JPH0385543A - 露光マスク、露光方法および投影露光装置 - Google Patents
露光マスク、露光方法および投影露光装置Info
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- JPH0385543A JPH0385543A JP1223661A JP22366189A JPH0385543A JP H0385543 A JPH0385543 A JP H0385543A JP 1223661 A JP1223661 A JP 1223661A JP 22366189 A JP22366189 A JP 22366189A JP H0385543 A JPH0385543 A JP H0385543A
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- exposure
- mask
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- exposure mask
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、露光方法、露光装置および露光用マスクに係
り、特に半導体装置の製造において用いられるリソグラ
フィ技術に関する。
り、特に半導体装置の製造において用いられるリソグラ
フィ技術に関する。
（従来の技術）
超ＬＳＩ等の半導体装置の製造分野においては、所望の
遮光パターンを形成してなるマスクおよびレンズ系を介
して基板上に光照射を行い縮小投影露光により微細パタ
ーンを転写する技術が広く用いられている。
遮光パターンを形成してなるマスクおよびレンズ系を介
して基板上に光照射を行い縮小投影露光により微細パタ
ーンを転写する技術が広く用いられている。
ところで、投影露光装置の解像力は結像素子をほとんど
無収差に設計しているので、使用しているレンズ系など
の結像素子の開口数（ＮＡ）と露光に用いる光の波長λ
とによって決まる。
無収差に設計しているので、使用しているレンズ系など
の結像素子の開口数（ＮＡ）と露光に用いる光の波長λ
とによって決まる。
すなわち解像可能な最小線幅（Ｌ）は、Ｌ＝にλ／ＮＡ
■ と表すことができる。ここでｋは比例定数であり、通常
は０．８程度である。すなわち、波長が小さく、開口数
が大きいほど解像度は向上する。
■ と表すことができる。ここでｋは比例定数であり、通常
は０．８程度である。すなわち、波長が小さく、開口数
が大きいほど解像度は向上する。
ところで、近年、レンズ開発が急速く進みＮＡ蝮を高く
し、ｇ１！＜４３６ｎｍ）からｉｌ（３６５ｎｍ）へと
短波長化することにより解像度は年々向上し、エキシマ
レーザ（１９４ｎｍ）を用いた露光を用いることにより
０．３μ乳程度の領域までの展望が描かれようとしてい
る。
し、ｇ１！＜４３６ｎｍ）からｉｌ（３６５ｎｍ）へと
短波長化することにより解像度は年々向上し、エキシマ
レーザ（１９４ｎｍ）を用いた露光を用いることにより
０．３μ乳程度の領域までの展望が描かれようとしてい
る。
しかし、短波長の光源の利用は、レンズ用ガラス材料の
確保が非常に困難であるため短波長化には限度がある。
確保が非常に困難であるため短波長化には限度がある。
一方、解像力向上のためのもう１つの手段として開口数
を大きくすれば良いが、露光装置として必要な大きな露
光領域を確保しながら収差をはとなどなくしかつ開口数
の高いレンズ系等の結像素子を設計製作することは非常
に難しい。
を大きくすれば良いが、露光装置として必要な大きな露
光領域を確保しながら収差をはとなどなくしかつ開口数
の高いレンズ系等の結像素子を設計製作することは非常
に難しい。
従って、結像系を利用した露光方法では、波長や開口数
による解像力の向上だけでは、−窓以上の解像力は得ら
れず、比例定数ｋを小さくする必要があり、その目的の
ために転写される感光性樹脂に対して種々の工夫がなさ
れてきているが、それも限界に達しつつある。
による解像力の向上だけでは、−窓以上の解像力は得ら
れず、比例定数ｋを小さくする必要があり、その目的の
