JPH0335585A - 精密細線回路用成形品の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、異方性溶融相を形成し得る溶融加工性ポリエ
ステル（以後単に「液晶性ポリエステル」と略す）樹脂
組成物を用いて成形してなるサブトラクティブ法による
精密な細線回路の形成が可能な成形品の表面金属被覆処
理法とその処理法により得られる成形品に関する。

更に詳しくは、サブトラクティブ法による精密な細線回
路形成用成形品として耐熱性、成形加工性に優れた液晶
性ポリエステル樹脂組成物を用いて成形した成形品に効
率よく表面金属被覆処理する方法とその方法により作成
された成形品に関する。

〔従来の技術とその課題〕

液晶性ポリエステルは、一般に知られている熱可塑性ポ
リエステル、例えばポリブチレンテレフタレート、ポリ
エチレンテレフタレートと異なり、剛直な高分子よりな
り、溶融状態でも分子鎖は折れ曲がり難く棒状を保って
いるため、溶融時に分子の絡み合いが少なく、僅かな剪
断応力を受けるだけで一方向に配向し、液状でも結晶性
を示すいわゆる液晶性を示す。

斯かる液晶性ポリエステルは一般に行われている射出成
形加工法を適用することができ、成形加工性、耐熱性、
寸法安定性等に優れる利点を有するが、成形された成形
品の表面は強い配向のため表層部は剥離し毛羽立ちを生
じ易く、そのままでは真空蒸着、イオンプレーティング
、スパッタリング等の表面加工ができない。

そこで、従来一般の樹脂に用いられている様な薬品によ
る表面粗面化処理を前処理として行うことが考えられる
が、表面は化学的には極めて不活性で親和性のある適切
な溶剤がなく、表層の配向層を取り除き表面を粗面化す
ることができない。そこで液晶性ポリエステル樹脂の強
い配向性を弱めるための無機フィラーや易溶出性添加剤
を加えて、強酸や強アルカリ溶液により表面を粗化する
ことが考えられる。然しなから、この方法でエツチング
した表面に導電性回路を無電解メツキによる湿式メツキ
等により形成せしめても、湿式工程で持ちこまれる水分
及び工程中の処理液中の不純物が取り込まれ、被覆され
た金属膜と素材の界面に脆い酸化被膜を形成することに
より金属被膜と素材との密着強さを減じてしまう。その
ため、高い密着力を得ようとすれば、表面粗度を上げて
いく必要があり、この場合は全面的に金属被覆された基
板表面の凹凸のために、回路パターン形成のためのレジ
ストインキの未着部ができ、またパターン形成の場合に
、ドライフィルムによるパターン貼付は法においてはフ
ィルムの基板に対する密着性に劣る。更に粗度の大きな
面への金属被覆は膜厚が均一にならず、サブトラクティ
ブ法では精密な細線回路を形成することは困難である。

また、配向性だけを改良した材料に直接真空蒸着、スパ
ッタリング、イオンプレーティング等により金属被膜を
形成した場合は、平滑な表面は得られても被膜の密着力
は弱く、実用に供し得なかった。特に、一般の熱可塑性
樹脂では真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティ
ングを行う際の真空中での素材からの発生ガスが多く、
良好な性能を持った金属被膜を樹脂の上に強固に密着さ
せることが出来なかった。液晶性ポリエステルはこのよ
うな発生ガスの問題は少ないが、そのままでは前記理由
により良好な密着力を持った金属膜の形成ができない。

また例えば酸又はアルカリ易溶性無機フィラーを添加し
て酸又はアルカリでエツチングした後、常法で無電解メ
ツキして全面金属被覆処理した基板上にサブトラクティ
ブ法で精密細線回路を形成しようとしても、従来の回路
はＬｉｎｅ幅０．３０ｍｍ、　　５ｐａｃｅ幅０．３９
ｍｍが限界であり、しかも細線化のため表面粗度を改善
していくと被膜の密着力が低くなり、実用に供し得なか
ったのである。

