JPH0382788A - 多層電析層の形成方法 - Google Patents
多層電析層の形成方法Info
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- JPH0382788A JPH0382788A JP22108189A JP22108189A JPH0382788A JP H0382788 A JPH0382788 A JP H0382788A JP 22108189 A JP22108189 A JP 22108189A JP 22108189 A JP22108189 A JP 22108189A JP H0382788 A JPH0382788 A JP H0382788A
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- Japan
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- electrolytic
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
本発明は多層電析層の形成方法に関し、特に一つの電解
槽を用いて異なる金属種の電析層を順次積層することの
できる多層電析層の形成方法に関するものである。
槽を用いて異なる金属種の電析層を順次積層することの
できる多層電析層の形成方法に関するものである。
〔従来技術および解決しようとする課題〕従来より電気
めっき法として知られている電析金属被覆層の形成は、
一般に、下地銅より始まり、中間層を用いる場合にはニ
ッケルを、そして最表面層としてクロムを順次電析させ
ている。
めっき法として知られている電析金属被覆層の形成は、
一般に、下地銅より始まり、中間層を用いる場合にはニ
ッケルを、そして最表面層としてクロムを順次電析させ
ている。
そして、この場合、被電析電極を、始めに銅イオンを含
む電解液を入れた電解槽に浸漬して電析し、次いで、そ
の銅めっきを施したものをニッケルイオンを含む電解液
を入れた別の電解槽に浸漬して電析し、最後に、そのニ
ッケルめっきを施したものをクロムイオンを含む電解液
を入れたさらに別の電解槽に浸漬して電析を行っており
、それぞれ別の電解槽を用いて、それぞれの条件にて電
解することにより多層電析層を形成している。
む電解液を入れた電解槽に浸漬して電析し、次いで、そ
の銅めっきを施したものをニッケルイオンを含む電解液
を入れた別の電解槽に浸漬して電析し、最後に、そのニ
ッケルめっきを施したものをクロムイオンを含む電解液
を入れたさらに別の電解槽に浸漬して電析を行っており
、それぞれ別の電解槽を用いて、それぞれの条件にて電
解することにより多層電析層を形成している。
したがって、電析金属種を変える毎に電解槽を変えねば
ならず、そのたび毎に各電解工程において水洗、活性化
などの前処理工程が必要であり、電析するめっき金属種
の数だけ電解槽を用意しなければならないとともに、電
解槽を変えるたびに煩雑な前処理が必要であった。
ならず、そのたび毎に各電解工程において水洗、活性化
などの前処理工程が必要であり、電析するめっき金属種
の数だけ電解槽を用意しなければならないとともに、電
解槽を変えるたびに煩雑な前処理が必要であった。
本発明は前記のような従来のもののもつ問題点を解決し
たものであって、多層電析層を一つの電解槽を用いて形
成することができ、電解処理工程を大幅に簡略化できる
多層電析層の形成方法を提供することを目的としている
。
たものであって、多層電析層を一つの電解槽を用いて形
成することができ、電解処理工程を大幅に簡略化できる
多層電析層の形成方法を提供することを目的としている
。
上記の目的を遠戚するために本発明は、少なくとも２種
のめっき金属イオンを含有した電解液を入れた電解槽中
に、被電析電極を、前記電解液に対する接触状態を制御
可能に配設し、前記被電析電極の表面に第１のめっき金
属イオンの電析層を形成し、次いで、前記電解液に対す
る被電ｆ電極の接触状態を制御して変化させた条件下で
前記被電析電極の表面に第２のめっき金属イオンの電析
層を形成し、続いて、前記電解液に対する被電析電極の
接触状態をさらに制御して変化させた条件下で前記被電
析電極の表面に第２のめっき金属イオンと異なる金属イ
オンの電析層を形成し、前記の電解工程を繰り返すこと
により、前記被電析電極の表面に、順次異なる金属イオ
ンの電析層を形成する手段を有している。
のめっき金属イオンを含有した電解液を入れた電解槽中
に、被電析電極を、前記電解液に対する接触状態を制御
可能に配設し、前記被電析電極の表面に第１のめっき金
属イオンの電析層を形成し、次いで、前記電解液に対す
る被電ｆ電極の接触状態を制御して変化させた条件下で
前記被電析電極の表面に第２のめっき金属イオンの電析
層を形成し、続いて、前記電解液に対する被電析電極の
接触状態をさらに制御して変化させた条件下で前記被電
析電極の表面に第２のめっき金属イオンと異なる金属イ
オンの電析層を形成し、前記の電解工程を繰り返すこと
により、前記被電析電極の表面に、順次異なる金属イオ
ンの電析層を形成する手段を有している。
また、前記電解液に対する前記被電析電極の接触状態を
制御する手段が、前記電解槽中に前記被電析１を極を回
