JPH038388A - 精密細線回路用基板の製造方法 - Google Patents
精密細線回路用基板の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、異方性溶融相を形成し得る溶融加工性ポリエ
ステル（以後単に「液晶性ポリエステル」と略す）樹脂
組成物を用いて成形してなるサブトラクティブ法による
精密細線回路が形成可能な基板の表面金属被覆処理法と
その処理法により得られる基板に関する。
ステル（以後単に「液晶性ポリエステル」と略す）樹脂
組成物を用いて成形してなるサブトラクティブ法による
精密細線回路が形成可能な基板の表面金属被覆処理法と
その処理法により得られる基板に関する。
更に詳しくは、サブトラクティブ法による精密細線回路
形成用基板として耐熱性、成形加工性に優れた液晶性ポ
リエステル樹脂組成物を用いて成形した基板に、効率よ
く表面金属被覆処理する方法とその方法により作成され
た基板に関する。
形成用基板として耐熱性、成形加工性に優れた液晶性ポ
リエステル樹脂組成物を用いて成形した基板に、効率よ
く表面金属被覆処理する方法とその方法により作成され
た基板に関する。
液晶性ポリエステルは、一般に知られている熱可塑性ポ
リエステル、例えばポリブチレンテレフタレート、ポリ
エチレンテレフタレートと異なり、剛直な高分子よりな
り、溶融状態でも分子鎖は折れ曲がり難く棒状を保って
いるため、溶融時に分子の絡み合いが少なく、僅かな剪
断応力を受けるだけで一方向に配向し、液状でも結晶性
を示すいわゆる液晶性を示す。
リエステル、例えばポリブチレンテレフタレート、ポリ
エチレンテレフタレートと異なり、剛直な高分子よりな
り、溶融状態でも分子鎖は折れ曲がり難く棒状を保って
いるため、溶融時に分子の絡み合いが少なく、僅かな剪
断応力を受けるだけで一方向に配向し、液状でも結晶性
を示すいわゆる液晶性を示す。
斯かる液晶性ポリエステルは一般に行われている射出成
形加工法を適用することができ、成形加工性、耐熱性、
寸法安定性等に優れる利点を有するが、成形された基板
の表面は強い配向のため表層部は剥離し毛羽立ちを生じ
易く、そのままでは真空蒸着、イオンプレーティング、
スパッタリング等の２次加工ができない。
形加工法を適用することができ、成形加工性、耐熱性、
寸法安定性等に優れる利点を有するが、成形された基板
の表面は強い配向のため表層部は剥離し毛羽立ちを生じ
易く、そのままでは真空蒸着、イオンプレーティング、
スパッタリング等の２次加工ができない。
そこで、従来一般の樹脂に用いられている様な薬品によ
る表面粗面化処理を前処理として行うことが考えられる
が、表面は化学的には極めて不活性で親和性のある適切
な溶剤がなく、表層の配向層を取り除き表面を粗面化す
ることができない。そこで液晶性ポリエステル樹脂の強
い配向性を弱めるための無機フィラーや易溶出性添加剤
を加えて、強酸や強アルカリ溶液により表面を粗化する
ことが考えられる。然しなから、この方法でエツチング
した基板の全表面に金属被覆を無電解メツキ等により形
成せしめても、高い密着力を得ようとすれば、表面粗度
を上げていく必要があり、この場合は全面的に金属被覆
された基板表面の凹凸のために、回路パターン形成のた
めのレジストインキの輪郭部がボケたり、インキの未着
部ができ、又パターンの形成されるドライフィルムによ
るパターン貼付は法においてはフィルムの基板に対する
密着性に劣る。更に粗度の大きな面への金属被覆は膜厚
が均一にならず、サブトラクティブ法では精密細線回路
を形成することは困難である。
る表面粗面化処理を前処理として行うことが考えられる
が、表面は化学的には極めて不活性で親和性のある適切
な溶剤がなく、表層の配向層を取り除き表面を粗面化す
ることができない。そこで液晶性ポリエステル樹脂の強
い配向性を弱めるための無機フィラーや易溶出性添加剤
を加えて、強酸や強アルカリ溶液により表面を粗化する
ことが考えられる。然しなから、この方法でエツチング
した基板の全表面に金属被覆を無電解メツキ等により形
成せしめても、高い密着力を得ようとすれば、表面粗度
を上げていく必要があり、この場合は全面的に金属被覆
された基板表面の凹凸のために、回路パターン形成のた
めのレジストインキの輪郭部がボケたり、インキの未着
部ができ、又パターンの形成されるドライフィルムによ
るパターン貼付は法においてはフィルムの基板に対する
密着性に劣る。更に粗度の大きな面への金属被覆は膜厚
が均一にならず、サブトラクティブ法では精密細線回路
を形成することは困難である。
また、配向性だけを改良した基板に直接真空蒸着、スパ
ッタリング、イオンプレーティング等により金属皮膜を
形成した場合は、平滑な表面は得られても皮膜の密着力
は高くなく、実用に供し得なかった。特に、一般の熱可
塑性樹脂では真空蒸着、スパッタリング、イオンプレー
ティングを行う際の真空中での素材からの発生ガスが多
く、良好な性能を持った金属皮膜を樹脂の上に強固に密
着させることが出来なかった。
ッタリング、イオンプレーティング等により金属皮膜を
形成した場合は、平滑な表面は得られても皮膜の密着力
は高くなく、実用に供し得なかった。特に、一般の熱可
塑性樹脂では真空蒸着、スパッタリング、イオンプレー
ティングを行う際の真空中での素材からの発生ガスが多
く、良好な性能を持った金属皮膜を樹脂の上に強固に密
着させることが出来なかった。
液晶性ポリエステルはこのような発生ガスの問題は少な