尚、ここでＬｉｎｅ幅とは回路−本の幅、５ｐａｃｅ幅
とは隣合う回路間の間隔を示す。

一方、液晶性ポリエステルは、一般の金属に匹敵する低
い線膨張係数を示し、耐熱的には２６０℃のハンダ浴に
１０秒間浸漬しても異常を生じない等の特徴を有し、こ
の特性を生かして、金属と接着、接合をさせた部品やメ
ツキを付与した成形品への用途を目的として前記表面特
性を改善した表面金属処理方法が求められていたが、未
だ満足のいく方法は知られていない。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者等は、この様な液晶性ポリエステルの熱的に有
益な特徴を生かし、物理的・化学的性質を損なうことな
しに剥離し易い表層を発生させず、表面に密着性の良好
な金属膜を付与し、サブトラクティブ法で精密な細線回
路の形成が可能な成形品の製造方法について鋭意研究し
た結果、液晶性ポリエステルに無機充填材を含有せしめ
た組成物からなる成形品を、予めエツチング処理を施し
た後、脱水乾燥し、次いでスパッタリング、イオンプレ
ーティング又は真空蒸着の何れかの方法により表面金属
被覆処理することにより、強固な密着性を持つ金属膜の
形成が可能であり、サブトラクティブ法により従来より
も極めて精密な細線回路の形成が出来ることを見出し、
本発明を完成するに至った。

即ち本発明は 異方性溶融相を形成しうる溶融加工性ポリエステル（液
晶性ポリエステル〉に無機充填材を含有せしめてなる液
晶性ポリエステル樹脂皿底物を用いて成形してなる成形
品を、エツチング処理後、スパッタリング、イオンプレ
ーティング又は真空蒸着の何れかの方法により表面金属
処理することを特徴とするサブトラクティブ法により精
密細線回路形成可能な成形品の製造方法を提供するもの
である。

ここでいうサブトラクティブ法による回路形成法とは、
成形品の表面を全面的に金属等の導電性材料により被覆
又は積層した後、成形品表面に回路設計に基づく導体パ
ターンとして必要な部分をエツチングレジストである耐
酸性材料で被覆し、エツチングレジストが被覆されてい
ない導体パターン部以外の金属を金属を溶解するエツチ
ング液で溶解した後、エツチングレジストを溶解除去し
て導体パターンを露出させ回路を形成する方法である。

本発明で用いられる無機充填材とは、周期律表■族元素
及びその酸化物、硫酸塩、リン酸塩、珪酸塩、炭酸塩、
又はアルミニウム、珪素、スズ、鉛、アンチモン、ビス
マスの元素及びその酸化物からなる群より選ばれた１種
又は２種以上のものが好ましく、特に周期律表■族元素
の酸化物、硫酸塩、リン酸塩及び珪酸塩からなる群より
選ばれる１種又は２種以上が好ましい。

周期律表■族の元素の酸化物とは、酸化マグネシウム、
酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化亜鉛等の如き化合
物であり、リン酸塩とはリン酸マグネシウム、リン酸カ
ルシウム、リン酸バリウム、リン酸亜鉛、ピロリン酸マ
グネシウム、ピロリン酸カルシウム等の如き化合物であ
り、硫酸塩とは硫酸マグネシウム、硫酸カルシウム、硫
酸バリウム等の化合物であり、珪酸塩とは珪酸マグネシ
ウム、珪酸カルシウム、珪酸アルミニウム、カオリン、
タルク、クレー、珪藻上、ウオラストナイト等の化合物
である。

これらの無機充填材は、特に表面金属処理を施す前に成
形品を酸又はアルカリにて処理（エツチング処理）する
場合の表面処理法に好ましく用いられ、特にリン酸塩が
好適である。又、上記性にアルミニウム、珪素、スズ、
鉛、アンチモン、ビスマスの元素及びその酸化物からな
る群より選ばれた１種又は２種以上も好ましい。