転電極として配設し、その被電析電極の回転数を制御し
て前記電解液に対する接触状態を変化する手段であった
り、前記電解液が被電析電極に対して向流状態となるよ
うに配設し、前記電解液の液流速度を制御して前記被電
析電極に対する電解液の接触状態を変化する手段であっ
たり、前記電解槽中の前記被電析電極を振動電極として
配設し、その被電析電極の振動数を制御して前記電解液
に対する接触状態を変化する手段であってもよい。
制御する手段が、前記電解槽中に前記被電析１を極を回
転電極として配設し、その被電析電極の回転数を制御し
て前記電解液に対する接触状態を変化する手段であった
り、前記電解液が被電析電極に対して向流状態となるよ
うに配設し、前記電解液の液流速度を制御して前記被電
析電極に対する電解液の接触状態を変化する手段であっ
たり、前記電解槽中の前記被電析電極を振動電極として
配設し、その被電析電極の振動数を制御して前記電解液
に対する接触状態を変化する手段であってもよい。
本発明は上記の手段を採用したことにより、電解槽中の
電解液にその接触状態を制御可能な状態に配設した被電
析電極の表面に、電解液との間で最初に設定した接触状
態で、１番目のめっき金属イオンの電析層を電析し、続
いて、前記被電析電極と電解液との間の接触状態を変化
させた所定の条件下で、１番目のめっき金属イオンと異
なる２番目の金属イオンの電析層を電析し、さらに続い
て、前記被電析電極と電解液との間の接触状態をさらに
変化させた所定の条件下で、２番目のめっき金属イオン
と異なる金属イオン（１番目の金属イオンを含む）の電
析層を電析し、前記のように被電析電極と電解液との間
の接触状態を制御して変化させた電解工程を繰り返すこ
とで、順次、その前に電析した金属イオンと異なる金属
イオンの電析層を積層した多層電析層を形成できること
となる。
電解液にその接触状態を制御可能な状態に配設した被電
析電極の表面に、電解液との間で最初に設定した接触状
態で、１番目のめっき金属イオンの電析層を電析し、続
いて、前記被電析電極と電解液との間の接触状態を変化
させた所定の条件下で、１番目のめっき金属イオンと異
なる２番目の金属イオンの電析層を電析し、さらに続い
て、前記被電析電極と電解液との間の接触状態をさらに
変化させた所定の条件下で、２番目のめっき金属イオン
と異なる金属イオン（１番目の金属イオンを含む）の電
析層を電析し、前記のように被電析電極と電解液との間
の接触状態を制御して変化させた電解工程を繰り返すこ
とで、順次、その前に電析した金属イオンと異なる金属
イオンの電析層を積層した多層電析層を形成できること
となる。
以下、本発明を具体的に説明する。
本発明の多層電析層の形成方法においては、少なくとも
２種のめっき金属イオンをその濃度に順位を付けて含有
させた電解液を用意する。
２種のめっき金属イオンをその濃度に順位を付けて含有
させた電解液を用意する。
そして、この電解液を電解槽中に入れ、その電解槽中に
被電析電極と対電極とを接続してセラ 卜 す る
。
被電析電極と対電極とを接続してセラ 卜 す る
。
このとき、前記被電析電極は、前記電解槽中の電解液に
対して接触状態が制御可能な状態に配設する。
対して接触状態が制御可能な状態に配設する。
上記の電解槽中の電解液に対して被電析電極の接触状態
を制御する手段は、たとえば、前記被電析電極を回転数
を制御可能にした回転電極として電解槽中に配設するこ
とにより、前記被電析電極の回転数を変化させ、それに
より前記電解液に対する被電析電極の接触状態を制御す
ることができる。
を制御する手段は、たとえば、前記被電析電極を回転数
を制御可能にした回転電極として電解槽中に配設するこ
とにより、前記被電析電極の回転数を変化させ、それに
より前記電解液に対する被電析電極の接触状態を制御す
ることができる。
また、他の手段としては、前記電解槽中の電解液が前記
被電析電極に対して同波状態となるように配設し、前記
被電析電極に対する電解液の液流速度を変化させ、それ
により前記電解液に対する被電析電極の接触状態を制御
することができる。
被電析電極に対して同波状態となるように配設し、前記
被電析電極に対する電解液の液流速度を変化させ、それ
により前記電解液に対する被電析電極の接触状態を制御
することができる。
さらに他の手段としては、前記被電析電極を振動数を制
御可能にした振動電極として電解槽中に配設することに
より、前記被電析電極の振動数を変化させ、それにより
前記電解液に対する被電析電極の接触状態を制御するこ
とができる。
御可能にした振動電極として電解槽中に配設することに
より、前記被電析電極の振動数を変化させ、それにより
前記電解液に対する被電析電極の接触状態を制御するこ
とができる。
本発明においては、前記電解槽中において、前記電解液
に対する被電析電極の接触状態を制御可能に配設し、１
番目のめっき金属イオンの電解時に前記被電析電極の近
傍に発生する電気二重層を破壊し、その後に設定する電
解液に対する被電析電極の接触状態において、前記電解
液中に含有される他のめっき金属イオンの析出が促進さ
れたり、抑制されたりする効果を利用するものである。
に対する被電析電極の接触状態を制御可能に配設し、１
番目のめっき金属イオンの電解時に前記被電析電極の近
