ配線
を平面からみて各層の配線が互いに重ならないように交
互に配置するようにしたので、上下層の配線間の距離を
大きくとることができ、多層にインダクタ配線を形成し
た場合に上下配線間の容量結合により生じる寄生容量を
低減できる効果がある。また、同一平面上に形成したイ
ンダクタ線路に金属等の導体からなる脚部を設け、しか
も隣接２線路の脚部を線路に平行な方向に結ぶとジグザ
グ状となるよう交互に設けるようにしたので、隣接する
インダクタ線路間の寄生容量を少なくできる効果がある
。また、このように種々の線路間の寄生容量の低減を実
現可能とすることにより、より高周波帯までインダクタ
として使用可能となる効果がある。
また、半導体基板の表面上にインダクタ配線と絶縁層を
交互に積層して形成した多層構造のインダクタにおいて
、インダクタ配線に囲まれ、絶縁層を貫通するように磁
性体材料を設けるようにした構造においては、インダク
タ配線パターンの巻線数が少なくても、あるいはインダ
クタ配線パターンの面積が小さくても大きな値の相互イ
ンダクタンスを得ることができ、集積化の点で有利であ
リ、さらにはインダクタ配線と引き出し線路等の配線金
属との交差がないので、製造工程も大幅に簡略化するこ
とができる効果がある。また、さらにはこのような構成
においては、従来実現し得なかった３ボ一ト以上のトラ
ンスをモノリシック化半導体集積回路上で容易に実現で
きる効果がある。
また、基板あるいは層間絶縁膜又はその両方に貫通孔を
あけ、その両面に線路をつけ”ζ、基板（絶縁膜）と垂
直方向に線路を巻くインダクタ線路の表裏両面の線路の
上へ、さらに層間絶縁膜をかぶせ、このインダクタ線路
と同一方向に巻く線路を設けるようにした構成において
は、基板表面と平行に磁界が発虫する方向に相互に結合
を持つトランスを実現でき、また、さらにこれに磁性体
材料を設けた構造では、少ない基板面積でさらに大きな
相互コンダクタンスを実現できるトランスが得られる効
果がある。
また、さらにスパイラルインダクタを多層化し、各スパ
イラルインダクタへ流れる電流を変化させることにより
、相互インダクタンスを変化させて主線路のインダクタ
ンス成分を可変とした構成においては、複雑な電磁界結
合の影響により設計と誤差が生じた場合には容易にイン
ダクタ成分を調整することができるようになり、インダ
クタ成分に対して設計の変更が必要な場合でも試作をし
なおす必要がなく装置を安価にできる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は特許請求の範囲（１）の発明の一実施例による
半導体装置のインダクタの構成を示す斜視図、第２図（
ａ）〜（Ｃ）は特許請求の範囲（２）の発明の一実施例
による半導体装置のインダクタの構成を示す図、第３図
は特許請求の範囲（３）の発明の一実施例による半導体
装置のインダクタを示す上面図、第４図（ａ）〜（Ｃ）
は特許請求の範囲（４）の発明の半導体装置の第１の実
施例によるトランスの構成を示す図、第５図（ａ）〜（
Ｃ）は特許請求の範囲（４）の発明の半導体装置の第２
の実施例によるトランスの構成を示す図、第６図（ａ）
〜（ｅ）は特許請求の範囲（５）の発明の半導体装置の
一実施例によるトランスの構成を示す図、第７図（ａｔ
　（ｂ）は特許請求の範囲（６）の発明の半導体装置の
一実施例によるトランスの構成を示す図、第８図はイン
ダクタの動作を示す概念図、第９図（ａ）、　（ｂ）は
特許請求の範囲（７）の発明の半導体装置の第１の実施
例によるインダクタの構成を示す図、第１０図（ａ）、
　（ｂ）は特許請求の範囲（７）の発明の半導体装置の
第２の実施例によるインダクタの構成を示す図、第１１
図は特許請求の範囲（７）の発明の第２の実施例による
インダクタの応用例としての等価回路を示す図、第１２
図１第１３図、及び第１４図は特許請求の範囲（７）の
発明の一実施例による半導体装置のインダクタの応用例
を説明するための図、第１５図は従来のスパイラルイン
ダクタの構成を示す斜視図、第１６図（ａ）、　（ｂ）
は第１５図のスパイラルインダクタの部分拡大図、第】
７図は従来のトランスの構成を示す平面図、第１８図（
ａ）〜（Ｃ）は従来の多層構造のインダクタの構成を示
す図、第１９図は従来の多層構造のトランスの構成を示
す図、第２０図（ａ）、　（ｔ））は第３図のインダク
タの従来例を示す図、第２１図は従来の多層構造のトラ
ンスの改良例を示す図である。 図において、１は半導体基板または層間絶縁膜、２はイ
ンダクタ線路、３は磁性体材料、４は絶縁層、５はバイ
アホール、６は配線金属（取り出し線路）、７は接地導
体、８は入力端子、９は出力端子、１０は第１層絶縁膜
、１１は裏面線路、１２は第２層インダクタ配線、１３
は第２層迄面線路、１４は層間絶縁膜、１５は多層化し
たスパイラルインダクタ、１６は信号源、１７は可変減
衰器または可変増幅器、１８は終端抵抗、１９はスルー
ホール、２０は第２層絶縁膜、２１は脚部、２２は第３
層インダクタ配線、３ｏは第３層絶縁膜である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体基板又は層間絶縁膜上の同一平面上にらせ
    ん状の導体を用いて構成したインダクタ（以下、スパイ
    ラルインダクタと称す）を有する半導体装置において、 上記スパイラルインダクタの中心部、及び該スパイラル
    インダクタの外側に設置された電極の下部に存在する半
    導体基板又は層間絶縁膜あるいはその両方に貫通孔が設
    けられ、 上記半導体基板又は層間絶縁膜あるいはその両方の下層
    面において、上記貫通孔の２点間が引き出し線路により
    接続され、 上記スパイラルインダクタと上記電極とが電気的に接続
    されていることを特徴とする半導体装置。
  2. （２）半導体基板又は層間絶縁膜上の同一平面上にスパ
    イラルインダクタを少なくとも２層以上の多層に有する
    半導体装置において、 隣接する上下２層のスパイラルインダクタはその線路同
    志を平面から見て互いに重ならないように互い違いに配
    置されていることを特徴とする半導体装置。
  3. （３）半導体基板又は層間絶縁膜上の同一平面上にスパ
    イラルインダクタを有する半導体装置において、 上記スパイラルインダクタの下部には金属よりなる複数
    の脚部が設けられて上記スパイラルインダクタの大部分
    は基板面より離して形成され、上記スパイラルインダク
    タの隣接する２線路の上記複数の脚部は、該脚部を該線
    路に平行な方向に順次に結ぶとジグザグ状となるよう交
    互に配置されていることを特徴とする半導体装置。
  4. （４）半導体基板又は層間絶縁膜上の一表面上に、金属
    薄膜によりなるインダクタ配線と絶縁層とを交互に積層
    させて構成した多層のインダクタ配線を有する半導体装
    置において、 上記インダクタ配線により囲まれた領域内で、かつ、上
    記絶縁層の少なくとも一部を貫通するように磁性体材料
    が設けられていることを特徴とする半導体装置。
  5. （５）半導体基板又は層間絶縁膜あるいはその両方に複
    数の貫通孔を形成し、該貫通孔に通した金属配線により
    上記半導体基板あるいは層間絶縁膜の両面に設けた線路
    を相互に接続して該基板または絶縁膜の表面と垂直方向
    に線を巻くように形成された第１のスパイラルインダク
    タと、 上記第１のスパイラルインダクタの上記半導体基板ある
    いは層間絶縁膜の表裏両面に形成された部分の上へそれ
    ぞれさらに層間絶縁膜をかぶせ、その所要部分に貫通孔
    を設け、上記第１のスパイラルインダクタ線路の外周に
    、上記第１のスパイラルインダクタ線路と相互インダク
    タンスを持つように形成された第２のスパイラルインダ
    クタとを備えたことを特徴とする半導体装置。
  6. （６）半導体基板又は層間絶縁膜あるいはその両方に複
    数の貫通孔を形成し、該貫通孔に通した金属配線により
    上記半導体基板あるいは層間絶縁膜の両面に設けた線路
    を相互に接続して該基板または絶縁膜の表面と垂直方向
    に線を巻くように形成された第１のスパイラルインダク
    タと、 上記第１のスパイラルインダクタの上記半導体基板ある
    いは層間絶縁膜の表裏両面に形成された部分の上へそれ