特に、亜鉛、アルミニウム、スズ、鉛等の両性金属及び
その金属の酸化物が好ましい。

これらの無機充填材の配合量は液晶性ポリエステル樹脂
組成物全量に対して５〜８０重量％、好ましくは２０〜
７０重量％である。５重量％未満では成形品表面に不均
質な流れマークが発生し、成形品表層は粘着テープを表
面に貼り付は引き剥がすと容易に薄皮状の剥がれが生じ
、又表面処理品はエツチングのムラを生じる。一方、８
０重量％を超えると樹脂の流動性が低下し、表面の良好
な成形品が得られず、エツチングにより表面にざらつき
を生じてしまうと同時に成形品の機械的強度も低下して
しまい好ましくない。

又、無機充填材は微粉状であるのが好ましく、その粒径
は平均粒径０．０１〜１００μｍの範囲、好ましくは０
．１〜３０μｍ１更に好ましくは０．５〜１０μｍが適
切である。０．０１μｍ未満では分散不良により成形品
表面に凝集塊が生じ易く、１００μｍを超えると成形品
の平滑性が悪くなり、サブトラクティブ法による精密回
路形成のための細線化が極めて困難になり、更に良い外
観が得られない。

又、無機充填材として繊維状無機物も好ましく、繊維状
無機物単独で、若しくは上記微粉状無機充填材と組み合
わせて使用される。

繊維状無機物としては、ガラス繊維、ミルドガラスファ
イバー、炭素繊維、アスベストｍ維、シリカ繊維、シリ
カ・アルミナ繊維、アルミナ繊維、ジルコニア繊維、窒
化硼素繊維、窒化珪素繊維、硼素繊維、チタン酸カリウ
ム繊維、更にステンレス、アルミニウム、チタン、銅、
真鍮等の金属の繊維状物などの無機繊維状物質が挙げら
れる。又、その形状としては、直径１〜３０μｍ　、長
さ５　μｍ　〜１ｍｍ　ｓ特に１０μｍ　−１００μｍ
の範囲にあるものが好ましい。

特に好ましく用いられる繊維状無機物はガラス繊維であ
り、その配合量は成形品組成物の全重量に対し、１〜６
０重量％の範囲であり、好ましくは５〜４０重量％であ
る。特にガラス繊維を前記無機充填材に組み合わせると
、予想に反し成形品の表面は一層均一化して、成形品上
に導電性回路を形成するためのメツキの密着力が向上す
ることが見出された。表面粗度と材料の機械的物性のバ
ランスの面からガラス繊維と微粉状カラスの中間に当た
るミルドファイバーガラスが特に好ましい。

ただし、前記微粉状無機充填材と繊維状無機物との総配
合量が成形品組成物中の８５重量％を越えることは成形
加工性及び各種の物性面から好ましくない。

次に成形品のエツチング処理に当たっては、酸、アルコ
ール、アルカリ、水から選ばれた１種又は２種以上の均
一な混合液によるエツチング処理、特にアルカリ金属の
水酸化物又はアルカリ土類金属の水酸化物を主成分とす
る水溶液、即ち水酸化ナトリウム、水酸化カリウム溶液
が好ましい。処理する場合の好ましい条件は、水酸化物
４０〜５０重量％水溶液を用い４０〜６０℃で５〜３０
分である。特に好ましい処理条件例を示せば水酸化カリ
ウムの約４５重量％水溶液で、６０℃ｘｌＯ分程度の処
理が適当である。エツチング処理した成形品は表面のア
ルカリ溶液の中和と、表面上に残留したフィラーの除去
を兼ねて希塩酸又は希硫酸に浸漬した後、充分水洗した
うえで１００℃以上の熱風又は真空乾燥機等により脱水
乾燥しておくのが望ましい。

