JPH0378601B2 - - Google Patents
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- JPH0378601B2 JPH0378601B2 JP60246999A JP24699985A JPH0378601B2 JP H0378601 B2 JPH0378601 B2 JP H0378601B2 JP 60246999 A JP60246999 A JP 60246999A JP 24699985 A JP24699985 A JP 24699985A JP H0378601 B2 JPH0378601 B2 JP H0378601B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、CCD（チヤージ、カツプルド、デバ
イス）、BBD（バケツト、ブリゲート、デバイ
ス）、CID（チヤージ、インジエクシヨン、デバイ
ス）、BASIS（ベース、ストアータイプ、イメー
ジ、センサー）等のカラー固体撮像素子、密着型
イメージセンサー及びカラーデイスプレイ等に用
いられるカラーフイルターの製造方法に関する。
イス）、BBD（バケツト、ブリゲート、デバイ
ス）、CID（チヤージ、インジエクシヨン、デバイ
ス）、BASIS（ベース、ストアータイプ、イメー
ジ、センサー）等のカラー固体撮像素子、密着型
イメージセンサー及びカラーデイスプレイ等に用
いられるカラーフイルターの製造方法に関する。
カラーフイルターとしては、基板上に親水性高
分子物質からなる媒染層を設け、その媒染層を色
素で染色して着色層とする染色カラーフイルター
が知られているが、この種類のカラーフイルター
は (1) 媒染層が必要である。
分子物質からなる媒染層を設け、その媒染層を色
素で染色して着色層とする染色カラーフイルター
が知られているが、この種類のカラーフイルター
は (1) 媒染層が必要である。
(2) となり合う色層の混色を防ぐために媒染層の
上に防染用の中間層を設ける必要がある。
上に防染用の中間層を設ける必要がある。
(3) 媒染層の染色により色を出す関係上、どうし
ても層の厚さを厚くする必要がある。
ても層の厚さを厚くする必要がある。
(4) 染料による染色なので着色層の耐湿性、耐光
性が充分でなく退色し易い。
性が充分でなく退色し易い。
などの欠点がある。
これらの欠点のない他の形式のカラーフイルタ
ーとして、色素層を例えば真空蒸着によつて色素
の蒸着薄膜として形成したものがある。この種類
のカラーフイルターの製造方法として基板上に溶
解可能なフオトレジストパターンを形成し、しか
る後に色素層を形成し、次いで下部の溶解可能な
レジストパターンを溶解除去することによつて、
その上層に形成された不要な色素層をも同時に遊
離除去させるいわゆるリバースエツチング法（又
はリフトオフ法）が、例えば特公昭47−16815号
公報等により知られている。このリバースエツチ
ング法によれば、後で溶解可能な物質、主にポジ
型レジストを用いて所望形状の着色層に対してネ
ガテイブな関係にあるパターンレジストを設けた
後に例えば真空蒸着法による色素層を設け、しか
る後下層レジストパターンを溶解することによつ
て所望形状の着色パターンを得ることになる。こ
の方法によれば色素層のみの着色パターンが得ら
れるためシンプルな構成となる長所を有する。
ーとして、色素層を例えば真空蒸着によつて色素
の蒸着薄膜として形成したものがある。この種類
のカラーフイルターの製造方法として基板上に溶
解可能なフオトレジストパターンを形成し、しか
る後に色素層を形成し、次いで下部の溶解可能な
レジストパターンを溶解除去することによつて、
その上層に形成された不要な色素層をも同時に遊
離除去させるいわゆるリバースエツチング法（又
はリフトオフ法）が、例えば特公昭47−16815号
公報等により知られている。このリバースエツチ
ング法によれば、後で溶解可能な物質、主にポジ
型レジストを用いて所望形状の着色層に対してネ
ガテイブな関係にあるパターンレジストを設けた
後に例えば真空蒸着法による色素層を設け、しか
る後下層レジストパターンを溶解することによつ
て所望形状の着色パターンを得ることになる。こ
の方法によれば色素層のみの着色パターンが得ら
れるためシンプルな構成となる長所を有する。
リバースエツチング法によるブルー、グリーン
レツド３色のカラーフイルターの形成法の概要を
第７図を参照しながら次記する。
レツド３色のカラーフイルターの形成法の概要を
第７図を参照しながら次記する。
基板１上に感光性樹脂（フオトレジスト）２を
塗布し、所望形状の透光部を有するマスクを用い
て、基板１上に積層されたフオトレジスト２に対
してパターン露光し、露光部（フオトレジストが
ポジ型の場合）を溶解することにより所望形状の
