JPH0377714B2 - - Google Patents
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- JPH0377714B2 JPH0377714B2 JP57008438A JP843882A JPH0377714B2 JP H0377714 B2 JPH0377714 B2 JP H0377714B2 JP 57008438 A JP57008438 A JP 57008438A JP 843882 A JP843882 A JP 843882A JP H0377714 B2 JPH0377714 B2 JP H0377714B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- period
- photoelectric conversion
- bias voltage
- junction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/158—Charge-coupled device [CCD] image sensors having arrangements for blooming suppression
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電荷転送素子を用いた撮像装置に関す
るものであり、詳しくは、ストロボ撮影効果を有
する該撮像装置に関するものである。
るものであり、詳しくは、ストロボ撮影効果を有
する該撮像装置に関するものである。
近年の半導体集積回路技術の急速な発展を背景
に、固体撮像装置の開発が活発に行なわれてい
る。固体撮像装置は、従来の電子ビームを走査手
段とする撮像管に代つて、小型軽量、低消費電力
といつた特徴を有するため、家庭用テレビカメラ
への応用が期待されている。当該分野への応用に
ついては、単に画像記録を目的とする応用が初歩
的と考えられるが、特殊映像効果を発揮したビデ
オ録画も一分野として期待される。かかる応用形
態は、今後のビデオ時代には不可欠であり、単に
家庭用にとどまることなく、業務分野にも広く利
用されることはいうまでもない。かかる特殊映像
効果の一つにストロボ撮影効果がある。スタジオ
内あるいはライブステージでの中継を業務とする
放送分野においては、映像効果を高めるために、
当該効果が多用されている。かかる効果を実現す
るために、ストロボ光源が用いられるか、あるい
は、デジタル映像効果装置が用いられている。し
かしながら、前者においては、特殊な大光量スト
ロボ発光管および高圧電源回路が必要であり、一
般家庭内で使用するには設備が高価であり、か
つ、高圧使用に伴なう危険があるという欠点があ
る。一方、後者においては、デジタル回路を縦横
に駆使せねばならないため、装置が極度に高価に
なり、家庭用として普及することは期待できな
い。かかる理由により、家庭内においてストロボ
撮影効果を実現するためには、高価な機器を購入
せざるを得ず、現実的でないという欠点があつ
た。
に、固体撮像装置の開発が活発に行なわれてい
る。固体撮像装置は、従来の電子ビームを走査手
段とする撮像管に代つて、小型軽量、低消費電力
といつた特徴を有するため、家庭用テレビカメラ
への応用が期待されている。当該分野への応用に
ついては、単に画像記録を目的とする応用が初歩
的と考えられるが、特殊映像効果を発揮したビデ
オ録画も一分野として期待される。かかる応用形
態は、今後のビデオ時代には不可欠であり、単に
家庭用にとどまることなく、業務分野にも広く利
用されることはいうまでもない。かかる特殊映像
効果の一つにストロボ撮影効果がある。スタジオ
内あるいはライブステージでの中継を業務とする
放送分野においては、映像効果を高めるために、
当該効果が多用されている。かかる効果を実現す
るために、ストロボ光源が用いられるか、あるい
は、デジタル映像効果装置が用いられている。し
かしながら、前者においては、特殊な大光量スト
ロボ発光管および高圧電源回路が必要であり、一
般家庭内で使用するには設備が高価であり、か
つ、高圧使用に伴なう危険があるという欠点があ
る。一方、後者においては、デジタル回路を縦横
に駆使せねばならないため、装置が極度に高価に
なり、家庭用として普及することは期待できな