いが、そのままでは前記理由により良好な密着力を持っ
た金属膜の形成ができない。
いが、そのままでは前記理由により良好な密着力を持っ
た金属膜の形成ができない。
また、例えば酸又はアルカリ易溶性無機フィラーを添加
して酸又はアルカリでエツチングした後、常法で無電解
メツキして全面金属被覆処理した基板上にサブトラクテ
ィブ法で精密細線回路を形成しようとしても、従来の回
路はＬｉｎｅ幅０．３０ｍｍ、 ５ｐａｃｅ幅０．３
９ｍｍが限界であり、しかも細線化のため表面粗度を改
善していくと被膜の密着力が低くなり、実用に供し得な
かったのである。
して酸又はアルカリでエツチングした後、常法で無電解
メツキして全面金属被覆処理した基板上にサブトラクテ
ィブ法で精密細線回路を形成しようとしても、従来の回
路はＬｉｎｅ幅０．３０ｍｍ、 ５ｐａｃｅ幅０．３
９ｍｍが限界であり、しかも細線化のため表面粗度を改
善していくと被膜の密着力が低くなり、実用に供し得な
かったのである。
尚、ここでＬｉｎｅ幅とは回路−本の幅、５ｐａｃｅ幅
とは隣合う回路間の間隔を示す。
とは隣合う回路間の間隔を示す。
一方、液晶性ポリエステルは、一般金属の熱線膨張係数
に匹敵す・る低い線膨張係数を示し、耐熱的には２６０
℃のハンダ浴に１０秒間浸漬しても異常を生じない等の
特徴を有し、この特性を生かして、接着剤により金属と
接合した部品やメツキを付与した基板の用途を目的とし
て前記表面特性を改善した表面金属処理方法が求められ
ていたが、未だ満足のいく方法は知られていない。
に匹敵す・る低い線膨張係数を示し、耐熱的には２６０
℃のハンダ浴に１０秒間浸漬しても異常を生じない等の
特徴を有し、この特性を生かして、接着剤により金属と
接合した部品やメツキを付与した基板の用途を目的とし
て前記表面特性を改善した表面金属処理方法が求められ
ていたが、未だ満足のいく方法は知られていない。
本発明者等は、この様な液晶性ポリエステルの熱的に有
益な特徴を生かし、物理的・化学的性質を損なうことな
しに剥離し易い表層を発生させず、基板表面に密着性の
良好な金属膜を付与してサブトラクティブ法で精密細線
回路形成が可能となる基板の製造方法について鋭意研究
した結果、液晶性ポリエステルに無機充填材を含有せし
めた組成物からなる成形品を真空槽内で特定温度に加熱
しながら成形品のガス抜きを行うと同時に表層部の硬度
をできるだけ下げた状態でスパッタリング、イオンプレ
ーティング又は真空蒸着の何れかの方法により表面金属
処理することにより、強固な密着性を持つ金属膜の形成
が可能であり、サブトラクティブ法により従来よりも極
めて精密な細線回路の形成が出来ることを見出し、本発
明を完成するに至った。
益な特徴を生かし、物理的・化学的性質を損なうことな
しに剥離し易い表層を発生させず、基板表面に密着性の
良好な金属膜を付与してサブトラクティブ法で精密細線
回路形成が可能となる基板の製造方法について鋭意研究
した結果、液晶性ポリエステルに無機充填材を含有せし
めた組成物からなる成形品を真空槽内で特定温度に加熱
しながら成形品のガス抜きを行うと同時に表層部の硬度
をできるだけ下げた状態でスパッタリング、イオンプレ
ーティング又は真空蒸着の何れかの方法により表面金属
処理することにより、強固な密着性を持つ金属膜の形成
が可能であり、サブトラクティブ法により従来よりも極
めて精密な細線回路の形成が出来ることを見出し、本発
明を完成するに至った。
即ち本発明は
異方性溶融相を形成しろる溶融加工性ポリエステル（液
晶性ポリエステル）に無機充填材を含有せしめてなる液
晶性ポリエステル樹脂組成物を用いて成形してなる基板
を、真空槽内で基板の表面温度が６０℃以上となるよう
加熱しながらスパッタリング、イオンプレーティング又
は真空蒸着の何れかの方法により表面の金属被覆処理す
ることを特徴とするサブトラクティブ法により精密細線
回路形成可能な基板の製造方法を提供するものである。
晶性ポリエステル）に無機充填材を含有せしめてなる液
晶性ポリエステル樹脂組成物を用いて成形してなる基板
を、真空槽内で基板の表面温度が６０℃以上となるよう
加熱しながらスパッタリング、イオンプレーティング又
は真空蒸着の何れかの方法により表面の金属被覆処理す
ることを特徴とするサブトラクティブ法により精密細線
回路形成可能な基板の製造方法を提供するものである。
ここでいうサブトラクティブ法による回路形成法とは、
金属等の導電性材料よりなる基板の表面を全面的に被覆
又は積層した後、基板表面に回路設計に基づく導体パタ
ーンとして必要な部分をエツチングレジストである耐酸
性材料で被覆し、金属を溶解するエツチング液でエツチ
ングレジストが被覆されていない導体パターン部以外の
金属を溶解した後、エツチングレジストを薬品で剥離除
去して導体パターンを露出させ回路を形成する方法であ
る。
金属等の導電性材料よりなる基板の表面を全面的に被覆
又は積層した後、基板表面に回路設計に基づく導体パタ
ーンとして必要な部分をエツチングレジストである耐酸
性材料で被覆し、金属を溶解するエツチング液でエツチ
ングレジストが被覆されていない導体パターン部以外の
金属を溶解した後、エツチングレジストを薬品で剥離除
去して導体パターンを露出させ回路を形成する方法であ
る。
本発明で用いられる無機充填材とは、周期律表■族元素
及びその酸化物、硫酸塩、リン酸塩、珪酸塩、炭酸塩、
又はアルミニウム、珪素、スズ、鉛、アンチモン、ビス
マスの元素及びその酸化物からなる群より選ばれた１種
又は２種以上の微粉状無機充填材が好ましく、特に周期
