JPH0382088A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
- Publication number
- JPH0382088A JPH0382088A JP1219161A JP21916189A JPH0382088A JP H0382088 A JPH0382088 A JP H0382088A JP 1219161 A JP1219161 A JP 1219161A JP 21916189 A JP21916189 A JP 21916189A JP H0382088 A JPH0382088 A JP H0382088A
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- semiconductor laser
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- pnp transistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、光磁気ディスク等に用いられる半導体レー
ザを高速でオンオフ制御する半導体レーザ駆動回路に関
する。
ザを高速でオンオフ制御する半導体レーザ駆動回路に関
する。
〈従来の技術〉
従来、この種の半導体レーザ駆動回路としては第２図に
示すようなものがある。この半導体レーザ駆動回路は、
ＰＮＰトランジスタ１７．１８および１９からなる電流
ミラー回路３０を備え、この電流ミラー回路３０に定電
流源１６および定電圧ラインＶｃｃを接続して上記トラ
ンジスタ１９のコレクタ端子１９ｃに定電流を出力して
いる。そして、このコレクタ端子１９ｃに、互いに同一
特性を有するＰＮＰトランジスタ２０およびＰＮＰトラ
ンジスタ２１をスイッチング素子として接続し、各ベー
ス端子２０ｂ、２１ｂを通して外部からスイッチング信
号を印加して交互にオンオフすることによって、ＰＮＰ
トランジスタ２０に直列に接続した半導体レーザ２２を
オンオフ制御するようにしている。
示すようなものがある。この半導体レーザ駆動回路は、
ＰＮＰトランジスタ１７．１８および１９からなる電流
ミラー回路３０を備え、この電流ミラー回路３０に定電
流源１６および定電圧ラインＶｃｃを接続して上記トラ
ンジスタ１９のコレクタ端子１９ｃに定電流を出力して
いる。そして、このコレクタ端子１９ｃに、互いに同一
特性を有するＰＮＰトランジスタ２０およびＰＮＰトラ
ンジスタ２１をスイッチング素子として接続し、各ベー
ス端子２０ｂ、２１ｂを通して外部からスイッチング信
号を印加して交互にオンオフすることによって、ＰＮＰ
トランジスタ２０に直列に接続した半導体レーザ２２を
オンオフ制御するようにしている。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、上記従来の半導体レーザ駆動回路は、半
導体レーザ２２をオンオフ制御するトランジスタ２０．
２１がＰＮＰ型であるため、ＩＣ（集積回路）化する場
合、このトランジスタ２０．２１の電流利得が小さくな
り、したがって、半導体レーザ２２に十分な大きさの電
流（２００ｍＡ程度）を流すためには、高速かつ抵出ノ
Ｊインピーダンスのバッファ等を用いて、上記スイッチ
ング信号の電流振幅を大きくしてドライブしなければな
らないという問題がある。
導体レーザ２２をオンオフ制御するトランジスタ２０．
２１がＰＮＰ型であるため、ＩＣ（集積回路）化する場
合、このトランジスタ２０．２１の電流利得が小さくな
り、したがって、半導体レーザ２２に十分な大きさの電
流（２００ｍＡ程度）を流すためには、高速かつ抵出ノ
Ｊインピーダンスのバッファ等を用いて、上記スイッチ
ング信号の電流振幅を大きくしてドライブしなければな
らないという問題がある。
そこで、この発明の目的は、半導体レーザをオンオフ制
御するために外部から印加するスイッチング信号の電流
振幅が小さくて済むような半導体レーザ駆動回路を提供
することにある。
御するために外部から印加するスイッチング信号の電流
振幅が小さくて済むような半導体レーザ駆動回路を提供
することにある。