フオトレジストパターンを形成する。この状態を
第７図ａに模式断面図として示してある。ｂはそ
の全面に真空蒸着法等によりブルーの色素層３を
設けた状態を示す。次いで基板上に残存するレジ
ストパターンを除去液で溶解すると、その上層の
色素層も遊離除去されて、ｃに示すようなブルー
の色素層パターン４が得られる。
塗布し、所望形状の透光部を有するマスクを用い
て、基板１上に積層されたフオトレジスト２に対
してパターン露光し、露光部（フオトレジストが
ポジ型の場合）を溶解することにより所望形状の
フオトレジストパターンを形成する。この状態を
第７図ａに模式断面図として示してある。ｂはそ
の全面に真空蒸着法等によりブルーの色素層３を
設けた状態を示す。次いで基板上に残存するレジ
ストパターンを除去液で溶解すると、その上層の
色素層も遊離除去されて、ｃに示すようなブルー
の色素層パターン４が得られる。
上記の工程をグリーン、レツドの色素について
も繰返すことによつてｄに示すような３色の色素
層パターン４，５，６を有するカラーフイルター
が形成される。
も繰返すことによつてｄに示すような３色の色素
層パターン４，５，６を有するカラーフイルター
が形成される。
各々の色素層パターンを形成する工程における
露光は、通常前記した１つのマスクを水平方向に
ずらして所望箇所に設置した後に実施される。従
つて、第８図に示すように、マスク７のアライメ
ントマーク７ａを、基板１上にしるされたアライ
メントマーク１ａに各露光の実施ごとに一致させ
る必要があり、基板１上に予め複数個のアライメ
ントマーク１ａをしるしておく必要があつた。
露光は、通常前記した１つのマスクを水平方向に
ずらして所望箇所に設置した後に実施される。従
つて、第８図に示すように、マスク７のアライメ
ントマーク７ａを、基板１上にしるされたアライ
メントマーク１ａに各露光の実施ごとに一致させ
る必要があり、基板１上に予め複数個のアライメ
ントマーク１ａをしるしておく必要があつた。
このような基板１上のアライメントマーク１ａ
は位置精度高くしるす必要があるので、従来ドラ
イエツチング法により形成されている。この方法
を第９図により示す。まず、基板１上にAl、Cr
等の金属層８を蒸着し（第９図ａ）、その上全体
にフオトレジスト２を塗布した後（第９図ｂ）、
該フオトレジスト２のパターニングを行い、レジ
ストパターン２ａに覆われてない部分の金属層８
をドライエツチングし（第９図ｃ）、しかる後、
レジストパターン２ａを除去し、所望のアライメ
ントマーク１ａをしるしている（第９図ｄ）。
は位置精度高くしるす必要があるので、従来ドラ
イエツチング法により形成されている。この方法
を第９図により示す。まず、基板１上にAl、Cr
等の金属層８を蒸着し（第９図ａ）、その上全体
にフオトレジスト２を塗布した後（第９図ｂ）、
該フオトレジスト２のパターニングを行い、レジ
ストパターン２ａに覆われてない部分の金属層８
をドライエツチングし（第９図ｃ）、しかる後、
レジストパターン２ａを除去し、所望のアライメ
ントマーク１ａをしるしている（第９図ｄ）。
このようにしてアライメントマークを形成する
ことにより次のような問題が生じる。
ことにより次のような問題が生じる。
１ 蒸着した金属の不要部が完全にドライエツチ
ングされずに付着物が残り、この上に色素層が
積層されると、色素層と基板の密着性が悪化
し、その結果色素がはがれて外観欠陥を生じ、
歩留りを低下させてしまうこと。
ングされずに付着物が残り、この上に色素層が
積層されると、色素層と基板の密着性が悪化
し、その結果色素がはがれて外観欠陥を生じ、
歩留りを低下させてしまうこと。
２ 金属アライメントマークの作成に材料費、設
備費、労力を多分に必要とするため、カラーフ
イルターの製造コストがあがつてしまうこと。
備費、労力を多分に必要とするため、カラーフ
イルターの製造コストがあがつてしまうこと。
本発明は上述の従来例の欠点を除去するために
なされたものであり、その目的は、金属層から成
るアライメントマークを予めしるしておかなくて
も高精度に各色素層パターンの位置決めができ、
結果として外観欠陥の低減とコストダウンとが図
れるカラーフイルターの製造方法を提供すること
にある。
なされたものであり、その目的は、金属層から成
るアライメントマークを予めしるしておかなくて
も高精度に各色素層パターンの位置決めができ、
結果として外観欠陥の低減とコストダウンとが図
れるカラーフイルターの製造方法を提供すること
にある。
上記目的を達成可能な本発明は、基板上に積層
されたフオトレジストを、マスクを介してパター
ン露光した後、現像溶解して色素層パターンを形
成する工程を繰り返すことにより複数の色素層パ
ターンを形成するカラーフイルターの製造方法に
おいて、前記各色素層パターンを形成する際にア
ライメントマークも形成し、かつ前記マスクの位