律表■族元素の酸化物、硫酸塩、リン酸塩及び珪酸塩か
らなる群より選ばれる１種又は２種以上が好ましい。
及びその酸化物、硫酸塩、リン酸塩、珪酸塩、炭酸塩、
又はアルミニウム、珪素、スズ、鉛、アンチモン、ビス
マスの元素及びその酸化物からなる群より選ばれた１種
又は２種以上の微粉状無機充填材が好ましく、特に周期
律表■族元素の酸化物、硫酸塩、リン酸塩及び珪酸塩か
らなる群より選ばれる１種又は２種以上が好ましい。
周期律表■族の元素の酸化物とは、酸化マグネシウム、
酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化亜鉛等の如き化合
物であり、リン酸塩とはリン酸マグネシウム、リン酸カ
ルシウム、リン酸バリウム、リン酸亜鉛、ピロリン酸マ
グネシウム、ピロリン酸カルシウム等の如き化合物であ
り、硫酸塩とは硫酸マグネシウム、硫酸カルシウム、硫
酸バリウム等の化合物であり、珪酸塩とは珪酸マグネシ
ウム、珪酸カルシウム、珪酸アルミニウム、カオリン、
タルク、クレー、珪藻土、ウオラストナイト等の化合物
であり、特にリン酸塩が好適である。又、上記能にアル
ミニウム、珪素、スズ、鉛、アンチモン、ビスマスの元
素及びその酸化物からなる群より選ばれた１種又は２種
以上も好ましい。特に、亜鉛、アルミニウム、スズ、鉛
等の金属及びその金属の酸化物が好ましい。
酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化亜鉛等の如き化合
物であり、リン酸塩とはリン酸マグネシウム、リン酸カ
ルシウム、リン酸バリウム、リン酸亜鉛、ピロリン酸マ
グネシウム、ピロリン酸カルシウム等の如き化合物であ
り、硫酸塩とは硫酸マグネシウム、硫酸カルシウム、硫
酸バリウム等の化合物であり、珪酸塩とは珪酸マグネシ
ウム、珪酸カルシウム、珪酸アルミニウム、カオリン、
タルク、クレー、珪藻土、ウオラストナイト等の化合物
であり、特にリン酸塩が好適である。又、上記能にアル
ミニウム、珪素、スズ、鉛、アンチモン、ビスマスの元
素及びその酸化物からなる群より選ばれた１種又は２種
以上も好ましい。特に、亜鉛、アルミニウム、スズ、鉛
等の金属及びその金属の酸化物が好ましい。
これらの微粉状無機充填材の配合量は液晶性ポリエステ
ル樹脂組成物全量に対して５〜８０重量％、好ましくは
２０〜７０重量％である。５重量％未満では成形品表面
に不均質な流れマークが発生し、成形品表層は粘着テー
プを表面に貼り付は引き剥がすと容易に薄皮状の剥がれ
が生じる。一方、８０重量％を超えると樹脂の流動性が
低下し、表面の良好な成形品が得られず、同時に成形品
の機械的強度も低下してしまい好ましくない。又、無機
充填材は微粉状であるのが好ましく、その粒径は平均粒
径０．０１〜１００μｍの範囲、好ましくは０．１〜３
０μｍ、更に好ましくは０．５〜１０μｍが適切である
。０，０１μｍ未満では分散不良により成形品表面に凝
集塊が生じ易く、１００μｍを超えると成形品の平滑性
が悪くなり、サブトラクティブ法による精密回路形成の
ための細線化が極めて困難となり、更に良い外観が得ら
れない。
ル樹脂組成物全量に対して５〜８０重量％、好ましくは
２０〜７０重量％である。５重量％未満では成形品表面
に不均質な流れマークが発生し、成形品表層は粘着テー
プを表面に貼り付は引き剥がすと容易に薄皮状の剥がれ
が生じる。一方、８０重量％を超えると樹脂の流動性が
低下し、表面の良好な成形品が得られず、同時に成形品
の機械的強度も低下してしまい好ましくない。又、無機
充填材は微粉状であるのが好ましく、その粒径は平均粒
径０．０１〜１００μｍの範囲、好ましくは０．１〜３
０μｍ、更に好ましくは０．５〜１０μｍが適切である
。０，０１μｍ未満では分散不良により成形品表面に凝
集塊が生じ易く、１００μｍを超えると成形品の平滑性
が悪くなり、サブトラクティブ法による精密回路形成の
ための細線化が極めて困難となり、更に良い外観が得ら
れない。
又、無機充填材として繊維状無機物も好ましく、繊維状
無機物単独で、若しくは上記微粉状無機充填材と組み合
わせて使用される。
無機物単独で、若しくは上記微粉状無機充填材と組み合
わせて使用される。
ｔａ維状状無機物しては、ガラス繊維、ミルドガラスフ
ァイバー、炭素繊維、アスベスト繊維、シリカ繊維、シ
リカ・アルミナ繊維、アルミナ繊維、ジルコニア繊維、
窒化硼素￥ａＰ４、塑化珪素繊維、硼素繊維、チタン酸
カリウム繊維、更にステンレス、アルミニウム、チタン
、銅、真鍮等の金属の繊維状物などの無機繊維状物質が
挙げられる。又、その形状としては、直径１〜３０μｍ
１長さ５μｍ〜１ｍｍ 、特に１０μｍ〜１００μｍの
範囲にあるものが好ましい。
ァイバー、炭素繊維、アスベスト繊維、シリカ繊維、シ
リカ・アルミナ繊維、アルミナ繊維、ジルコニア繊維、
窒化硼素￥ａＰ４、塑化珪素繊維、硼素繊維、チタン酸
カリウム繊維、更にステンレス、アルミニウム、チタン
、銅、真鍮等の金属の繊維状物などの無機繊維状物質が
挙げられる。又、その形状としては、直径１〜３０μｍ
１長さ５μｍ〜１ｍｍ 、特に１０μｍ〜１００μｍの
範囲にあるものが好ましい。
特に好ましく用いられる繊維状無機物はガラス繊維であ
り、その配合量は成形品組成物の全重量に対し、１〜６
０重量％の範囲であり、好ましくは５〜４０重量％であ
る。特にガラスｍ維を前記微粉状無機充填材に組み合わ
せると、予想に反し成形品の表面は一層均一化して、成
形品上に導電性回路を形成するためのメツキの密着力が