〈課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するために、この発明の半導体レーザ駆
動回路は、定電流源とアース表の間に、エミッタ同士が
接続されたＮＰＮ トランジスタ。
動回路は、定電流源とアース表の間に、エミッタ同士が
接続されたＮＰＮ トランジスタ。
ＰＮＰトランジスタと半導体レーザεを直列に接続する
と共に、上記定電流源とアースとの間に、上記ＮＰＮト
ランジスタ、ＰＮＰトランジスタとそれぞれ同一特性を
有しエミッタ同士が接続されたＮＰＮトランジスタ、Ｐ
ＮＰトランジスタを直列接続して、さらに、」二記２つ
のＰＮＰＩ−ランジスタのベース端子をＰＮＰ トラン
ジスタを介して上記定電流源に接続して負帰還をかけた
ことを特徴としている。
と共に、上記定電流源とアースとの間に、上記ＮＰＮト
ランジスタ、ＰＮＰトランジスタとそれぞれ同一特性を
有しエミッタ同士が接続されたＮＰＮトランジスタ、Ｐ
ＮＰトランジスタを直列接続して、さらに、」二記２つ
のＰＮＰＩ−ランジスタのベース端子をＰＮＰ トラン
ジスタを介して上記定電流源に接続して負帰還をかけた
ことを特徴としている。
〈作用〉
半導体レーザにＮＰＮトランジスタ、ＰＮＰトランジス
タを直列に接続しているため、この直列の２つのトラン
ジスタがスイッチング素子として動作する。すなわち、
上記ＮＰＮ トランジスタのベースに外部からスイッチ
ング信号を印加し、かつ上記ＰＮＰトランジスタからベ
ース電流を取り出すことによって、この２つのトランジ
スタが同時にオンする。この場合、上記スイッチング信
号の電流振幅が小さくても、上記ＮＰＮトランジスタの
電流利得を高くしておくことによって上記半導体レーザ
に高速に十分な大きさの電流が流れるここになる。なお
、ＮＰＮトランジスタは、ＰＮＰトランジスタと異なり
、ＩＣ化する場合でも電流利得を高くすることは容易で
ある。
タを直列に接続しているため、この直列の２つのトラン
ジスタがスイッチング素子として動作する。すなわち、
上記ＮＰＮ トランジスタのベースに外部からスイッチ
ング信号を印加し、かつ上記ＰＮＰトランジスタからベ
ース電流を取り出すことによって、この２つのトランジ
スタが同時にオンする。この場合、上記スイッチング信
号の電流振幅が小さくても、上記ＮＰＮトランジスタの
電流利得を高くしておくことによって上記半導体レーザ
に高速に十分な大きさの電流が流れるここになる。なお
、ＮＰＮトランジスタは、ＰＮＰトランジスタと異なり
、ＩＣ化する場合でも電流利得を高くすることは容易で
ある。
さらに、各ＰＮＰトランジスタのベース端子をＰＮＰト
ランジスタ（電流利得をｈｆｅとする）を介して定電流
源に接続して負帰還をかけているため、直接に接続して
負帰還をかける場合に比して、帰還電流の大きさが１／
ｈｆｅになる。このため、上記スイッチング素子を構成
するＰＮＰトランジスタの電流利得ｈｆｅが大きく温度
変化する場合であっても、帰還量を１／ｈｆｅとするこ
とによって、上記スイッチング素子を構成するＰＮＰ
トランジスタの動作点が安定化される。したがって、駆
動電流が安定する。
ランジスタ（電流利得をｈｆｅとする）を介して定電流
源に接続して負帰還をかけているため、直接に接続して
負帰還をかける場合に比して、帰還電流の大きさが１／
ｈｆｅになる。このため、上記スイッチング素子を構成
するＰＮＰトランジスタの電流利得ｈｆｅが大きく温度
変化する場合であっても、帰還量を１／ｈｆｅとするこ
とによって、上記スイッチング素子を構成するＰＮＰ
トランジスタの動作点が安定化される。したがって、駆
動電流が安定する。
〈実施例〉
以下、この発明の半導体レーザ駆動回路を図示の実施例
により詳細に説明する。
により詳細に説明する。
第！図に示すように、この半導体レーザ駆動回路は、電
流ミラー回路４０と、この電流ミラー回路４０からの定
電流出力を受ける電流ミラー回路５０と、スイッチング
素子としてエミッタ同士が接続された高電流利得のＮＰ
ＮトランジスタｉＯ１低電流利得のＰＮＰトランジスタ
１２と、上記ＮＰＮ）−ランジスタ１０．ＰＮＰ トラ
ンジスタ１２とそれぞれ同一特性を有しエミッタ同士が
接続されたＮＰＮトランジスタ１１．ＰＮＰトランジス
タ１３を備えている。電流ミラー回路４０は、ＮＰＮト