置合わせを、１つ前の工程で形成された前記アラ
イメントマークにより行い、複数の前記色素層パ
ターンを単一の前記マスクで形成することを特徴
とするカラーフイルターの製造方法である。
されたフオトレジストを、マスクを介してパター
ン露光した後、現像溶解して色素層パターンを形
成する工程を繰り返すことにより複数の色素層パ
ターンを形成するカラーフイルターの製造方法に
おいて、前記各色素層パターンを形成する際にア
ライメントマークも形成し、かつ前記マスクの位
置合わせを、１つ前の工程で形成された前記アラ
イメントマークにより行い、複数の前記色素層パ
ターンを単一の前記マスクで形成することを特徴
とするカラーフイルターの製造方法である。
以下、第１図に示すような、基板１上に青、
緑、赤の各色素層パターン（図においては順に
Ｂ、Ｇ、Ｒで示す。他の図においても同様）が配
設されたカラーフイルターを製造する場合を例に
とつて、本発明を詳細に説明する。
緑、赤の各色素層パターン（図においては順に
Ｂ、Ｇ、Ｒで示す。他の図においても同様）が配
設されたカラーフイルターを製造する場合を例に
とつて、本発明を詳細に説明する。
この実施例に用いるマスクを第２図に示す。こ
のマスク７の９の部分が遮光部であり、１０の部
分が透光部である。１１の部分も透光性があり、
アライメントマーク形成用透光部である。該透光
部１１は便宜上１つとして説明する。
のマスク７の９の部分が遮光部であり、１０の部
分が透光部である。１１の部分も透光性があり、
アライメントマーク形成用透光部である。該透光
部１１は便宜上１つとして説明する。
本実施例においては、まず、ガラス、プラスチ
ツク等の基板の上の所定部にフオトレジストの連
続層を塗布する。上記のマスクを使用するのでフ
オトレジストとして、ポジ型レジストを用いる場
合につき以下説明するが、ネガ型レジストを用い
てもよく、その場合もこの実施例を参考して本発
明は実施できる。
ツク等の基板の上の所定部にフオトレジストの連
続層を塗布する。上記のマスクを使用するのでフ
オトレジストとして、ポジ型レジストを用いる場
合につき以下説明するが、ネガ型レジストを用い
てもよく、その場合もこの実施例を参考して本発
明は実施できる。
次いで、第２図に示したマスク７を、フオトレ
ジストが成膜された基板の上方の所定位置に配置
する。この際、基板に対するマスク７の相対位置
を決定するにはマスク７に基板用の位置合わせマ
ーカーを用意し、それによつて行えばよい。
ジストが成膜された基板の上方の所定位置に配置
する。この際、基板に対するマスク７の相対位置
を決定するにはマスク７に基板用の位置合わせマ
ーカーを用意し、それによつて行えばよい。
このようにしてマスク７を位置決めしたとき
に、その透光部１０のみでなくそのアライメント
マーク形成用透光部１１の下方にもフオトレジス
トが存在するように、前工程ではフオトレジスト
を塗布する必要がある。
に、その透光部１０のみでなくそのアライメント
マーク形成用透光部１１の下方にもフオトレジス
トが存在するように、前工程ではフオトレジスト
を塗布する必要がある。
次いで、マスク７を介して基板上のフオトレジ
ストへ露光し、しかる後、露光部を、それのみ溶
解する現像液により溶解除去し、第３図に示すよ
うに、フオトレジスト２のパターンを形成すると
共に、アライメントマーク形成用透光部１１から
光が照射された部分のフオトレジストも除去す
る。その後、第１番目の色素層（例えば青色色素
層）を実質的に均等な厚さで、残存したフオトレ
ジスト２と、フオトレジストが除去され露出した
基板１との表面に積層する。この積層には代表的
には真空蒸着法、他には塗布法、印刷法、浸漬法
等が利用できる。
ストへ露光し、しかる後、露光部を、それのみ溶
解する現像液により溶解除去し、第３図に示すよ
うに、フオトレジスト２のパターンを形成すると
共に、アライメントマーク形成用透光部１１から
光が照射された部分のフオトレジストも除去す
る。その後、第１番目の色素層（例えば青色色素
層）を実質的に均等な厚さで、残存したフオトレ
ジスト２と、フオトレジストが除去され露出した
基板１との表面に積層する。この積層には代表的
には真空蒸着法、他には塗布法、印刷法、浸漬法
等が利用できる。
しかる後、レジストパターン２ａを溶解する。
この操作により、その上の不要な色素層が同時に
除去され、第１番めの色素層パターンが形成され
る。同時に、アライメントマーク形成用透光部１
１と同じ形状をもつた第１番めの色素層からなる
アライメントマーク１２が形成される。この状態
を第４図の平面図に示す。
この操作により、その上の不要な色素層が同時に
除去され、第１番めの色素層パターンが形成され
る。同時に、アライメントマーク形成用透光部１
１と同じ形状をもつた第１番めの色素層からなる
アライメントマーク１２が形成される。この状態