い。かかる理由により、家庭内においてストロボ
撮影効果を実現するためには、高価な機器を購入
せざるを得ず、現実的でないという欠点があつ
た。
本発明は上記欠点を除去し、簡単な電気回路の
付加によりストロボ撮影効果を実現できる撮像装
置を提供するものである。
付加によりストロボ撮影効果を実現できる撮像装
置を提供するものである。
本発明によれば、簡便かつ安全で家庭用のみな
らず、業務用、放送用として利用できる安価な撮
像装置が得られる。
らず、業務用、放送用として利用できる安価な撮
像装置が得られる。
本発明は、半導体基板の一主面上に、該基板と
導電型を異にする領域を設けて該基板との間に接
合を形成し、該領域は当該接合深さが浅い第一の
領域と、当該接合深さが深い第二の領域とから成
り、前記第一の領域には光電変換素子群が設けら
れ、前記第二の領域には当該素子群からの信号を
読み出す装置が設けられた電荷転送撮像装置にお
いて、該読み出し周期内の第一の周期には前記接
合に第一の逆バイアス電圧値を印加し、該読み出
し周期内の第二の周期には前記接合に第二の逆バ
イアス電圧値を印加する手段と、前記第一の周期
および第二の周期を、異なる読み出し周期間で変
化させる手段とを含むことを特徴とする。
導電型を異にする領域を設けて該基板との間に接
合を形成し、該領域は当該接合深さが浅い第一の
領域と、当該接合深さが深い第二の領域とから成
り、前記第一の領域には光電変換素子群が設けら
れ、前記第二の領域には当該素子群からの信号を
読み出す装置が設けられた電荷転送撮像装置にお
いて、該読み出し周期内の第一の周期には前記接
合に第一の逆バイアス電圧値を印加し、該読み出
し周期内の第二の周期には前記接合に第二の逆バ
イアス電圧値を印加する手段と、前記第一の周期
および第二の周期を、異なる読み出し周期間で変
化させる手段とを含むことを特徴とする。
次に、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
第１図ａ，ｂは本発明の一実施例の平面図及び
Ａ−A′断面図である。
Ａ−A′断面図である。
この実施例はインターライン方式の電荷転送素
子による撮像装置であつて、同一電荷転送電極群
で駆動する複数列の垂直レジスタ１１と、各垂直
レジスタの片側に隣接し、かつ、互いに電気的に
分離された、例えばフオトダイオード等の光電変
換素子群から成る光電変換部１２と、該レジスタ
への該光電変換部からの信号電荷転送を制御する
トランスフアゲート電極１３と、該レジスタの一
端に電気的に結合した水平レジスタ１８と、該水
平レジスタの一端に設けられた電荷検出回路１０
とから構成され、１１，１３，１８，１０は前記
光電変換素子群からの信号を読み出す装置を構成
している。当該インターライン方式による撮像装
置は、光電変換部１２で入射光量に応じて信号電
荷を、例えばトランスフアゲート１３を介してそ
れぞれに対応する垂直レジスタ１１へ転送する。
垂直レジスタへ信号電荷を転送した後、トランス
フアゲートが閉じられ、光電変換部１２は次の周
期の信号電荷を蓄積する。一方垂直レジスタ１１
へ転送された信号電荷は並列に垂直方向に転送さ
れ、各垂直レジスタの一水平ライン毎に、水平レ
ジスタ１８に転送される。水平レジスタへ送られ
た電荷は次の垂直レジスタから信号が転送されて
来る間に水平方向に信号電荷を転送し１０から信
号として外部に取り出される。
子による撮像装置であつて、同一電荷転送電極群
で駆動する複数列の垂直レジスタ１１と、各垂直
レジスタの片側に隣接し、かつ、互いに電気的に
分離された、例えばフオトダイオード等の光電変
換素子群から成る光電変換部１２と、該レジスタ
への該光電変換部からの信号電荷転送を制御する
トランスフアゲート電極１３と、該レジスタの一
端に電気的に結合した水平レジスタ１８と、該水
平レジスタの一端に設けられた電荷検出回路１０
とから構成され、１１，１３，１８，１０は前記
光電変換素子群からの信号を読み出す装置を構成
している。当該インターライン方式による撮像装
置は、光電変換部１２で入射光量に応じて信号電
荷を、例えばトランスフアゲート１３を介してそ
れぞれに対応する垂直レジスタ１１へ転送する。
垂直レジスタへ信号電荷を転送した後、トランス
フアゲートが閉じられ、光電変換部１２は次の周
期の信号電荷を蓄積する。一方垂直レジスタ１１
へ転送された信号電荷は並列に垂直方向に転送さ