    ぞれさらに層間絶縁膜をかぶせ、その所要部分に貫通孔
    を設け、上記第１のスパイラルインダクタ線路の外周に
    上記第１のスパイラルインダクタ線路と相互インダクタ
    ンスを持つように形成された第２のスパイラルインダク
    タと、上記第１のスパイラルインダクタ線路によって囲
    まれる領域内の上記半導体基板あるいは層間絶縁膜の少
    なくとも一部を貫通するよう設けられた磁性体材料とを
    備えたことを特徴とする半導体装置。
  7. （７）半導体基板又は層間絶縁膜上に層間絶縁膜を介し
    て複数のスパイラルインダクタを多層化して構成したイ
    ンダクタを有する半導体装置において、 上記複数のスパイラルインダクタのうちの１個のスパイ
    ラルインダクタのインダクタンス成分を、他のスパイラ
    ルインダクタに流れる電流量を可変とすることにより、
    制御するようにしたことを特徴とする半導体装置。
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US (1) US5095357A (ja)
EP (5) EP0643403B1 (ja)
JP (1) JPH0377360A (ja)
DE (5) DE69026164T2 (ja)

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11330366A (ja) * 1998-03-06 1999-11-30 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 電子発振器のための改善されたインダクタを生成する方法及び装置
JP2003133429A (ja) * 2001-10-05 2003-05-09 Agere Systems Inc 半導体基板中に形成された薄膜多層高ｑトランスフォーマ
US6657530B2 (en) 2001-12-14 2003-12-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Multi-layered inductance element
KR100466542B1 (ko) * 2002-11-13 2005-01-15 한국전자통신연구원 적층형 가변 인덕터
JP2005236482A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Fujitsu Ltd Ｌｃ発振器
JP2006245273A (ja) * 2005-03-03 2006-09-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> インダクタ
JP2007325015A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Alps Electric Co Ltd 近接非接触通信機器
JP2008117851A (ja) * 2006-11-01 2008-05-22 Tdk Corp コイル部品
US7511351B2 (en) 2003-05-26 2009-03-31 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device and method for fabricating the same
JP2009283946A (ja) * 2003-02-12 2009-12-03 Moog Inc トルク・モータ
JP2010011469A (ja) * 2000-10-10 2010-01-14 California Inst Of Technology 分布型環状電力増幅器の構造
JP2010118916A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Renesas Technology Corp Ｒｆ電力増幅器
JP2011217321A (ja) * 2010-04-02 2011-10-27 Hitachi Ltd ピーキング回路及びピーキング調整方法並びにピーキング回路を備えた差動増幅器及びレーザダイオード駆動回路及び情報処理装置
JP2012134354A (ja) * 2010-12-22 2012-07-12 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 変成器
JP2016067006A (ja) * 2014-02-14 2016-04-28 株式会社村田製作所 アンテナ装置および無線通信装置
WO2017010010A1 (ja) * 2015-07-16 2017-01-19 ウルトラメモリ株式会社 半導体素子
WO2017188077A1 (ja) * 2016-04-25 2017-11-02 株式会社村田製作所 インダクタ部品
JP2019212924A (ja) * 2013-02-19 2019-12-12 株式会社村田製作所 インダクタブリッジおよび電子機器
JP2022519968A (ja) * 2018-10-30 2022-03-28 北京航空航天大学 Ｍｅｍｓソレノイドトランス及びその製造方法
JP2023009618A (ja) * 2021-07-07 2023-01-20 富士電機メーター株式会社 電流センサ及び電力量計
JP2023010033A (ja) * 2021-07-08 2023-01-20 富士電機メーター株式会社 電流センサ及び電力量計

Families Citing this family (206)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2941484B2 (ja) * 1991-05-31 1999-08-25 株式会社東芝 平面トランス
CA2072277A1 (en) * 1991-07-03 1993-01-04 Nobuo Shiga Inductance element
US5336921A (en) * 1992-01-27 1994-08-09 Motorola, Inc. Vertical trench inductor
JP3141562B2 (ja) * 1992-05-27 2001-03-05 富士電機株式会社 薄膜トランス装置
EP0588503B1 (en) * 1992-09-10 1998-10-07 National Semiconductor Corporation Integrated circuit magnetic memory element and method of making same
DE69316967T2 (de) * 1992-11-30 1998-07-30 Koninkl Philips Electronics Nv Farbbildröhre mit Konvergenzkorrekturanordnung
WO1994017558A1 (en) * 1993-01-29 1994-08-04 The Regents Of The University Of California Monolithic passive component
TW275152B (ja) * 1993-11-01 1996-05-01 Ikeda Takeshi
US5497028A (en) * 1993-11-10 1996-03-05 Ikeda; Takeshi LC element and semiconductor device having a signal transmission line and LC element manufacturing method
JP3463759B2 (ja) * 1993-12-29 2003-11-05 ソニー株式会社 磁気ヘッド及びその製造方法
US5478773A (en) * 1994-04-28 1995-12-26 Motorola, Inc. Method of making an electronic device having an integrated inductor
US5610433A (en) * 1995-03-13 1997-03-11 National Semiconductor Corporation Multi-turn, multi-level IC inductor with crossovers