を第４図の平面図に示す。
次いで、色素層原料のみを代えて上記の工程を
繰り返えすことにより第２番めの色素層パターン
を形成する（工程２）。この工程２におけるフオ
トレジストに対する露光の際、マスク７の正確な
位置合わせは、マスク７のアライメントマーク形
成用透光部１１の幅１１ａが、工程１から工程２
へのマスク７の水平移動幅と同一となるように予
め形成されておれば、このアライメントマーク形
成用透光部１１の右端のＷ状の辺を基板１に形成
されたアライメントマーク１２の左端のＷ状の辺
に一致させることにより非常に簡易に行うことが
可能となる。
繰り返えすことにより第２番めの色素層パターン
を形成する（工程２）。この工程２におけるフオ
トレジストに対する露光の際、マスク７の正確な
位置合わせは、マスク７のアライメントマーク形
成用透光部１１の幅１１ａが、工程１から工程２
へのマスク７の水平移動幅と同一となるように予
め形成されておれば、このアライメントマーク形
成用透光部１１の右端のＷ状の辺を基板１に形成
されたアライメントマーク１２の左端のＷ状の辺
に一致させることにより非常に簡易に行うことが
可能となる。
更に、第１工程と同様な工程を第３番めの色素
につき繰り返すことにより３番めの色素層が形成
される（工程３）。この第３工程においても上記
と同様なマスクの位置合わせを行うことができ
る。そのためには、工程２の初めにフオトレジス
トを基板上に塗布する際、第１番めの色素層から
なるアライメントマーク１２の隣接部（第４図に
おいては１３で示す付近）にもフオトレジストを
塗布する必要があるが、この塗布の際、第１番目
の色素層からなるアライメントマーク１２までフ
オトレジストを塗布し、該マーク１２を覆い隠し
たとしても、フオトレジストの層を通して該マー
クを見ることができるので、工程２でのマスクの
位置合わせに支障をきたすことはない。
につき繰り返すことにより３番めの色素層が形成
される（工程３）。この第３工程においても上記
と同様なマスクの位置合わせを行うことができ
る。そのためには、工程２の初めにフオトレジス
トを基板上に塗布する際、第１番めの色素層から
なるアライメントマーク１２の隣接部（第４図に
おいては１３で示す付近）にもフオトレジストを
塗布する必要があるが、この塗布の際、第１番目
の色素層からなるアライメントマーク１２までフ
オトレジストを塗布し、該マーク１２を覆い隠し
たとしても、フオトレジストの層を通して該マー
クを見ることができるので、工程２でのマスクの
位置合わせに支障をきたすことはない。
以上説明した工程〜工程３により予め金属のア
ライメントマークを形成しなくても、各色素層パ
ターンの位置ずれのない第１図に示したカラーフ
イルターが製造できる。
ライメントマークを形成しなくても、各色素層パ
ターンの位置ずれのない第１図に示したカラーフ
イルターが製造できる。
なお、マスクの水平移動幅が、同一でない場合
があるときには、異なる幅をもつ複数のアライメ
ントマーク形成用透光部を適当な位置に設けたマ
スクを用いる。
があるときには、異なる幅をもつ複数のアライメ
ントマーク形成用透光部を適当な位置に設けたマ
スクを用いる。
また、マスクの透光部の数、その１つ１つの形
状、複数の透光部のパターン形状及び色素層の種
類数は任意であるが、例えば第５図に示すような
透光部１０とアライメントマーク形成用透光部１
１とを有するマスクを用いて第６図のような、色
素層パターンをもつカラーフイルターが製造でき
る。
状、複数の透光部のパターン形状及び色素層の種
類数は任意であるが、例えば第５図に示すような
透光部１０とアライメントマーク形成用透光部１
１とを有するマスクを用いて第６図のような、色
素層パターンをもつカラーフイルターが製造でき
る。
本発明は、第１番目の色素層パターンと同時
に、該色素層パターンと同じ原料から成るアライ
メントマークを基板上に形成し、第２番目以降の
色素層パターンを形成する際のマスクの位置合わ
せを１つ前の工程で形成されたアライメントマー
クにより行う方法である。このようにすればマス
クは１つで足る。
に、該色素層パターンと同じ原料から成るアライ
メントマークを基板上に形成し、第２番目以降の
色素層パターンを形成する際のマスクの位置合わ
せを１つ前の工程で形成されたアライメントマー
クにより行う方法である。このようにすればマス
クは１つで足る。
以上詳細に説明したように、本発明によつて金
属層からなるアライメントマークを形成しなくて
も、各色素層パターンに位置ずれのないカラーフ
イルターが製造可能となつた。その結果、 １ 金属アライメントマーク形成の操作省略によ
り基板表面に、何ら付着物が残らず色素とガラ
スの密着性が減じることがなく、カラーフイル
ターの外観欠陥の発生が減じた。
属層からなるアライメントマークを形成しなくて
も、各色素層パターンに位置ずれのないカラーフ