れ、各垂直レジスタの一水平ライン毎に、水平レ
ジスタ１８に転送される。水平レジスタへ送られ
た電荷は次の垂直レジスタから信号が転送されて
来る間に水平方向に信号電荷を転送し１０から信
号として外部に取り出される。
第１図ｂに示すように、半導体基板１６には当
該基板とＰ−Ｎ接合を形成し、且つ、該接合の深
さが異なる二つのＰ型領域２２，２３が埋設され
ており、隣接合の浅いＰ型領域２２上にはＮ型の
光電変換領域２４が形成されており、接合の深い
Ｐ型領域２３上にはＮ型の埋込みチヤネルの垂直
レジスタ領域２５が形成されている。
該基板とＰ−Ｎ接合を形成し、且つ、該接合の深
さが異なる二つのＰ型領域２２，２３が埋設され
ており、隣接合の浅いＰ型領域２２上にはＮ型の
光電変換領域２４が形成されており、接合の深い
Ｐ型領域２３上にはＮ型の埋込みチヤネルの垂直
レジスタ領域２５が形成されている。
第２図は第１図ｂのＢ−B′線上の電位の分布
図である。
図である。
第２図において、横軸は深さ方向の距離、縦軸
は電位を表している。今第１図ｂに示すチヤネル
ストツプ領域２０の電位を基準電位（この場合０
ボルト）とする。Ｎ型の光電変換領域２４はトラ
ンスフアゲート１３の電圧をVTG、トランスフア
ゲートの閾値電圧をVTとすると（VTG−VT）の電
位でセツトされる。またＰ型領域２２，２３と基
板１６に印加する直流の逆バイアス電圧をVsubと
し、当該電圧を曲線２６で示す低い電圧から、よ
り高い逆バイアス電圧にすると曲線２７のように
Ｐ型領域２２は完全に空乏化することができる。
光電変換領域２４に光が照射され信号電荷が蓄積
されると、光電変換領域２４の電位は曲線２８か
ら曲線２９のように小さくなつてゆき最終的には
曲線３０のように光電変換領域２４とＰ型領域２
２の接合は順方向となり、これ以上光電変換領域
２４で発生した電荷はＰ型基板領域２２を介して
半導体基板１６へ流れ込む。すなわち第１図ｂで
示すトランスフアゲート１３直下、チヤネルスト
ツプ領域２０直下、および図示していないが光電
変換領域２４を囲む全ての領域の表面電位より光
電変換領域２４とＰ型領域２２の接合電位が高く
なるように半導体基板とＰ型領域２２に直流の逆
バイアス電圧を印加することにより、光電変換領
域２４で発生する過剰電荷を完全に半導体基板１
６へ掃き出すことができる。かかる構造及び動作
によつて、入射光により発生した過剰電荷が再生
画像に影響を及ぼす所謂ブルーミング現象を完全
に抑制することができる。なお、第１図ｂにおい
て、１７は例えば酸化膜等の絶縁膜、１９は前記
垂直レジスタの転送電極、２１は該レジスタ領域
等を遮光するための不透明膜、３５，３６，３７
はそれぞれ、前記１２，１３，１１に対応した領
域である。かかる構造の該撮像装置は第３図に例
示する駆動波形群によつて駆動される。同図にお
いて、前記垂直レジスタは二相パルスφv1とφv2と
により駆動され、前記トランスフアゲートはφTG
により、また、前記半導体基板はφsubにより駆動
されている。なお、本実施例においては、該垂直
レジスタは二相駆動を仮定しているが、これに限
定されることはない。第４図は第１図ｂに示すＢ
−B′線部の深さ方向の電位分布を示したもので
ある。
は電位を表している。今第１図ｂに示すチヤネル
ストツプ領域２０の電位を基準電位（この場合０
ボルト）とする。Ｎ型の光電変換領域２４はトラ
ンスフアゲート１３の電圧をVTG、トランスフア
ゲートの閾値電圧をVTとすると（VTG−VT）の電
位でセツトされる。またＰ型領域２２，２３と基
板１６に印加する直流の逆バイアス電圧をVsubと
し、当該電圧を曲線２６で示す低い電圧から、よ
り高い逆バイアス電圧にすると曲線２７のように
Ｐ型領域２２は完全に空乏化することができる。
光電変換領域２４に光が照射され信号電荷が蓄積
されると、光電変換領域２４の電位は曲線２８か
ら曲線２９のように小さくなつてゆき最終的には
曲線３０のように光電変換領域２４とＰ型領域２
２の接合は順方向となり、これ以上光電変換領域
２４で発生した電荷はＰ型基板領域２２を介して
半導体基板１６へ流れ込む。すなわち第１図ｂで
示すトランスフアゲート１３直下、チヤネルスト
ツプ領域２０直下、および図示していないが光電
変換領域２４を囲む全ての領域の表面電位より光
電変換領域２４とＰ型領域２２の接合電位が高く
なるように半導体基板とＰ型領域２２に直流の逆