又、湿式によるエツチングの他に最初から真空中で実施
するエツチング処理として、プラズマエツチング、スパ
ッタエツチング及びイオンエツチングも好ましい。

これらは、真空槽内でエネルギーを持った粒子により成
形基板を物理的にエツチングするものであり、処理方法
により上記のように分類される。

ここで、プラズマエツチングとは以下の処理方法を言う
。即ち、プラズマ処理装置において処理槽内をＩ　Ｘ１
０　’Ｔｏｒｒ程度に真空化した後、微量の気体を導入
（流量；５０　ＳＣＣＭ　’）　Ｌ、例えば高周波（ラ
ジオ波；　１３．５６　ＭＨｚ）電極により気体原子を
励起させプラズマを発生させる。成形基板をこのプラズ
マ雰囲気中に曝すことにより成形基板表面はプラズマに
攻撃され、物理的な粗化が行われる。同様に、スパッタ
エツチング装置を用い、真空槽内に微量の不活性ガスを
導入し、高周波又は直流高電圧を負荷させ、放電させる
ことにより生じる不活性ガス陽イオンが陰極へ誘引衝突
する際の衝撃を利用して基板をエツチングする方法をス
パッタエツチングと呼び、イオンプレーティング装置を
用いる場合をイオンエツチングと呼ぶ。

次に本発明における表面金属被覆処理法とは、真空系を
用いた乾式金属被覆法のことで、具体的には、スパッタ
リング、イオンプレーティング又は真空蒸着の何れかの
方法により樹脂成形品に直接金属膜を付与する方法をさ
す。

尚、本発明に使用する液晶性ポリエステルは、他の材料
に比べて真空槽内でのガスの発生が少ないのが特徴であ
り、そのままでもスパッタリング、イオンプレーティン
グ又は真空蒸着等の方法により良好な密着性をもった金
属薄膜を得るが、適宜加熱することにより、樹脂成形品
から発生するガスを取り除き、高温にすることによる樹
脂表面硬度の低下を利用して、金属原子の樹脂表面への
付着を一層改良できる。又、上記表面金属処理は、真空
槽内を１０−５〜１Ｏ−７Ｔｏｒｒの真空条件下にして
行うのが望ましい。

前記の通り、従来の回路はしｉｎｅ幅Ｑ、３Ｑｍｍ、　
５ｐａｃｅ幅０．３０ｍｍが限界であったが、本発明の
表面金属処理法によれば回路幅はＬｉｎｅ幅０．２５ｍ
ｍ以下、５ｐａｃｅ幅０．２５ｍｍ以下の細線化が可能
となり、かつ回路の密着力もあり、精密細線回路の懲戒
ができるようになった。

本発明の液晶性ポリエステルとは、溶融加工性ポリエス
テルで、溶融状態でポリマー分子鎖が規則的な平行配列
をとる性質を有している。

分子がこのように配列した状態をしばしば液晶状態また
は液晶性物質のネマチック相という。

このようなポリマー分子は、一般に細長く、偏平で、分
子の長袖に沿ってかなり剛性が高（、普通は同軸または
平行のいずれかの関係にある複数の連鎖伸長結合を有し
ているようなポリマーからなる。

異方性溶融相の性質は、直交偏光子を利用した慣用の偏
光検査法により確認することができる。より具体的には
、異方性溶融相の確認は、Ｌｅｉｔｚ偏光顕微鏡を使用
し、Ｌｅｉｔｚホットステージにのせた溶融試料を窒素
雰囲気下で４０倍の倍率で観察することにより実施でき
る。本発明のポリマーは直交偏光子の間で検査したとき
にたとえ溶融静止状態であっても偏光は透過し、光学的
に異方性を示す。

本発明に使用するのに適した液晶性ポリマーは、一般溶
剤には実質的に不溶である傾向を示し、したがって溶液
加工には不向きである。しかし、既に述べたように、こ
れらのポリマーは普通の溶融加工法により容易に加工す
ることができる。

本発明で用いられる異方性溶融相を示すポリマーは、芳
香族ポリエステル及び芳香族ポリエステルアミドが好ま
しく、芳香族ポリエステル及び芳香族ポリエステルアミ
ドを同一分子鎖中に部分的に含むポリエステルも好まし
い例である。

特に好ましくは、芳香族ヒドロキシルカルボン酸、芳香
族ヒドロキシルアミン、芳香族ジアミンの群から選ばれ
た少なくとも１種以上の化合物を構１１分として有する
液晶性芳香族ポリエステル、液晶性芳香族ポリエステル
アミドである。