イルターが製造可能となつた。その結果、 １ 金属アライメントマーク形成の操作省略によ
り基板表面に、何ら付着物が残らず色素とガラ
スの密着性が減じることがなく、カラーフイル
ターの外観欠陥の発生が減じた。
２ 金属アライメントマーク形成に必要な材料
費、機器及び労力が削減できるのでカラーフイ
ルターの製造コストの大幅なダウンが可能とな
つた。
費、機器及び労力が削減できるのでカラーフイ
ルターの製造コストの大幅なダウンが可能とな
つた。
50000個の透光部と、アライメントマーク形成
透光部とを有するマスクを用いて、本発明を実施
した。
透光部とを有するマスクを用いて、本発明を実施
した。
ガラス基板上にスピンナー塗布法によりポジ型
レジスト（商品名：OFPR800東京応化製）を連
続面となるよう8000Åの膜厚に塗布した。90℃、
30分のプリベーク処理を行なつた後、紫外光にて
上記マスクを用いてパターン露光を行なつた。こ
れを、OFPR専用現像液、同専用リンス液に各１
分間続けて浸漬し、レジストパターンを形成し
た。同時に、アライメントマーク形成用透光部か
ら光が照射された部分のフオトレジストを除去し
た。
レジスト（商品名：OFPR800東京応化製）を連
続面となるよう8000Åの膜厚に塗布した。90℃、
30分のプリベーク処理を行なつた後、紫外光にて
上記マスクを用いてパターン露光を行なつた。こ
れを、OFPR専用現像液、同専用リンス液に各１
分間続けて浸漬し、レジストパターンを形成し
た。同時に、アライメントマーク形成用透光部か
ら光が照射された部分のフオトレジストを除去し
た。
次にレジストパターン等の形成された上記ガラ
ス基板とMoボートに詰めた銅フタロシアニンと
を真空器内に設置し、真空度10-5〜10-6torrにお
いてMoボートを450℃〜550℃に加熱し、銅フタ
ロシアニンの蒸着を行なつた。膜厚は4000Åとし
た。しかる後にOFPR専用現像液中にて浸漬撹拌
を行ない、レジストパターンを溶解し蒸着膜の不
要部分も同時に除去することにより青色色素層パ
ターンと位置合わせ用の色素層からなるアライメ
ントマークとを形成した。
ス基板とMoボートに詰めた銅フタロシアニンと
を真空器内に設置し、真空度10-5〜10-6torrにお
いてMoボートを450℃〜550℃に加熱し、銅フタ
ロシアニンの蒸着を行なつた。膜厚は4000Åとし
た。しかる後にOFPR専用現像液中にて浸漬撹拌
を行ない、レジストパターンを溶解し蒸着膜の不
要部分も同時に除去することにより青色色素層パ
ターンと位置合わせ用の色素層からなるアライメ
ントマークとを形成した。
続いてこの青色の色素層パターンの形成された
ガラス基板上にOFPR800を塗布し、基板上の色
素層からなるアライメントマークとマスクのアラ
イメントマーク形成用透光部との端部を合わせる
ことによりマスクの位置を決め、その後上記と同
様な工程により銅フタロシアニンの緑色色素層パ
ターンを形成した。膜厚は約4000Åとした。
ガラス基板上にOFPR800を塗布し、基板上の色
素層からなるアライメントマークとマスクのアラ
イメントマーク形成用透光部との端部を合わせる
ことによりマスクの位置を決め、その後上記と同
様な工程により銅フタロシアニンの緑色色素層パ
ターンを形成した。膜厚は約4000Åとした。
同様の工程により赤色色素としてイルガジンレ
ツドBPT（商品名：チバガイギー製CI No.71127）
を用いて赤色色素パターンを得た。膜厚は約4000
Åとした。
ツドBPT（商品名：チバガイギー製CI No.71127）
を用いて赤色色素パターンを得た。膜厚は約4000
Åとした。
以上赤、緑、青によりなる三色のカラーフイル
ターが得られた。
ターが得られた。
このようにして得られたカラーフイルターは各
色素層パターンのずれ及び外観欠陥がなく、しか
も非常に簡便且つ安価に作成できた。
色素層パターンのずれ及び外観欠陥がなく、しか
も非常に簡便且つ安価に作成できた。
第１図は本発明の一実施例により製造されるカ
ラーフイルターの模式平面図、第２図は該実施例
に用いるマスクの図、第３図、第４図は各々該実
施例の一工程を示す図である。第５図は本発明の
他の実施例に用いる他のマスクの例を示す平面
図、第６図は該実施例により製造されるカラーフ
イルターの模式平面図である。第７図及び第８図
はカラーフイルターの製造方法の一例の工程を示
す断面図、第９図は金属アライメントマークの製
造方法の一例を示す断面図である。 １……基板、２……フオトレジスト、３……色
素層、４，５，６……色素層パターン、７……マ
スク、８……金属層、９……遮光部、１０……透
光部、１１……アライメントマーク形成用透光
部、１２……アライメントマーク、１３……アラ
イメントマーク隣接部。
ラーフイルターの模式平面図、第２図は該実施例
