JPH0377412A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH0377412A JPH0377412A JP1213658A JP21365889A JPH0377412A JP H0377412 A JPH0377412 A JP H0377412A JP 1213658 A JP1213658 A JP 1213658A JP 21365889 A JP21365889 A JP 21365889A JP H0377412 A JPH0377412 A JP H0377412A
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- JP
- Japan
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- constant current
- transistor
- temperature
- circuit
- semiconductor integrated
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体集積回路に関する。
第２図は、従来の基準定電流源回路の回路図である。
この基準定電流源の出力電流はトランジスタＱ１のコレ
クタ電流とトランジスタＱ２のコレクタ電流の和になる
。
クタ電流とトランジスタＱ２のコレクタ電流の和になる
。
トランジスタＱ、のコレクタ電流は、トランジスタＱ１
のベースが温度依存性の無い定電流源１の中のトランジ
スタとカレントミラー回路を構成している為、温度の依
存性が無い。すなわち、電流値の温度係数は零である。
のベースが温度依存性の無い定電流源１の中のトランジ
スタとカレントミラー回路を構成している為、温度の依
存性が無い。すなわち、電流値の温度係数は零である。
また、トランジスタＱ２のコレクタ電流は、トランジス
タＱ３のペースエミッタ間の電圧を抵抗Ｒ２で割った値
にほぼ等しくなるので、トランジスタのペースエミッタ
間電圧と等しい温度依存性を持つ。
タＱ３のペースエミッタ間の電圧を抵抗Ｒ２で割った値
にほぼ等しくなるので、トランジスタのペースエミッタ
間電圧と等しい温度依存性を持つ。
すなわち、電流値の温度係数は常温で約−３０００ｐｐ
ｍ／’Ｃである。
ｍ／’Ｃである。
以上より、この回路では抵抗Ｒ１とＲ２の値を適当に選
び、トランジスタＱ１のコレクタ電流とトランジスタＱ
２のコレクタ電流の割り合いを適当な値にすることによ
り、０〜−３０００ｐｐｍ／℃の範囲の任意の温度係数
を持った出力電流を得ることができる。
び、トランジスタＱ１のコレクタ電流とトランジスタＱ
２のコレクタ電流の割り合いを適当な値にすることによ
り、０〜−３０００ｐｐｍ／℃の範囲の任意の温度係数
を持った出力電流を得ることができる。
第３図は従来の電圧制御発振回路の回路図である。
この回路はトランジスタＱ４とＱ、から成る増幅段で構
成され、この増幅段はトランジスタＱ８と電流源７、及
びトランジスタＱ、と電流源８から成る緩衝増幅器を通
して交差接合されている。この増幅段は端子間電圧が抵
抗Ｒ５の端子電位とトランジスタＱ６とＱ７のペースエ
ミッタ間電圧によって決定される電圧により、クランプ
されるトランジスタＱｙ。
成され、この増幅段はトランジスタＱ８と電流源７、及
びトランジスタＱ、と電流源８から成る緩衝増幅器を通
して交差接合されている。この増幅段は端子間電圧が抵
抗Ｒ５の端子電位とトランジスタＱ６とＱ７のペースエ
ミッタ間電圧によって決定される電圧により、クランプ
されるトランジスタＱｙ。
と抵抗Ｒ３及びＲ４から成る負荷を持つ。トランジスタ
Ｑ４及びＱ、のエミッタは、定電流源５及び６によりバ
イアスされ、タイミングコンデンサＣを通して結合され
ている。
Ｑ４及びＱ、のエミッタは、定電流源５及び６によりバ
イアスされ、タイミングコンデンサＣを通して結合され
ている。
この電圧制御発振回路の発振周波数ｆは、対となる定電
流源５と６、定電流源７と８、トランジスタＱ４とＱ５
、トランジスタＱ６とＱ７、トランジスタＱ８とＱｅ、
及び抵抗Ｒ８とＲ１のそれぞれの特性が全て等しければ
、 （１）式となる。ここで、Ｉ、は定電流源５及び６の電
流値、ＣはコンデンサＣの容量、ＶＢＥはトランジスタ
Ｑ６及びＱ７のペースエミッタ間電圧である。
流源５と６、定電流源７と８、トランジスタＱ４とＱ５
、トランジスタＱ６とＱ７、トランジスタＱ８とＱｅ、
及び抵抗Ｒ８とＲ１のそれぞれの特性が全て等しければ
、 （１）式となる。ここで、Ｉ、は定電流源５及び６の電
流値、ＣはコンデンサＣの容量、ＶＢＥはトランジスタ
Ｑ６及びＱ７のペースエミッタ間電圧である。
トランジスタＱ、。と抵抗Ｒ３とＲ４は温度変化に伴な
ってトランジスタＱ６及びＱ７に流れるエミッタ電流を
変化させることによって、前（１）式のトランジスタＱ
６及びＱ７のペースエミッタ間電圧ＶＢＥの温度に対す
る補償を行なって、周波数ｆの温度特性を改善させる為
に設けたものである。
ってトランジスタＱ６及びＱ７に流れるエミッタ電流を
変化させることによって、前（１）式のトランジスタＱ
６及びＱ７のペースエミッタ間電圧ＶＢＥの温度に対す
る補償を行なって、周波数ｆの温度特性を改善させる為