US6911887B1 (en) 1994-09-12 2005-06-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Inductor and method for producing the same
KR100231356B1 (ko) 1994-09-12 1999-11-15 모리시타요이찌 적층형 세라믹칩 인덕터 및 그 제조방법
US5446311A (en) * 1994-09-16 1995-08-29 International Business Machines Corporation High-Q inductors in silicon technology without expensive metalization
US5647966A (en) * 1994-10-04 1997-07-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing a conductive pattern and method for producing a greensheet lamination body including the same
DE4437721A1 (de) * 1994-10-21 1996-04-25 Giesecke & Devrient Gmbh Kontaktloses elektronisches Modul
US5545916A (en) * 1994-12-06 1996-08-13 At&T Corp. High Q integrated inductor
US5635892A (en) * 1994-12-06 1997-06-03 Lucent Technologies Inc. High Q integrated inductor
US5716713A (en) * 1994-12-16 1998-02-10 Ceramic Packaging, Inc. Stacked planar transformer
US6033764A (en) * 1994-12-16 2000-03-07 Zecal Corp. Bumped substrate assembly
JP3487461B2 (ja) * 1994-12-17 2004-01-19 ソニー株式会社 変成器及び増幅器
KR100396630B1 (ko) * 1995-01-12 2003-12-01 타케시 이케다 동조회로
DE69620579D1 (de) * 1995-01-12 2002-05-16 Takeshi Ikeda Abstimmschaltung
EP0725407A1 (en) * 1995-02-03 1996-08-07 International Business Machines Corporation Three-dimensional integrated circuit inductor
CA2176625C (en) * 1995-05-19 2008-07-15 Donald Harold Fergusen Radio frequency identification tag
US6496382B1 (en) 1995-05-19 2002-12-17 Kasten Chase Applied Research Limited Radio frequency identification tag
DE19522043A1 (de) * 1995-06-17 1996-12-19 Bosch Gmbh Robert Induktives Bauelement
DE19523521A1 (de) * 1995-06-30 1997-01-02 Licentia Gmbh Transponder-Drahtspule
US5742091A (en) * 1995-07-12 1998-04-21 National Semiconductor Corporation Semiconductor device having a passive device formed over one or more deep trenches
US5656849A (en) * 1995-09-22 1997-08-12 International Business Machines Corporation Two-level spiral inductor structure having a high inductance to area ratio
EP0778593B1 (en) * 1995-12-07 2000-11-22 Co.Ri.M.Me. Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno Method for realizing magnetic circuits in an integrated circuit
US5760456A (en) * 1995-12-21 1998-06-02 Grzegorek; Andrew Z. Integrated circuit compatible planar inductors with increased Q
JP2765547B2 (ja) * 1995-12-27 1998-06-18 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2904086B2 (ja) * 1995-12-27 1999-06-14 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5610569A (en) * 1996-01-31 1997-03-11 Hughes Electronics Staggered horizontal inductor for use with multilayer substrate
SE510443C2 (sv) * 1996-05-31 1999-05-25 Ericsson Telefon Ab L M Induktorer för integrerade kretsar
US6492705B1 (en) * 1996-06-04 2002-12-10 Intersil Corporation Integrated circuit air bridge structures and methods of fabricating same
US5793272A (en) * 1996-08-23 1998-08-11 International Business Machines Corporation Integrated circuit toroidal inductor
US5831331A (en) * 1996-11-22 1998-11-03 Philips Electronics North America Corporation Self-shielding inductor for multi-layer semiconductor integrated circuits
WO1998029881A1 (en) * 1996-12-30 1998-07-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Device comprising an integrated coil
US5892425A (en) * 1997-04-10 1999-04-06 Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. Interwound center-tapped spiral inductor
KR100233237B1 (ko) 1997-09-10 1999-12-01 정선종 삼차원 코일 구조 미세 인덕터 및 그 형성 방법
DE19739962C2 (de) * 1997-09-11 2000-05-18 Siemens Ag Planare, gekoppelte Spulenanordnung
ES2259819T3 (es) 1997-10-22 2006-10-16 Bae Systems Bofors Ab Circuito electronico integrado que comprende un oscilador y elementos de circuito pasivos.