に用いるマスクの図、第３図、第４図は各々該実
施例の一工程を示す図である。第５図は本発明の
他の実施例に用いる他のマスクの例を示す平面
図、第６図は該実施例により製造されるカラーフ
イルターの模式平面図である。第７図及び第８図
はカラーフイルターの製造方法の一例の工程を示
す断面図、第９図は金属アライメントマークの製
造方法の一例を示す断面図である。 １……基板、２……フオトレジスト、３……色
素層、４，５，６……色素層パターン、７……マ
スク、８……金属層、９……遮光部、１０……透
光部、１１……アライメントマーク形成用透光
部、１２……アライメントマーク、１３……アラ
イメントマーク隣接部。
Claims (1)
- １ 基板上に積層されたフオトレジストを、マス
クを介してパターン露光した後、現像溶解して色
素層パターンを形成する工程を繰り返すことによ
り複数の色素層パターンを形成するカラーフイル
ターの製造方法において、前記各色素層パターン
を形成する際にアライメントマークも形成し、か
つ前記マスクの位置合わせを、１つ前の工程で形
成された前記アライメントマークにより行い、複
数の前記色素層パターンを単一の前記マスクで形
成することを特徴とするカラーフイルターの製造
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60246999A JPS62108206A (ja) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | カラ−フィルタ−の製造方法 |
| US06/924,737 US4777117A (en) | 1985-11-06 | 1986-10-30 | Process for producing color filter using alignment marks |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60246999A JPS62108206A (ja) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | カラ−フィルタ−の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62108206A JPS62108206A (ja) | 1987-05-19 |
| JPH0378601B2 true JPH0378601B2 (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=17156867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60246999A Granted JPS62108206A (ja) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | カラ−フィルタ−の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4777117A (ja) |
| JP (1) | JPS62108206A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2694267B2 (ja) * | 1987-08-17 | 1997-12-24 | カシオ計算機株式会社 | カラーフィルタの製造方法 |
| JPS6456417A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | Sharp Kk | Color filter for liquid crystal display body |
| US5407763A (en) * | 1992-05-28 | 1995-04-18 | Ceridian Corporation | Mask alignment mark system |
| KR960003482B1 (ko) * | 1992-12-14 | 1996-03-14 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치의 칼라 필터 제조방법 |
| JPH11102932A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-04-13 | Seiko Epson Corp | Ｉｃ実装構造、液晶装置及び電子機器 |
| US7282240B1 (en) | 1998-04-21 | 2007-10-16 | President And Fellows Of Harvard College | Elastomeric mask and use in fabrication of devices |