傍に発生する電気二重層を破壊し、その後に設定する電
解液に対する被電析電極の接触状態において、前記電解
液中に含有される他のめっき金属イオンの析出が促進さ
れたり、抑制されたりする効果を利用するものである。
たとえば、電解槽中に、Ａ、ＢおよびＣの３種類のめっ
き金属イオンをその濃度がＡ＞Ｂ ＞Ｃとした電解液を
入れ、まず、電解液に対する被電析電極の接触状態を所
定の条件に設定し、濃度が最も大きいＡのめっき金属イ
オンの電析層を前記被電析電極の表面に形成する。
き金属イオンをその濃度がＡ＞Ｂ ＞Ｃとした電解液を
入れ、まず、電解液に対する被電析電極の接触状態を所
定の条件に設定し、濃度が最も大きいＡのめっき金属イ
オンの電析層を前記被電析電極の表面に形成する。
次に、前記Ａを電析した被電析電極において、前記電解
液に対する接触状態を制御して変化させ、前記Ｂまたは
Ｃのめっき金属イオンが前記被電析電極の表面に析出す
る所定の条件に設定し、前記ＢまたはＣのめっき金属イ
オンの電析層を形成する。
液に対する接触状態を制御して変化させ、前記Ｂまたは
Ｃのめっき金属イオンが前記被電析電極の表面に析出す
る所定の条件に設定し、前記ＢまたはＣのめっき金属イ
オンの電析層を形成する。
続いて、前記Ａの上にＢまたはＣを電析した被電析電極
において、前記電解液に対する接触状態を制御してさら
に変化させ、上記で析出しためっき金属イオンを除＜Ａ
ＳＢまたはＣのめっき金属イオンが前記被電析電極の表
面に析出する所定の条件に設定して次の電析層を形成す
る。
において、前記電解液に対する接触状態を制御してさら
に変化させ、上記で析出しためっき金属イオンを除＜Ａ
ＳＢまたはＣのめっき金属イオンが前記被電析電極の表
面に析出する所定の条件に設定して次の電析層を形成す
る。
したがって、上記の電解処理工程を繰り返すことにより
、めっき金属イオンＡ、ＢおよびＣを含有した電解液か
ら、先に電析した金属と異なる金属イオン種を順次積層
した多層の電析層を形成できることとなる。
、めっき金属イオンＡ、ＢおよびＣを含有した電解液か
ら、先に電析した金属と異なる金属イオン種を順次積層
した多層の電析層を形成できることとなる。
以下に実験例により本発明をさらに具体的に説明する。
実験例
硫酸ニッケル（Ｎ ｉ Ｓ Ｏａ ） ３３０ ｇ ／
Ｑと１５０〜３００ｐｐｍのＣｕイオンを含有した電
解液を調製し、この電解液を電解槽中に入れ、この電解
槽中に対電極を配設するとともに、被電析電極を、その
回転数を制御可能とした回転電極として配設し、前記電
解液に対する被電析電極の接触状態を変化できるように
した。
Ｑと１５０〜３００ｐｐｍのＣｕイオンを含有した電
解液を調製し、この電解液を電解槽中に入れ、この電解
槽中に対電極を配設するとともに、被電析電極を、その
回転数を制御可能とした回転電極として配設し、前記電
解液に対する被電析電極の接触状態を変化できるように
した。
そして、まず、前記被電析電極の回転数がゼロの状態で
前記対電極と被電析電極との間に２Ａ／ｄポの電圧を印
加し、前記被電析電極の表面にニッケルを析出し、次い
で、前記被電析電極の回転数を２４Ｏｒｐｍとして電析
を続け、前記被電析電極の表面に銅を析出した。
前記対電極と被電析電極との間に２Ａ／ｄポの電圧を印
加し、前記被電析電極の表面にニッケルを析出し、次い
で、前記被電析電極の回転数を２４Ｏｒｐｍとして電析
を続け、前記被電析電極の表面に銅を析出した。
上記の電解処理工程を１時間繰り返して前記被電析電極
の表面に約１０μｍの厚さの多層電析層を形成した。
の表面に約１０μｍの厚さの多層電析層を形成した。
上記で得られた多層電析層を、オージェ電子分光法によ
り深さ方向に分析した結果、１μｍのニッケル層と０．
９ｎｍの銅層とが交互に積層された多層電析層であるこ
とを確認した。
り深さ方向に分析した結果、１μｍのニッケル層と０．
９ｎｍの銅層とが交互に積層された多層電析層であるこ
とを確認した。
なお、上記の実験例において、被電析電極と対電極との
間に一定の電圧を印加して電解処理したが、その電圧を
周期的に変動してパルス状の電圧を与えるパルス電解を
してもよいことは勿論である。
間に一定の電圧を印加して電解処理したが、その電圧を
周期的に変動してパルス状の電圧を与えるパルス電解を
してもよいことは勿論である。
本発明は前記のように、少なくとも２種のめっき金属イ
オンを含有した電解液を入れた電解槽中に、被電析電極
を、前記電解液に対する接触状態を制御可能に配設し、
前記電解液に対して前記被電析電極の接触状態を変化さ
せることにより、前記被電析電極の表面に、順次異なる
金属イオンの電析層を析出して積層するので、一つの電
解槽のみで複数の金属種の電析層を順次積層して多層電
析でき、また、電解槽を変えないので、電解処理条件を
変えても被電析電極の水洗、活性化などの前処理が必要
なく、多層電析槽の形成に際して、電解処理工程を大幅
に簡略化することができるなどのすぐれた効果を有する
ものである。
オンを含有した電解液を入れた電解槽中に、被電析電極
を、前記電解液に対する接触状態を制御可能に配設し、
前記電解液に対して前記被電析電極の接触状態を変化さ
せることにより、前記被電析電極の表面に、順次異なる
金属イオンの電析層を析出して積層するので、一つの電
解槽のみで複数の金属種の電析層を順次積層して多層電