EP0915513A1 (en) 1997-10-23 1999-05-12 STMicroelectronics S.r.l. High quality factor, integrated inductor and production method thereof
US20030042571A1 (en) * 1997-10-23 2003-03-06 Baoxing Chen Chip-scale coils and isolators based thereon
US5929729A (en) * 1997-10-24 1999-07-27 Com Dev Limited Printed lumped element stripline circuit ground-signal-ground structure
FR2771843B1 (fr) * 1997-11-28 2000-02-11 Sgs Thomson Microelectronics Transformateur en circuit integre
KR100279753B1 (ko) * 1997-12-03 2001-03-02 정선종 반도체 집적회로 제조공정을 이용한 인덕터 제조방법
US6169320B1 (en) * 1998-01-22 2001-01-02 Raytheon Company Spiral-shaped inductor structure for monolithic microwave integrated circuits having air gaps in underlying pedestal
SE512699C2 (sv) * 1998-03-24 2000-05-02 Ericsson Telefon Ab L M En induktansanordning
JPH11273949A (ja) * 1998-03-24 1999-10-08 Tif:Kk インダクタ素子
US6008102A (en) * 1998-04-09 1999-12-28 Motorola, Inc. Method of forming a three-dimensional integrated inductor
JPH11317621A (ja) 1998-05-07 1999-11-16 Tif:Kk Ｌｃ発振器
US6426267B2 (en) * 1998-06-19 2002-07-30 Winbond Electronics Corp. Method for fabricating high-Q inductance device in monolithic technology
US6472285B1 (en) * 1999-04-30 2002-10-29 Winbond Electronics Corporation Method for fabricating high-Q inductance device in monolithic technology
EP0969512B1 (fr) * 1998-06-30 2009-05-13 Asulab S.A. Capteur inductif
EP0991123A1 (fr) * 1998-10-01 2000-04-05 EM Microelectronic-Marin SA Microstructure munie d'une antenne magnétique ou d'un organe de détection magnétique
US6201287B1 (en) 1998-10-26 2001-03-13 Micron Technology, Inc. Monolithic inductance-enhancing integrated circuits, complementary metal oxide semiconductor (CMOS) inductance-enhancing integrated circuits, inductor assemblies, and inductance-multiplying methods
US6249191B1 (en) 1998-11-23 2001-06-19 Micron Technology, Inc. Monolithic integrated circuit oscillators, complementary metal oxide semiconductor (CMOS) voltage-controlled oscillators, integrated circuit oscillators, oscillator-forming methods, and oscillation methods
US7531417B2 (en) * 1998-12-21 2009-05-12 Megica Corporation High performance system-on-chip passive device using post passivation process
US8178435B2 (en) * 1998-12-21 2012-05-15 Megica Corporation High performance system-on-chip inductor using post passivation process
US6303423B1 (en) * 1998-12-21 2001-10-16 Megic Corporation Method for forming high performance system-on-chip using post passivation process
FR2790328B1 (fr) 1999-02-26 2001-04-20 Memscap Composant inductif, transformateur integre, notamment destines a etre incorpores dans un circuit radiofrequence,et circuit integre associe avec un tel composant inductif ou transformateur integre
US6566731B2 (en) 1999-02-26 2003-05-20 Micron Technology, Inc. Open pattern inductor
US6239664B1 (en) 1999-03-05 2001-05-29 Rf Monolithics, Inc. Low phase noise, wide tuning range oscillator utilizing a one port saw resonator and method of operation
US6218729B1 (en) * 1999-03-11 2001-04-17 Atmel Corporation Apparatus and method for an integrated circuit having high Q reactive components
US6037649A (en) * 1999-04-01 2000-03-14 Winbond Electronics Corp. Three-dimension inductor structure in integrated circuit technology
US6180995B1 (en) * 1999-05-06 2001-01-30 Spectrian Corporation Integrated passive devices with reduced parasitic substrate capacitance
DE69939278D1 (de) * 1999-05-18 2008-09-18 Niigata Seimitsu Co Ltd Induktorelement
US6380608B1 (en) 1999-06-01 2002-04-30 Alcatel Usa Sourcing L.P. Multiple level spiral inductors used to form a filter in a printed circuit board
JP2001023821A (ja) * 1999-07-07 2001-01-26 Tif:Kk インダクタ素子
AU5711000A (en) * 1999-07-08 2001-01-30 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Method for manufacturing a semiconductor device having a metal layer floating over a substrate
US6240622B1 (en) * 1999-07-09 2001-06-05 Micron Technology, Inc. Integrated circuit inductors
JP2001044754A (ja) * 1999-07-26 2001-02-16 Niigata Seimitsu Kk Ｌｃ発振器
JP2001052928A (ja) * 1999-08-17 2001-02-23 Tif:Kk インダクタ素子
US6501363B1 (en) * 1999-11-03 2002-12-31 Innosys, Inc. Vertical transformer
US6476704B2 (en) 1999-11-18 2002-11-05 The Raytheon Company MMIC airbridge balun transformer
US6870456B2 (en) 1999-11-23 2005-03-22 Intel Corporation Integrated transformer
US6452247B1 (en) * 1999-11-23 2002-09-17 Intel Corporation Inductor for integrated circuit
US6815220B2 (en) * 1999-11-23 2004-11-09 Intel Corporation Magnetic layer processing
US6891461B2 (en) 1999-11-23 2005-05-10 Intel Corporation Integrated transformer
US6856228B2 (en) * 1999-11-23 2005-02-15 Intel Corporation Integrated inductor
DE10029630C2 (de) * 2000-06-15 2002-04-18 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zum Schutz von elektronischen Baugruppen gegen Zerstörung durch elektrostatische Entladung
US6549071B1 (en) 2000-09-12 2003-04-15 Silicon Laboratories, Inc. Power amplifier circuitry and method using an inductance coupled to power amplifier switching devices