向上することが見出された。表面粗度と材料の機械的物
性のバランスの面からガラス繊維と微粉状ガラスの中間
に当たるミルドガラスファイバーが特に好ましい。
り、その配合量は成形品組成物の全重量に対し、１〜６
０重量％の範囲であり、好ましくは５〜４０重量％であ
る。特にガラスｍ維を前記微粉状無機充填材に組み合わ
せると、予想に反し成形品の表面は一層均一化して、成
形品上に導電性回路を形成するためのメツキの密着力が
向上することが見出された。表面粗度と材料の機械的物
性のバランスの面からガラス繊維と微粉状ガラスの中間
に当たるミルドガラスファイバーが特に好ましい。
ただし、前記無機充填材と併用無機物との総配合量が成
形品組成物中の８５重量％を越えることは成形加工性及
び各種の物性面から好ましくない。
形品組成物中の８５重量％を越えることは成形加工性及
び各種の物性面から好ましくない。
本発明における表面金属被覆処理法とは、真空系を用い
た乾式金属被覆法のことで、具体的には、スパッタリン
グ、イオンプレーティング又は真空蒸着の何れかの方法
により樹脂成形基板に直接金属膜を付与する方法をいう
。また、本発明では特に樹脂成形品を６０℃以上の温度
に加熱することを必須条件とし、加熱温度は望ましくは
１５０℃以上である。但し、成形品が軟化変形すること
を避けるため２７０℃以下にとどめるのが好ましい。
た乾式金属被覆法のことで、具体的には、スパッタリン
グ、イオンプレーティング又は真空蒸着の何れかの方法
により樹脂成形基板に直接金属膜を付与する方法をいう
。また、本発明では特に樹脂成形品を６０℃以上の温度
に加熱することを必須条件とし、加熱温度は望ましくは
１５０℃以上である。但し、成形品が軟化変形すること
を避けるため２７０℃以下にとどめるのが好ましい。
好ましい温度条件は表面金属被覆処理法によっても多少
異なり、スパッタリングにおいては１５０〜２５０℃、
イオンプレーティングにおいては６０〜２００℃、真空
蒸着においては２００〜２５０℃である。
異なり、スパッタリングにおいては１５０〜２５０℃、
イオンプレーティングにおいては６０〜２００℃、真空
蒸着においては２００〜２５０℃である。
本発明に使用する液晶性ポリエステルは、他の材料に比
べて真空槽内でのガスの発生が少ないのが特徴であり、
そのままでもスパッタリング、イオンプレーティング又
は真空蒸着等の方法により良好な密着性をもった金属薄
膜を得るが、加熱することにより、樹脂成形品から発生
するガスを取り除き、高温にすることによる樹脂表面硬
度の低下を利用して、金属原子の樹脂表面への付着を一
層改良できる。尚、上記表面金属処理は、槽内を１０′
″Ｓ〜１０−’Ｔｏｒｒの真空条件下にして行うのが望
ましい。
べて真空槽内でのガスの発生が少ないのが特徴であり、
そのままでもスパッタリング、イオンプレーティング又
は真空蒸着等の方法により良好な密着性をもった金属薄
膜を得るが、加熱することにより、樹脂成形品から発生
するガスを取り除き、高温にすることによる樹脂表面硬
度の低下を利用して、金属原子の樹脂表面への付着を一
層改良できる。尚、上記表面金属処理は、槽内を１０′
″Ｓ〜１０−’Ｔｏｒｒの真空条件下にして行うのが望
ましい。
前記の通り、従来の回路はＬｉｎｅ幅０．３０ｆｆ１ｍ
Ｓｓｐａｃｅ幅０．３０ｍ１ｌｌが限界であったが、本
発明の表面金属処理法により回路幅はＬｉｎｅ幅０．２
５ｍｍ以下、５ｐａｃｅ幅０．２５ｍｍ以下の細線化が
可能となり、かつ回路の密着力もあり、サブトラクティ
ブ法による精密細線回路の形成ができるようになった。
Ｓｓｐａｃｅ幅０．３０ｍ１ｌｌが限界であったが、本
発明の表面金属処理法により回路幅はＬｉｎｅ幅０．２
５ｍｍ以下、５ｐａｃｅ幅０．２５ｍｍ以下の細線化が
可能となり、かつ回路の密着力もあり、サブトラクティ
ブ法による精密細線回路の形成ができるようになった。
本発明の液晶性ポリエステルとは、溶融加工性ポリエス
テルで、溶融状態でポリマー分子鎖が規則的な平行配列
をとる性質を有している。
テルで、溶融状態でポリマー分子鎖が規則的な平行配列
をとる性質を有している。
分子がこのように配列した状態をしばしば液晶状態また
は液晶性物質のネマチック相という。
は液晶性物質のネマチック相という。
このようなポリマー分子は、一般に細長く、偏平で、分
子の長軸に沿ってかなり剛性が高く、普通は同軸または
平行のいずれかの関係にある複数の連鎖伸長結合を有し
ているようなポリマーからなる。
子の長軸に沿ってかなり剛性が高く、普通は同軸または
平行のいずれかの関係にある複数の連鎖伸長結合を有し
ているようなポリマーからなる。
異方性溶融相の性質は、直交偏光子を利用した慣用の偏
光検査法により確認することができる。より具体的には
、異方性溶融相の確認は、１ｅｉｔｚ偏光顕微鏡を使用
し、Ｌｅｉｔｚホットステージにのせた溶融試料を窒素
雰囲気下で４０倍の倍率で観察することにより実施でき
る。本発明のポリマーは直交偏光子の間で検査したとき
にたとえ溶融静止状態であっても偏光は透過し、光学的
に異方性を示す。
光検査法により確認することができる。より具体的には
、異方性溶融相の確認は、１ｅｉｔｚ偏光顕微鏡を使用
し、Ｌｅｉｔｚホットステージにのせた溶融試料を窒素
雰囲気下で４０倍の倍率で観察することにより実施でき
る。本発明のポリマーは直交偏光子の間で検査したとき
にたとえ溶融静止状態であっても偏光は透過し、光学的
に異方性を示す。
本発明に使用するのに適した液晶性ポリマーは、一般溶