ために転写される感光性樹脂に対して種々の工夫がなさ
れてきているが、それも限界に達しつつある。
（発明が解決しようとする課題〉
このように、投影露光方法では、その解像力は光源の波
長と開口数および感光材料によって決まってしまい、決
まったｉ１以上の解像力を得ることは不可能であった。
長と開口数および感光材料によって決まってしまい、決
まったｉ１以上の解像力を得ることは不可能であった。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、光源の波
長と光学系の開口数および感光材料が決められても、従
来得られなかったような高い解像力を得るための投影露
光方法、投影露光装置およびマスク構造を提供すること
を目的とする。
長と光学系の開口数および感光材料が決められても、従
来得られなかったような高い解像力を得るための投影露
光方法、投影露光装置およびマスク構造を提供すること
を目的とする。
（ＴＩ題を解決するための手段）
そこで本発明では、同一露光領域に対しマスクパターン
とマスクパターンに対して白黒反転させた反転パターン
をややぼかしかつ強度を弱めたものとを投影露光するこ
とを特徴としている。
とマスクパターンに対して白黒反転させた反転パターン
をややぼかしかつ強度を弱めたものとを投影露光するこ
とを特徴としている。
また、本発明の露光マスクでは、第１のマスクパターン
と該第１のマスクパターンに対して白黒反転させた第２
のマスクパターンとを具備するようにしている。
と該第１のマスクパターンに対して白黒反転させた第２
のマスクパターンとを具備するようにしている。
さらに本発明の投影露光装置では、光路上に着脱自在に
装着され、光の位相をシフトさせる位相シフト手段を具
備するようにしている。
装着され、光の位相をシフトさせる位相シフト手段を具
備するようにしている。
また、本発明の投影露光装置では、露光マスクの一部か
らの光が被露光体に到達しないように遮蔽する遮蔽手段
を具備するようにしている。
らの光が被露光体に到達しないように遮蔽する遮蔽手段
を具備するようにしている。
（作用）
ところで、レンズによって正弦波的に明暗を繰り返すチ
ャートいわゆる正弦波チャートの像を作ると、そノコン
トラスト（Ｍ Ｔ ｌ” ： ｍｏｄｕｌｅｒ ｔｒａ
ｎｓｆｅｒ ｆｕｎｋｕｔｉｏｎ）と位＠ （Ｐ Ｔ
Ｆ ： ｐｈａｓｅ ｔａｒａｎｓｆｅｒ ｆｕｎｃｔ
ｉｏｎ）は、空間周波数の間数で表され、これらの関数
は光学的伝達関数（ＯＴＦ＞と呼ばれる。
ャートいわゆる正弦波チャートの像を作ると、そノコン
トラスト（Ｍ Ｔ ｌ” ： ｍｏｄｕｌｅｒ ｔｒａ
ｎｓｆｅｒ ｆｕｎｋｕｔｉｏｎ）と位＠ （Ｐ Ｔ
Ｆ ： ｐｈａｓｅ ｔａｒａｎｓｆｅｒ ｆｕｎｃｔ
ｉｏｎ）は、空間周波数の間数で表され、これらの関数
は光学的伝達関数（ＯＴＦ＞と呼ばれる。
結像素子の解像力の議論にはＭＴＦが良く用いられるが
、ＭＴＦは次式■で表される。
、ＭＴＦは次式■で表される。
ＭＴＦ
＝像のコントラスト／マスクのコントラスト・・・■す
なわち、ＭＴＦが１ならばマスクのパターンが完全な像
となって基板上に転写することができることを示し、Ｍ
ＴＦがＯならばまったく転写することができないことを
示している。
なわち、ＭＴＦが１ならばマスクのパターンが完全な像
となって基板上に転写することができることを示し、Ｍ
ＴＦがＯならばまったく転写することができないことを
示している。
また、ＭＴＦは空間周波数の関数となっていて、焦点が
あっているときの一例を第４図に示す。
あっているときの一例を第４図に示す。
ここでは、Ｓは正規化された空間周波数ｓ＝（λ／ＮＡ
）ｔＪ・・・・・・・・・■であり、正規化された空間
周波数とＭＴＦとの関係が示されている。
）ｔＪ・・・・・・・・・■であり、正規化された空間
周波数とＭＴＦとの関係が示されている。
一方、λ／２の焦点はずれがあったときのＭＴＦの一例
を第５図に示す。ここで、第５図においてＭＴＦが負と
なっているのは、その空間周波数において、コントラス
トが負すなわち白黒が反転していることを示している。
を第５図に示す。ここで、第５図においてＭＴＦが負と