US6917245B2 (en) 2000-09-12 2005-07-12 Silicon Laboratories, Inc. Absolute power detector
US6437653B1 (en) * 2000-09-28 2002-08-20 Sun Microsystems, Inc. Method and apparatus for providing a variable inductor on a semiconductor chip
US6890829B2 (en) * 2000-10-24 2005-05-10 Intel Corporation Fabrication of on-package and on-chip structure using build-up layer process
US6714113B1 (en) * 2000-11-14 2004-03-30 International Business Machines Corporation Inductor for integrated circuits
US6458611B1 (en) 2001-03-07 2002-10-01 Intel Corporation Integrated circuit device characterization
US6639298B2 (en) 2001-06-28 2003-10-28 Agere Systems Inc. Multi-layer inductor formed in a semiconductor substrate
US6759275B1 (en) * 2001-09-04 2004-07-06 Megic Corporation Method for making high-performance RF integrated circuits
US20030112110A1 (en) * 2001-09-19 2003-06-19 Mark Pavier Embedded inductor for semiconductor device circuit
FR2830126B1 (fr) * 2001-09-26 2004-10-01 St Microelectronics Sa Inductance de circuit monolithique
US6635948B2 (en) * 2001-12-05 2003-10-21 Micron Technology, Inc. Semiconductor device with electrically coupled spiral inductors
US6614093B2 (en) * 2001-12-11 2003-09-02 Lsi Logic Corporation Integrated inductor in semiconductor manufacturing
DE10217387B4 (de) * 2002-04-18 2018-04-12 Snaptrack, Inc. Elektrisches Anpassungsnetzwerk mit einer Transformationsleitung
WO2004010444A1 (en) * 2002-07-23 2004-01-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multi-tap coil
DE10243197B4 (de) 2002-09-18 2011-05-05 Infineon Technologies Ag Digitales Signalübertragungsverfahren
US6894565B1 (en) 2002-12-03 2005-05-17 Silicon Laboratories, Inc. Fast settling power amplifier regulator
US6897730B2 (en) 2003-03-04 2005-05-24 Silicon Laboratories Inc. Method and apparatus for controlling the output power of a power amplifier
JP2004319763A (ja) * 2003-04-16 2004-11-11 Shinko Electric Ind Co Ltd インダクタ素子及び電子回路装置
WO2004100473A2 (en) * 2003-04-30 2004-11-18 Analog Devices, Inc. Signal isolators using micro-transformers
US7852185B2 (en) * 2003-05-05 2010-12-14 Intel Corporation On-die micro-transformer structures with magnetic materials
TWI236763B (en) * 2003-05-27 2005-07-21 Megic Corp High performance system-on-chip inductor using post passivation process
DE10329143B4 (de) * 2003-06-27 2005-09-01 Infineon Technologies Ag Elektronisches Modul und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102004022176B4 (de) 2004-05-05 2009-07-23 Atmel Germany Gmbh Verfahren zur Herstellung von passiven Bauelementen auf einem Substrat
CN1251255C (zh) * 2004-05-10 2006-04-12 阎跃军 可调电感器
US7738568B2 (en) * 2004-06-03 2010-06-15 Silicon Laboratories Inc. Multiplexed RF isolator
US8441325B2 (en) * 2004-06-03 2013-05-14 Silicon Laboratories Inc. Isolator with complementary configurable memory
US7447492B2 (en) * 2004-06-03 2008-11-04 Silicon Laboratories Inc. On chip transformer isolator
US7902627B2 (en) * 2004-06-03 2011-03-08 Silicon Laboratories Inc. Capacitive isolation circuitry with improved common mode detector
US7460604B2 (en) * 2004-06-03 2008-12-02 Silicon Laboratories Inc. RF isolator for isolating voltage sensing and gate drivers
US7821428B2 (en) 2004-06-03 2010-10-26 Silicon Laboratories Inc. MCU with integrated voltage isolator and integrated galvanically isolated asynchronous serial data link
US7376212B2 (en) * 2004-06-03 2008-05-20 Silicon Laboratories Inc. RF isolator with differential input/output
US8169108B2 (en) 2004-06-03 2012-05-01 Silicon Laboratories Inc. Capacitive isolator
US7577223B2 (en) * 2004-06-03 2009-08-18 Silicon Laboratories Inc. Multiplexed RF isolator circuit
US7302247B2 (en) * 2004-06-03 2007-11-27 Silicon Laboratories Inc. Spread spectrum isolator
US8198951B2 (en) * 2004-06-03 2012-06-12 Silicon Laboratories Inc. Capacitive isolation circuitry
US7737871B2 (en) * 2004-06-03 2010-06-15 Silicon Laboratories Inc. MCU with integrated voltage isolator to provide a galvanic isolation between input and output
US7421028B2 (en) * 2004-06-03 2008-09-02 Silicon Laboratories Inc. Transformer isolator for digital power supply
KR100548388B1 (ko) * 2004-07-20 2006-02-02 삼성전자주식회사 저손실 인덕터소자 및 그의 제조방법
US8008775B2 (en) 2004-09-09 2011-08-30 Megica Corporation Post passivation interconnection structures
US7355282B2 (en) * 2004-09-09 2008-04-08 Megica Corporation Post passivation interconnection process and structures
US20060077029A1 (en) * 2004-10-07 2006-04-13 Freescale Semiconductor, Inc. Apparatus and method for constructions of stacked inductive components
US7533068B2 (en) 2004-12-23 2009-05-12 D-Wave Systems, Inc. Analog processor comprising quantum devices
US7750434B2 (en) * 2005-01-31 2010-07-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Circuit substrate structure and circuit apparatus
US7262681B2 (en) 2005-02-11 2007-08-28 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Integrated semiconductor inductor and method therefor
US8384189B2 (en) * 2005-03-29 2013-02-26 Megica Corporation High performance system-on-chip using post passivation process