剤には実質的に不溶である傾向を示し、したがって溶液
加工には不向きである。しかし、既に述べたように、こ
れらのポリマーは普通の溶融加工法により容易に加工す
ることができる。
剤には実質的に不溶である傾向を示し、したがって溶液
加工には不向きである。しかし、既に述べたように、こ
れらのポリマーは普通の溶融加工法により容易に加工す
ることができる。
本発明で用いられる異方性溶融相を示すポリマーは、芳
香族ポリエステル及び芳香族ポリエステルアミドが好ま
しく、芳香族ポリエステル及び芳香族ポリエステルアミ
ドを同一分子鎖中に部分的に含むポリエステルも好まし
い例である。
香族ポリエステル及び芳香族ポリエステルアミドが好ま
しく、芳香族ポリエステル及び芳香族ポリエステルアミ
ドを同一分子鎖中に部分的に含むポリエステルも好まし
い例である。
特に好ましくは、芳香族ヒドロキシルカルボン酸、芳香
族ヒドロキシルアミン、芳香族ジアミンの群から選ばれ
た少なくとも１種以上の化合物を構成成分として有する
液晶性芳香族ポリエステル、液晶性芳香族ポリエステル
アミドである。
族ヒドロキシルアミン、芳香族ジアミンの群から選ばれ
た少なくとも１種以上の化合物を構成成分として有する
液晶性芳香族ポリエステル、液晶性芳香族ポリエステル
アミドである。
より具体的には、
１） 主として芳香族ヒドロキシカルボン酸及びその誘
導体の１種又は２種以上からなるポリエステル ２） 主として ａ）芳香族ヒドロキシカルボン酸及びその誘導体の１種
又は２種以上と ｂ）芳香族ジカルボン酸、脂環族ジカルボン酸及びその
誘導体の１種又は２種以上と Ｃ）芳香族ジオール、脂環族ジオール、脂肪族ジオール
及びその誘導体の少なくとも１種又は２種以上とからな
るポリエステル ３） 主として ａ）芳香族ヒドロキシカルボン酸及びその誘導体の１種
又は２種以上と ｂ）芳香族ヒドロキシアミン、芳香族ジアミン及びその
誘導体の１種又は２種以上と Ｃ）芳香族ジカルボン酸、脂環族ジカルボン酸及びその
誘導体の１種又は２種以上とからなるポリエステルアミ
ド ４） 主として ａ）芳香族ヒドロキシカルボン酸及びその誘導体の１種
又は２種以上と ｂ）芳香族ヒドロキシアミン、芳香族ジアミン及びその
誘導体の１種又は２種以上と Ｃ）芳香族ジカルボン酸、脂環族ジカルボン酸及びその
誘導体の１種又は２種以上と ｄ）芳香族ジオーノペ脂環族ジオール、脂肪族ジオール
及びその誘導体の少なくとも１種又は２種以上とからな
るポリエステルアミドが挙げられる。
導体の１種又は２種以上からなるポリエステル ２） 主として ａ）芳香族ヒドロキシカルボン酸及びその誘導体の１種
又は２種以上と ｂ）芳香族ジカルボン酸、脂環族ジカルボン酸及びその
誘導体の１種又は２種以上と Ｃ）芳香族ジオール、脂環族ジオール、脂肪族ジオール
及びその誘導体の少なくとも１種又は２種以上とからな
るポリエステル ３） 主として ａ）芳香族ヒドロキシカルボン酸及びその誘導体の１種
又は２種以上と ｂ）芳香族ヒドロキシアミン、芳香族ジアミン及びその
誘導体の１種又は２種以上と Ｃ）芳香族ジカルボン酸、脂環族ジカルボン酸及びその
誘導体の１種又は２種以上とからなるポリエステルアミ
ド ４） 主として ａ）芳香族ヒドロキシカルボン酸及びその誘導体の１種
又は２種以上と ｂ）芳香族ヒドロキシアミン、芳香族ジアミン及びその
誘導体の１種又は２種以上と Ｃ）芳香族ジカルボン酸、脂環族ジカルボン酸及びその
誘導体の１種又は２種以上と ｄ）芳香族ジオーノペ脂環族ジオール、脂肪族ジオール
及びその誘導体の少なくとも１種又は２種以上とからな
るポリエステルアミドが挙げられる。
更に上記の構成成分に必要に応じ分子量調整剤を併用し
ても良い。
ても良い。
本発明の液晶性ポリエステルを構成する具体的化合物の
好ましい例は、２，６−ナフタレンジカルボン酸、２，
６−ジヒドロキシナフタレン、１．４−ジヒドロキシナ
フタレン及び６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフ
タレン化合物、４．４°−ジフェニルジカルボン酸、４
．４’−ジヒドロキシビフェニル等のビフェニル化合物
、下記一般式（Ｉ）、（ｎ）又は （ＩＩＩ）で表わされる化合物： （但し、ｘ：アルキレン（Ｃ，〜Ｃ４）、アルキリデン
、−Ｏ−−５Ｏ−１−ＳＯ，−−５ −ＣＤ−より選ばれる基 Ｙニー（［’Ｈ２）、−（ｎ＝１〜４）、−０（［’）
１．）、０（ｎ＝１〜４）より選ばれる基） ｐ−ヒドロキシ安息香酸、テレフタル酸、ハイドロキノ
ン、ｐ−アミノフェノール及びｐ−フェニレンジアミン
等のパラ位置換のベンゼン化合物及びそれらの核置換ベ
ンゼン化合物（置換基は塩素、臭素、メチル、フェニル
、１−フェニルエチルより選ばれる）、イソフタル酸、
レゾルシン等のメタ位置換のベンゼン化合物である。
好ましい例は、２，６−ナフタレンジカルボン酸、２，
６−ジヒドロキシナフタレン、１．４−ジヒドロキシナ
フタレン及び６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフ
タレン化合物、４．４°−ジフェニルジカルボン酸、４
．４’−ジヒドロキシビフェニル等のビフェニル化合物
、下記一般式（Ｉ）、（ｎ）又は （ＩＩＩ）で表わされる化合物： （但し、ｘ：アルキレン（Ｃ，〜Ｃ４）、アルキリデン
、−Ｏ−−５Ｏ−１−ＳＯ，−−５ −ＣＤ−より選ばれる基 Ｙニー（［’Ｈ２）、−（ｎ＝１〜４）、−０（［’）
１．）、０（ｎ＝１〜４）より選ばれる基） ｐ−ヒドロキシ安息香酸、テレフタル酸、ハイドロキノ