なっているのは、その空間周波数において、コントラス
トが負すなわち白黒が反転していることを示している。
そこで、コントラストが負すなわち白黒が反転している
マスクを用いて第５図に示した場合と同一の条件のもと
に露光すると、このときのＭＴＦは第６図の曲線ａに示
すようになっている。そしてさらにこのようなＭＴＦに
もとづいて少し弱く露光したとすると全体にわたってＭ
ＴＦが低下し、第６図の曲ＩＩＡｂに示すようになる。
マスクを用いて第５図に示した場合と同一の条件のもと
に露光すると、このときのＭＴＦは第６図の曲線ａに示
すようになっている。そしてさらにこのようなＭＴＦに
もとづいて少し弱く露光したとすると全体にわたってＭ
ＴＦが低下し、第６図の曲ＩＩＡｂに示すようになる。
さらに、この第６図の曲線すと第４図の曲線とを重ね合
わせたとき、第７図に示すようになる。
わせたとき、第７図に示すようになる。
従って、高い空間周波数のところでＭＴＦが高くなって
おり、パターン転写の際高い解像力を得ることができる
。
おり、パターン転写の際高い解像力を得ることができる
。
また、空間周波数が０の付近でのＭＴＦの低下は、転写
パターン寸法の大小によるパターン寸法変ｖＪＩを小さ
くすることができる。
パターン寸法の大小によるパターン寸法変ｖＪＩを小さ
くすることができる。
このように、本発明は、同一の露光領域に対しマスクパ
ターンとマスクパターンに対して白黒反転させた反転パ
ターンをややぼかしかつ強度を弱めたものとを投影露光
し、これらの重ね合わせにより高い空間周波数のところ
でＭＴＦを高くすることを要旨としており、これにより
、解Ｑ［の向上をはかることができる６ また、このような露光方法を実現するための露光マスク
として、第１のマスクパターンと該第１のマスクパター
ンに対して白黒反転させた第２のマスクパターンとを具
備したものを用いることにより、マスクを入れ替えるこ
となく前記露光方法を実現することができ、マスク合わ
せに要する時間の低減をはかり、短時間で容易に高解像
度の露光を行うことができる。
ターンとマスクパターンに対して白黒反転させた反転パ
ターンをややぼかしかつ強度を弱めたものとを投影露光
し、これらの重ね合わせにより高い空間周波数のところ
でＭＴＦを高くすることを要旨としており、これにより
、解Ｑ［の向上をはかることができる６ また、このような露光方法を実現するための露光マスク
として、第１のマスクパターンと該第１のマスクパター
ンに対して白黒反転させた第２のマスクパターンとを具
備したものを用いることにより、マスクを入れ替えるこ
となく前記露光方法を実現することができ、マスク合わ
せに要する時間の低減をはかり、短時間で容易に高解像
度の露光を行うことができる。
さらにまた、このような露光方法を実現するための露光
装置として、光の位相をシフトさせる位相シフト手段を
光路上に着脱自在に装着するようにしているため、位相
シフト手段を光路上から外した状態で第１のパターンを
露光し、位相シフト手段を光路上に装着した状態で第２
のパターンを露光するようにすれば、極めて容易に高解
像度の露光を行うこよができる。
装置として、光の位相をシフトさせる位相シフト手段を
光路上に着脱自在に装着するようにしているため、位相
シフト手段を光路上から外した状態で第１のパターンを
露光し、位相シフト手段を光路上に装着した状態で第２
のパターンを露光するようにすれば、極めて容易に高解
像度の露光を行うこよができる。
また、本発明の投影露光装置では、露光マスクの一部か
らの光が被露光体に到達しないように遮蔽する遮蔽手段
を具備しているため、同一マスク上に１１のマスクパタ
ーンと該第１のマスクパターンに対して白黒反転させた
第２のマスクパターンとを具備したものを用いて露光を
行うに際し、マスクを入れ替えることなく前記露光方法
を実現することができ、マスク合わせに要する時間の低
減をはかり、短時間で容易に高解像度の露光を行うこと
ができる。
らの光が被露光体に到達しないように遮蔽する遮蔽手段
を具備しているため、同一マスク上に１１のマスクパタ
ーンと該第１のマスクパターンに対して白黒反転させた