バイアス電圧を印加することにより、光電変換領
域２４で発生する過剰電荷を完全に半導体基板１
６へ掃き出すことができる。かかる構造及び動作
によつて、入射光により発生した過剰電荷が再生
画像に影響を及ぼす所謂ブルーミング現象を完全
に抑制することができる。なお、第１図ｂにおい
て、１７は例えば酸化膜等の絶縁膜、１９は前記
垂直レジスタの転送電極、２１は該レジスタ領域
等を遮光するための不透明膜、３５，３６，３７
はそれぞれ、前記１２，１３，１１に対応した領
域である。かかる構造の該撮像装置は第３図に例
示する駆動波形群によつて駆動される。同図にお
いて、前記垂直レジスタは二相パルスφv1とφv2と
により駆動され、前記トランスフアゲートはφTG
により、また、前記半導体基板はφsubにより駆動
されている。なお、本実施例においては、該垂直
レジスタは二相駆動を仮定しているが、これに限
定されることはない。第４図は第１図ｂに示すＢ
−B′線部の深さ方向の電位分布を示したもので
ある。
第３図に例示した読み出し周期内の時刻t1のと
き、半導体基板１６とＰ−Ｎ接合を形成するＰ型
領域２２，２３との間に印加する逆バイアス電圧
φsubは第一の逆バイアス電圧値“Vp”である。第
１図ｂにおいて、この逆バイアス電圧φsub“Vp”
はＮ型の光電変換領域２４とＰ型領域２２との間
が順方向となるよう設定されている。第４図にこ
の逆バイアス電圧φsub“Vp”の作る電位分布の曲
線を５０，５２で示す。かかる逆バイアス電圧
φsubが“Vp”となる第一の周期においては、光電
変換領域２４に入射して発生した電荷は、Ｎ型の
光電変換領域２４とＰ型領域２２が順方向となつ
ているため半導体基板１６に掃き出され、該領域
２４内に蓄積されないため、信号電荷とはならな
い。
き、半導体基板１６とＰ−Ｎ接合を形成するＰ型
領域２２，２３との間に印加する逆バイアス電圧
φsubは第一の逆バイアス電圧値“Vp”である。第
１図ｂにおいて、この逆バイアス電圧φsub“Vp”
はＮ型の光電変換領域２４とＰ型領域２２との間
が順方向となるよう設定されている。第４図にこ
の逆バイアス電圧φsub“Vp”の作る電位分布の曲
線を５０，５２で示す。かかる逆バイアス電圧
φsubが“Vp”となる第一の周期においては、光電
変換領域２４に入射して発生した電荷は、Ｎ型の
光電変換領域２４とＰ型領域２２が順方向となつ
ているため半導体基板１６に掃き出され、該領域
２４内に蓄積されないため、信号電荷とはならな
い。
時刻t2において、逆バイアス電圧φsubを“Vp”
から第二の逆バイアス電圧値“VS”に変化させ
ると、光電変換部の深さ方向電位を示す曲線は５
０，５２から曲線５１，５２に変る。逆バイアス
電圧φsubが“VS”となる第二の周期において、Ｎ
型の光電変換領域２４に入射した光によつて発生
した電荷は信号電荷となり、Ｎ型の光電変換領域
２４に蓄積され、該入射光量に応じてＮ型の光電
変換領域２４の電位は曲線５２から小さくなつ
て、例えば５３あるいは５４になる。次に時刻t3
において、トランスフアゲートに電圧VTGが印加
され、Ｎ型の光電変換領域２４に蓄積されていた
信号電荷は前記垂直レジスタ１１に転送される。
該時刻において、Ｎ型の光電変換領域２４は
（VTG−VT）の電位でセツトされる。垂直シフト
レジスタが電荷転送を始める前の時刻t4のとき、
半導体基板１６には再び逆バイアス電圧φsub“Vp”
が印加され、次のフイールドの動作を繰り返して
いく。以上の説明より、当該動作における１フイ
ールドでの光の蓄積時間は時刻t2から時刻t3まで
の第二の周期T1であることが示された。即ち、
第３図における周期T1を入射光量に応じ、入射
光量が多い時は短く、入射光量が少い時は長くす
ることにより、信号電荷量の蓄積時間を制御でき
る。
から第二の逆バイアス電圧値“VS”に変化させ
ると、光電変換部の深さ方向電位を示す曲線は５
０，５２から曲線５１，５２に変る。逆バイアス
電圧φsubが“VS”となる第二の周期において、Ｎ
型の光電変換領域２４に入射した光によつて発生
した電荷は信号電荷となり、Ｎ型の光電変換領域
２４に蓄積され、該入射光量に応じてＮ型の光電
変換領域２４の電位は曲線５２から小さくなつ
て、例えば５３あるいは５４になる。次に時刻t3
において、トランスフアゲートに電圧VTGが印加
