JPH05299318A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ウエハーをペレットに分割した後にお
いても、各ペレットのレチクル上での位置を識別可能と
することにより、出荷後におけるレチクル・パターン欠
陥という不良原因の解析を容易にする。 【構成】 マルチ・ペレット構成のステッパー用レチク
ルにおいて、各回路パターン毎にその位置を示すための
識別パターン（１３）を形成し、該ステッパー用レチク
ルを用いて半導体ウエハー上に回路パターンを露光する
ことにより、ペレットに分割した後においても、その位
置を識別することを可能にした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、さらに詳しくは複数の回路パターンを配置し
た、マルチ・ペレット構成のステッパー用レチクルを用
いた半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、縮小露光投影装置（ステッパ
ー）を用いた半導体ウエハーの露光工程においては、該
装置のスループットを高めることを目的として、マルチ
・ペレット構成のステッパー用レチクルが使用されてい
る。図３は、従来のマルチ・ペレット構成のステッパー
用レチクルを示す平面図である。図において、（１）
は、透明ガラス基板、（２）は、基板（１）上に形成さ
れた複数個の回路パターンであリ、ステッパーの１ショ
ットの露光領域内に配置されている。

【０００３】上記構成のステッパー用レチクルによれ
ば、１ショットで複数の回路パターンを半導体ウエハー
上に転写できるので、半導体ウエハー全体に転写するた
めのショット数が減少し、依ってステッパーのスループ
ットを大幅に向上することができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、各種の
半導体製造工程を経ることによって、半導体ウエハーを
完成し、該半導体ウエハーをスクライブ工程において各
ペレットに分割した後においては、各ペレットがマルチ
・ペレット構成のレチクル上のどの位置に対応したもの
かは知る術はない。このことは、以下のような場合に問
題となる。

【０００５】即ち、レチクル上の複数個の回路パターン
のうち、特定位置の回路パターンに生じた微小なパター
ン欠陥が原因となって回路の不良が発生する場合であ
る。もっとも、この場合でも半導体ウエハーの段階で回
路ファンクションテストで不良になったものについて
は、廃棄することができ、またパターン欠陥による繰り
返し不良であることが一見してわかるので問題はない。
しかるに、この段階でのファンクションテストをパスし
ても、出荷後にかかるパターン欠陥が原因で不良を起こ
すことが多々あり、この場合にはその不良がパターン欠
陥による繰り返し不良であることを容易に知る方法がな
いのである。このため、不良原因の究明に多大な労力と
時間を費やすことを余儀なくされていた。

【０００６】本発明は、上述した課題に鑑みて為された
ものであり、半導体ウエハーをペレットに分割した後に
おいても、各ペレットのレチクル上での位置を識別可能
とすることにより、レチクル・パターン欠陥という不良
原因の解析を容易にすることを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、マルチ・ペレ
ット構成のステッパー用レチクルを用いた半導体装置の
製造方法において、ステッパー用レチクル上の各回路パ
ターン毎にその位置を示すための識別パターン（１３）
を形成し、該ステッパー用レチクルを用いて半導体ウエ
ハー上に回路パターンを露光することにより、前記半導
体ウエハーをペレットに分割した後においても、各ペレ
ットに転写された識別パターン（１３）を認識すること
により、そのペレットのレチクル上の位置を識別可能と
したことを特徴としている。

【０００８】

【作用】上述の手段によれば、マルチ・ペレット構成の
レチクルを用いた半導体装置の製造方法において、半導
体ウエハーをペレットに分割した後においても、各ペレ
ットのレチクル上での位置を識別可能としているので、
レチクル・パターン欠陥という不良原因の解析を容易に
することができる。