ランジスタ２，３．４と、トランジスタ２゜４に対する
特性補正用の抵抗５．６とからなり、定電流源１および
定電圧ラインＶｅｅに接続され、ＮＰＮトランジスタ４
のコレクタ端子４ｃに負極性の定電流を出力する。すな
わち、４ｃは電流ミラー回路４０の出力端子となる。電
流ミラー回路５０は、ＰＮＰ トランジスタ８．９から
なり、定電圧ラインＶｃｃに接続されている。このＰＮ
Ｐトランジスタ８のコレク端子８ｃは上記ＮＰＮトラン
ジスタ４のコレクタ端子４ｃに接続されている。
流ミラー回路４０と、この電流ミラー回路４０からの定
電流出力を受ける電流ミラー回路５０と、スイッチング
素子としてエミッタ同士が接続された高電流利得のＮＰ
ＮトランジスタｉＯ１低電流利得のＰＮＰトランジスタ
１２と、上記ＮＰＮ）−ランジスタ１０．ＰＮＰ トラ
ンジスタ１２とそれぞれ同一特性を有しエミッタ同士が
接続されたＮＰＮトランジスタ１１．ＰＮＰトランジス
タ１３を備えている。電流ミラー回路４０は、ＮＰＮト
ランジスタ２，３．４と、トランジスタ２゜４に対する
特性補正用の抵抗５．６とからなり、定電流源１および
定電圧ラインＶｅｅに接続され、ＮＰＮトランジスタ４
のコレクタ端子４ｃに負極性の定電流を出力する。すな
わち、４ｃは電流ミラー回路４０の出力端子となる。電
流ミラー回路５０は、ＰＮＰ トランジスタ８．９から
なり、定電圧ラインＶｃｃに接続されている。このＰＮ
Ｐトランジスタ８のコレク端子８ｃは上記ＮＰＮトラン
ジスタ４のコレクタ端子４ｃに接続されている。
この電流ミラー回路５０はＰＮＰ トランジスタ８のコ
レクタ端子８ｃに上記電流ミラー回路４０のコレクタ端
子４ｃからの負極性の定電流出力を受けて、ＰＮＰトラ
ンジスタ９のコレクタ端子９Ｃに正極性の定電流を出力
する。すなわち、８ｃ、９ｃはそれぞれ電流ミラー回路
５０の入力端子、出力端子となる。そして、上記ＮＰＮ
トランジスタｌ０．１１のコレクタはいずれも上記電流
ミラー回路５０の出力端子９ｃに接続している。上記Ｐ
ＮＰトランジスタ１２のコレクタは駆動すべき半導体レ
ーザ１５のアノードに接続し、一方、ＰＮＰトランジス
タ！３のコレクタは接地している。なお、半導体レーザ
Ｉ５はカソードを接地しており、ＮＰＮ トランジスタ
ＩＯおよびＰＮＰトランジスタ１２がオンしたとき通電
されるようにしている。
レクタ端子８ｃに上記電流ミラー回路４０のコレクタ端
子４ｃからの負極性の定電流出力を受けて、ＰＮＰトラ
ンジスタ９のコレクタ端子９Ｃに正極性の定電流を出力
する。すなわち、８ｃ、９ｃはそれぞれ電流ミラー回路
５０の入力端子、出力端子となる。そして、上記ＮＰＮ
トランジスタｌ０．１１のコレクタはいずれも上記電流
ミラー回路５０の出力端子９ｃに接続している。上記Ｐ
ＮＰトランジスタ１２のコレクタは駆動すべき半導体レ
ーザ１５のアノードに接続し、一方、ＰＮＰトランジス
タ！３のコレクタは接地している。なお、半導体レーザ
Ｉ５はカソードを接地しており、ＮＰＮ トランジスタ
ＩＯおよびＰＮＰトランジスタ１２がオンしたとき通電
されるようにしている。
さらに、ＰＮＰトランジスタ１４を設けて、上記ＰＮＰ
トランジスタ１２および１３のベース端子１２ｂ、１
３ｂをこのＰＮＰ トランジスタ１４のエミッタに接続
している。ＰＮＰトランジスタ１４は、コレクタを接地
し、ベースを上記ＮＰＮトランジスタ４のコレクタ端子
４ｃすなわち、電流ミラー回路４０の出力端子に接続し
ている。なお、７はスイッチング時にリンギングを低減
するために設けたコンデンサである。
トランジスタ１２および１３のベース端子１２ｂ、１
３ｂをこのＰＮＰ トランジスタ１４のエミッタに接続
している。ＰＮＰトランジスタ１４は、コレクタを接地
し、ベースを上記ＮＰＮトランジスタ４のコレクタ端子
４ｃすなわち、電流ミラー回路４０の出力端子に接続し
ている。なお、７はスイッチング時にリンギングを低減
するために設けたコンデンサである。
上記半導体レーザ■５は、上記ＮＰＮトランジスタ１０
．２のベース端子１０ｂ、ｌｌｂにそれぞれ交互にスイ
ッチング信号を印加することによってオンオフ制御され
る。すなわち、ＮＰＮトランジスタｌＯは上記スイッチ
ング信号によって直接にオンし、同時にＰＮＰトランジ
スタ１２はベース電流が上記ＰＮＰトランジスタ１４側