され、Ｎ型の光電変換領域２４に蓄積されていた
信号電荷は前記垂直レジスタ１１に転送される。
該時刻において、Ｎ型の光電変換領域２４は
（VTG−VT）の電位でセツトされる。垂直シフト
レジスタが電荷転送を始める前の時刻t4のとき、
半導体基板１６には再び逆バイアス電圧φsub“Vp”
が印加され、次のフイールドの動作を繰り返して
いく。以上の説明より、当該動作における１フイ
ールドでの光の蓄積時間は時刻t2から時刻t3まで
の第二の周期T1であることが示された。即ち、
第３図における周期T1を入射光量に応じ、入射
光量が多い時は短く、入射光量が少い時は長くす
ることにより、信号電荷量の蓄積時間を制御でき
る。
第１図ａ，ｂに実施例として示した撮像装置
は、前述した如く、外部からの制御手段により、
光信号に対する蓄積時間を可変にすることができ
る。かかる蓄積時間を変化させることは、当該分
野で通常用いられている光感度（例えば単位光エ
ネルギ入射時における当該装置から得られる電流
値として定義されている）を制御させることに対
応する。即ち、入射光強度が一定である時には、
光励起電流（単位時間に発生する信号電荷量）が
一定になり、前記フイールド内で蓄積される信号
電荷量の総量は前記蓄積時間に比例するからであ
る。
は、前述した如く、外部からの制御手段により、
光信号に対する蓄積時間を可変にすることができ
る。かかる蓄積時間を変化させることは、当該分
野で通常用いられている光感度（例えば単位光エ
ネルギ入射時における当該装置から得られる電流
値として定義されている）を制御させることに対
応する。即ち、入射光強度が一定である時には、
光励起電流（単位時間に発生する信号電荷量）が
一定になり、前記フイールド内で蓄積される信号
電荷量の総量は前記蓄積時間に比例するからであ
る。
第５図は第１図ａ，ｂに示す一実施例を駆動さ
せるときの信号の波形図である。
せるときの信号の波形図である。
第５図においてはφTG、φsubを第３図における
それよりも狭い間隔で示し、それに出力信号を対
比させて示している。本発明においては、前記読
み出し周期内に占める前記第二の周期が、異なる
当該読み出し周期間で変化することに特徴があ
る。即ち、読み出し周期６０においての第二の周
期は６３、読み出し周期６１における第二の周期
は６４である。また、第５図において、６０に先
行する読み出し周期、および、６１に続行する読
み出し周期はいずれも、第二の周期は６３と等し
くされている。かかる駆動条件に基づけば、読み
出し周期６１のみが前記光感度が高く、他の読み
出し周期、例えば、６０では光感度が低いことに
なる。かかる光感度の差は、第５図に示した出力
信号波形を発生させる。即ち、第二の周期が長い
周期６１で蓄積された光電変換信号は、図示する
６２の周期内で読み出され、出力信号６５が６２
以外の周期からの出力信号、例えば６６よりも大
きいことになる。かかる出力信号の差は、あたか
も、周期６１内においてストロボ光が被写体に瞬
時に照射されたことと等価になる。以上の説明か
ら明らかなように、６４の時間的長さを制御すれ
ば、あたかも、当該ストロボ光の光量を変化させ
たことと等価になり、また、図示していないが、
６４の発生周期を変化させれば、当該ストロボ光
の発光周期を変化させたことと等価になる。一
方、６３の時間的長さを制御すれば、当該ストロ
ボ光が発光していない時の被写体への照射光、即
ち、バツクグラウンド光の光量を変化させたこと
と等価になる。当該バツクグラウンド光を零にし
た時のような映像効果を期待する時には、６３を
零にすれば良い。また、上記したストロボ撮影効
果をＳ／Ｎ良く、かつ、有効に実現するために
は、６４の周期を６１の周期と等しくする、即
ち、前記第一の逆バイアス電圧値が印加される第
一の周期を零にすることが好ましいが、これに限
定されることはない。
それよりも狭い間隔で示し、それに出力信号を対
比させて示している。本発明においては、前記読
み出し周期内に占める前記第二の周期が、異なる
当該読み出し周期間で変化することに特徴があ
る。即ち、読み出し周期６０においての第二の周
期は６３、読み出し周期６１における第二の周期
は６４である。また、第５図において、６０に先
行する読み出し周期、および、６１に続行する読
み出し周期はいずれも、第二の周期は６３と等し
くされている。かかる駆動条件に基づけば、読み
