JPH0380528A - ウェーハの周辺露光装置 - Google Patents
ウェーハの周辺露光装置Info
- Publication number
- JPH0380528A JPH0380528A JP21594789A JP21594789A JPH0380528A JP H0380528 A JPH0380528 A JP H0380528A JP 21594789 A JP21594789 A JP 21594789A JP 21594789 A JP21594789 A JP 21594789A JP H0380528 A JPH0380528 A JP H0380528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- stage
- center
- exposure
- wafer stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ウェーハ上に形成されたレジスト層をウェーハの周辺領
域から除去するのに使用されるウェーハの周辺露光装置
に関し、 ウェーハ上に形成されたレジスト層を周辺領域から除去
する時に、残留するレジスト層の縁端部がだれることな
く、しかも、外周が真円となるようにするウェーハの周
辺露光装置を提供することを目的とし、 ウェーハを載置し、このウェーハを回転する回転手段と
このウェーハをＸ軸方向に移動するＸ軸移動手段とこの
ウェーハをＹ軸方向に移動するＹ軸移動手段とを有する
ウェーハステージと、このウェーハステージ上に、基準
となるウェーハをこの基準となるウェーハの中心が前記
のウェーハステージの回転軸中心と一致するように載置
した時の、前記の基準となるウェーハの外周基準点に対
応する位置に設けられた少なくとも３個のアライメント
用センサを有するアライメントユニットと、前記のウェ
ーハを前記のウェーハステージ上に昇降するウェーハ昇
降手段と、回転自在な集光レンズを有し、この集光レン
ズと前記のウェーハステージの中心との距離は調整可能
である露光光発生手段とを有し、この露光光発生手段の
集光レンズより前記のウェーハ上に照射される露光ビー
ムの形状は扇形をなし、扇形をなす円弧の曲率は前記の
ウェーハの曲率とお〜むね同一であるウェーハの周辺露
光装置をもって構成される。
域から除去するのに使用されるウェーハの周辺露光装置
に関し、 ウェーハ上に形成されたレジスト層を周辺領域から除去
する時に、残留するレジスト層の縁端部がだれることな
く、しかも、外周が真円となるようにするウェーハの周
辺露光装置を提供することを目的とし、 ウェーハを載置し、このウェーハを回転する回転手段と
このウェーハをＸ軸方向に移動するＸ軸移動手段とこの
ウェーハをＹ軸方向に移動するＹ軸移動手段とを有する
ウェーハステージと、このウェーハステージ上に、基準
となるウェーハをこの基準となるウェーハの中心が前記
のウェーハステージの回転軸中心と一致するように載置
した時の、前記の基準となるウェーハの外周基準点に対
応する位置に設けられた少なくとも３個のアライメント
用センサを有するアライメントユニットと、前記のウェ
ーハを前記のウェーハステージ上に昇降するウェーハ昇
降手段と、回転自在な集光レンズを有し、この集光レン
ズと前記のウェーハステージの中心との距離は調整可能
である露光光発生手段とを有し、この露光光発生手段の
集光レンズより前記のウェーハ上に照射される露光ビー
ムの形状は扇形をなし、扇形をなす円弧の曲率は前記の
ウェーハの曲率とお〜むね同一であるウェーハの周辺露
光装置をもって構成される。
本発明は、ウェーハ上に形成されたレジスト層をウェー
ハの周辺領域から除去するのに使用されるウェーへの周
辺露光装置に関する。
ハの周辺領域から除去するのに使用されるウェーへの周
辺露光装置に関する。
半導体装置の製造工程においては、ウェーハ上にレジス
ト層を形成し、マスクを使用して露光・現像してレジス
トパターンを形成するフォトリソグラフィー工程が必要
であるが、この場合にウェーハの周辺領域からレジスト