へ流れることによってオンして、半導体レーザ１５に電
流ミラー回路５０のコレクタ端子９ｃからの定電流が供
給される。なお、ＮＰＮトランジスタ１１゜ＰＮＰトラ
ンジスタ１３も同様に動作する。このようにした場合、
上記スイッチング信号の電流が小さい場合であっても、
上記ＮＰＮトランジスタ１０．１１の電流利得を大きく
しているので、上記半導体レーザ１５に高速に十分な大
きさの電流を流すことができる。また、上記ＰＮＰ ト
ランジスタ１２．１３のベース端子１２ｂ、１３ｂをＰ
ＮＰトランジスタ！４（電流利得をＭｅとする）を介し
て電流ミラー回路４０の出力端子４ｃに接続して、次の
ようにして帰還をかけている。半導体レーザ１５の駆動
電流したがってＰＮＰ トランジスタ１２または１３の
ベース電流が増加すると、ＰＮＰトランジスタ１４のベ
ース電流が増加して上記出力端子４ｃの電位を上昇させ
る。電流ミラー回路５０の入力端子８ｃと定電圧ライン
Ｖｃｃとの電位差が小さくなって上記駆動電流を減少さ
せ、安定化させる。ここで、ＰＮＰトランジスタ１４を
介して負帰還をかけているため、直接に接続して負帰還
をかける場合に比して、帰還電流の大きさを１／Ｍｅに
制限している。このため、ＰＮＰトランジスタ１２．１
３の電流利得ｈｒｅが大きく温度変化する場合であって
も帰還量をｌ／ｂ４ｅとすることによって上記ＰＮＰト
ランジスタ１２．１３の動作点を安定させることができ
、したがって駆動電流を安定させることができる。実際
に、この半導体レーザ駆動回路をＩＣ化し、駆動電流２
００ｍＡとした場合、−３０℃〜＋１２０℃での変動率
を１％とすることができる。
．２のベース端子１０ｂ、ｌｌｂにそれぞれ交互にスイ
ッチング信号を印加することによってオンオフ制御され
る。すなわち、ＮＰＮトランジスタｌＯは上記スイッチ
ング信号によって直接にオンし、同時にＰＮＰトランジ
スタ１２はベース電流が上記ＰＮＰトランジスタ１４側
へ流れることによってオンして、半導体レーザ１５に電
流ミラー回路５０のコレクタ端子９ｃからの定電流が供
給される。なお、ＮＰＮトランジスタ１１゜ＰＮＰトラ
ンジスタ１３も同様に動作する。このようにした場合、
上記スイッチング信号の電流が小さい場合であっても、
上記ＮＰＮトランジスタ１０．１１の電流利得を大きく
しているので、上記半導体レーザ１５に高速に十分な大
きさの電流を流すことができる。また、上記ＰＮＰ ト
ランジスタ１２．１３のベース端子１２ｂ、１３ｂをＰ
ＮＰトランジスタ！４（電流利得をＭｅとする）を介し
て電流ミラー回路４０の出力端子４ｃに接続して、次の
ようにして帰還をかけている。半導体レーザ１５の駆動
電流したがってＰＮＰ トランジスタ１２または１３の
ベース電流が増加すると、ＰＮＰトランジスタ１４のベ
ース電流が増加して上記出力端子４ｃの電位を上昇させ
る。電流ミラー回路５０の入力端子８ｃと定電圧ライン
Ｖｃｃとの電位差が小さくなって上記駆動電流を減少さ
せ、安定化させる。ここで、ＰＮＰトランジスタ１４を
介して負帰還をかけているため、直接に接続して負帰還
をかける場合に比して、帰還電流の大きさを１／Ｍｅに
制限している。このため、ＰＮＰトランジスタ１２．１
３の電流利得ｈｒｅが大きく温度変化する場合であって
も帰還量をｌ／ｂ４ｅとすることによって上記ＰＮＰト
ランジスタ１２．１３の動作点を安定させることができ
、したがって駆動電流を安定させることができる。実際
に、この半導体レーザ駆動回路をＩＣ化し、駆動電流２
００ｍＡとした場合、−３０℃〜＋１２０℃での変動率
を１％とすることができる。
なお、上記ＰＮＰトランジスタ１２．１３のベース電流
を端子４ｃおよび端子８ｃに直接に接続しても帰還回路
としては成立する。しかしながら、この半導体レーザ駆
動回路は、定電流源ｌからの電流を電流ミラー回路４０
および５０によって何倍かして半導体レーザＩ５の駆動
電流を供給しているので、ＰＮＰトランジスタ１２．１
３のベース電流を直接に帰還させてそのままＮＰＮトラ
ンジスタ４のコレクタ電流の誤差成分とした場合、上記
駆動電流に与える影響が大きくなりすぎて好ましくない
結果となる。
を端子４ｃおよび端子８ｃに直接に接続しても帰還回路
としては成立する。しかしながら、この半導体レーザ駆
動回路は、定電流源ｌからの電流を電流ミラー回路４０
および５０によって何倍かして半導体レーザＩ５の駆動
電流を供給しているので、ＰＮＰトランジスタ１２．１
３のベース電流を直接に帰還させてそのままＮＰＮトラ
ンジスタ４のコレクタ電流の誤差成分とした場合、上記
駆動電流に与える影響が大きくなりすぎて好ましくない
結果となる。
〈発明の効果〉
以上より明らかなように、この発明の半導体レーザ駆動
回路は、定電流源とアースとの間に、エミッタ同士が接
続されたＮＰＮトランジスタ、ＰＮＰトランジスタと半
導体レーザとを直列に接続すると共に、上記定電流源と
アースとの間に、上記ＮＰＮトランジスタ、ＰＮＰトラ
ンジスタとそれぞれ同一特性を有しエミッタ同士が接続
されたＮＰＮトランジスタ、ＰＮＰ トランジスタを直
列接続し“て、さらに、上記２つのＰＮＰトランジスタ
のペース端子をＰＮＰトランジスタを介して上記定電流
源に接続して負帰還をかけているので、外部から印加す
るスイッチング信号の電流振幅が小さくても半導体レー
ザを高速にオンオフ制御することかできる。
回路は、定電流源とアースとの間に、エミッタ同士が接
続されたＮＰＮトランジスタ、ＰＮＰトランジスタと半
導体レーザとを直列に接続すると共に、上記定電流源と
アースとの間に、上記ＮＰＮトランジスタ、ＰＮＰトラ
ンジスタとそれぞれ同一特性を有しエミッタ同士が接続
されたＮＰＮトランジスタ、ＰＮＰ トランジスタを直
列接続し“て、さらに、上記２つのＰＮＰトランジスタ
のペース端子をＰＮＰトランジスタを介して上記定電流
源に接続して負帰還をかけているので、外部から印加す
るスイッチング信号の電流振幅が小さくても半導体レー
ザを高速にオンオフ制御することかできる。
第１図はこの発明の一実施例の半導体レーザ駆動回路を
示す図、第２図は従来の半導体レーザ駆動回路を示す図
である。 ｌ・・・定電流源、 １０．１１・・・ＮＰＮＩ−ランジスタ、１２．１３．
１４・・・ＰＮＰトランジスタ、１５・・・半導体レー
ザ、 ４０．５０・・・電流ミラー回路。
示す図、第２図は従来の半導体レーザ駆動回路を示す図
である。 ｌ・・・定電流源、 １０．１１・・・ＮＰＮＩ−ランジスタ、１２．１３．
１４・・・ＰＮＰトランジスタ、１５・・・半導体レー
ザ、 ４０．５０・・・電流ミラー回路。
Claims (1)
- （１）定電流源とアースとの間に、エミッタ同士が接続
されたＮＰＮトランジスタ、ＰＮＰトランジスタと半導
体レーザとを直列に接続すると共に、上記定電流源とア
ースとの間に、上記ＮＰＮトランジスタ、ＰＮＰトラン
ジスタとそれぞれ同一特性を有しエミッタ同士が接続さ
れたＮＰＮトランジスタ、ＰＮＰトランジスタを直列接
続して、さらに、上記２つのＰＮＰトランジスタのベー
ス端子をＰＮＰトランジスタを介して上記定電流源に接
続して負帰還をかけたことを特徴とする半導体レーザ駆
動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1219161A JPH0382088A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 半導体レーザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1219161A JPH0382088A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0382088A true JPH0382088A (ja) | 1991-04-08 |
Family
ID=16731158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1219161A Pending JPH0382088A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0382088A (ja) |
-
1989
- 1989-08-24 JP JP1219161A patent/JPH0382088A/ja active Pending
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