JPH038324A - 半導体基板の加熱装置 - Google Patents
半導体基板の加熱装置Info
- Publication number
- JPH038324A JPH038324A JP1143237A JP14323789A JPH038324A JP H038324 A JPH038324 A JP H038324A JP 1143237 A JP1143237 A JP 1143237A JP 14323789 A JP14323789 A JP 14323789A JP H038324 A JPH038324 A JP H038324A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- pattern mask
- light beam
- lsi
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に半導体基板の加熱装置
に関する。
に関する。
従来、酸化や熱拡散、アニール等を目的として半導体基
板を加熱する方法としては、石英炉芯管を用いた熱酸化
炉で周囲からの熱輻射を利用する方法と、ホットプレー
トを用いた熱伝導による方法とが代表的なものであった
。
板を加熱する方法としては、石英炉芯管を用いた熱酸化
炉で周囲からの熱輻射を利用する方法と、ホットプレー
トを用いた熱伝導による方法とが代表的なものであった
。
上述した従来の半導体基板の加熱方法はいずれも半導体
基板全体を加熱することで酸化や窒化又は拡散やアニー
ル等を行うものであるため、半導体基板上で加熱を必要
とする局所のみの加熱を行うことが困難であり、又、加
熱や冷却に要する時間も長くなるという欠点がある。
基板全体を加熱することで酸化や窒化又は拡散やアニー
ル等を行うものであるため、半導体基板上で加熱を必要
とする局所のみの加熱を行うことが困難であり、又、加
熱や冷却に要する時間も長くなるという欠点がある。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体基板の加熱装
置を提供することにある。
置を提供することにある。
上述した従来の半導体基板加熱装置に対し、本発明はＬ
ＳＩパターンマスクを通過したレーザ光線又は赤外線等
の熱線をレンズを用いて半導体基板上に縮小結像させる
ことでＬＳＩパターンマスク上の描画の透明部分に対応
する半導体基板上の部分のみを加熱するという相違点を
有する。
ＳＩパターンマスクを通過したレーザ光線又は赤外線等
の熱線をレンズを用いて半導体基板上に縮小結像させる
ことでＬＳＩパターンマスク上の描画の透明部分に対応
する半導体基板上の部分のみを加熱するという相違点を
有する。
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体基板の加
熱装置においては、レーザー光線又は赤外光線からなる
光源と、該光源から発した光線を照射されるＬＳＩパタ
ーンマスクと、該ＬＳＩパターンマスクを透過した光線
を半導体基板上に縮小結像するレンズとを有するもので
ある。
熱装置においては、レーザー光線又は赤外光線からなる
光源と、該光源から発した光線を照射されるＬＳＩパタ
ーンマスクと、該ＬＳＩパターンマスクを透過した光線
を半導体基板上に縮小結像するレンズとを有するもので
ある。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の第１の実施例を示す光学的原理図であ
る。
る。
図において、本実施例ではハロゲンランプ１を光源に用
い、その光源に含まれる赤外線を利用している。すなわ
ち、本実施例はハロゲンランプ１を発した光線は光線照
射経路６に従って進み、先ず集光レンズ２によって平行
光線化され光エネルギーが以後有効に利用できるように
しておく１次に、その平行光線をＬＳＩパターンマスク
３の表面に垂直に照射させると、ＬＳＩパターンマスク
３の表面上の透明部分に照射した光線のみが透過し、そ
れ以外の光線はさえぎられる０次に、その透過光は結像
レンズ４によって半導体基板５の表面上に結像される。
い、その光源に含まれる赤外線を利用している。すなわ
ち、本実施例はハロゲンランプ１を発した光線は光線照
射経路６に従って進み、先ず集光レンズ２によって平行
光線化され光エネルギーが以後有効に利用できるように
しておく１次に、その平行光線をＬＳＩパターンマスク
３の表面に垂直に照射させると、ＬＳＩパターンマスク
３の表面上の透明部分に照射した光線のみが透過し、そ
れ以外の光線はさえぎられる０次に、その透過光は結像
レンズ４によって半導体基板５の表面上に結像される。
このとき、ＬＳＩパターンマスク３の表面に描かれたパ
ターンのうちの透明部分に対応する半導体基板５の結像
の部分のみが光線の照射部分となるので、この部分がＬ
ＳＩの素子形成上で加熱が必要となる部分に該当するよ
うにＬＳＩパターンマスク５を形成しておき、さらにＬ
ＳＩパターンマスク３に対する半導体基板５の結像の縮
小率を十分な大きさの比率にしておけば、−ｆｉ的な容
量のハロゲンランプによって半導体基板５の必要な箇所
を局所的に加熱することができる。
ターンのうちの透明部分に対応する半導体基板５の結像
の部分のみが光線の照射部分となるので、この部分がＬ
ＳＩの素子形成上で加熱が必要となる部分に該当するよ
うにＬＳＩパターンマスク５を形成しておき、さらにＬ
ＳＩパターンマスク３に対する半導体基板５の結像の縮