US7499124B2 (en) * 2005-05-05 2009-03-03 Industrial Technology Research Institute Polymer dispersed liquid crystal device conditioned with a predetermined anchoring energy, a predetermined polymer concentration by weight percent and a predetermined cell gap to enhance phase separation and to make smaller and more uniform liquid crystal droplets
US7257882B2 (en) * 2005-05-19 2007-08-21 International Business Machines Corporation Multilayer coil assembly and method of production
US8134548B2 (en) 2005-06-30 2012-03-13 Micron Technology, Inc. DC-DC converter switching transistor current measurement technique
US7443362B2 (en) 2005-07-19 2008-10-28 3M Innovative Properties Company Solenoid antenna
CN1901162B (zh) * 2005-07-22 2011-04-20 米辑电子股份有限公司 连续电镀制作线路组件的方法及线路组件结构
US7511356B2 (en) * 2005-08-31 2009-03-31 Micron Technology, Inc. Voltage-controlled semiconductor inductor and method
TW200735138A (en) * 2005-10-05 2007-09-16 Koninkl Philips Electronics Nv Multi-layer inductive element for integrated circuit
US7719305B2 (en) * 2006-07-06 2010-05-18 Analog Devices, Inc. Signal isolator using micro-transformers
US7999383B2 (en) * 2006-07-21 2011-08-16 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. High speed, high density, low power die interconnect system
US7498908B2 (en) * 2006-08-04 2009-03-03 Advanced Energy Industries, Inc High-power PIN diode switch
JP4722795B2 (ja) * 2006-08-31 2011-07-13 富士通株式会社 配線基板および電子部品モジュール
US7952460B2 (en) 2006-11-14 2011-05-31 Nxp B.V. Manufacturing of an electronic circuit having an inductance
US8749021B2 (en) * 2006-12-26 2014-06-10 Megit Acquisition Corp. Voltage regulator integrated with semiconductor chip
US8234103B2 (en) 2007-04-05 2012-07-31 D-Wave Systems Inc. Physical realizations of a universal adiabatic quantum computer
DE102007019811B4 (de) * 2007-04-26 2014-11-27 Infineon Technologies Ag Schaltung, auf einem Chip aufgebrachte Filterschaltung und System
US7570144B2 (en) 2007-05-18 2009-08-04 Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. Integrated transformer and method of fabrication thereof
US8242872B2 (en) 2007-05-18 2012-08-14 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Transformer with effective high turn ratio
FR2916570A1 (fr) 2007-05-23 2008-11-28 St Microelectronics Sa Structure inductive plane
US7652355B2 (en) 2007-08-01 2010-01-26 Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. Integrated circuit shield structure
US7956713B2 (en) * 2007-09-25 2011-06-07 Intel Corporation Forming a helical inductor
US20090140383A1 (en) * 2007-11-29 2009-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of creating spiral inductor having high q value
US9269485B2 (en) * 2007-11-29 2016-02-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of creating spiral inductor having high Q value
TWI371766B (en) * 2007-12-26 2012-09-01 Via Tech Inc Inductor structure
US8138876B2 (en) * 2008-01-29 2012-03-20 International Business Machines Corporation On-chip integrated voltage-controlled variable inductor, methods of making and tuning such variable inductors, and design structures integrating such variable inductors
US7710215B2 (en) * 2008-02-04 2010-05-04 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor configuration having an integrated coupler and method for manufacturing such a semiconductor configuration
WO2009153956A1 (ja) * 2008-06-17 2009-12-23 パナソニック株式会社 バランを有する半導体装置
SE534510C2 (sv) * 2008-11-19 2011-09-13 Silex Microsystems Ab Funktionell inkapsling
WO2010075447A1 (en) 2008-12-26 2010-07-01 Megica Corporation Chip packages with power management integrated circuits and related techniques
EP2382661B1 (en) * 2008-12-30 2021-08-11 STMicroelectronics Srl Integrated electronic device with transceiving antenna and magnetic interconnection
US8738105B2 (en) 2010-01-15 2014-05-27 D-Wave Systems Inc. Systems and methods for superconducting integrated circuts
US8093982B2 (en) * 2010-03-25 2012-01-10 Qualcomm Incorporated Three dimensional inductor and transformer design methodology of glass technology
US9287344B2 (en) * 2010-08-23 2016-03-15 The Hong Kong University Of Science And Technology Monolithic magnetic induction device
US8451032B2 (en) 2010-12-22 2013-05-28 Silicon Laboratories Inc. Capacitive isolator with schmitt trigger
TWM411643U (en) * 2011-01-17 2011-09-11 Yujing Technology Co Ltd Ultra-high power transformer
US8558344B2 (en) 2011-09-06 2013-10-15 Analog Devices, Inc. Small size and fully integrated power converter with magnetics on chip
US20130214890A1 (en) 2012-02-20 2013-08-22 Futurewei Technologies, Inc. High Current, Low Equivalent Series Resistance Printed Circuit Board Coil for Power Transfer Application
US8803648B2 (en) 2012-05-03 2014-08-12 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Three-dimensional multilayer solenoid transformer
US9111933B2 (en) 2012-05-17 2015-08-18 International Business Machines Corporation Stacked through-silicon via (TSV) transformer structure
