JPH0384548A - レチクルの検査方法 - Google Patents
レチクルの検査方法Info
- Publication number
- JPH0384548A JPH0384548A JP1222492A JP22249289A JPH0384548A JP H0384548 A JPH0384548 A JP H0384548A JP 1222492 A JP1222492 A JP 1222492A JP 22249289 A JP22249289 A JP 22249289A JP H0384548 A JPH0384548 A JP H0384548A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- data
- wafer
- exposure
- inspecting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［Ｉａ要］
一旦ウェーハ露光を行ったレチクルを後になって取り出
したときの汚染状況を検査する方法に関し、 ウェーハ製作工程における生産性向上のため一次試験に
バスしたレチクルの状況を保証するように、当初の状況
をデータとして求めて置き、後に取り出したときのレチ
クルの状況とを比較するようにしたレチクルの検査方法
を提供することを目的とし、 ウェーハ露光を行ったレチクルを後になって露光をする
ためその汚染状況を検査する方法において、前記ウェー
ハ露光前のレチクルの汚染状況と、露光後にウェーハの
一次試験結果とを加味したデータを求めて置き、該デー
タと、後になってウェーハ露光をするため取り出した露
光前のレチクルの汚染状況とを照合し、該レチクルの汚
染状況を検査することで構成する。
したときの汚染状況を検査する方法に関し、 ウェーハ製作工程における生産性向上のため一次試験に
バスしたレチクルの状況を保証するように、当初の状況
をデータとして求めて置き、後に取り出したときのレチ
クルの状況とを比較するようにしたレチクルの検査方法
を提供することを目的とし、 ウェーハ露光を行ったレチクルを後になって露光をする
ためその汚染状況を検査する方法において、前記ウェー
ハ露光前のレチクルの汚染状況と、露光後にウェーハの
一次試験結果とを加味したデータを求めて置き、該デー
タと、後になってウェーハ露光をするため取り出した露
光前のレチクルの汚染状況とを照合し、該レチクルの汚
染状況を検査することで構成する。
Ｃ産業上の利用分野］
本発明は一旦ウェーハ露光を行ったレチクルを後になっ
て取り出したときの汚染状況を検査する方法に関する。
て取り出したときの汚染状況を検査する方法に関する。
従来、ウェーハ露光を行ったレチクルを保管後に同一パ
ターンのウェーハ露光を行うため取り出したとき、その
レチクルの汚染状況について、保管前のレチクルの状況
と比較することは行われていない。後でウェーハ露光を
行った製品が規格をクリアしている限り差し支えないと
しているから、当初の状況から悪化しているかどうかに
ついては判定していない。そのため容易に判定をして生
産性の向上を図ることが要望された。
ターンのウェーハ露光を行うため取り出したとき、その
レチクルの汚染状況について、保管前のレチクルの状況
と比較することは行われていない。後でウェーハ露光を
行った製品が規格をクリアしている限り差し支えないと
しているから、当初の状況から悪化しているかどうかに
ついては判定していない。そのため容易に判定をして生
産性の向上を図ることが要望された。
［従来の技術］
ウェーハ上にレジストパターンを得るために使用するパ
ターンをマスクまたはレチクルという。
ターンをマスクまたはレチクルという。
通常レチクルはウェーハ上の原寸パターンの５〜１０倍
の大きさで製作することが多く、第２図の側面図に示す
ような構造である。第２図において、１は約２．３Ｎの
厚さのガラス基板、２は所定の大きさでパターンを作っ
たクロムなどの金属、３はペリクルという透明な膜で、
例えばニトロセルローズの数１０μの厚さの膜を使用し
、パターンの周囲をガラス基板上に接着している。 ４
−１．４−２−は空気中に浮遊していたゴミがペリクル
・レチクル金属面に付着したものを示す、第２図の全体
をレチクルと言い、その大きさの関係は正確でなく説明
図に過ぎない。
の大きさで製作することが多く、第２図の側面図に示す
ような構造である。第２図において、１は約２．３Ｎの
厚さのガラス基板、２は所定の大きさでパターンを作っ
たクロムなどの金属、３はペリクルという透明な膜で、
例えばニトロセルローズの数１０μの厚さの膜を使用し
、パターンの周囲をガラス基板上に接着している。 ４
−１．４−２−は空気中に浮遊していたゴミがペリクル
・レチクル金属面に付着したものを示す、第２図の全体
をレチクルと言い、その大きさの関係は正確でなく説明
図に過ぎない。
なお第２図での書き方では、レチクルの下方に発光光源
を設け、上方にレジストを塗布したつ工−ハを置く。光
源とレチクルの間に設けたレンズなどを使って所定の操
作をししてから、光線をレチクルに照射する。レチクル
により一部は光線が不透過となるからレジスト上にパタ
ーンが得られ、そのパターンについて一次検査をしてか
ら、次のエツチング工程などに進む。ここで−次検査と
はチップを切断せずにウェーハ上でチップが並んだまま
の状態で検査することをいう。レチクルを所定回数だけ
使用すると、それを−旦保管して置く。
を設け、上方にレジストを塗布したつ工−ハを置く。光
源とレチクルの間に設けたレンズなどを使って所定の操
作をししてから、光線をレチクルに照射する。レチクル
により一部は光線が不透過となるからレジスト上にパタ
ーンが得られ、そのパターンについて一次検査をしてか
ら、次のエツチング工程などに進む。ここで−次検査と
はチップを切断せずにウェーハ上でチップが並んだまま
の状態で検査することをいう。レチクルを所定回数だけ
使用すると、それを−旦保管して置く。