【０００９】

【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１と図２は、本発明の実施例に係るマルチ・ペ
レット構成のステッパ−用レチクルの例を示す平面図で
ある。図において、（１１）は、透明ガラス基板、（１
２）は、基板（１１）上に形成された複数個の回路パタ
ーンであリ、ステッパーの１ショットの露光領域内に配
置されている。従来例と異なる点は、回路パターン（１
２）毎にそのレチクル上での位置を示すための識別パタ
ーン（１３）が形成されている点である。識別パターン
（１３）としてはレチクル上の位置が認識できるもので
あれば、図１に示した如く数字でもよいし、図２に示し
た如く図形でもあってもよい。また、半導体集積回路を
形成するには、各製造工程に対応した複数のレチクルが
用いられるが、ウエハの完成時において識別パターン
（１３）が光学顕微鏡等によって容易に認識できるもの
である必要がある。したがって、識別パターン（１３）
を形成するレチクルとしては、例えばポリシリコン層形
成工程あるいはアルミニウム層形成工程に対応するもの
を選択するとよい。これに対し、イオン注入工程に対応
するレチクルにおいては、半導体ウエハー上に最終的に
痕跡が残らないので、識別パターン（１３）として不適
当である。

【００１０】図３は、図１のレチクルを用いて半導体ウ
エハー上に回路パターンを転写し、所定の半導体製造工
程を経て完成した半導体ウエハーの一例を示した図であ
る。同図に示すように、各ペレット毎にレチクル上の位
置を示す識別パターン（１３）であって、ポリシリコン
層あるいはアルミニウム層等で形成されている。なお、
識別パターン（１３）は１０ミクロン程度のサイズで足
りるので、ペレットサイズに影響することなく形成でき
る。これにより、この半導体ウエハーをスクライブ工程
によって各ペレットに分割した後においても、識別パタ
ーン（１３）を光学顕微鏡鏡等により認識することによ
って、そのペレットのレチクル上の位置を知ることが可
能となる。

【００１１】したがって、出荷後に回路が何らかの不良
を起こした場合には、その不良解析において、それらの
ペレットのレチクル上の位置と不良症状との相関関係を
調査することが可能になり、もし特定の位置に対応した
ペレットが統計上同一の不良症状を示すのであれば、レ
チクル上になんらかのパターン欠陥があることがわか
る。その後は、そのペレットの製造に用いたレチクル上
の特定された位置の回路パターンを正常な回路パターン
と比較検査することによって、どこにパターン欠陥があ
るかを探すことができる。このようにして、レチクル・
パターン欠陥という他の方法ではなかなか特定できない
不良原因の解析を容易にすることができるのである。

【００１２】なお、本発明はペレットをパッケージに組
立てた後の信頼性試験において起こった不良の解析にお
いても同様に役立つものである。

【００１３】

【発明の効果】本発明によれば、マルチ・ペレット構成
のステッパー用レチクルを用いた半導体装置の製造方法
において、半導体ウエハーをペレットに分割した後にお
いても各ペレットのレチクル上での位置を識別可能とし
ているので、レチクル・パターン欠陥という不良原因の
解析を容易にすることができる。これにより、半導体装
置の改良を迅速に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係るマルチ・ペレット構成の
ステッパー用レチクルの例を示す第１の平面図である。

【図２】本発明の実施例に係るマルチ・ペレット構成の
ステッパー用レチクルの例を示す第２の平面図である。

【図３】図１のレチクルを用いて製造した半導体ウエハ
ーの一例を示す平面図である。

【図４】従来例に係るマルチ・ペレット構成のステッパ
ー用レチクルの例を示す平面図である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マルチ・ペレット構成のステッパー用レ
   チクルを用いた半導体装置の製造方法において、ステッ
   パー用レチクル上の各回路パターン毎にその位置を示す
   ための識別パターンを形成し、該ステッパー用レチクル
   を用いて半導体ウエハー上に回路パターンを露光するこ
   とにより、前記半導体ウエハーをペレットに分割した後
   においても、各ペレットに転写された識別パターンを認
   識することにより、そのペレットのレチクル上の位置を
   識別可能としたことを特徴とする半導体装置の製造方
   法。
2. 【請求項２】 前記識別パターンが各ペレット上におい
   て、アルミニウム層からなる識別パターンあるいはポリ
   シリコン層からなる識別パターンとして形成されること
   を特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。