ン、ｐ−アミノフェノール及びｐ−フェニレンジアミン
等のパラ位置換のベンゼン化合物及びそれらの核置換ベ
ンゼン化合物（置換基は塩素、臭素、メチル、フェニル
、１−フェニルエチルより選ばれる）、イソフタル酸、
レゾルシン等のメタ位置換のベンゼン化合物である。
又、本発明に使用される液晶性ポリエステルは、上述の
構成成分の他に同一分子鎖中に部分的に異方性溶融相を
示さないポリアルキレンテレフタレートであってもよい
。この場合のアルキル基の炭素数は２乃至４である。
構成成分の他に同一分子鎖中に部分的に異方性溶融相を
示さないポリアルキレンテレフタレートであってもよい
。この場合のアルキル基の炭素数は２乃至４である。
上述の構成成分の内、ナフタレン化合物、ビフェニル化
合物、パラ位置換ベンゼン化合物より選ばれる１種若し
くは２種以上の化合物を必須の構成成分として含むもの
が更に好ましい例である。又、ｐ−位置換ベンゼン化合
物の内、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、メチルハイドロキノ
ン及び１−フェニルエチルハイドロキノンは特に好まし
い例である。
合物、パラ位置換ベンゼン化合物より選ばれる１種若し
くは２種以上の化合物を必須の構成成分として含むもの
が更に好ましい例である。又、ｐ−位置換ベンゼン化合
物の内、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、メチルハイドロキノ
ン及び１−フェニルエチルハイドロキノンは特に好まし
い例である。
構成成分となるエステル形成性の官能基を有する化合物
の具体例及び本発明で用いられるのに好ましい異方性溶
融相を形成するポリエステルの具体例については特公昭
６３−３６６３３号公報に記載されている。
の具体例及び本発明で用いられるのに好ましい異方性溶
融相を形成するポリエステルの具体例については特公昭
６３−３６６３３号公報に記載されている。
本発明で用いるのに好適な液晶性ポリエステルは一般に
重量平均分子量が約２．０００〜２００．０００、好ま
しくは約１０．０００〜５０．０００、特に好ましくは
約２０．０００〜２５．０００である。一方、好適な芳
香族ポリエステルアミドは一般に分子量が約５．０００
〜５０．０００、好ましくは約１０．０００〜３０．０
００、例えば１５．０００〜１７．０００である。かか
る分子量の測定ハ、ケルパーミェーションクロマトグラ
フィーならびにその他のポリマーの溶液形成を伴わない
標準的測定法、たとえば圧縮成形フィルムについて赤外
分光法により末端基を定量することにより実施できる。
重量平均分子量が約２．０００〜２００．０００、好ま
しくは約１０．０００〜５０．０００、特に好ましくは
約２０．０００〜２５．０００である。一方、好適な芳
香族ポリエステルアミドは一般に分子量が約５．０００
〜５０．０００、好ましくは約１０．０００〜３０．０
００、例えば１５．０００〜１７．０００である。かか
る分子量の測定ハ、ケルパーミェーションクロマトグラ
フィーならびにその他のポリマーの溶液形成を伴わない
標準的測定法、たとえば圧縮成形フィルムについて赤外
分光法により末端基を定量することにより実施できる。
また、ペンタフルオロフェノール溶液にして光散乱法を
用いて分子量を測定することもできる。
用いて分子量を測定することもできる。
上記の芳香族ポリエステル及びポリエステルアミドはま
た、６０℃でペンタフルオロフェノールに０．１重量％
濃度で溶解したときに、少なくとも約２．０ｄｌ／ｇ
、たとえば約２．０〜１０．０ｄｌ／Ｈの対数粘度（１
，Ｖ、）を一般に示す。
た、６０℃でペンタフルオロフェノールに０．１重量％
濃度で溶解したときに、少なくとも約２．０ｄｌ／ｇ
、たとえば約２．０〜１０．０ｄｌ／Ｈの対数粘度（１
，Ｖ、）を一般に示す。
本発明においては、種々の特性を改良する目的で、上記
特定の無機充填材（微粉状無機充填材及び繊維状無機物
）に加え、更に他の各種の併用無機物を配合することが
できる。かかる併用無機物は機械的特性、耐熱性、寸法
安定性（耐変形、そり）等の性質に優れた基板を得るた
めには配合することが好ましく、これには目的に応じて
粉粒状、板状の併用無機物が用いられる。
特定の無機充填材（微粉状無機充填材及び繊維状無機物
）に加え、更に他の各種の併用無機物を配合することが
できる。かかる併用無機物は機械的特性、耐熱性、寸法
安定性（耐変形、そり）等の性質に優れた基板を得るた
めには配合することが好ましく、これには目的に応じて
粉粒状、板状の併用無機物が用いられる。
粉粒状無機物としては、カーボンブラック、黒鉛、シリ
カ、石英粉末、ガラスピーズ、ガラスバルーン、ガラス
粉、酸化鉄の如き金属の酸化物、その他フェライト、炭
化珪素、窒化珪素、窒化硼素等が挙げられる。
カ、石英粉末、ガラスピーズ、ガラスバルーン、ガラス
粉、酸化鉄の如き金属の酸化物、その他フェライト、炭
化珪素、窒化珪素、窒化硼素等が挙げられる。
又、板状無機物としては、マイカ、ガラスフレーク、各
種の金属箔等が挙げられる。
種の金属箔等が挙げられる。
これらの併用無機物は一種又は二種以上併用することが
できる。
できる。
前記無機充填材と併用無機物との総配合量が成形品組成
物中の８５重量％を越えることは成形加工性及び各種の
物性面から好ましくない。前記の無機充填材及び併用無
機物の使用にあたっては必要ならば収束剤又は表面処理
剤を使用することが望ましい。