層を除去しておかないと、ウェーハをキャリヤに収納し
た時に、レジストがキャリヤの溝に接触して剥離し、発
塵の原因となる。ウェーハの周辺露光装置はウェーハ周
辺のレジスト層を除去するためにウェーハ周辺を露光す
る装置である。
ト層を形成し、マスクを使用して露光・現像してレジス
トパターンを形成するフォトリソグラフィー工程が必要
であるが、この場合にウェーハの周辺領域からレジスト
層を除去しておかないと、ウェーハをキャリヤに収納し
た時に、レジストがキャリヤの溝に接触して剥離し、発
塵の原因となる。ウェーハの周辺露光装置はウェーハ周
辺のレジスト層を除去するためにウェーハ周辺を露光す
る装置である。
従来のウェーハの周辺露光装置について、第１０図、第
１１図を使用して説明する。第１０図は平面図であり、
第１１図は側面図である０図において、１はウェーハ２
を載置する真空チャックを有するウェーハステージであ
り、回転手段１１によって回転される。５は露光光発生
手段であり、水銀灯等の光源５５の発生する光を光ファ
イバ５３を介してスリット付集光レンズ５１に導き、四
角形の露光ビームを形成してウェーハ２上に照射する。
１１図を使用して説明する。第１０図は平面図であり、
第１１図は側面図である０図において、１はウェーハ２
を載置する真空チャックを有するウェーハステージであ
り、回転手段１１によって回転される。５は露光光発生
手段であり、水銀灯等の光源５５の発生する光を光ファ
イバ５３を介してスリット付集光レンズ５１に導き、四
角形の露光ビームを形成してウェーハ２上に照射する。
集光レンズ５１は集光レンズ移動手段５６によってウェ
ーハステージｌの中心からの距離が制御される。６はウ
ェーハの縁端部検出手段であり、ＣＣＤラインセンサ６
１とこの信号を処理してウェーハの縁端部位置を記憶す
るコントローラ６２とからなる。
ーハステージｌの中心からの距離が制御される。６はウ
ェーハの縁端部検出手段であり、ＣＣＤラインセンサ６
１とこの信号を処理してウェーハの縁端部位置を記憶す
るコントローラ６２とからなる。
ウェーハ２をウェーハステージｌ上に載置し、回転手段
１１を使用して回転しながらウェーハ２の縁端部をＣＣ
Ｄラインセンサ６１をもって検出し、その信号をコント
ローラ６２において画像処理してウェーハの縁端部の位
置を記憶し、その記憶されたウェーハ縁端部の位置情報
にもとづいて、集光レンズ移動手段５６を制御して集光
レンズ５１をウェーハ２の周辺部に位置合わせし、ウェ
ーハ２の縁端部から一定の幅を有する領域を露光する。
１１を使用して回転しながらウェーハ２の縁端部をＣＣ
Ｄラインセンサ６１をもって検出し、その信号をコント
ローラ６２において画像処理してウェーハの縁端部の位
置を記憶し、その記憶されたウェーハ縁端部の位置情報
にもとづいて、集光レンズ移動手段５６を制御して集光
レンズ５１をウェーハ２の周辺部に位置合わせし、ウェ
ーハ２の縁端部から一定の幅を有する領域を露光する。
ところで、四角形をなす露光ビーム５７をウェーハ２の
周辺領域に照射しなからウェーハ２を回転すると、第７
図の円ａと円すとに挟まれた領域は、円すとウェーハ２
の外周とに挟まれた領域より露光量が不足する。また、
集光レンズ５１の位置はウェーハ２の縁端部から一定の
距離を保つように集光レンズ移動手段５６をもって制御
されながら連続的に露光をしているので、制御の遅れに
よって露光ビームにぶれが生じ、露光すべき領域の周辺
に露光量の不足する領域が生ずる。その結果、第８図に
示すように、現像後にウェーハ２の上に形成されたレジ
スト層７の縁端部にだれが生ずる。
周辺領域に照射しなからウェーハ２を回転すると、第７
図の円ａと円すとに挟まれた領域は、円すとウェーハ２
の外周とに挟まれた領域より露光量が不足する。また、
集光レンズ５１の位置はウェーハ２の縁端部から一定の
距離を保つように集光レンズ移動手段５６をもって制御
されながら連続的に露光をしているので、制御の遅れに
よって露光ビームにぶれが生じ、露光すべき領域の周辺
に露光量の不足する領域が生ずる。その結果、第８図に
示すように、現像後にウェーハ２の上に形成されたレジ
スト層７の縁端部にだれが生ずる。
また、ウェーハ２は一般に真円をなしておらず、±１閣
程度真円からの誤差がある。従来のウェーハの周辺露光
装置を使用して露光した場合には、現像後に残留するレ
ジスト層の外周はウェーハの外周と同様に真円とはなら
ない。
程度真円からの誤差がある。従来のウェーハの周辺露光
装置を使用して露光した場合には、現像後に残留するレ
ジスト層の外周はウェーハの外周と同様に真円とはなら
ない。
本発明の目的は、これらの欠点を解消することにあり、
ウェーハ上に形成されたレジスト層を周辺領域から除去
する時に、残留するレジスト層の１！端部がだれること
なく、しかも、外周が真円となるようにするウェーハの
周辺露光装置を提供することにある。
ウェーハ上に形成されたレジスト層を周辺領域から除去
する時に、残留するレジスト層の１！端部がだれること
なく、しかも、外周が真円となるようにするウェーハの
周辺露光装置を提供することにある。
上記の目的は、ウェーハ（２）を載置し、このウェーハ
（２）を回転する回転手段（１１）とこのウェーハ（２
）をＸ軸方向に移動するＸ軸移動手段（１２）とこのウ
ェーハ（２）をＹ軸方向に移動するＹ軸移動手段（１３
）とを有するウェーハステージ（１）と、このウェーハ
ステージ（１）上に、基準となるウェーハをこの基準と
なるウェーハの中心が前記のウェーハステージ（１）の
回転軸中心と一致するようにｉ！ｙ！シた時の、前記の
基準となるウェーハの外周基準点に対応する位置に設け
られた少なくとも３個のアライメント用センサ（３１）
を有するアライメントユニット（３）と、前記のウェー
ハ（２）を前記のウェーハステージ（１）上に昇降する
ウェーハ昇降手段（４）と、回転自在な集光レンズ（５
１）を有し、この集光レンズ（５１）と前記のウェーハ
ステージ（Ｌ）の中心との距離は調整可能である露光光
発生手段（５）とを有し、この露光光発生手段（５）の
集光レンズ（５１）より前記のウェーハ（２）上に照射
される露光ビームの形状は扇形をなし、扇形をなす円弧
の曲率は前記のウェーハ（２）の曲率とお＼むね同一で
あるウェーハの周辺露光装置によって遠戚される。
（２）を回転する回転手段（１１）とこのウェーハ（２
）をＸ軸方向に移動するＸ軸移動手段（１２）とこのウ
ェーハ（２）をＹ軸方向に移動するＹ軸移動手段（１３
）とを有するウェーハステージ（１）と、このウェーハ
ステージ（１）上に、基準となるウェーハをこの基準と
なるウェーハの中心が前記のウェーハステージ（１）の
回転軸中心と一致するようにｉ！ｙ！シた時の、前記の
基準となるウェーハの外周基準点に対応する位置に設け
られた少なくとも３個のアライメント用センサ（３１）
を有するアライメントユニット（３）と、前記のウェー
ハ（２）を前記のウェーハステージ（１）上に昇降する
ウェーハ昇降手段（４）と、回転自在な集光レンズ（５
１）を有し、この集光レンズ（５１）と前記のウェーハ
ステージ（Ｌ）の中心との距離は調整可能である露光光
発生手段（５）とを有し、この露光光発生手段（５）の
集光レンズ（５１）より前記のウェーハ（２）上に照射
される露光ビームの形状は扇形をなし、扇形をなす円弧
の曲率は前記のウェーハ（２）の曲率とお＼むね同一で
あるウェーハの周辺露光装置によって遠戚される。
ウェーハステージｌの回転軸中心と基準寸法を有するウ
ェーハの中心とが一致するようにウェーハをウェーハス
テージ１上に載置した時の、ウェーハの周辺基準点とし
て選定したオリエンテーションフラット上の２点と円周
上の１点とに対応する位置にアライメント用センサ３１
を設けているので、ウェーハ２をウェーハステージｌ上
に載置して移動し、３個のアライメント用センサ３１に
位置合わせした後、ウェーハ２をウェーハ昇降手段４を
使用して持ち上げ、ウェーハステージ１を位置合わせ前
の基準位置に戻してウェーハ２を再びウェーハステージ
１上に載置すると、もしウェーハ２が基準寸法通り形成
されている場合には、ウェーハステージ１の回転軸中心
とウェーハ２の中心とは一致し、もしウェーハ２の寸法
が基準寸法からずれている場合には、ウェーハステージ
１の回転軸中心に対応する位置にウェーハ２の修正され
た中心が設定される。
ェーハの中心とが一致するようにウェーハをウェーハス
テージ１上に載置した時の、ウェーハの周辺基準点とし
て選定したオリエンテーションフラット上の２点と円周
上の１点とに対応する位置にアライメント用センサ３１
を設けているので、ウェーハ２をウェーハステージｌ上
に載置して移動し、３個のアライメント用センサ３１に
位置合わせした後、ウェーハ２をウェーハ昇降手段４を
使用して持ち上げ、ウェーハステージ１を位置合わせ前
の基準位置に戻してウェーハ２を再びウェーハステージ
１上に載置すると、もしウェーハ２が基準寸法通り形成
されている場合には、ウェーハステージ１の回転軸中心
とウェーハ２の中心とは一致し、もしウェーハ２の寸法
が基準寸法からずれている場合には、ウェーハステージ
１の回転軸中心に対応する位置にウェーハ２の修正され
た中心が設定される。
この状態で第５図に示すように、ウェーハ２を角度θづ
１回転しながら、集光レンズ５１から照射される扇形状
の露光ビーム５７をもって順次露光すれば、ウェーハ２
の周辺部の露光領域に露光量の不足する領域が発生せず
、したがって、第９図に示すように現像後のレジスト層
７の縁端部のだれは少なくなる。また、現像後にウェー
ハ２上に残留するレジスト層の外周は、ウェーハの修正
された中心を中心とする真円となる。なお、ウェーハ２
のオリエンテーションフラット部を露光する場合には、
集光レンズ回転手段５２を使用して集光レンズ５１を回
転し、第６図に示すように、扇形の露光ビーム５７の直
線部がオリエンチーシランフラット２１と平行になるよ
うにした後、Ｘ軸移動手段１２とＹ軸移動手段１３とを
使用してウェーハステージ１をオリエンテーシせンフラ
ット２１に平行に直線移動させて露光すればよい。
１回転しながら、集光レンズ５１から照射される扇形状
の露光ビーム５７をもって順次露光すれば、ウェーハ２
の周辺部の露光領域に露光量の不足する領域が発生せず
、したがって、第９図に示すように現像後のレジスト層
７の縁端部のだれは少なくなる。また、現像後にウェー
ハ２上に残留するレジスト層の外周は、ウェーハの修正
された中心を中心とする真円となる。なお、ウェーハ２
のオリエンテーションフラット部を露光する場合には、
集光レンズ回転手段５２を使用して集光レンズ５１を回
転し、第６図に示すように、扇形の露光ビーム５７の直
線部がオリエンチーシランフラット２１と平行になるよ
うにした後、Ｘ軸移動手段１２とＹ軸移動手段１３とを
使用してウェーハステージ１をオリエンテーシせンフラ
ット２１に平行に直線移動させて露光すればよい。
以下、図面を参照しつ＼、本発明の一実施例に係るウェ
ーハの周辺露光装置について説明する。
ーハの周辺露光装置について説明する。
第１ａ図、第１ｂ図参照
第１ａ図はウェーハの周辺露光装置の平面図であり、第
１ｂ図は側面図である。
１ｂ図は側面図である。
図において、１はウェーハ２を載置する真空チャックを
有するウェーハステージであり、回転手段１１によって
回転され、Ｘ軸移動手段１２によってＸ軸方向に移動さ
れ、Ｙｌｌｌｌ移動手段１３によってＹ軸方向に移動さ
れる。３はアライメントユニットであり、基準の寸法を
有するウェーハ２をその中心がウェーハステージ１の回
転輪中心と一致するようにウェーハステージ１上に載置
した時のウェーハ２のオリエンテーションフラット上の
２点と円周上の１点とに対応する位置にウエーハアライ
メント用センサ３１が設けられている。４はウェーハ２
を吸着してウェーハステージ１上に昇降するウェーハ昇
降手段である。５は露光光発生手段であり、水銀灯等の
光源５５と光ファイバ５３とスリット付集光レンズ５１
と集光レンズ５１を回転する集光レンズ回転手段５２と
集光レンズ５１を固定するレンズ固定台５４とからなり
、レンズ固定台５４はウェーハステージ１の回転軸中心
と集光レンズ５１との距離が、ウェーハ２のサイズに対
応する定められた寸法になるように位置決めされる。
有するウェーハステージであり、回転手段１１によって
回転され、Ｘ軸移動手段１２によってＸ軸方向に移動さ
れ、Ｙｌｌｌｌ移動手段１３によってＹ軸方向に移動さ
れる。３はアライメントユニットであり、基準の寸法を
有するウェーハ２をその中心がウェーハステージ１の回
転輪中心と一致するようにウェーハステージ１上に載置
した時のウェーハ２のオリエンテーションフラット上の
２点と円周上の１点とに対応する位置にウエーハアライ
メント用センサ３１が設けられている。４はウェーハ２
を吸着してウェーハステージ１上に昇降するウェーハ昇
降手段である。５は露光光発生手段であり、水銀灯等の
光源５５と光ファイバ５３とスリット付集光レンズ５１
と集光レンズ５１を回転する集光レンズ回転手段５２と
集光レンズ５１を固定するレンズ固定台５４とからなり
、レンズ固定台５４はウェーハステージ１の回転軸中心
と集光レンズ５１との距離が、ウェーハ２のサイズに対
応する定められた寸法になるように位置決めされる。
第２図参照
第２図に露光ビーム５７の形状を示す、集光レンズ５１
のスリットを使用して露光ビーム５７を扇形状とし、扇
形の内弧部の曲率がウェーハ２の曲率とお＼むね等しく
なるようにする。
のスリットを使用して露光ビーム５７を扇形状とし、扇
形の内弧部の曲率がウェーハ２の曲率とお＼むね等しく
なるようにする。
第３図参照
第３図にアライメント用センサ３１の構成を示す。
アライメント用センサ３１は半導体レーザよりなる発光
素子３．１１と受光素子３１２とからなり、ウェーハ２
の周辺部がこのアライメント用センサ３１の位置に来た
時に、発光素子３１１の発光する光がウェーハ２によっ
て遮光されることによって検出される。
素子３．１１と受光素子３１２とからなり、ウェーハ２
の周辺部がこのアライメント用センサ３１の位置に来た
時に、発光素子３１１の発光する光がウェーハ２によっ
て遮光されることによって検出される。
第４図参照
ウェーハ２をウェーハステージｌ上に載置し、回転手段
１１とＸ軸移動手段１２とＹ軸移動手段１３とを使用し
て移動し、第４図に示すように、ウェーハ２のオリエン
チーシランフラット２１上の２点と円周上の１点とがア
ライメントユニット３に設けられた３個のアライメント
用センサ３１の位置にそれぞれ一致するように位置合わ
せをする。
１１とＸ軸移動手段１２とＹ軸移動手段１３とを使用し
て移動し、第４図に示すように、ウェーハ２のオリエン
チーシランフラット２１上の２点と円周上の１点とがア
ライメントユニット３に設けられた３個のアライメント
用センサ３１の位置にそれぞれ一致するように位置合わ
せをする。
ウェーハ昇降手段４を使用してウェーハ２を吸着してウ
ェーハステージ１から持ち上げ、ウェーハステージ１を
最初の基準位置に戻した後、ウェーハ２をウェーハステ
ージ１上に再び載置する。
ェーハステージ１から持ち上げ、ウェーハステージ１を
最初の基準位置に戻した後、ウェーハ２をウェーハステ
ージ１上に再び載置する。
この結果、ウェーハステージ１の回転輪中心上にウェー
ハ２の修正された中心が設定される。
ハ２の修正された中心が設定される。
第５図参照
第５図に示すように、ウェーハ２を回転手段１１を使用
して、前記の修正された中心を中心として角度θづ＼回
転しながら集光レンズ５１から照射される扇形の露光ビ
ーム５７をもってステップ状に露光する。
して、前記の修正された中心を中心として角度θづ＼回
転しながら集光レンズ５１から照射される扇形の露光ビ
ーム５７をもってステップ状に露光する。
第６図参照
オリエンテーションフラット部２１を露光する時には、
集光レンズ回転手段５２を使用して集光レンズ５１を回
転し、扇形の露光ビーム５７の直線部が第６図に示すよ
うにオリエンチーシランフラット２１と平行になるよう
にして、ＸＭ移動手段１２とＹ軸移動手段１３とを使用
してウェーハステージ１をオリエンテーシ冒ンフラット
２１に平行に直線移動させて露光する。
集光レンズ回転手段５２を使用して集光レンズ５１を回
転し、扇形の露光ビーム５７の直線部が第６図に示すよ
うにオリエンチーシランフラット２１と平行になるよう
にして、ＸＭ移動手段１２とＹ軸移動手段１３とを使用
してウェーハステージ１をオリエンテーシ冒ンフラット
２１に平行に直線移動させて露光する。
以上説明せるとおり、本発明に係るウェーハの周辺露光
装置においては、ウェーハステージ上にウェーハを位置
合わせし、ウェーハステージの回転軸中心に対応する位
置に形成された修正されたウェーハ中心を中心として、
扇形の露光ビームをもって同一半径上にステップ露光す
るので、露光ビームのぶれもなく露光領域に露光量の不
良する領域が生じないので、現像後に残留するレジスト
層の縁端部のだれが極めて少なくなる。また、修正され
た中心を中心とする円周上に扇形の露光ビームをもって
露光するので、現像後に残留するレジスト層の外周は真
円となる。
装置においては、ウェーハステージ上にウェーハを位置
合わせし、ウェーハステージの回転軸中心に対応する位
置に形成された修正されたウェーハ中心を中心として、
扇形の露光ビームをもって同一半径上にステップ露光す
るので、露光ビームのぶれもなく露光領域に露光量の不
良する領域が生じないので、現像後に残留するレジスト
層の縁端部のだれが極めて少なくなる。また、修正され
た中心を中心とする円周上に扇形の露光ビームをもって
露光するので、現像後に残留するレジスト層の外周は真
円となる。
第１ａ図は、本発明の一実施例に係るウェーハの周辺露
光装置の平面図である。 第１ｂ図は、本発明の一実施例に係るウェーハの周辺露
光装置の側面図である。 第２図は、露光ビームの形状を示す図である。 第３図は、アライメント用センサの説明図である。 第４図は、ウェーハの位置合わせ説明図である。 第５図は、露光方式の説明図である。 第６図は、オリエンテーションフラット部の露光方法の
説明図である。 第７図は、従来技術の露光量不足領域の発生を説明する
図である。 第８図は、レジスト縁端部のだれを示す図である。 第９図は、本発明に係るウェーハの周辺露光装置を使用
した場合のレジスト縁端部の形状を示す図である。 第１０図は、従来技術に係るウェーハの周辺露光装置の
平面図である。 第１１図は、従来技術に係るウェーハの周辺露光装置の
側面図である。 １ ・ ・ １１・ ・ １２・ ・ １３・ ・ ２ ・ ・ ２１・ ・ ３ ・ ・ ３１・ ・ ３１１ ・ ３１２ ・ ４ ・ ・ ５ ・ ・ ウェーハステージ、 回転手段、 Ｘ軸移動手段、 Ｙ軸移動手段、 ウェーハ、 オリエンチーシロンフラット、 アライメントユニット、 アライメント用センサ、 ・発光素子、 ・受光素子、 ウェーハ昇降手段、 露光光発生手段、 ５１・ ・ ５２・ ・ ５３・ ・ ５４・ ・ ５５・ ・ ５６・ ・ ５７・ ・ ６ ・ ・ ６１・ ・ ６２・ ・ ７ ・ ・ ・集光レンズ、 ・集光レンズ回転手段、 ◆ファイバ、 ・レンズ固定台、 ・光源、 ・集光レンズ移動手段、 ・露光ビーム、 ・ウェーハ縁端部検出手段、 ・ＣＣＤラインセンサ、 ・コントローラ、 ・残留レジスト。
光装置の平面図である。 第１ｂ図は、本発明の一実施例に係るウェーハの周辺露
光装置の側面図である。 第２図は、露光ビームの形状を示す図である。 第３図は、アライメント用センサの説明図である。 第４図は、ウェーハの位置合わせ説明図である。 第５図は、露光方式の説明図である。 第６図は、オリエンテーションフラット部の露光方法の
説明図である。 第７図は、従来技術の露光量不足領域の発生を説明する
図である。 第８図は、レジスト縁端部のだれを示す図である。 第９図は、本発明に係るウェーハの周辺露光装置を使用
した場合のレジスト縁端部の形状を示す図である。 第１０図は、従来技術に係るウェーハの周辺露光装置の
平面図である。 第１１図は、従来技術に係るウェーハの周辺露光装置の