US8742539B2 (en) 2012-07-27 2014-06-03 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor component and method for producing a semiconductor component
US9431473B2 (en) * 2012-11-21 2016-08-30 Qualcomm Incorporated Hybrid transformer structure on semiconductor devices
US20140152410A1 (en) * 2012-12-03 2014-06-05 Arizona Board of Regents, a body corporate of the State of Arizona Acting for and on behalf of Arizo Integrated tunable inductors
US8786393B1 (en) 2013-02-05 2014-07-22 Analog Devices, Inc. Step up or step down micro-transformer with tight magnetic coupling
US10002700B2 (en) 2013-02-27 2018-06-19 Qualcomm Incorporated Vertical-coupling transformer with an air-gap structure
US9634645B2 (en) 2013-03-14 2017-04-25 Qualcomm Incorporated Integration of a replica circuit and a transformer above a dielectric substrate
US9293997B2 (en) 2013-03-14 2016-03-22 Analog Devices Global Isolated error amplifier for isolated power supplies
US9449753B2 (en) 2013-08-30 2016-09-20 Qualcomm Incorporated Varying thickness inductor
JP6221736B2 (ja) * 2013-12-25 2017-11-01 三菱電機株式会社 半導体装置
US10002107B2 (en) 2014-03-12 2018-06-19 D-Wave Systems Inc. Systems and methods for removing unwanted interactions in quantum devices
US9906318B2 (en) 2014-04-18 2018-02-27 Qualcomm Incorporated Frequency multiplexer
US10536309B2 (en) 2014-09-15 2020-01-14 Analog Devices, Inc. Demodulation of on-off-key modulated signals in signal isolator systems
US9660848B2 (en) 2014-09-15 2017-05-23 Analog Devices Global Methods and structures to generate on/off keyed carrier signals for signal isolators
US10270630B2 (en) 2014-09-15 2019-04-23 Analog Devices, Inc. Demodulation of on-off-key modulated signals in signal isolator systems
US9998301B2 (en) 2014-11-03 2018-06-12 Analog Devices, Inc. Signal isolator system with protection for common mode transients
FR3038121B1 (fr) * 2015-06-25 2017-08-18 Thales Sa Transformateur ameliore pour un circuit en technologie mmic
US10720788B2 (en) 2015-10-09 2020-07-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wireless charging devices having wireless charging coils and methods of manufacture thereof
US10636560B2 (en) * 2016-03-11 2020-04-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Induction based current sensing
US10164614B2 (en) 2016-03-31 2018-12-25 Analog Devices Global Unlimited Company Tank circuit and frequency hopping for isolators
EP3293888B1 (en) 2016-09-13 2020-08-26 Allegro MicroSystems, LLC Signal isolator having bidirectional communication between die
DE102017102219B4 (de) 2017-02-06 2025-12-31 Sonova Consumer Hearing Gmbh Planardynamischer Wandler
US10121739B1 (en) 2017-05-02 2018-11-06 Micron Technology, Inc. Multi-die inductors with coupled through-substrate via cores
US10134671B1 (en) 2017-05-02 2018-11-20 Micron Technology, Inc. 3D interconnect multi-die inductors with through-substrate via cores
US20180323369A1 (en) 2017-05-02 2018-11-08 Micron Technology, Inc. Inductors with through-substrate via cores
US10872843B2 (en) * 2017-05-02 2020-12-22 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices with back-side coils for wireless signal and power coupling
CN107731793B (zh) * 2017-09-14 2019-12-17 建荣半导体（深圳）有限公司 一种半导体片上集成的8字形电感结构及半导体结构
CN111788588B (zh) 2017-12-20 2024-08-02 D-波系统公司 量子处理器中耦合量子位的系统和方法
FR3082046A1 (fr) 2018-05-30 2019-12-06 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Circuit integre comportant une inductance
US11115244B2 (en) 2019-09-17 2021-09-07 Allegro Microsystems, Llc Signal isolator with three state data transmission
US11139552B1 (en) 2020-05-05 2021-10-05 Semiconductor Components Industries, Llc Method of forming a semiconductor device
EP4172883A4 (en) 2020-06-30 2024-08-14 D-Wave Systems Inc. Systems and methods for coupling between qubits
US12501840B2 (en) 2020-11-24 2025-12-16 D-Wave Systems Systems, articles, and methods for a tunable capacitor
WO2022124063A1 (ja) * 2020-12-07 2022-06-16 株式会社村田製作所 インダクタ装置
KR20220169152A (ko) 2021-06-18 2022-12-27 삼성전자주식회사 반도체 장치
TWI839620B (zh) 2021-06-30 2024-04-21 立積電子股份有限公司 半導體裝置及形成半導體裝置之方法
US12027476B2 (en) * 2022-01-13 2024-07-02 Qualcomm Incorporated Package comprising substrate with coupling element for integrated devices
KR20240012140A (ko) * 2022-07-20 2024-01-29 삼성전자주식회사 인덕터 구조체를 포함하는 반도체 장치
TWI830411B (zh) 2022-09-29 2024-01-21 立積電子股份有限公司 半導體裝置及形成半導體裝置之方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5091289A (ja) * 1973-12-12 1975-07-21
JPS61201509A (ja) * 1985-03-05 1986-09-06 Tdk Corp Ｌｃ型可変周波フイルタ
JPS61265857A (ja) * 1985-05-20 1986-11-25 Matsushita Electronics Corp 半導体装置
JPS6367264B2 (ja) * 1980-07-23 1988-12-23 Mitsubishi Electric Corp

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3504276A (en) * 1967-04-19 1970-03-31 American Mach & Foundry Printed circuit coils for use in magnetic flux leakage flow detection
US3881244A (en) * 1972-06-02 1975-05-06 Texas Instruments Inc Method of making a solid state inductor
US4071378A (en) * 1975-02-27 1978-01-31 General Electric Company Process of making a deep diode solid state transformer