第２のマスクパターンとを具備したものを用いて露光を
行うに際し、マスクを入れ替えることなく前記露光方法
を実現することができ、マスク合わせに要する時間の低
減をはかり、短時間で容易に高解像度の露光を行うこと
ができる。
（実施例）
次に、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に
説明する。
説明する。
実施例１
第１図は本発明の第１の実施例の露光方法を模式的に示
す説明図である。
す説明図である。
ここで露光用マスク１は、クロム薄膜からなる遮光パタ
ーン２によって所望の回路パターンを形成してなる第１
の領域Ｒ１と該回路パターンの白黒反転パターンを形成
してなる第２の領域Ｒとから構成されている。この回路
パターンすなわち第１および第２の領域Ｒ１，Ｒ２はマ
スク上の寸法で２５ｍｓｘ２５ｍｓとし、両頭域は互い
に隣接して配置されている。
ーン２によって所望の回路パターンを形成してなる第１
の領域Ｒ１と該回路パターンの白黒反転パターンを形成
してなる第２の領域Ｒとから構成されている。この回路
パターンすなわち第１および第２の領域Ｒ１，Ｒ２はマ
スク上の寸法で２５ｍｓｘ２５ｍｓとし、両頭域は互い
に隣接して配置されている。
そしてこの露光装置は、光源りと、マスク１と、投影レ
ンズ３と、マスク１と投影レンズ３との間に、配設され
位相をλ／２だけずらすための位相シフタとしての石英
板４と、露光マスクの半分の領域からの光が被露光体に
到達しないように遮蔽する遮蔽板５とから構成されてお
り、レジスト被覆されたシリコン基板５の表面にパター
ン転写を行うようにしたものである。
ンズ３と、マスク１と投影レンズ３との間に、配設され
位相をλ／２だけずらすための位相シフタとしての石英
板４と、露光マスクの半分の領域からの光が被露光体に
到達しないように遮蔽する遮蔽板５とから構成されてお
り、レジスト被覆されたシリコン基板５の表面にパター
ン転写を行うようにしたものである。
ここで、この投影露光装置は光源としては波長２４８０
ＡのＫｒＦエキシマレーザを用い、レンズ系の開口数Ｎ
Ａが０．４２である５分の１縮小役彰露光装置とした。
ＡのＫｒＦエキシマレーザを用い、レンズ系の開口数Ｎ
Ａが０．４２である５分の１縮小役彰露光装置とした。
次に、この露光装置を用いてパターン露光を行う工程に
ついて第２図のフローチャートを参照しつつ説明する。
ついて第２図のフローチャートを参照しつつ説明する。
まず、シリコン基板表面にポジ型フォトレジストを膜厚
０．５μｍとなるように塗布し、まず遮蔽板５を第２の
領域に対応する位置に設置し、焦点を合わせた状態で、
２５０ｍＪ／ｃｊのエネルギー条件で、ステップアンド
リピート法によって順次基板を移送しつつ露光し、−枚
のシリコン基板６（ウェハ）上に５２カ所に露光マスク
１の第１の領域Ｒ１を用いて露光を行った（ステップ１
）。
０．５μｍとなるように塗布し、まず遮蔽板５を第２の
領域に対応する位置に設置し、焦点を合わせた状態で、
２５０ｍＪ／ｃｊのエネルギー条件で、ステップアンド
リピート法によって順次基板を移送しつつ露光し、−枚
のシリコン基板６（ウェハ）上に５２カ所に露光マスク
１の第１の領域Ｒ１を用いて露光を行った（ステップ１
）。
次いで、遮蔽板５を第１の領域に対応する位置に設置し
、さらにレンズ系はそのままの状態にし、焦点を合わせ
た状態で、石英板４を光路上に設置し、５０ｍＪ／ｃｄ
のエネルギー条件で、ステップアンドリピート法によっ
て順次基板を移送しつつ露光し、前記シリコン基板６（
ウェハ）上の５２カ所の第１の領域の回路パターン露光
領域に重なるように露光マスク１の第２の領域Ｒ２を用
いて露光を行った〈ステップ２〉。なお、２回の露光に
際しては、シリコン基板６の設置されているステージ７
に取り付けられたレーザ干渉計による位置計測器によっ
て露光領域を正確に重なり合わせるようになっている。
、さらにレンズ系はそのままの状態にし、焦点を合わせ
た状態で、石英板４を光路上に設置し、５０ｍＪ／ｃｄ
のエネルギー条件で、ステップアンドリピート法によっ
て順次基板を移送しつつ露光し、前記シリコン基板６（