側面図である。 １ ・ ・ １１・ ・ １２・ ・ １３・ ・ ２ ・ ・ ２１・ ・ ３ ・ ・ ３１・ ・ ３１１ ・ ３１２ ・ ４ ・ ・ ５ ・ ・ ウェーハステージ、 回転手段、 Ｘ軸移動手段、 Ｙ軸移動手段、 ウェーハ、 オリエンチーシロンフラット、 アライメントユニット、 アライメント用センサ、 ・発光素子、 ・受光素子、 ウェーハ昇降手段、 露光光発生手段、 ５１・ ・ ５２・ ・ ５３・ ・ ５４・ ・ ５５・ ・ ５６・ ・ ５７・ ・ ６ ・ ・ ６１・ ・ ６２・ ・ ７ ・ ・ ・集光レンズ、 ・集光レンズ回転手段、 ◆ファイバ、 ・レンズ固定台、 ・光源、 ・集光レンズ移動手段、 ・露光ビーム、 ・ウェーハ縁端部検出手段、 ・ＣＣＤラインセンサ、 ・コントローラ、 ・残留レジスト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ウェーハ（２）を載置し、該ウェーハ（２）を回転する
回転手段（１１）と該ウェーハ（２）をＸ軸方向に移動
するＸ軸移動手段（１２）と該ウェーハ（２）をＹ軸方
向に移動するＹ軸移動手段（１３）とを有するウェーハ
ステージ（１）と、 該ウェーハステージ（１）上に、基準となるウェーハを
該基準となるウェーハの中心が前記ウェーハステージ（
１）の回転軸中心と一致するように載置した時の、前記
基準となるウェーハの外周基準点に対応する位置に設け
られた少なくとも３個のアライメント用センサ（３１）
を有するアライメントユニット（３）と、 前記ウェーハ（２）を前記ウェーハステージ（１）上に
昇降するウェーハ昇降手段（４）と、回転自在な集光レ
ンズ（５１）を有し、該集光レンズ（５１）と前記ウェ
ーハステージ（１）の中心との距離は調整可能である露
光光発生手段（５）とを有し、 該露光光発生手段（５）の集光レンズ（５１）より前記
ウェーハ（２）上に照射される露光ビームの形状は扇形
をなし、扇形をなす円弧の曲率は前記ウェーハ（２）の
曲率とおゝむね同一であることを特徴とするウェーハの
周辺露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1215947A JP2835746B2 (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | ウェーハの周辺露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1215947A JP2835746B2 (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | ウェーハの周辺露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0380528A true JPH0380528A (ja) | 1991-04-05 |
| JP2835746B2 JP2835746B2 (ja) | 1998-12-14 |
Family
ID=16680892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1215947A Expired - Lifetime JP2835746B2 (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | ウェーハの周辺露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2835746B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05217886A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Canon Inc | 周辺露光装置 |
| US9508573B2 (en) | 2011-09-29 | 2016-11-29 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2018503973A (ja) * | 2014-11-26 | 2018-02-08 | シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント（グループ）カンパニー リミティド | ウエハ処理装置及び方法 |