に設けたものである。
従来の半導体集積回路は基準定電流源に温度特性を持た
せることにより、特定の回路の温度特性を補償するよう
にされていたので、回路によっては補償の為の計算が困
難であったり、動作条件により最適な補償条件が変化す
る場合もあった。
せることにより、特定の回路の温度特性を補償するよう
にされていたので、回路によっては補償の為の計算が困
難であったり、動作条件により最適な補償条件が変化す
る場合もあった。
電圧制御発振回路はその典型的な例で、特に高い周波数
では、温度特性を目標値に設計することは非常に困難で
あった。
では、温度特性を目標値に設計することは非常に困難で
あった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、温度特性の設計を容易にするとともに、集積
回路化された後でも、動作条件にあわせて最適な温度特
性が得られる半導体集積回路を得ることを目的とする。
たもので、温度特性の設計を容易にするとともに、集積
回路化された後でも、動作条件にあわせて最適な温度特
性が得られる半導体集積回路を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体集積回路は、出力電流を温度係数
の異なる２種の定電流源の出力の適当な割り合いの加算
で得るようにし、前記２種の定電流源の出力の加算の割
り合いが異なる組み合わせを複数個備え、外部論理記号
により上記複数個の組み合わせの中から任意の組み合わ
せを選択できるような構成にするものである。
の異なる２種の定電流源の出力の適当な割り合いの加算
で得るようにし、前記２種の定電流源の出力の加算の割
り合いが異なる組み合わせを複数個備え、外部論理記号
により上記複数個の組み合わせの中から任意の組み合わ
せを選択できるような構成にするものである。
また、この発明に係る電圧制御発振回路は、前記半導体
集積回路を基準電流源として用いたことを特徴としてい
る。
集積回路を基準電流源として用いたことを特徴としてい
る。
この発明における半導体集積回路は、温度特性の異なる
２種の定電流源の組み合わせを任意に選択できるように
したので、温度特性の設計を容易にできるとともに、集
積回路化された後でも、動作条件にあわせて最適な温度
特性が得られる。
２種の定電流源の組み合わせを任意に選択できるように
したので、温度特性の設計を容易にできるとともに、集
積回路化された後でも、動作条件にあわせて最適な温度
特性が得られる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体集積回路の回
路図である。
路図である。
図において、Ｓ２．〜Ｓｉｎ ５２１〜Ｓうはアナログ
スイッチで、デコーダ３の出力端子の中で゛Ｈルベルに
なっている端子に接続されているアナログスイッチだけ
ＯＮになる。また、ＯＮになるアナログスイッチはＳｌ
ｌ〜Ｓ、。と５２１〜Ｓ２ｎの中からそれぞれ１個ずつ
で、出力端子２から見た等両回路は前記従来の第２図の
場合と同じになる。例えば、アナログスイッチＳ１２及
びＳ２２がＯＮの場合は、第１図のトランジスタＱＩ２
・Ｑ２□・抵抗ＲＨ及びＲ２２がそれぞれ、従来の第２
図のトランジスタ（ｈ ＋Ｑ８．抵抗Ｒ１及びＲ２に相
当する。
スイッチで、デコーダ３の出力端子の中で゛Ｈルベルに
なっている端子に接続されているアナログスイッチだけ
ＯＮになる。また、ＯＮになるアナログスイッチはＳｌ
ｌ〜Ｓ、。と５２１〜Ｓ２ｎの中からそれぞれ１個ずつ
で、出力端子２から見た等両回路は前記従来の第２図の
場合と同じになる。例えば、アナログスイッチＳ１２及
びＳ２２がＯＮの場合は、第１図のトランジスタＱＩ２
・Ｑ２□・抵抗ＲＨ及びＲ２２がそれぞれ、従来の第２
図のトランジスタ（ｈ ＋Ｑ８．抵抗Ｒ１及びＲ２に相
当する。
出力端子２に出力される電流値の温度係数は、抵抗Ｒ１
及びＲ２の値により決定される。抵抗Ｒ１１とＲ２１＋
Ｒ１２とＲ２２１−＋Ｒ１ｎとＲ２ｏの組み合わせを
異なる温度係数が得られるように全て異なる値に選んで
置けば、端子４に外部から加える論理信号により、任意
の抵抗の組み合わせが選ぶことができ、結果として、任
意の温度係数を持った出力電流を得ることができる。
及びＲ２の値により決定される。抵抗Ｒ１１とＲ２１＋
Ｒ１２とＲ２２１−＋Ｒ１ｎとＲ２ｏの組み合わせを
異なる温度係数が得られるように全て異なる値に選んで
置けば、端子４に外部から加える論理信号により、任意
の抵抗の組み合わせが選ぶことができ、結果として、任
意の温度係数を持った出力電流を得ることができる。
また、従来の第３図の電圧制御発振回路において、温度
補償用の基準定電流源Ｉｒｅｆに第１図の基準定電流源
を使用すれば、外部論理信号により任意の温度補償条件
を与えることができる。
補償用の基準定電流源Ｉｒｅｆに第１図の基準定電流源
を使用すれば、外部論理信号により任意の温度補償条件
を与えることができる。
以上のようにこの発明によれば、出力電流を複数個用意
した異なる温度係数を持つ定電流源の組み合わせの中か
ら、外部論理信号により任意の組み合わせを選択できる
ようにしたので、計算算出が困難であったり、動作条件
によって補償の条件が異なるような場合、集積回路化さ
れた後でも容易に最適な温度補償条件を容易に実現でき
るという効果がある。