次に同種レジストパターンを得るときは、保管して置い
たレチクルを取り出し、前述と同じ工程を繰り返してい
る。即ち、露光後の一次検査において所定の規格をクリ
アすれば、次の工程へ進んでいた。
たレチクルを取り出し、前述と同じ工程を繰り返してい
る。即ち、露光後の一次検査において所定の規格をクリ
アすれば、次の工程へ進んでいた。
〔発明が解決しようとする課題］
ウェーハについて生産性を向上するため、即ち生産量を
向上させたりウェーハの品質を向上させるため、「無欠
陥レチクル」が要求されるようになった。それは前述の
ように繰り返して使用するレチクルの場合、当初の状況
と同じ状況であることを保証すれば良い。しかし従来の
技術では、単純に「規格以内にあるかどうか」で判断し
ていた。
向上させたりウェーハの品質を向上させるため、「無欠
陥レチクル」が要求されるようになった。それは前述の
ように繰り返して使用するレチクルの場合、当初の状況
と同じ状況であることを保証すれば良い。しかし従来の
技術では、単純に「規格以内にあるかどうか」で判断し
ていた。
レチクル上に、或いはペリクルとガラス基板との接触部
を介してレチクル金属面上にゴミが付着するから、保管
の後は当初と比、較しゴミが多量になることは当然であ
る。したがって保管後のレチクルを使用するとき、ダミ
ー・ウェーハによって汚染チエツクをしてから、正規の
露光を行う必要が生じ、ウェーハと時間に無駄を強制す
る欠点があった。また光源の光がペリクルに何回も照射
すると、ペリクル表面が変色して、あたかもレチクルが
２枚並列的に存在するようにレジストが感じることがあ
った。
を介してレチクル金属面上にゴミが付着するから、保管
の後は当初と比、較しゴミが多量になることは当然であ
る。したがって保管後のレチクルを使用するとき、ダミ
ー・ウェーハによって汚染チエツクをしてから、正規の
露光を行う必要が生じ、ウェーハと時間に無駄を強制す
る欠点があった。また光源の光がペリクルに何回も照射
すると、ペリクル表面が変色して、あたかもレチクルが
２枚並列的に存在するようにレジストが感じることがあ
った。
本発明の目的は前述の欠点を改善し、−次試験にパスし
たレチクルの状況を保証するように、当初の状況をデー
タとして求めて置き、後になって取り出したときのレチ
クルの状況とを比較するようにしたレチクルの検査方法
を提供することにある。
たレチクルの状況を保証するように、当初の状況をデー
タとして求めて置き、後になって取り出したときのレチ
クルの状況とを比較するようにしたレチクルの検査方法
を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
ウェーハ露光を行ったレチクルを後になってウェーハ露
光をするためその汚染状況を検査する方法において、前
記課題を解決するため、本発明が採用する手段は下記の
とおりである。即ち、前記ウェーハ露光前のレチクルの
汚染状況と、露光後にウェーハの一次試験結果とを加味
したデータを求めて置き、該データと、後になってウェ
ーハ露光をするため取り出したレチクルの汚染状況とを
照合し、該レチクルの汚染状況を検査することである。
光をするためその汚染状況を検査する方法において、前
記課題を解決するため、本発明が採用する手段は下記の
とおりである。即ち、前記ウェーハ露光前のレチクルの
汚染状況と、露光後にウェーハの一次試験結果とを加味
したデータを求めて置き、該データと、後になってウェ
ーハ露光をするため取り出したレチクルの汚染状況とを
照合し、該レチクルの汚染状況を検査することである。
［作用コ
第１図は本発明の詳細な説明するためのフローチャート
を示す。ステップ■において、レチクルについて付着し
たゴミ検査を行いデータＡを得る。
を示す。ステップ■において、レチクルについて付着し
たゴミ検査を行いデータＡを得る。
ステップ■においてレチクルを使用してウェーハ露光を
行う。ステップ■においてウェーハについての−次試験
を行いデータＢを得る。ステップ■においてレチクルを
保管する。なおデータＡとデータＢとについて照合用デ
ータＣを得るため、データＡ＋データＢを演算する。次
のウェーハ露光を行うため、ステップ■においてレチク
ルを取り出す。ステップ■においてゴミ検査を行い、デ
ータＤを得る。
行う。ステップ■においてウェーハについての−次試験
を行いデータＢを得る。ステップ■においてレチクルを
保管する。なおデータＡとデータＢとについて照合用デ
ータＣを得るため、データＡ＋データＢを演算する。次
のウェーハ露光を行うため、ステップ■においてレチク
ルを取り出す。ステップ■においてゴミ検査を行い、デ
ータＤを得る。
次にデータＣとデータＤとを照合する。その結果データ
ＤがデータＣと同じか、より良好であれば、そのときの
レチクルを使用して露光することが出来ることと判断す
る。データＤがデータＣより悪いときはそのままではレ
チクルを使用出来ないと判断する。
ＤがデータＣと同じか、より良好であれば、そのときの
レチクルを使用して露光することが出来ることと判断す
る。データＤがデータＣより悪いときはそのままではレ
チクルを使用出来ないと判断する。
［実施例］
まず、データＡ−Ｄを得る手段を説明する。ペリクル及
びレチクルを介して光が半導体ウェーハ上のレジストへ
照射されるとき、ペリクルとレチクルとの表面を合わせ
考え、ゴミの付いた位置を定める０次にその区分内に付
いたゴミの大きさと数とを数える。データＣとして例え
ば区分１−１において、大きなゴミ（例えば５０μ以上
）：Ｏ中位のゴミ（例えば１０μ以上５０μ未満：１小
さいゴ′、（例えば１０μ以下）：３であったとする。
びレチクルを介して光が半導体ウェーハ上のレジストへ
照射されるとき、ペリクルとレチクルとの表面を合わせ
考え、ゴミの付いた位置を定める０次にその区分内に付
いたゴミの大きさと数とを数える。データＣとして例え
ば区分１−１において、大きなゴミ（例えば５０μ以上
）：Ｏ中位のゴミ（例えば１０μ以上５０μ未満：１小
さいゴ′、（例えば１０μ以下）：３であったとする。
次に（１）回目のデータＤにおいて、大Ｏ中０
小１
であった場合、これは小のゴξが少なくなっているのみ
でありＯＫである。
でありＯＫである。
（２）回目のデータＤにおいて、大 １中 Ｏ
小 ４となって
いる場合、これは不良である。
［発明の効果］
このようにして本発明によると、レチクルに付加された
ゴミの量などについて、照合比較するデータとしている
ため、基準データとの照合が適当である。したがって基
準とする状態が実際の状態と一致するため、判断基準が
出来て、従来のゴミのない状態が最良となる試験では、
不良品が発生し易かったが、今回は最初の状態との比較
による不良品であり、生産性を向上することに有効であ
る。
ゴミの量などについて、照合比較するデータとしている
ため、基準データとの照合が適当である。したがって基
準とする状態が実際の状態と一致するため、判断基準が
出来て、従来のゴミのない状態が最良となる試験では、
不良品が発生し易かったが、今回は最初の状態との比較
による不良品であり、生産性を向上することに有効であ
る。
第１図は本発明の詳細な説明するためのフローチャート
、 第２図はレチクルの側面図である。 １・・・ガラス基板 ２・・−クロムなどの金属 ３・−ペリクル ４−１．４−２ ・−ゴミ
、 第２図はレチクルの側面図である。 １・・・ガラス基板 ２・・−クロムなどの金属 ３・−ペリクル ４−１．４−２ ・−ゴミ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ウェーハ露光を行ったレチクルを後になってウェーハ露
光をするためその汚染状況を検査する方法において、 前記ウェーハ露光前のレチクルの汚染状況と、露光後に
ウェーハの一次試験結果とを加味したデータを求めて置
き、 該データと、後になってウェーハ露光をするため取り出
したレチクルの汚染状況とを照合し、該レチクルの汚染
状況を検査すること を特徴とするレチクルの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1222492A JPH0384548A (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | レチクルの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1222492A JPH0384548A (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | レチクルの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0384548A true JPH0384548A (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=16783279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1222492A Pending JPH0384548A (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | レチクルの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0384548A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8735030B2 (en) | 2010-04-15 | 2014-05-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and apparatus for modifying a substrate surface of a photolithographic mask |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61176129A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-07 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 基板の搬送装置 |
| JPS6262251A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-18 | Canon Inc | 原版欠陥検出装置 |
-
1989
- 1989-08-29 JP JP1222492A patent/JPH0384548A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61176129A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-07 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 基板の搬送装置 |
| JPS6262251A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-18 | Canon Inc | 原版欠陥検出装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8735030B2 (en) | 2010-04-15 | 2014-05-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and apparatus for modifying a substrate surface of a photolithographic mask |
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