より具体的には、 １）　主として芳香族ヒドロキシカルボン酸及びその誘
導体の１種又は２種以上からなるポリエステル ２）　主として ａ）芳香族ヒドロキシカルボン酸及びその誘導体の１種
又は２種以上と ｂ）芳香族ジカルボン酸、脂環族ジカルボン酸及びその
誘導体の１種又は２種以上と Ｃ）芳香族ジオール、脂環族ジオール、脂肪族ジオール
及びその誘導体の少なくとも１種又は２種以上とからな
るポリエステル ３〉　主として ａ）芳香族ヒドロキシカルボン酸及びその誘導体の１種
又は２種以上と ｂ〉芳香族ヒドロキシアミン、芳香族ジアミン及びその
誘導体の１種又は２種以上と Ｃ）芳香族ジカルボン酸、脂環族ジカルボン酸及びその
誘導体の１種又は２種以上とからなるポリエステルアミ
ド ４）　主として ａ）芳香族ヒドロキシカルボン酸及びその誘導体の１種
又は２種以上と ｂ）芳香族ヒドロキシアミン、芳香族ジアミン及びその
誘導体の１種又は２種以上と Ｃ）芳香族ジカルボン酸、脂環族ジカルボン酸及びその
誘導体の１種又は２種以上と ｄ〉芳香族ジオール、脂環族ジオール、脂肪族ジオール
及びその誘導体の少なくとも１種又は２種以上とからな
るポリエステルアミドが挙げられる。

本発明の液晶性ポリエステルを構成する具体的化合物の
好ましい例は、２，６−ナツタレンジカルホン酸、２．
６−ジヒドロキシナフタレン、１．４−ジヒドロキシナ
フタレン及び６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフ
タレン化合物、４．４゛−ジフェニルジカルボン酸、４
．４’−ジヒドロキシビフェニル等のビフェニル化合物
、下記一般式（１）、（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）で表わさ
れる化合物： （但し、Ｘ：アルキレン（Ｃ＋〜Ｃ１）、アルキリデン
、−Ｏ−、−５Ｏ−１−３Ｏ２−−５＝ＣＤ−より選ば
れる基 Ｙ：　（ＣＨ２）　、、−（ｎ＝１〜４）、−０（ＣＨ
２）、０（ｎ−１〜４）より選ばれる基〉 ｐ−ヒドロキシ安息香酸、テレフタル酸、ハイドロキノ
ン、ｐ−アミノフェノール及びｐ−フェニレンジアミン
等のパラ位置換のベンゼン化合物及びそれらの核置換ベ
ンゼン化合物（置換基は塩素、臭素、メチル、フェニル
、１−フェニルエチルより選ばれる）、イソフタル酸、
レゾルシン等のメタ位置換のベンゼン化合物である。

又、本発明に使用される液晶性ポリエステルは、上述の
構成成分の他に同一分子鎖中に部分的に異方性溶融相を
示さないポリアルキレンテレフタレートであってもよい
。この場合のアルキル基の炭素数は２乃至４である。

上述の構成成分の内、ナフタレン化合物、ビフェニル化
合物、バラ位置換ベンゼン化合物より選ばれる１種若し
くは２種以上の化合物を必須の構ｔａ分として含むもの
が更に好ましい例である。又、ｐ−位置換ベンゼン化合
物の内、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、メチルハイドロキノ
ン及び１−フェニルエチルハイドロキノンは特に好まし
い例である。

構成成分となるエステル形成性の官能基を有する化合物
の具体例及び本発明で用いられるのに好ましい異方性溶
融相を形成するポリエステルの具体例については特公昭
６３−３６６３３号公報に記載されている。

本発明で用いるのに好適な液晶性ポリエステルは一般に
重量平均分子量が約２．０００〜２００．０００、好ま
しくは約１０．０００〜５０．口００、特に好ましくは
約２０．０００〜２５．０００である。一方、好適な芳
香族ポリエステルアミドは一般に分子量が約５．０００
〜５０．０００、好ましくは約１０．０００〜３０．０
００、例えば１５．０００〜１７．０００である。かか
る分子量の測定は、ゲルパーミェーションクロマトグラ
フィーならびにその他のポリマーの溶液形成を伴わない
標準的測定法、たとえば圧縮成形フィルムについて赤外
分光法により末端基を定量することにより実施できる。

また、ペンタフルオロフェノール溶液にして光散乱法を
用いて分子量を測定することもできる。

上記の芳香族ポリエステル及びポリエステルアミドはま
た、６０℃でペンタフルオロフェノールに０．１重量％
濃度で溶解したときに、少なくとも約２．０ｄｌ／ｇ　
、たとえば約２．０〜１０．　Ｏｄｌ／ｇの対数粘度（
１，Ｖ、）を一般に示す。

本発明においては、種々の特性を改良する目的で、前記
特定の無機充填材（１ｊＩＩ粉状無粉状基材及び繊維状
無機物）に加え、更に他の各種の併用無機物を配合する
ことができる。かかる併用無機物は機械的特性、耐熱性
、寸法安定性（耐変形、そり）等の性質に優れた成形品
を得るためには配合することが好ましく、これには目的
に応じて粉粒状、板状の併用無機物が用いられる。

粉粒状無機物としては、カーボンブラック、黒鉛、シリ
カ、石英粉末、ガラスピーズ、ガラスバルーン、ガラス
粉、酸化鉄の如き金属の酸化物、その他フェライト、炭
化珪素、窒化珪素、窒化硼素等が挙げられる。

又、板状無機物としては、マイカ、ガラスフレーク、各
種の金属箔等が挙げられる。

これらの併用無機物は一種又は二種以上併用することが
できる。

前記無機充填材と併用無機物との総配合量が成形品組成
物中の８５重量％を越えることは成形加工性及び各種の
物性面から好ましくない。前記無機充填材及び併用無機
物の使用にあたっては必要ならば収束剤又は表面処理剤
を使用することが望ましい。

更に本発明の組成物は、本発明の範囲でその意図する目
的を損なわない程度に他の熱可塑性樹脂を補助的に添加
したものであってもよい。

この場合に使用する熱可塑性樹脂は特に限定されないが
、例を示すと、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリ
オレフィン、ポリアセタール（ホモ又はコポリマー）、
ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリアクリル酸エステ
ル、及びそれらの共重合体、ポリアミド、ポリカーボネ
ート、ＡＢＳ、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレ
ンスルフィド、フッ素樹脂等を挙げることができる。ま
たこれらの熱可塑性樹脂は２種以上混合して使用するこ
とができる。

更に一般の熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂に添加される
公知の物質、即ち、可塑剤、酸化防止剤や紫外線吸収剤
等の安定剤、帯電防止剤、表面処理剤、界面活性剤、難
燃剤、染料や顔料等の着色剤及び流動性や離型性の改善
のための滑剤、潤滑剤及び結晶化促進剤（核剤）等もそ
の目的とする要求性能に応じ適宜使用することができる
。

本発明の製造方法によって得られる成形品の例を示せば
、ピングリッドアレイ　（ＰＧＡ）用基板、ビンがイン
サートされた基板又は成形プリント配線用基板であり、
その形状は特に限定されず、平板状、立体形状、フィル
ム状又はシート状等の何れであっても良い。

〔実　施　例〕

以下実施例をあげて本発明を更に具体的に説明するが、
本発明はこれに限定されるものではない。

実施例１〜１２、比較例１〜７ 後述の各種液晶性ポリエステル樹脂Ａ−Ｆと表−１〜２
に示した充填材〈重量％は対組酸物全量に対する値を示
す）とを押出機による溶融混練方法により混線分散させ
ペレット化し、１４０℃で３時間乾燥した後、成形機に
より温調された金型を用いて５０ｍｍ　ｘ　７０ｍｍ　
ｘ　３　ｍｍの平板を成形した。

成形した平板（基板）について後記する各種エツチング
前処理を施した後、下記各種方法により表面金属処理を
実施した。

１）　真空蒸着：真空蒸着装置（日本真空技術製ＥＸ５
００）の真空槽内に成形した平板をセットし、真空槽内
を４　ＸＩＯ’Ｔｏｒｒまで真空化した。

真空槽内に設けた成形品加熱用ハロゲンランプを用い、
成形品の表面温度が所定の温度になる様セットし、電子
ビーム法により金属銅を蒸発させ、基板の表面に金属銅
薄膜（膜厚３〜５μｍ〉を形成させた。蒸着後基板を冷
却した上で成形平板を取り出した。

２〉　スパッタリング：同様にスパッタリング装置（徳
田製作所製８εＳ）を用い、真空槽内を３　Ｘ　１Ｏ−
６Ｔｏｒｒまで高真空化した後、アルゴンガスを流し、
平衡圧力が５　ｘｔｏ−３Ｔｏｒｒになる様に設定した
上、基板温度をハロゲンランプにより所定の温度に設定
した上で、基板の回転数１Ｏｒｐｍで回転させ、金属銅
ターゲットを用い、ターゲットから１００ｍｍの位置に
なる様に基板にセットした成形品にスパッタリングを行
い、金属銅薄膜を形成させた。

イオンプレーティング：アーク放電型イ第３） ２） ンブレーティング装置　ＡＩＦ−８５０３Ｂ（神港精機
株式会社）を用いて、真空槽内を３　Ｘｌ０−’Ｔｏｒ
ｒまで高真空にした後、槽内にセットされた基板上の成
形品を所定の温度にセットした上へイオンプレーティン
グにより金属銅を薄膜形成させた。イオン化電流は１０
０ｍＡ　、蒸着速度は０．５μｍ／分のスピードで実施
した。

又、エツチング処理の方法は次の通りである。

１） プラズマエツチング；プラズマ処理装置（サムコハンタ
ーナショナル製ＰＶ−１０Ｓ型）を使用し、真空槽内を
Ｉ　Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒとなるよう真空化した後、酸素
ガスを導入しく流量；５０　ＳＣＣＭ）　、高周波電極
装置（１３，５６ＭＨｚ）により酸素プラズマを発生さ
せ、発生したプラズマにより平板表面を物理的に粗面化
した。処理条件は１７ＯＷｘｌＯ分としたく酸素雰囲気
下の真空度：　６　Ｘｌ０−”Ｔｏｒｒ）。基板の温度
は３５℃にて行った。

スパッタエツチング：スパッタリング装置（徳田製作所
製８εＳ）を用い、真空槽内を１０　’Ｔｏｒｒオーダ
ーまで真空化した後、真空槽内にアルゴンガスを注入し
、ｌＸｌ０−’Ｔｏｒｒになるように注入量を調整し成
形品をのせた基板ホルダー側に負電圧をかけて放電した
プラズマ陽イオンで基板上の成形品を１０分間エツチン
グ処理した。

尚、基板の温度は３０℃にて行った。

３）　イオンエツチング；イオンプレーティング装置を
使い、イオンプレーティングに入る前に真空槽内を１０
　’Ｔｏｒｒオーダーまで真空化した後、真空槽内にア
ルゴンガスを注入し、成形品を固定した基板と相対する
電極間に、成形品を固定した基板側が負となるように直
流電圧（１，３ｋＶ）をかけアルゴンガスによるイオン
ボンバードによりイオンエツチングを実施した。

尚、実施にあたってはアルゴンガス雰囲気下の真空度が
１０−’Ｔｏｒｒ、基板の温度２００℃、電流値０．３
ｍＡとして１０分間処理を行った。

４）　アルカリエツチング；成形品を脱脂した後アルカ
リ浴を用いて成形品表面のエツチングを行い、水洗し、
残アルカリ分を中和するため更に希塩酸溶液に浸漬し、
水洗後、１５０℃ＸＩＨの乾燥をした。

乾　　　　燥　　　　１５０ｔＸＨｌ 熱風乾燥 表面金属処理された成形平板はそのままではピーリング
強さが測定できないため処理後直ちに電気銅メツキを実
施し、膜厚３ｏ〜４０ＪＪｍに形成させた後、５＋ｎ＋
ｎ幅の帯状になる様にナイフでカットし、ピーリング強
さをバネばかりにより測定した。引き剥がし速度は５０
ｍｍ／ｍｉｎとした。又、限界細線回路幅を測定した。

結果を表−１〜２に示す。

尚、実施例で使用した液晶性ポリエステルＡ−Ｆは下記
構成単位を有するものである。

＝７０／１５／１５ ７０／２６／４ （以上の数字はモル比） 〔発明の効果〕 以上述べた様に、エツチング前処理を行う本発明の液晶
性ポリエステル樹脂成形品の表面金属処理法によれば、
当該樹脂の表層剥離を起こさず、均一で緻密な表面構造
を持ち、エツチング処理を施さない場合に比ベメッキの
密着力を強め、これまで熱可型性樹脂では困難であった
金属との熱膨張係数の差による高温剥離を生じることも
なく、サブトラクティブ法によって精密で細線化した回
路形成（回路幅をＬｉｎｅ幅０．２５ｍｍ以下、５ｐａ
ｃｅ幅を０．２５ａｏｎ以下）が可能となり、ハンダ浸
漬（処理時間約１０秒）も可能となり、プリント配線成
形品を対象とした用途への展開が可能となった。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　異方性溶融相を形成しうる溶融加工性ポリエステル
   （液晶性ポリエステル）に無機充填材を含有せしめてな
   る液晶性ポリエステル樹脂組成物を用いて成形してなる
   成形品を、エッチング処理後、スパッタリング、イオン
   プレーティング又は真空蒸着の何れかの方法により表面
   金属被覆処理することを特徴とするサブトラクティブ法
   により精密細線回路形成可能な成形品の製造方法。 ２　エッチング処理が酸、アルコール、アルカリ、水か
   ら選ばれた１種又は２種以上の均一な混合液によるエッ
   チング処理である請求項１記載の成形品の製造方法。 ３　エッチング処理がプラズマエッチング、スパッタエ
   ッチング及びイオンエッチングから選ばれるエッチング
   処理である請求項１記載の成形品の製造方法。 ４　無機充填材が周期律表II族元素及びその酸化物、硫
   酸塩、リン酸塩、珪酸塩、炭酸塩、又はアルミニウム、
   珪素、スズ、鉛、アンチモン、ビスマスの元素及びその
   酸化物からなる群より選ばれた１種又は２種以上の微粉
   状無機充填材であり、その配合量が組成物全重量に対し
   て５〜８０重量％である請求項１〜３の何れか１項記載
   の成形品の製造方法。 ５　微粉状無機充填材が平均粒径０．０１〜１００μｍ
   の範囲にある請求項４記載の成形品の製造方法。 ６　無機充填材が直径１〜３０μｍ、長さ５μｍ〜１ｍ
   ｍの範囲にある繊維状無機物であり、その配合量が組成
   物全重量に対して１〜６０重量％である請求項１〜３の
   何れか１項記載の成形品の製造方法。 ７　無機充填材が周期律表II族元素及びその酸化物、硫
   酸塩、リン酸塩、珪酸塩、炭酸塩、又はアルミニウム、
   珪素、スズ、鉛、アンチモン、ビスマスの元素及びその
   酸化物からなる群より選ばれた１種又は２種以上の微粉
   状無機充填材と繊維状無機物とを併用したものであり、
   これらの総配合量が組成物全重量に対して８５重量％以
   下である請求項１記載の成形品の製造方法。 ８　繊維状無機物がガラス繊維、ミルドガラスファイバ
   ー又はチタン酸カリウム繊維である請求項６又は７記載
   の成形品の製造方法。 ９　成形品が射出成形、押出成形及び圧縮成形のうちか
   ら選ばれる成形加工手段により成形されたものである請
   求項１記載の成形品の製造方法。 １０　成形品がピングリッドアレイ（ＰＧＡ）用基板、
   ピンがインサートされた基板又は成形プリント配線用基
   板である請求項１記載の成形品の製造方法。 １１　成形品が平板状、立体形状、フィルム状又はシー
   ト状である請求項１記載の成形品の製造方法。 １２　請求項１〜１１の何れかの製造方法により得られ
   たサブトラクティブ法により精密細線回路形成可能な成
   形品。