析でき、また、電解槽を変えないので、電解処理条件を
変えても被電析電極の水洗、活性化などの前処理が必要
なく、多層電析槽の形成に際して、電解処理工程を大幅
に簡略化することができるなどのすぐれた効果を有する
ものである。
Claims (4)
- （１）少なくとも２種のめっき金属イオンを含有した電
解液を入れた電解槽中に、被電析電極を、前記電解液に
対する接触状態を制御可能に配設し、前記被電析電極の
表面に第１のめっき金属イオンの電析層を形成し、次い
で、前記電解液に対する被電析電極の接触状態を制御し
て変化させた条件下で前記被電析電極の表面に第２のめ
っき金属イオンの電析層を形成し、続いて、前記電解液
に対する被電析電極の接触状態をさらに制御して変化さ
せた条件下で前記被電析電極の表面に第２のめっき金属
イオンと異なる金属イオンの電析層を形成し、上記の電
解工程を繰り返すことにより、前記被電析電極の表面に
、順次異なる金属イオンの電析層を形成することを特徴
とする多層電析層の形成方法。 - （２）前記電解液に対する前記被電析電極の接触状態を
制御する手段が、前記電解槽中に前記被電析電極を回転
電極として配設し、その被電析電極の回転数を制御して
前記電解液に対する接触状態を変化する手段である請求
項１記載の多層電析層の形成方法。 - （３）前記電解液に対する前記被電析電極の接触状態を
制御する手段が、前記電解液が被電析電極に対して向流
状態となるように配設し、前記電解液の液流速度を制御
して前記被電析電極に対する電解液の接触状態を変化す
る手段である請求項１記載の多層電析層の形成方法。 - （４）前記電解液に対する前記被電析電極の接触状態を
制御する手段が、前記電解槽中の前記被電析電極を振動
電極として配設し、その被電析電極の振動数を制御して
前記電解液に対する接触状態を変化する手段である請求
項１記載の多層電析層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22108189A JPH0382788A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 多層電析層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22108189A JPH0382788A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 多層電析層の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0382788A true JPH0382788A (ja) | 1991-04-08 |
Family
ID=16761192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22108189A Pending JPH0382788A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 多層電析層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0382788A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5976891A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-05-02 | Hamasawa Kogyo:Kk | 金合金の製造方法 |
| JPS5976893A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-05-02 | Hamasawa Kogyo:Kk | 金合金の製造方法 |
| JPS62158897A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-14 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 多層系電気メツキ処理方法 |
-
1989
- 1989-08-28 JP JP22108189A patent/JPH0382788A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5976891A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-05-02 | Hamasawa Kogyo:Kk | 金合金の製造方法 |
| JPS5976893A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-05-02 | Hamasawa Kogyo:Kk | 金合金の製造方法 |
| JPS62158897A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-14 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 多層系電気メツキ処理方法 |
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