した異なる温度係数を持つ定電流源の組み合わせの中か
ら、外部論理信号により任意の組み合わせを選択できる
ようにしたので、計算算出が困難であったり、動作条件
によって補償の条件が異なるような場合、集積回路化さ
れた後でも容易に最適な温度補償条件を容易に実現でき
るという効果がある。
また、この半導体集積回路を基準定電流源に用いた電圧
制御発振回路では、発振周波数の温度特性を目標通りに
容易に設定でき、発振周波数によって補償条件が異なる
場合でも外部信号によりプログラマブルに最適な補償が
できるという効果がある。
制御発振回路では、発振周波数の温度特性を目標通りに
容易に設定でき、発振周波数によって補償条件が異なる
場合でも外部信号によりプログラマブルに最適な補償が
できるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体集積回路の回
路図、第２図は従来の基準定電流源回路の回路図、第３
図は従来の電圧制御発振回路の回路図を示す。 Ｑ＋ 〜ＱＩＯＩ Ｑｎ〜Ｑ ｔｎ ＊ Ｑｔ、〜Ｑｍ
”’ ）’ランジスタ・Ｒ１−Ｒ８ｒ ＲＩＩ〜ＲＩ
ｎ ＋ Ｒ２１〜Ｒｚｎ ”’抵抗、５ｔｘ−５ｔｎ、
Ｓｌｌ〜Ｓ、ｎ・・・アナログスイッチ、Ｖｃｃ・・・
電源電圧、ｖＢ・・・バイアス電源、Ｉ ｒｅｆ・・・
温度補償用基準定電流源、Ｖｃ−・・制御電圧入力端子
、Ｃ・・・タイミングコンデンサ、１・・・温度依存性
の無い定電流源、２・・・出力端子、３・・・デコーダ
、４・・・外部論理信号入力端子、５〜８・・・電流源
。 尚、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
路図、第２図は従来の基準定電流源回路の回路図、第３
図は従来の電圧制御発振回路の回路図を示す。 Ｑ＋ 〜ＱＩＯＩ Ｑｎ〜Ｑ ｔｎ ＊ Ｑｔ、〜Ｑｍ
”’ ）’ランジスタ・Ｒ１−Ｒ８ｒ ＲＩＩ〜ＲＩ
ｎ ＋ Ｒ２１〜Ｒｚｎ ”’抵抗、５ｔｘ−５ｔｎ、
Ｓｌｌ〜Ｓ、ｎ・・・アナログスイッチ、Ｖｃｃ・・・
電源電圧、ｖＢ・・・バイアス電源、Ｉ ｒｅｆ・・・
温度補償用基準定電流源、Ｖｃ−・・制御電圧入力端子
、Ｃ・・・タイミングコンデンサ、１・・・温度依存性
の無い定電流源、２・・・出力端子、３・・・デコーダ
、４・・・外部論理信号入力端子、５〜８・・・電流源
。 尚、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 出力電流を温度係数の異なる２種の定電流源の出力の適
当な割り合いの加算で得るようにし、上記２種の定電流
源の出力の加算の割り合いが異なる組み合わせを複数個
備え、外部論理信号により、上記複数個の組み合わせの
中から任意の組み合わせを１組だけ選択できるようにし
たことを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1213658A JP2706146B2 (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1213658A JP2706146B2 (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0377412A true JPH0377412A (ja) | 1991-04-03 |
| JP2706146B2 JP2706146B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=16642813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1213658A Expired - Lifetime JP2706146B2 (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2706146B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007097056A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 温度補償回路 |
| JP2010152566A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 電流生成回路、電流生成方法及び電子機器 |
-
1989
- 1989-08-19 JP JP1213658A patent/JP2706146B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007097056A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 温度補償回路 |
| JP2010152566A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 電流生成回路、電流生成方法及び電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2706146B2 (ja) | 1998-01-28 |
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