| EP1080394A1 (en) * | 1998-04-21 | 2001-03-07 | President And Fellows of Harvard College | Elastomeric mask and use in fabrication of devices, inlcuding pixelated electroluminescent displays |
| EP1265994A2 (en) * | 2000-03-17 | 2002-12-18 | President And Fellows of Harvard College | Cell patterning technique |
| DE10310597A1 (de) * | 2002-08-22 | 2004-03-04 | Prodisc Technology Inc., Hsin-Chuang City | Beschichtungsverfahren für ein Farbfilter sowie Ausrichtungs-Zusammenbauverfahren unter Verwendung desselben |
| JP2004144870A (ja) * | 2002-10-23 | 2004-05-20 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルターの製造方法 |
| US6790483B2 (en) * | 2002-12-06 | 2004-09-14 | Eastman Kodak Company | Method for producing patterned deposition from compressed fluid |
| JP2008046584A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-28 | Fujifilm Corp | カラーフィルタの製造方法 |
| CN105182680B (zh) * | 2015-10-22 | 2019-12-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 色阻掩膜板及其使用方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57112021A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| US4343878A (en) * | 1981-01-02 | 1982-08-10 | Amdahl Corporation | System for providing photomask alignment keys in semiconductor integrated circuit processing |
| US4522903A (en) * | 1982-06-11 | 1985-06-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Sequential automatic registration and imagewise exposure of a sheet substrate |
| JPS5997140A (ja) * | 1982-11-26 | 1984-06-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | カラ−プル−フイングシ−トの製法 |
| US4536420A (en) * | 1983-12-05 | 1985-08-20 | General Electric Company | Process and composition for producing permanently water wettable surfaces |
| US4564584A (en) * | 1983-12-30 | 1986-01-14 | Ibm Corporation | Photoresist lift-off process for fabricating semiconductor devices |
-
1985
- 1985-11-06 JP JP60246999A patent/JPS62108206A/ja active Granted
-
1986
- 1986-10-30 US US06/924,737 patent/US4777117A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4777117A (en) | 1988-10-11 |
| JPS62108206A (ja) | 1987-05-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |