JPH0382031A - 半導体集積回路およびその製造方法 - Google Patents
半導体集積回路およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0382031A JPH0382031A JP21962989A JP21962989A JPH0382031A JP H0382031 A JPH0382031 A JP H0382031A JP 21962989 A JP21962989 A JP 21962989A JP 21962989 A JP21962989 A JP 21962989A JP H0382031 A JPH0382031 A JP H0382031A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- metallic
- semiconductor integrated
- metal wiring
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体集積回路における金属配線、特に高速
動作が要求される配線に関する。
動作が要求される配線に関する。
半導体集積回路の技術が進歩しその集積度が増すにつれ
て、金属配線の幅とピッチがより小さくなり、また金属
膜の膜厚は薄くなる傾向にある。
て、金属配線の幅とピッチがより小さくなり、また金属
膜の膜厚は薄くなる傾向にある。
また、動作周波数は益々高くなり、半導体集積回路上の
素子はより高速にスイッチングする傾向にある。
素子はより高速にスイッチングする傾向にある。
第４図は、従来の半導体集積回路における金属配線の形
状を示す斜視図である８図において、（１）は金属配線
層、（２）は金属配線層（１）の下敷にある絶縁層を示
し２いる。従来の半導体集積回路における半導体基板上
に形成された信号線や電源などの金属配線（１）はずに
示すような断面の形状が長方形であった。図は金属配線
の下敷にある絶縁層（２）が平坦である様子を示してい
る。実際の金属配線層（１）はそれよりも下層にあるポ
リシリコン配線層、拡散層、１！ｌ縁層などのトランジ
スタを形成する層によって不規則に凹凸形が付いている
。
状を示す斜視図である８図において、（１）は金属配線
層、（２）は金属配線層（１）の下敷にある絶縁層を示
し２いる。従来の半導体集積回路における半導体基板上
に形成された信号線や電源などの金属配線（１）はずに
示すような断面の形状が長方形であった。図は金属配線
の下敷にある絶縁層（２）が平坦である様子を示してい
る。実際の金属配線層（１）はそれよりも下層にあるポ
リシリコン配線層、拡散層、１！ｌ縁層などのトランジ
スタを形成する層によって不規則に凹凸形が付いている
。
しかし、半導体集積回路全体に供給される電源やクロッ
ク信号などの幹線は、半導体集積回路上でトランジスタ
などのない配線領域に配置されることが多い、この配線
領域上では金属配線層の下敷にある絶縁層伐）は非常に
平坦になっているので、金属配線が第４図に示すような
形状になっている。
ク信号などの幹線は、半導体集積回路上でトランジスタ
などのない配線領域に配置されることが多い、この配線
領域上では金属配線層の下敷にある絶縁層伐）は非常に
平坦になっているので、金属配線が第４図に示すような
形状になっている。
また、電源やクロック信号などの金属配線では必要な電
流を応答性よく流す必要がある。
流を応答性よく流す必要がある。
従来は電源やクロック信号などのような断面の形状が長
方形の金属配線は、配線幅を十分大きくして対応してい
た。
方形の金属配線は、配線幅を十分大きくして対応してい
た。
従来の半導体集積回路に於いて占有する面積を大きくせ
ずに金属配線の電流密度を大きくしなければならないと
いった課題があった。
ずに金属配線の電流密度を大きくしなければならないと
いった課題があった。
この発明は上記の様な課題を解決するためになされたも
ので、表面積のより大きい金属配線を得ることを目的と
する。
ので、表面積のより大きい金属配線を得ることを目的と
する。
この発明に係る半導体集積回路は、選択的に膜厚を変化
させ表面の形状に凹凸を付けた金属配線を設けたもので
ある。
させ表面の形状に凹凸を付けた金属配線を設けたもので
ある。
この発明における金属配線は、その表面積をより大きく
する作用がある。
する作用がある。
以下、この発明一実施例を図を用いて説明する。
第１図はこの発明における半導体集積回路の金属配線に
凹凸を施したものの一実施例を示す斜視図、第２図はこ
の発明の金属配線の製造法の各工程の一実施例を示す斜
視図である０図において、＋１１は金属配線層、（２）
は金属配線層（１１の下敷にある絶縁層、（３）は写真
製版によって用いるフォトレジストをそれぞれ示してい
る。ここに示す実施例の半導体集積回路はその動作周波
数が非常に高く各素子のスイッチング速度は高速である
。
凹凸を施したものの一実施例を示す斜視図、第２図はこ
の発明の金属配線の製造法の各工程の一実施例を示す斜
視図である０図において、＋１１は金属配線層、（２）
は金属配線層（１１の下敷にある絶縁層、（３）は写真
製版によって用いるフォトレジストをそれぞれ示してい
る。ここに示す実施例の半導体集積回路はその動作周波
数が非常に高く各素子のスイッチング速度は高速である
。
半導体集積回路の動作周波数が増加すると、半導体集積
回路内の動作速度が増加し、よく知られている表皮効果
によって電流が金属配線（１）の表面を流れる傾向が表
れる。従って、金属配線１１）を流れる電流はその表面
積に依存することになる。
回路内の動作速度が増加し、よく知られている表皮効果
によって電流が金属配線（１）の表面を流れる傾向が表
れる。従って、金属配線１１）を流れる電流はその表面
積に依存することになる。
第１図に示すように、半導体集積回路内部の電源やクロ
ック信号などの瞬時に大電流が流れる金属配線＋１）は
、選択的に金属配線の膜厚を変化させることによってそ
の断面の形状が凹凸になっている。このように金属配線
（１）を製造すると、金属配線に応答性よく十分な電流
を流すことができる。
ック信号などの瞬時に大電流が流れる金属配線＋１）は
、選択的に金属配線の膜厚を変化させることによってそ
の断面の形状が凹凸になっている。このように金属配線
（１）を製造すると、金属配線に応答性よく十分な電流
を流すことができる。
次にこの金属層ｗＡ（１）の製造法を説明する。先ず、
第２図（ａｌに示すように金属層を形威し、写真製版に
よって配線として残すべき部分をフォトレジスト（３）
によってマスクをする０次に、第２図伽）に示すように
エツチング処理を行い配線となる部分だけを残す、更に
、第３図（ｅ）に示すように凹凸形を付けるべき配線上
に写真製版によって凸形になる部分だけをフォトレジス
ト（３）によってマスクする。
第２図（ａｌに示すように金属層を形威し、写真製版に
よって配線として残すべき部分をフォトレジスト（３）
によってマスクをする０次に、第２図伽）に示すように
エツチング処理を行い配線となる部分だけを残す、更に
、第３図（ｅ）に示すように凹凸形を付けるべき配線上
に写真製版によって凸形になる部分だけをフォトレジス
ト（３）によってマスクする。
もう−度エッチング処理を行うと第１図に示す形状の金
属配線（１）が製造できる。
属配線（１）が製造できる。
なお、上記実施例では金属配線を凸状とした場合を示し
たが、第３図に示すように金属配線の凸状とし、その間
を凹状としても良い、この実施例によれば更に電流密度
を大きくできる効果がある。
たが、第３図に示すように金属配線の凸状とし、その間
を凹状としても良い、この実施例によれば更に電流密度
を大きくできる効果がある。
以上のようにこの発明によれば、半導体集積回路上にお
いて占有する一面積を大きくせずに金属層線の電流密度
を容易に大きくできるので、半導体集積回路チップ全体
のサイズを抑えることができ、保留りが向上しコストの
低減が図れる効果がある。
いて占有する一面積を大きくせずに金属層線の電流密度
を容易に大きくできるので、半導体集積回路チップ全体
のサイズを抑えることができ、保留りが向上しコストの
低減が図れる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例である半導体集積回路の金
属配線に凹凸を施した斜視図、第２図はこの発明の金属
配線の製造方法の工程を示す斜視図、第３図はこの発明
の他の実施例を示す半導体集積回路の金属配線に凹凸を
施したものを示す斜視図、第４図は従来の半導体集積回
路における金属配線の形状を示す斜視図である。 医において、（１）は金属配線層１．＋２）は絶縁層、
（３１はフォトレジストを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
属配線に凹凸を施した斜視図、第２図はこの発明の金属
配線の製造方法の工程を示す斜視図、第３図はこの発明
の他の実施例を示す半導体集積回路の金属配線に凹凸を
施したものを示す斜視図、第４図は従来の半導体集積回
路における金属配線の形状を示す斜視図である。 医において、（１）は金属配線層１．＋２）は絶縁層、
（３１はフォトレジストを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）単一の半導体基板上に形成された複数の金属配線
において、電流の方向に垂直な断面が任意の点で同じ凹
凸形の形状である金属配線を含むことを特徴とする半導
体集積回路。 - （２）単一の半導体基板上のある１つの金属配線層に選
択的に２回以上のエッチングを施し、複数の金属配線中
のある金属配線の膜厚を規則的に変化させ、電流の方向
に垂直な断面を前記金属配線の任意の点で同じ凹凸形の
形状にしたことを特徴とする半導体集積回路の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21962989A JPH0382031A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 半導体集積回路およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21962989A JPH0382031A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 半導体集積回路およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0382031A true JPH0382031A (ja) | 1991-04-08 |
Family
ID=16738528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21962989A Pending JPH0382031A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 半導体集積回路およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0382031A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014170976A (ja) * | 2014-06-27 | 2014-09-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2015090952A (ja) * | 2013-11-07 | 2015-05-11 | 株式会社豊田中央研究所 | 横型半導体装置とその製造方法 |
-
1989
- 1989-08-24 JP JP21962989A patent/JPH0382031A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015090952A (ja) * | 2013-11-07 | 2015-05-11 | 株式会社豊田中央研究所 | 横型半導体装置とその製造方法 |
| JP2014170976A (ja) * | 2014-06-27 | 2014-09-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970077744A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR100190365B1 (ko) | 반도체 소자 제조를 위한 포토마스크 및 그 형성 방법 | |
| US20030115750A1 (en) | Self-aligned contact areas for sidewall image transfer formed conductors | |
| JP3289999B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH0382031A (ja) | 半導体集積回路およびその製造方法 | |
| KR100268426B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP2840150B2 (ja) | 半導体集積回路及びその層間接続方法 | |
| JP2001093974A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| EP0649173A2 (en) | Semiconductor device adapted for a master slice approach and method for fabricating the same | |
| JPS58121645A (ja) | 集積回路装置の相互配線形成方法 | |
| JP2911980B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP3024878B2 (ja) | マスタスライス型半導体集積回路装置及びその製造方法 | |
| KR19990016355A (ko) | 반도체소자의 금속배선 및 그 형성방법 | |
| KR100248150B1 (ko) | 반도체소자의 콘택홀형성방법 | |
| JPS60142567A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0222843A (ja) | 半導体装置 | |
| KR100257525B1 (ko) | 트랜지스터 형성방법 | |
| JPH065785A (ja) | スパイラルインダクタの製造方法 | |
| JPS60105251A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS6272145A (ja) | Ｍｏｓ集積回路装置およびその製造方法 | |
| JPH07106417A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH02251144A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04287347A (ja) | 半導体素子の接続装置及び其の製造方法 | |
| JPH01128544A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS6130422B2 (ja) |