出し周期６１のみが前記光感度が高く、他の読み
出し周期、例えば、６０では光感度が低いことに
なる。かかる光感度の差は、第５図に示した出力
信号波形を発生させる。即ち、第二の周期が長い
周期６１で蓄積された光電変換信号は、図示する
６２の周期内で読み出され、出力信号６５が６２
以外の周期からの出力信号、例えば６６よりも大
きいことになる。かかる出力信号の差は、あたか
も、周期６１内においてストロボ光が被写体に瞬
時に照射されたことと等価になる。以上の説明か
ら明らかなように、６４の時間的長さを制御すれ
ば、あたかも、当該ストロボ光の光量を変化させ
たことと等価になり、また、図示していないが、
６４の発生周期を変化させれば、当該ストロボ光
の発光周期を変化させたことと等価になる。一
方、６３の時間的長さを制御すれば、当該ストロ
ボ光が発光していない時の被写体への照射光、即
ち、バツクグラウンド光の光量を変化させたこと
と等価になる。当該バツクグラウンド光を零にし
た時のような映像効果を期待する時には、６３を
零にすれば良い。また、上記したストロボ撮影効
果をＳ／Ｎ良く、かつ、有効に実現するために
は、６４の周期を６１の周期と等しくする、即
ち、前記第一の逆バイアス電圧値が印加される第
一の周期を零にすることが好ましいが、これに限
定されることはない。
以上詳述した如く、本発明によれば、ストロボ
撮影効果が簡単な外部制御により実現できる。か
かる効果は、高価なストロボ装置を不用にするた
め、家庭用ビデオカメラに組み合わせると、商品
としての付加価値を向上させ得る利点も発生す
る。また、単に家庭用に限定されることなく、業
務用、放送用としても利用することが期待でき、
本発明の効果は絶大である。なお、本明細書にお
いては、説明の便宜上、前記第一、第二の周期の
切り換えタイミングについて詳述することは省略
したが、該装置から出力信号が得られない水平ブ
ランキング期間に該タイミングを設定することが
好ましい。しかし、該タイミングの設定について
は、ビデオカメラと組み合わせた際の容易さによ
り任意に設定し得ることは本明細書の記載より明
らかである。また、前記第一、第二の逆バイアス
電圧値間の時間的変化については、瞬時に行なわ
れるかの如き説明を行つたが、かかる変化は複数
の水平走査周期にわたつた緩かな変化であつても
構わない。さらに、第５図に例示したφsubの駆動
波形を得るためには、単安定マルチバイブレータ
等を用いれば良く、当該分野の技術者にとつて周
知の技術であるので説明は省略した。なお、本発
明の実施例においては、インターライン方式の撮
像装置を用いたが、本発明は単に当該素子に限定
されることなく、他の撮像装置にも広く応用でき
ることは、本明細書の記載より明らかである。
撮影効果が簡単な外部制御により実現できる。か
かる効果は、高価なストロボ装置を不用にするた
め、家庭用ビデオカメラに組み合わせると、商品
としての付加価値を向上させ得る利点も発生す
る。また、単に家庭用に限定されることなく、業
務用、放送用としても利用することが期待でき、
本発明の効果は絶大である。なお、本明細書にお
いては、説明の便宜上、前記第一、第二の周期の
切り換えタイミングについて詳述することは省略
したが、該装置から出力信号が得られない水平ブ
ランキング期間に該タイミングを設定することが
好ましい。しかし、該タイミングの設定について
は、ビデオカメラと組み合わせた際の容易さによ
り任意に設定し得ることは本明細書の記載より明
らかである。また、前記第一、第二の逆バイアス
電圧値間の時間的変化については、瞬時に行なわ
れるかの如き説明を行つたが、かかる変化は複数
の水平走査周期にわたつた緩かな変化であつても
構わない。さらに、第５図に例示したφsubの駆動
波形を得るためには、単安定マルチバイブレータ
等を用いれば良く、当該分野の技術者にとつて周
知の技術であるので説明は省略した。なお、本発
明の実施例においては、インターライン方式の撮
像装置を用いたが、本発明は単に当該素子に限定
されることなく、他の撮像装置にも広く応用でき
ることは、本明細書の記載より明らかである。
第１図ａ，ｂは本発明の一実施例の平面図及び
Ａ−A′断面図、第２図は第１図ｂのＢ−B′線上
における電位の分布図、第３図は第１図ａ，ｂに
示す一実施例を駆動させるときの信号の部分波形
図、第４図は第３図に示した信号の各時刻におけ