物中の８５重量％を越えることは成形加工性及び各種の
物性面から好ましくない。前記の無機充填材及び併用無
機物の使用にあたっては必要ならば収束剤又は表面処理
剤を使用することが望ましい。
更に本発明の組成物は、本発明の範囲でその意図する目
的を損なわない程度に他の熱可塑性樹脂を補助的に添加
したものであってもよい。
的を損なわない程度に他の熱可塑性樹脂を補助的に添加
したものであってもよい。
この場合に使用する熱可塑性樹脂は特に限定されないが
、例を示すと、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリ
オレフィン、ポリアセタール（ホモ又はコポリマー）、
ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリアクリル酸エステ
ル、及びそれらの共重合体、ポリアミド、ポリカーボネ
ート、ＡＢＳ、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレ
ンスルフィド、フッ１ｔｌｌを挙１．ｆることができる
。またこれらの熱可塑性樹脂は２種以上混合して使用す
ることができる。
、例を示すと、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリ
オレフィン、ポリアセタール（ホモ又はコポリマー）、
ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリアクリル酸エステ
ル、及びそれらの共重合体、ポリアミド、ポリカーボネ
ート、ＡＢＳ、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレ
ンスルフィド、フッ１ｔｌｌを挙１．ｆることができる
。またこれらの熱可塑性樹脂は２種以上混合して使用す
ることができる。
更に一般の熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂に添加される
公知の物質、即ち、可塑剤、酸化防止剤や紫外線吸収剤
等の安定剤、帯電防止剤、表面処理剤、界面活性剤、難
燃剤、染料や顔料等の着色剤及び流動性や離型性の改善
のための滑剤、潤滑剤及び結晶化促進剤（核剤）等もそ
の目的とする要求性能に応じ適宜使用することができる
。
公知の物質、即ち、可塑剤、酸化防止剤や紫外線吸収剤
等の安定剤、帯電防止剤、表面処理剤、界面活性剤、難
燃剤、染料や顔料等の着色剤及び流動性や離型性の改善
のための滑剤、潤滑剤及び結晶化促進剤（核剤）等もそ
の目的とする要求性能に応じ適宜使用することができる
。
〔実 施 例］
以下実施例をあげて本発明を更に具体的に説明するが、
本発明はこれに限定されるものではない。
本発明はこれに限定されるものではない。
実施例１〜１４、比較例１〜６
後述の各種液晶性ポリエステル樹脂Ａ−Ｆと表−１に示
した充填材（重量％は対組成物全量に対する値を示す）
とを押出機による溶融混練方法により混線分散させベレ
ット化し、１４０℃で３時間乾燥した後、成形機により
１００〜１６０℃に温調された金型を用いて５Ｏｍｍ
Ｘ ７ Ｑｍｍ Ｘ ３ ｍｍの平板を成形した。
した充填材（重量％は対組成物全量に対する値を示す）
とを押出機による溶融混練方法により混線分散させベレ
ット化し、１４０℃で３時間乾燥した後、成形機により
１００〜１６０℃に温調された金型を用いて５Ｏｍｍ
Ｘ ７ Ｑｍｍ Ｘ ３ ｍｍの平板を成形した。
成形した平板（基板）について基板温度を変え、下記各
種方法により表面金属化処理を実施した。
種方法により表面金属化処理を実施した。
１） 真空蒸着：真空蒸着装置（日本真空技術製ＥＸ５
００）の真空槽内に成形した平板をセットし、真空槽内
を４ Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒまで真空化した。
００）の真空槽内に成形した平板をセットし、真空槽内
を４ Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒまで真空化した。
真空槽内に設けた成形品加熱用ハロゲンランプを用い、
成形品の表面温度が所定の温度になる様セットし、電子
ビーム法により金属銅を蒸発させ、基板の表面に金属銅
薄膜（ｌ］！ｉ！厚３〜５μｍ）を形成させた。蒸着後
基板を冷却した上で成形平板を取り出した。
成形品の表面温度が所定の温度になる様セットし、電子
ビーム法により金属銅を蒸発させ、基板の表面に金属銅
薄膜（ｌ］！ｉ！厚３〜５μｍ）を形成させた。蒸着後
基板を冷却した上で成形平板を取り出した。
２） スパッタリング：同様にスパッタリング装置（徳
山製作所製８ＥＳ）を用い、真空槽内を３ Ｘ １０−
’Ｔｏｒｒまで高真空化した後、アルゴンガスを流し、
平衡圧力が５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒになる様に設定し
た上、基板温度をハロゲンランプにより所定の温度に設
定した上で、基板の回転数１Ｏｒｐｍで回転させ、金属
銅ターゲットを用い、ターゲットから１００ｍｍの位置
になる様に基板にセットした成形品にスパッタリングを
行い、金属銅薄膜を形成させた。
山製作所製８ＥＳ）を用い、真空槽内を３ Ｘ １０−
’Ｔｏｒｒまで高真空化した後、アルゴンガスを流し、
平衡圧力が５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒになる様に設定し