ウェハ）上の５２カ所の第１の領域の回路パターン露光
領域に重なるように露光マスク１の第２の領域Ｒ２を用
いて露光を行った〈ステップ２〉。なお、２回の露光に
際しては、シリコン基板６の設置されているステージ７
に取り付けられたレーザ干渉計による位置計測器によっ
て露光領域を正確に重なり合わせるようになっている。
そして最後に現像（ステップ３）を行い、シリコン基板
上のレジストに回路パターンが転写される。
上のレジストに回路パターンが転写される。
このようにして形成されたレジストパターンを電子顕微
鏡を用いて観察したところ、０．２７μｍｌ／Ｓの良好
なパタ７ンを得ることができた。
鏡を用いて観察したところ、０．２７μｍｌ／Ｓの良好
なパタ７ンを得ることができた。
これに対し、従来の露光方法によれば、同一レジストお
よび同一レンズ系の投影露光装置を用いた場合０．４μ
ｍＬ／Ｓ以下のパターン寸法では寸法制御性が極めて悪
かった。
よび同一レンズ系の投影露光装置を用いた場合０．４μ
ｍＬ／Ｓ以下のパターン寸法では寸法制御性が極めて悪
かった。
なお、この実施例では、２回の露光の重ね合わせには、
ステージのレーザ干渉計の値のみを利用して位置合わせ
を行ったが、ウェハ上に予め合わせマークを設けておき
、２回目の露光に際し、この合わせマークを用いて位置
合わせを行うようにしても良い。
ステージのレーザ干渉計の値のみを利用して位置合わせ
を行ったが、ウェハ上に予め合わせマークを設けておき
、２回目の露光に際し、この合わせマークを用いて位置
合わせを行うようにしても良い。
また、このように合わせマークを用いて位置合わせを行
う場合は、多数のウェハを順次ステージ上に設置し取り
替えつつこれらウェハに対して第１の回路パターンのみ
の転写を行った後、露光マスクを取り替えるかあるいは
遮蔽板の位置を動かして再びこれらウェハに対して反転
パターンである第２の回路パターンを重ねて転写するよ
うにしてもよい、従ってこの場合は、第１のパターンと
第２のパターンとがそれぞれ別の露光マスクに形成され
ていても良い。これは、パターン領域が大きい場合に有
効である。
う場合は、多数のウェハを順次ステージ上に設置し取り
替えつつこれらウェハに対して第１の回路パターンのみ
の転写を行った後、露光マスクを取り替えるかあるいは
遮蔽板の位置を動かして再びこれらウェハに対して反転
パターンである第２の回路パターンを重ねて転写するよ
うにしてもよい、従ってこの場合は、第１のパターンと
第２のパターンとがそれぞれ別の露光マスクに形成され
ていても良い。これは、パターン領域が大きい場合に有
効である。
さらにまた、第１回目の露光と第２回目の露光とはいず
れのパターンを先にしても良い。
れのパターンを先にしても良い。
さらに、本発明の第２の実施例の投影露光装置を、第３
図に示す。この装置では、露光マスク１０がクロム簿膜
からなる遮光パターン２によって所望の回路パターンを
形成してなる第１の領域Ｒ１０と該回路パターンの白黒
反転パターンを形成すると共にさらにこの遮光パターン
の上層にＰＭＭＡパターンからなる位相シフタ層２１を
備えた第２の領域Ｒ２０とから構成されている。この回
路パターンすなわち第１および第２の領域Ｒ１０゜Ｒ２
０は前記実施例の場合と同様、マスク上の寸法で２５■
ｘ２５■とし、周領域は互いに隣接して配置されている
。ここで、位相シフタ層２１の膜厚は、光源として用い
る光の波長によって決まるがここではシフト量がλ／２
となるように決定される。
図に示す。この装置では、露光マスク１０がクロム簿膜
からなる遮光パターン２によって所望の回路パターンを
形成してなる第１の領域Ｒ１０と該回路パターンの白黒
反転パターンを形成すると共にさらにこの遮光パターン
の上層にＰＭＭＡパターンからなる位相シフタ層２１を
備えた第２の領域Ｒ２０とから構成されている。この回
路パターンすなわち第１および第２の領域Ｒ１０゜Ｒ２
０は前記実施例の場合と同様、マスク上の寸法で２５■
ｘ２５■とし、周領域は互いに隣接して配置されている
。ここで、位相シフタ層２１の膜厚は、光源として用い
る光の波長によって決まるがここではシフト量がλ／２
となるように決定される。