小率を十分な大きさの比率にしておけば、−ｆｉ的な容
量のハロゲンランプによって半導体基板５の必要な箇所
を局所的に加熱することができる。
又、半導体基板５の表面に多数のＬＳＩチップが加工さ
れている場合、それらの各チップの全てを加熱するため
には１つのチップの加熱が終了し、次に他のチップの加
熱を行うには半導体基板５をその表面方向に前後、左右
に移動させれば良い。
れている場合、それらの各チップの全てを加熱するため
には１つのチップの加熱が終了し、次に他のチップの加
熱を行うには半導体基板５をその表面方向に前後、左右
に移動させれば良い。
尚、本実施例の光学的原理はフォトリングラフィ工程で
通常使われている縮小投影露光装置のものを半導体基板
の加熱に応用したものである。
通常使われている縮小投影露光装置のものを半導体基板
の加熱に応用したものである。
（実施例２）
第２図は本発明の第２の実施例を示す光学的原理図であ
る。
る。
本実施例は光源としてレーザー発振器１を用いたもので
ある。レーザー光線は通常ビーム状で放射されるため、
発散レンズ７によって面状の広がりをもなせている。
ある。レーザー光線は通常ビーム状で放射されるため、
発散レンズ７によって面状の広がりをもなせている。
以上説明したように本発明はＬＳＩチップ上で加熱すべ
き箇所に対応する部分のみを光透過可能としたＬＳＩパ
ターンマスク全面にハロゲンランプ光線やレーザー光線
等を照射し、その透過光を半導体基板上に結像させるこ
とによってその半導体基板上のＬＳＩチップの加熱必要
箇所のみを加熱することができる。従って、この加熱法
を用いれば、ＬＳＩチップの極めて小さな部分を局所的
に加熱できるようになるので、素子形成のための不純物
熱拡散等を局所に限定して行うことが可能となり、ＬＳ
Ｉチップ加工の微細化をより向上できる効果がある。
き箇所に対応する部分のみを光透過可能としたＬＳＩパ
ターンマスク全面にハロゲンランプ光線やレーザー光線
等を照射し、その透過光を半導体基板上に結像させるこ
とによってその半導体基板上のＬＳＩチップの加熱必要
箇所のみを加熱することができる。従って、この加熱法
を用いれば、ＬＳＩチップの極めて小さな部分を局所的
に加熱できるようになるので、素子形成のための不純物
熱拡散等を局所に限定して行うことが可能となり、ＬＳ
Ｉチップ加工の微細化をより向上できる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示す光学的原理図、第
２図は本発明の第２の実施例を示す光学的原理図である
。 １・・・ハロゲンランプ ２・・・集光レンズ３・・
・ＬＳＩパターンマスク ４・・・結像レンズ ５・・・半導体基板７・・
・発散レンズ 第２図
２図は本発明の第２の実施例を示す光学的原理図である
。 １・・・ハロゲンランプ ２・・・集光レンズ３・・
・ＬＳＩパターンマスク ４・・・結像レンズ ５・・・半導体基板７・・
・発散レンズ 第２図
Claims (1)
- （１）レーザー光線又は赤外光線からなる光源と、該光
源から発した光線を照射されるＬＳＩパターンマスクと
、該ＬＳＩパターンマスクを透過した光線を半導体基板
上に縮小結像するレンズとを有することを特徴とする半
導体基板の加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1143237A JPH038324A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 半導体基板の加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1143237A JPH038324A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 半導体基板の加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038324A true JPH038324A (ja) | 1991-01-16 |
Family
ID=15334089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1143237A Pending JPH038324A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 半導体基板の加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH038324A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004006876A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-01-08 | Nec Corp | 半導体薄膜形成装置 |
-
1989
- 1989-06-06 JP JP1143237A patent/JPH038324A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004006876A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-01-08 | Nec Corp | 半導体薄膜形成装置 |
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