た上、基板温度をハロゲンランプにより所定の温度に設
定した上で、基板の回転数１Ｏｒｐｍで回転させ、金属
銅ターゲットを用い、ターゲットから１００ｍｍの位置
になる様に基板にセットした成形品にスパッタリングを
行い、金属銅薄膜を形成させた。
３）イオンプレーティング：アーク放電型イオンプレー
ティング装置 ＡＩＦ−８５０３８（神港精機株式会社
）を用いて、真空槽内を３ Ｘ １Ｏ−８Ｔｏｒｒまで
高真空にした後、槽内にセットされた基板上の成形品を
所定の温度にセットした上へイオンプレーティングによ
り金属銅を薄膜形成させた。イオン化電流は１００ｍＡ
、蒸着速度は０．５μｍ／分のスピードで実施した。
ティング装置 ＡＩＦ−８５０３８（神港精機株式会社
）を用いて、真空槽内を３ Ｘ １Ｏ−８Ｔｏｒｒまで
高真空にした後、槽内にセットされた基板上の成形品を
所定の温度にセットした上へイオンプレーティングによ
り金属銅を薄膜形成させた。イオン化電流は１００ｍＡ
、蒸着速度は０．５μｍ／分のスピードで実施した。
表面金属処理された成形平板はそのままではピーリング
強さを測定できないため、処理後直ちに電気銅メツキを
実施し、膜厚３０〜４０μ山に形成させた後、５ｍｍ幅
の帯状になる様にナイフでカットし、ビーリング強さを
バネばかりにより測定した。引き剥がし速度は５０ｍｍ
／＋ｎｉｎとした。結果を表−１に示す。
強さを測定できないため、処理後直ちに電気銅メツキを
実施し、膜厚３０〜４０μ山に形成させた後、５ｍｍ幅
の帯状になる様にナイフでカットし、ビーリング強さを
バネばかりにより測定した。引き剥がし速度は５０ｍｍ
／＋ｎｉｎとした。結果を表−１に示す。
尚、実施例゛で使用した液晶性ポリエステルＡ−Ｆは下
記構成単位を有するものである。
記構成単位を有するものである。
＝６０／２０／２０
〔発明の効果〕
以上述べた様に、本発明の液晶性ポリエステル樹脂成形
品の表面金属処理法によれば、当該樹脂の表層剥離を容
易に起こさず、均一で緻密な表面構造を持ち、表面金属
膜の密着力を強め、これまでの熱可塑性樹脂では困難で
あった金属との熱膨張係数の差による高温剥離を生じる
こともなく、サブトラクティブ法によって精密で細線化
した回路形成（回路幅をＬｉｎｅ幅０．２５ｍｍ以下、
５ｐａｃｅ幅０．２５ｍｍ以下）が可能となり、ハンダ
浸漬（処理時間約１０秒）も可能となり、外装部品はも
とより、プリント配線基板を対象とした用途への展開が
可能となった。
品の表面金属処理法によれば、当該樹脂の表層剥離を容
易に起こさず、均一で緻密な表面構造を持ち、表面金属
膜の密着力を強め、これまでの熱可塑性樹脂では困難で
あった金属との熱膨張係数の差による高温剥離を生じる
こともなく、サブトラクティブ法によって精密で細線化
した回路形成（回路幅をＬｉｎｅ幅０．２５ｍｍ以下、
５ｐａｃｅ幅０．２５ｍｍ以下）が可能となり、ハンダ
浸漬（処理時間約１０秒）も可能となり、外装部品はも
とより、プリント配線基板を対象とした用途への展開が
可能となった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 異方性溶融相を形成しうる溶融加工性ポリエステル
（液晶性ポリエステル）に無機充填材を含有せしめてな
る液晶性ポリエステル樹脂組成物を用いて成形してなる
基板を、真空槽内で基板の表面温度が６０℃以上となる
よう加熱しながらスパッタリング、イオンプレーティン
グ又は真空蒸着の何れかの方法により表面金属被覆処理
することを特徴とするサブトラクティブ法により精密細
線回路形成可能な基板の製造方法。 ２ 無機充填材が周期律表II族元素及びその酸化物、硫
酸塩、リン酸塩、珪酸塩、炭酸塩、又はアルミニウム、
珪素、スズ、鉛、アンチモン、ビスマスの元素及びその
酸化物からなる群より選ばれた１種又は２種以上の微粉
状無機充填材であり、その配合量が組成物全重量に対し
て５〜８０重量％である請求項１記載の基板の製造方法
。 ３ 微粉状無機充填材が平均粒径０．０１〜１００μｍ
の範囲にある請求項２記載の基板の製造方法。 ４ 無機充填材が直径１〜３０μｍ、長さ５μｍ〜１ｍ
ｍの範囲にある繊維状無機物であり、その配合量が組成
物全重量に対して１〜６０重量％である請求項１記載の
基板の製造方法。 ５ 無機充填材が周期律表II族元素及びその酸化物、硫
酸塩、リン酸塩、珪酸塩、炭酸塩、又はアルミニウム、
珪素、スズ、鉛、アンチモン、ビスマスの元素及びその
酸化物からなる群より選ばれた１種又は２種以上の微粉
状無機充填材と繊維状無機物とを併用したものであり、
これらの総配合量が組成物全重量に対して８５重量％以
下である請求項１記載の基板の製造方法。 ６ 繊維状無機物がガラス繊維、ミルドガラスファイバ
ー又はチタン酸カリウム繊維である請求項４又は５記載
の基板の製造方法。 ７ 基板が射出成形、押出成形及び圧縮成形のうちから
選ばれる成形加工手段により成形されたものである請求
項１記載の基板の製造方法。 ８ 基板がピングリッドアレイ（ＰＧＡ）用又は成形プ
リント配線用基板である請求項１記載の基板の製造方法
。 ９ 基板が立体形状、フィルム状又はシート状である請
求項１記載の基板の製造方法。 １０ 請求項１〜９の何れかの製造方法により得られた
サブトラクティブ法により精密細線回路形成可能な基板
。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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