この投影露光装置によっても前記第１の実施例と同様高
精度のパターン転写を行うことが可能である。
精度のパターン転写を行うことが可能である。
また、透光性基板および遮光膜の材料についても、実施
例に限定されることなく適宜変更可能である。
例に限定されることなく適宜変更可能である。
加えて、本発明は、前記第１及び第２の実施例に限定さ
れることなく、第１回目の露光と第２回目の露光とにお
ける露光量の比や焦点位置のずれ量などは、目的とする
解ｆ１１度や寸法制御性に応じて適宜変形可能であり、
その飽水発明の要旨を逸脱しない範囲で変形可能である
。
れることなく、第１回目の露光と第２回目の露光とにお
ける露光量の比や焦点位置のずれ量などは、目的とする
解ｆ１１度や寸法制御性に応じて適宜変形可能であり、
その飽水発明の要旨を逸脱しない範囲で変形可能である
。
（発明の効果）
以上説明してきたように、本発明によれば、同一露光領
域に対しマスクパターンとマスクパターンに対して白黒
反転させた反転パターンをややぼかしかつ強度を弱めた
ものとを投影露光するようにしているため、光源の波長
、結像素子の間口数、プロセスパラメータなどで決まる
解像力以上の解像力を実施することが可能であり、また
微細パターンでの寸法制御性をも改善することができる
。
域に対しマスクパターンとマスクパターンに対して白黒
反転させた反転パターンをややぼかしかつ強度を弱めた
ものとを投影露光するようにしているため、光源の波長
、結像素子の間口数、プロセスパラメータなどで決まる
解像力以上の解像力を実施することが可能であり、また
微細パターンでの寸法制御性をも改善することができる
。
第１図は本発明の第１の実施例の投影露光装置を示す図
、第２図は同投影露光装置を用いた露光工程の７０−チ
Ｐ−トを示す図、第３図は本発明の第２の実施例の投影
露光装置を示す図、第４図乃至第７図は本発明の露光方
法の原理を説明するためのＭＴＦと空間周波数との関係
を示す図である。 １．１０・・・露光マスク、２・・・遮光膜パターン、
Ｒ１，Ｒ１０・・・第１の領域、Ｒ２，Ｒ２０・・・第
２の領域、３・・・投影レンズ、４・・・位相シフタ、
５・・・遮蔽板、し・・・光源、６・・・シリコン基板
、７・・・ステージ、２１・・・位相シフタ層。 第 ２ 図 入 Ｓ＝可Ｕ 第４ 図 入 Ｓ−翫Ｕ 第 図 Ｓ 第７図 手続ネｍ正因（自Ｔｅ） １、事件の表示 平成１年特ｒＦＩ！１ｍ２２３６６１号１２、発明の名
称 露光マスク、露光り法および投影露光装置３、補正をす
る者 事件との関係 （３０７） 株式会社
、第２図は同投影露光装置を用いた露光工程の７０−チ
Ｐ−トを示す図、第３図は本発明の第２の実施例の投影
露光装置を示す図、第４図乃至第７図は本発明の露光方
法の原理を説明するためのＭＴＦと空間周波数との関係
を示す図である。 １．１０・・・露光マスク、２・・・遮光膜パターン、
Ｒ１，Ｒ１０・・・第１の領域、Ｒ２，Ｒ２０・・・第
２の領域、３・・・投影レンズ、４・・・位相シフタ、
５・・・遮蔽板、し・・・光源、６・・・シリコン基板
、７・・・ステージ、２１・・・位相シフタ層。 第 ２ 図 入 Ｓ＝可Ｕ 第４ 図 入 Ｓ−翫Ｕ 第 図 Ｓ 第７図 手続ネｍ正因（自Ｔｅ） １、事件の表示 平成１年特ｒＦＩ！１ｍ２２３６６１号１２、発明の名
称 露光マスク、露光り法および投影露光装置３、補正をす
る者 事件との関係 （３０７） 株式会社
Claims (5)
- （１）透光性基板と、 前記透光性基板上に配設された遮光性材料 からなるマスクパターンとを具備した露光マスクにおい
て、 前記マスクパターンは第１のパターンと、 この第１のパターンに対し白黒反転した第２のパターン
とを具備してなることを特徴とする露光マスク。 - （２）前記第２のパターンは、前記第１のパターンの透
過光に対して位相をややシフトさせる位相シフト層を具
備してなることを特徴とする請求項（１）記載の露光マ
スク。 - （３）露光用マスクを介してリソグラフィ光を透過せし
め被処理基板上にパターンを転写する露光方法において
、 第１のマスクパターンを介して投影露光す る第１の露光工程と、 第１のパターンに対して白黒反転した第２ のパターンを介し、かつ位相をややシフトさせて前記第