る電位の分布図、第５図は第１図ａ，ｂに示す一
実施例を駆動させるときの信号の波形図である。 １１……垂直レジスタ、１２……光電変換部、
１３……トランスフアゲート電極、１８……水平
レジスタ、１０……電荷検出回路、１６……半導
体基板、１７……絶縁膜、１９……転送電極、２
０……チヤネルストツプ領域、２２……浅いＰ型
領域、２３……深いＰ型領域、２４……光電変換
領域、２５……垂直レジスタ領域、２６〜３０…
…電位を表わす曲線、５０〜５４……電位を表わ
す曲線、６０〜６２……読み出し周期、６３，６
４……光電変換された信号の蓄積周期、６５，６
６……出力信号波形。
Ａ−A′断面図、第２図は第１図ｂのＢ−B′線上
における電位の分布図、第３図は第１図ａ，ｂに
示す一実施例を駆動させるときの信号の部分波形
図、第４図は第３図に示した信号の各時刻におけ
る電位の分布図、第５図は第１図ａ，ｂに示す一
実施例を駆動させるときの信号の波形図である。 １１……垂直レジスタ、１２……光電変換部、
１３……トランスフアゲート電極、１８……水平
レジスタ、１０……電荷検出回路、１６……半導
体基板、１７……絶縁膜、１９……転送電極、２
０……チヤネルストツプ領域、２２……浅いＰ型
領域、２３……深いＰ型領域、２４……光電変換
領域、２５……垂直レジスタ領域、２６〜３０…
…電位を表わす曲線、５０〜５４……電位を表わ
す曲線、６０〜６２……読み出し周期、６３，６
４……光電変換された信号の蓄積周期、６５，６
６……出力信号波形。
Claims (1)
- １ 半導体基板の一主面上に、該基板と導電型を
異にする領域を設けて該基板との間に接合を形成
し、該領域は当該接合深さが浅い第一の領域と、
当該接合深さが深い第二の領域とから成り、前記
第一の領域には光電変換素子群が設けられ、前記
第二の領域には当該素子群からの信号を読み出す
装置が設けられた電荷転送撮像装置において、該
読み出し周期内の第一の周期には前記接合に第一
の逆バイアス電圧値を印加し、該読み出し周期内
の第二の周期には前記接合に第二の逆バイアス電
圧値を印加する手段と、前記第一の周期および第
二の周期を、異なる読み出し周期間で変化させる
手段とを含むことを特徴とする撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008438A JPS58125965A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008438A JPS58125965A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125965A JPS58125965A (ja) | 1983-07-27 |
| JPH0377714B2 true JPH0377714B2 (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=11693128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57008438A Granted JPS58125965A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125965A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60143077A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-29 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 固体ビデオカメラ |
| JPH02199869A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-08 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57008438A patent/JPS58125965A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58125965A (ja) | 1983-07-27 |
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