US4080585A (en) * 1977-04-11 1978-03-21 Cubic Corporation Flat coil transformer for electronic circuit boards
JPS59114807A (ja) * 1982-12-21 1984-07-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd プリント多層コイル
JPS60136156A (ja) * 1983-12-26 1985-07-19 Toshiba Corp レ−ザ−トリガ−ドキセノンフラツシユランプ
US4833513A (en) * 1985-01-20 1989-05-23 Tdk Corporation MOS FET semiconductor device having a cell pattern arrangement for optimizing channel width
GB2173956B (en) * 1985-03-29 1989-01-05 Plessey Co Plc Improvements relating to electric transformers
JPS61248545A (ja) * 1985-04-26 1986-11-05 Fujitsu Ltd インダクタを具備する集積回路
JPS61294850A (ja) * 1985-06-21 1986-12-25 Nec Corp 半導体集積回路装置
EP0233903A1 (de) * 1985-09-02 1987-09-02 Ascom Hasler AG Induktives, elektrisch steuerbares bauelement
JPS62244160A (ja) * 1986-04-17 1987-10-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US4785345A (en) * 1986-05-08 1988-11-15 American Telephone And Telegraph Co., At&T Bell Labs. Integrated transformer structure with primary winding in substrate
JPS63140560A (ja) * 1986-12-02 1988-06-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体モノリシツクバイアス給電回路
JPS63250165A (ja) * 1987-04-06 1988-10-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS63299394A (ja) * 1987-05-29 1988-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 印刷配線板
JPH0267752A (ja) * 1988-09-01 1990-03-07 Nec Corp 半導体装置
JP3123441B2 (ja) * 1996-08-23 2001-01-09 鹿島建設株式会社 実験用土槽

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5091289A (ja) * 1973-12-12 1975-07-21
JPS6367264B2 (ja) * 1980-07-23 1988-12-23 Mitsubishi Electric Corp
JPS61201509A (ja) * 1985-03-05 1986-09-06 Tdk Corp Ｌｃ型可変周波フイルタ
JPS61265857A (ja) * 1985-05-20 1986-11-25 Matsushita Electronics Corp 半導体装置

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11330366A (ja) * 1998-03-06 1999-11-30 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 電子発振器のための改善されたインダクタを生成する方法及び装置
JP2010011469A (ja) * 2000-10-10 2010-01-14 California Inst Of Technology 分布型環状電力増幅器の構造
JP2003133429A (ja) * 2001-10-05 2003-05-09 Agere Systems Inc 半導体基板中に形成された薄膜多層高ｑトランスフォーマ
US6657530B2 (en) 2001-12-14 2003-12-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Multi-layered inductance element
KR100466542B1 (ko) * 2002-11-13 2005-01-15 한국전자통신연구원 적층형 가변 인덕터
JP2009283946A (ja) * 2003-02-12 2009-12-03 Moog Inc トルク・モータ
US7511351B2 (en) 2003-05-26 2009-03-31 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device and method for fabricating the same
JP2005236482A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Fujitsu Ltd Ｌｃ発振器
JP2006245273A (ja) * 2005-03-03 2006-09-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> インダクタ
JP2007325015A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Alps Electric Co Ltd 近接非接触通信機器
JP2008117851A (ja) * 2006-11-01 2008-05-22 Tdk Corp コイル部品
US8330545B2 (en) 2008-11-13 2012-12-11 Renesas Electronics Corporation RF power amplifier
JP2010118916A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Renesas Technology Corp Ｒｆ電力増幅器
US8514022B2 (en) 2008-11-13 2013-08-20 Renesas Electronics Corporation RF power amplifier
US8698562B2 (en) 2008-11-13 2014-04-15 Renesas Electronics Corporation RF power amplifier
JP2011217321A (ja) * 2010-04-02 2011-10-27 Hitachi Ltd ピーキング回路及びピーキング調整方法並びにピーキング回路を備えた差動増幅器及びレーザダイオード駆動回路及び情報処理装置
JP2012134354A (ja) * 2010-12-22 2012-07-12 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 変成器
JP2020202382A (ja) * 2013-02-19 2020-12-17 株式会社村田製作所 インダクタブリッジおよび電子機器
JP2019212924A (ja) * 2013-02-19 2019-12-12 株式会社村田製作所 インダクタブリッジおよび電子機器
JP2016067006A (ja) * 2014-02-14 2016-04-28 株式会社村田製作所 アンテナ装置および無線通信装置
WO2017010010A1 (ja) * 2015-07-16 2017-01-19 ウルトラメモリ株式会社 半導体素子
JPWO2017010010A1 (ja) * 2015-07-16 2018-03-01 ウルトラメモリ株式会社 半導体素子
US10269734B2 (en) 2015-07-16 2019-04-23 Ultramemory Inc. Semiconductor element
WO2017188077A1 (ja) * 2016-04-25 2017-11-02 株式会社村田製作所 インダクタ部品
JPWO2017188077A1 (ja) * 2016-04-25 2019-02-28 株式会社村田製作所 インダクタ部品
JP2022519968A (ja) * 2018-10-30 2022-03-28 北京航空航天大学 Ｍｅｍｓソレノイドトランス及びその製造方法
JP2023009618A (ja) * 2021-07-07 2023-01-20 富士電機メーター株式会社 電流センサ及び電力量計
JP2023010033A (ja) * 2021-07-08 2023-01-20 富士電機メーター株式会社 電流センサ及び電力量計

Also Published As

Publication number Publication date
EP0649152A2 (en) 1995-04-19
EP0643402A3 (en) 1995-10-25
EP0643403A3 (en) 1995-10-25
EP0413348A2 (en) 1991-02-20
EP0643404A2 (en) 1995-03-15
EP0643402A2 (en) 1995-03-15
DE69030123D1 (de) 1997-04-10
US5095357A (en) 1992-03-10
EP0643403A2 (en) 1995-03-15
EP0643404B1 (en) 1997-05-14
DE69032792D1 (de) 1999-01-07
EP0649152A3 (en) 1995-10-25
DE69030738T2 (de) 1997-12-18
DE69030123T2 (de) 1997-09-18
EP0649152B1 (en) 1998-11-25
DE69030011D1 (de) 1997-04-03
DE69026164T2 (de) 1996-10-31
EP0643404A3 (en) 1995-11-08
EP0643403B1 (en) 1997-03-05
EP0413348B1 (en) 1996-03-27
EP0413348A3 (en) 1993-03-24
DE69030738D1 (de) 1997-06-19
DE69032792T2 (de) 1999-07-01
EP0643402B1 (en) 1997-02-26
DE69030011T2 (de) 1997-09-04
DE69026164D1 (de) 1996-05-02

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