１の露光工程で露光のなされた領域を、投影露光する第
２の露光工程とを含む ようにしたことを特徴とする露光方法。 - （４）光源と、 露光用マスクと、 光源からの光を露光用マスクを介して基板 上に導く光学系とを備えた投影露光装置において、前記
光源からの光を露光用マスクを介して 基板上に導く光路上に、着脱自在であってかつ露光用マ
スクパターンの透過光に対して位相をややシフトさせる
位相シフト手段を具備してなることを特徴とする投影露
光装置。 - （５）光源と、 露光用マスクと、 光源からの光を露光用マスクを介して基板 上に導く光学系とを備えた投影露光装置において、前記
光源からの光を露光用マスクを介して 基板上に導く光路上に、着脱自在であってかつ露光用マ
スクパターンの一部からの透過光を遮蔽する遮蔽手段を
具備してなることを特徴とする投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1223661A JPH0385543A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 露光マスク、露光方法および投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1223661A JPH0385543A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 露光マスク、露光方法および投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0385543A true JPH0385543A (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=16801669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1223661A Pending JPH0385543A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 露光マスク、露光方法および投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0385543A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004356633A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置 |
| JP2006032974A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 光リソグラフィの迷光の影響を減らす方法、その方法によって得られたデバイスおよびその方法に使用されるマスク |
-
1989
- 1989-08-30 JP JP1223661A patent/JPH0385543A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004356633A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置 |
| US7423730B2 (en) | 2003-05-28 | 2008-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| US7612867B2 (en) | 2003-05-28 | 2009-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| JP2006032974A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 光リソグラフィの迷光の影響を減らす方法、その方法によって得られたデバイスおよびその方法に使用されるマスク |
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