-
1989
- 1989-08-24 JP JP1215947A patent/JP2835746B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05217886A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Canon Inc | 周辺露光装置 |
| US9508573B2 (en) | 2011-09-29 | 2016-11-29 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2018503973A (ja) * | 2014-11-26 | 2018-02-08 | シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント（グループ）カンパニー リミティド | ウエハ処理装置及び方法 |
| US10658214B2 (en) | 2014-11-26 | 2020-05-19 | Shanghai Micro Electronics Equipment Co., Ltd. | Wafer processing device and method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2835746B2 (ja) | 1998-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3356047B2 (ja) | ウエハ周辺露光装置 | |
| US5982474A (en) | Periphery exposing apparatus and method | |
| JPH07288276A (ja) | 基板の位置決め装置 | |
| JPH0380528A (ja) | ウェーハの周辺露光装置 | |
| JPH11162833A (ja) | 基板周縁露光方法 | |
| JP3439932B2 (ja) | 周辺露光装置 | |
| JP2534567B2 (ja) | ウエハ周辺露光方法及びウエハ周辺露光装置 | |
| JPH0795516B2 (ja) | ウエハ周辺露光方法及び装置 | |
| JP3383166B2 (ja) | 周辺露光装置 | |
| JP3068398B2 (ja) | レチクルの製造方法およびその製造装置 | |
| JP2601335B2 (ja) | ウエハ周辺露光装置 | |
| JPH04291938A (ja) | ウエハ上の不要レジスト露光装置および露光方法 | |
| JP2610481B2 (ja) | 露光装置及び処理装置及び処理方法 | |
| JPH07161628A (ja) | 周辺露光装置 | |
| JP3383169B2 (ja) | 周辺露光装置 | |
| JP2797980B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP7520615B2 (ja) | マーク形成方法、パターン形成方法、及びリソグラフィ装置 | |
| JP3525976B2 (ja) | 基板の周辺部露光装置 | |
| JPH04199810A (ja) | レジスト露光装置 | |
| JPH03257816A (ja) | 描画装置 | |
| JP3151915B2 (ja) | アライメント用レーザービームを備えた電子ビーム露光装置 | |
| JPH0282244A (ja) | 露光用マスクおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPH08102439A (ja) | ウエハ上の不要レジスト露光装置 | |
| JPH0822131A (ja) | 露光における位置合わせ装置 | |
| KR100350923B1 (ko) | 웨이퍼 주변노광방법 및 장치 |